摘 要:近年來,隨著射頻技術(shù)的逐漸提高,人們對(duì)微波系統(tǒng)的可靠性、功率密度以及供電時(shí)序的要求也越來越高。目前,在所有微波功率器件中以氮化鎵(GaN)為基礎(chǔ)的器件被廣泛發(fā)展研究,具有巨大的應(yīng)用潛能。參考脈沖電源和電壓在微波系統(tǒng)中的時(shí)序控制要求,對(duì)電壓控制電路進(jìn)行設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)電壓按照直流輸出,以脈沖電壓形式輸出的功能,并實(shí)現(xiàn)上電和掉電的時(shí)序控制。
關(guān)鍵詞:射頻技術(shù);微波系統(tǒng);時(shí)序控制
DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.24.107
微波技術(shù)在雷達(dá)通信等方面被廣泛應(yīng)用,并逐步向高功率、低能耗、高穩(wěn)定、小型化的方向發(fā)展,而電壓控制信號(hào)的合理設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)這些的必要條件[1]。GaN因其具有高性能、低損耗的特點(diǎn),在微波系統(tǒng)中以GaN為基的功率放大器被廣泛開發(fā)應(yīng)用。本文參考脈沖電源和電壓在微波系統(tǒng)中的時(shí)序控制要求,對(duì)電壓控制電路進(jìn)行設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)電壓按照直流輸出,以脈沖電壓形式輸出的功能,并實(shí)現(xiàn)上電和掉電的時(shí)序控制[2]。
2 結(jié)論
本文設(shè)計(jì)了應(yīng)用于微波系統(tǒng)的脈沖控制信號(hào)電路和供電時(shí)序電路,同時(shí)詳細(xì)討論了不同電路的工作原理,也進(jìn)行了具體的定量分析和定性分析。期望對(duì)相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用提供參考。
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[2]王毅. 功率MOSFET的失效分析及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)[D]. 武漢理工大學(xué), 2014.
作者簡(jiǎn)介:王?。?978-),男,江蘇南京人,大專,助理工程師,從事微波射頻電路方面的研究。