孫茜怡++關(guān)鈺
摘 要:以GaN光伏型紫外探測器輸出的微弱電流信號為根據(jù)對探測器的前置放大電路進行設(shè)計,首先運用標準的電路理論建立了等效噪聲模型,分析計算了電路中各個噪聲源引起的噪聲,導出了光電檢測電路的信噪比輸出公式,對影響光電檢測電路輸出信噪比的因素進行了詳細的分析與研究;同時還給出了跨組放大器帶寬與穩(wěn)定性之間的關(guān)系,最后用multisim10軟件的仿真印證了分析和設(shè)計的正確性。
關(guān)鍵詞:紫外探測器;前置放大器;噪聲;穩(wěn)定性
中圖分類號:TN72 文獻標志碼:A 文章編號:2095-2945(2017)20-0011-03
引言
空空導彈系統(tǒng)中多為紅外制導和雷達制導。隨著干擾手段的發(fā)展,單一的探測手段已經(jīng)不能滿足抗干擾的需求。于是,出現(xiàn)了雙色探測器等多探測體制,如紫外/紅外、紫外/激光、紅外/激光等多種復合探測體制。繼紅外探測技術(shù)之后紫外探測技術(shù)成為又一重要的軍民兩用光電探測技術(shù)。相較于紅外探測系統(tǒng),紫外探測技術(shù)因其獨有優(yōu)勢,受到了軍方的關(guān)注。
正是因為軍方的重視和紫外探測技術(shù)的獨特性,本文開展紫外信號檢測放大技術(shù)的研究,以此來確定一種更適合紫外信號的前放電路結(jié)構(gòu),并對它的噪聲特性及抑制方法進行分析和驗證。
1 紫外探測器
紫外探測器件主要分為點探測器和像探測器。半導體紫外探測器件因其體積小、過載高在軍事中應用較多。本系統(tǒng)中采用GaN基紫外探測器,光譜響應區(qū)間在260~380nm,峰值響應波長為365nm。
在探測器應用中多采用PIN結(jié)構(gòu)[2],I層會加大耗盡層厚度。I層有更高的電阻相對于PN層,這里的反向偏壓形成高電場區(qū),加寬了光電轉(zhuǎn)換的有效工作區(qū)域,使暗電流有所降低,提高了靈敏度,探測器的電容也有減小。
紫外探測多采取直接探測,所以在光信號功率小時,電信號輸出相應也較小。一般在實際探測器的應用中,為了方便后續(xù)處理,通常使用前置放大電路將信號放大。紫外探測器中就要設(shè)計合理的前置放大電路,以保證探測系統(tǒng)能夠在一定的輸出信噪比下工作。
2 前置放大電路
微弱光電信號前置放大器,信號小,輸入信噪比低,在空空導彈系統(tǒng)等軍用系統(tǒng)中多有專門的低噪聲放大器。
而在低噪聲放大器的設(shè)計中,噪聲水平、放大器的增益和放大器的帶寬通常要依據(jù)其中的帶寬綜合考慮。
2.1 光電二極管的等效電路模型
紫外探測為直接探測方式。光信號功率小,紫外探測器的電信號輸出也相應較小,在本設(shè)計中所采用的探測器芯片的響應較小,ID約為5nA左右,零偏阻抗100MΩ,結(jié)電容CJ≈50pf,等效電路[4]如圖1所示。
它包含一個被輻射光激發(fā)的電流源,一個理想的二極管,結(jié)電容和寄生串聯(lián)及并聯(lián)電阻。IL為二極管的漏電流,ISC為二極管光電流,Rpo為寄生電阻,ePD為噪聲源,結(jié)電容大致為20pf。
在本文的應用中,紫外探測器芯片工作在零偏置即光伏模式下。
在此模式下探測器芯片作為光電二級管可以非常精確的線性工作。零偏置條件下,無暗電流,二極管噪聲等同分電路電阻的熱噪聲;反偏置條件下,則有暗電流產(chǎn)生附加噪聲源。本文就要對這種光伏模式進行最優(yōu)化設(shè)計。
2.2 光電檢測電路設(shè)計
由于探測器工作狀態(tài)時產(chǎn)生的是電流信號,在后續(xù)使用中要將它轉(zhuǎn)換為電壓信號,主放大器的作用就是對光電流進行I-V轉(zhuǎn)換,并放大到所需要的值。
2.2.1 電流-電壓轉(zhuǎn)換電路分析和設(shè)計
本文所采用的光電轉(zhuǎn)換電路為高靈敏度的電流-電壓轉(zhuǎn)換器,二極管偏執(zhí)由運算放大器的虛地維持在零電壓,短路電流即被轉(zhuǎn)換為電壓。電流電壓轉(zhuǎn)換電路如圖2所示。
由于在最高靈敏度時該放大電路[5]必須能檢測1nA的二極管電流,采用普通結(jié)構(gòu)的電流電壓轉(zhuǎn)換器會使反饋電阻非常大,例如對于1nA的二極管電流,要求輸出0.1V的電壓,則需要100MΩ的偏置電阻,而電阻是對總輸出噪聲影響最大的因素之一。這對系統(tǒng)噪聲的影響是不可想象的。
該主放大器的輸出VO=-k1Rfid
k1=1+R1/R2+R1/Rf
可見這個電路是靠倍乘因子k來增加R的,于是我們基于一個合理的R值,依靠倍乘因子k來提高靈敏度。
針對本電路為了實現(xiàn)0.1nV/nA的靈敏度,由式可知k1Rf=0.1/10-9=100M?贅,這是一個相當大的值,為了不至產(chǎn)生太大噪聲,由Rf=1M?贅出發(fā),然后乘以100以滿足技術(shù)指標,因此,1+R1/R2+R1/106=100。在采用R2=1k?贅時,可得R1≈99k?贅(用最接近標準值的100kΩ)
2.2.2 前置放大電路的噪聲分析
外部噪聲(系統(tǒng)的外界干擾)和內(nèi)部噪聲(光電系統(tǒng)本身產(chǎn)生的噪聲,是光電檢測器件和檢測電路的器件固有噪聲)為光電檢測電路的主要噪聲來源。
外部噪聲要通過外部手段控制,本文中我們主要研究通過選擇電路元件和合理的電路設(shè)計來減小內(nèi)部噪聲,提高系統(tǒng)的檢測精度。
光電二極管、前置放大電路構(gòu)成了光電檢測電路,它的噪聲模型如圖3所示:
Isc:光電二極管的光電流;Ins:光電二極管的散粒噪聲電流;Ind:光電二極管內(nèi)阻產(chǎn)生的熱噪聲電流;Cd:光電二極管的結(jié)電容;En、In:放大器的等效輸入噪聲電壓和等效輸入噪聲;Unf:反饋電阻Rf和R1產(chǎn)生的熱噪聲電壓。其中:
I2ns=2eIsc△f,△f為電路的通頻帶;
I2nd=4kT△f/Rd
U2nf=4kTRf△f
由此:
由上面的公式[6]得出,反饋電阻Rf和R1和輸出信噪比成正比。要想提高輸出信噪比和信號增益,需要提高Rf和R1的阻值。所以我們可以選擇阻值大、噪音小的金屬膜電阻。
此外,輸出信號電壓幅度的也限制Rf和R1的選擇,還應根據(jù)光電流的最大值來確定Rf的大小。
電路的通頻帶△f和輸出信噪比成反比。電容Cs與Rf并聯(lián)就是為減小電路的通頻帶。它們構(gòu)成一個高頻截止頻率為1/2?仔RfCs的濾波電路。直流和低頻,信號增益不變;頻率超過1/2?仔RfCs時,信號增益下降信號幅度線性失真,因此電路的通頻帶△f=1/2?仔RfCs。
Rf和Cs和通頻帶也成反比。如果電路的通頻帶太小會造成輸出信號頻率失真;如果Cs太大,系統(tǒng)響應會變慢;Cs也有消除自激震蕩的作用。
2.2.3 集成運算放大器的選用
考慮集成運放的等效輸入噪聲電壓En和等效輸入噪聲電流In,同輸出信噪比成反比。故應選用En和In小的低噪聲和低偏置電流的集成運算放大器。
場效應管為輸入級的運放具有開環(huán)輸入阻抗高、輸入偏置電流小和不隨溫度變化的優(yōu)點,適合選用。同時,提高開環(huán)放大倍數(shù),使光電二極管在無偏壓狀態(tài)工作;其次,選用的集成運放的失調(diào)電壓和電流應較小。
由于要精確測量納安級的光電流,運算放大器的偏執(zhí)電流不應該大于數(shù)納安,并且放大器本身引入的噪聲要非常小,這就大大縮小了選擇的余地。
我們最終采用了噪聲低,精密,輸入為FET的AD795k型運算放大器。它具有兩種優(yōu)勢:(1)雙極型輸入運算放大器的低電壓噪聲和低失調(diào)漂移;(2)FET輸入器件的極低偏置電流。
其性能參數(shù)為:
失調(diào)電壓:在25°C時,最大為250uv,
失調(diào)電壓漂移:最大為3uV/°C
輸入偏置電流:在25°C時,最大為1PA
0.1~10HZ 電壓噪聲2.5uVp-p
1/f轉(zhuǎn)折頻率12Hz
電壓噪聲:在100Hz處為10nV/√Hz
電流噪聲:在100Hz處為0.6fA/√Hz
在±15V時的功耗為40mW
增益帶寬乘積1MHz
2.2.4 前置放大器穩(wěn)定性分析
考慮光電二極管小信號模型后,完整的前置放大電路如圖4:
該系統(tǒng)的傳輸函數(shù)[7]為:
其中,Aol(j?棕)為放大器開環(huán)環(huán)路增益;?茁為反饋系數(shù),即1/(1+Zf/Zin);Zin為分布式輸入阻抗
展開后可得:
式中
由于Rd遠大于Rf,故fz 圖中顯示了Aol(j?棕)曲線與1/?茁曲線在fx處相交,且在交點處|Aol?茁|=1。放大器需在工作中不振蕩、穩(wěn)定。工程應用上,要求相位裕度?準m>>4/?仔,當?準m=4/?仔時,fp=fx。放大器在系統(tǒng)穩(wěn)定的前提下,要得到最大帶寬,可令: 式中:可以求得GBW為運放的增益帶寬積。最終可求得: 對于更大的相位裕度,這個電容值還會增大,但也會降低I-V轉(zhuǎn)換器的帶寬。 3 電路仿真計算 利用multisim10 軟件[8]對圖5所示電路進行仿真分析。 交流仿真結(jié)果如圖6所示。 噪聲分析如圖7所示。 4 結(jié)束語 本文推出了光電檢測電路信噪比的公式,并對光電轉(zhuǎn)換電路的穩(wěn)定性進行了詳細的研究,總結(jié)了設(shè)計低噪聲光電檢測電路的方法。 某預研項目中,根據(jù)本文討論的方法設(shè)計的前置放大器已有應用,我們可以看到實際測試結(jié)果達到了預期效果,所以此設(shè)計方案可行。不足之處在于,本設(shè)計中印刷板本身帶來的寄生電容問題。這就要求我們必須小心布線以控制寄生電容;另外,可在輸出端增加濾波器,以減小系統(tǒng)噪聲。 參考文獻: [1]Gil Tidhar, Raanan Schlisselberg. Evolution Path of MWS technolo gies: RF, IR and UV[J]. Proceedings of SPIE,2005,5 783:6622673. [2]Degnan J J. Theory of op timally coup led Q2switched laser 220. [J]. IEEE J. Quantum Electron., 1989,25(2):2142. [3]孫培懋,劉正飛.光電技術(shù)[M].北京:機械工業(yè)出版社,1992. [4]何俄章.線性測量系統(tǒng)中光電探測電路的設(shè)計[J].達縣師范高等??茖W校學報:自然科學版,2000,10(2):109-111. [5]賽爾吉歐·弗朗哥.基于運算放大器和模擬集成電路的電路設(shè)計[M]. 西安交通大學出版社,2005. [6]王立剛.低噪聲光電檢測電路的研究與設(shè)計[J].電測與儀表,2007(8):63-65. [7]馬鑫.光電二極管電參數(shù)模型及I/V轉(zhuǎn)換穩(wěn)定性分析[J].哈爾濱工業(yè)大學學報,2009(7):89. [8]將卓勤.Multisim2001及其在電子設(shè)計中的應用[M].西安電子科技大學出版社,2003.