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全光纖電流互感器精度影響因素及抑制方法研究

2018-01-15 10:14:54張學(xué)彥周忠新
科學(xué)與財(cái)富 2018年34期
關(guān)鍵詞:精度分析影響因素

張學(xué)彥 周忠新

摘要:電流互感器器是電力系統(tǒng)中的測(cè)量元件,部分繞組甚至是計(jì)量元件,對(duì)于其精度的各級(jí)標(biāo)準(zhǔn)中有明確要求。這些誤差的要求在全光纖電流互感器上是相同的,部分誤差是系統(tǒng)誤差無(wú)法避免,如法拉第旋光效應(yīng)帶來(lái)的誤差,部分誤差是結(jié)構(gòu)誤差或者是方法誤差,如線性雙折射,這是光纖自身就存在的誤差,但由于檢測(cè)的物理量也是雙折射,這兩種雙折射產(chǎn)生了疊加效果,而磁致圓雙折射和殘余雙折射沒(méi)有明顯的差異,在檢測(cè)過(guò)程中無(wú)法區(qū)別,增加了檢測(cè)誤差,應(yīng)用在小電流檢測(cè)場(chǎng)景時(shí),由于磁場(chǎng)的強(qiáng)度與電流大小呈正相關(guān),因此法拉第效應(yīng)產(chǎn)生的圓雙折射量級(jí)較小,由電流產(chǎn)生的磁致圓雙折射幾乎被線性雙折射所湮沒(méi),無(wú)法避免光強(qiáng)受線性雙折射擾動(dòng),電流測(cè)量值引起得波動(dòng)對(duì)結(jié)果干擾明顯,為了提高精度,降低直至克服線性雙折射是關(guān)鍵環(huán)節(jié),這直接影響全光纖電流傳感器的應(yīng)用。

關(guān)鍵詞:光纖互感器;精度分析;影響因素

1引言

電流互感器器是電力系統(tǒng)中的測(cè)量元件,部分繞組甚至是計(jì)量元件,對(duì)于其精度的各級(jí)標(biāo)準(zhǔn)中有明確要求。這些誤差的要求在全光纖電流互感器上是相同的,部分誤差是系統(tǒng)誤差無(wú)法避免,如法拉第旋光效應(yīng)帶來(lái)的誤差,部分誤差是結(jié)構(gòu)誤差或者是方法誤差,如線性雙折射,這是光纖自身就存在的誤差,但由于檢測(cè)的物理量也是雙折射,這兩種雙折射產(chǎn)生了疊加效果,而磁致圓雙折射和殘余雙折射沒(méi)有明顯的差異,在檢測(cè)過(guò)程中無(wú)法區(qū)別,增加了檢測(cè)誤差,應(yīng)用在小電流檢測(cè)場(chǎng)景時(shí),由于磁場(chǎng)的強(qiáng)度與電流大小呈正相關(guān),因此法拉第效應(yīng)產(chǎn)生的圓雙折射量級(jí)較小,由電流產(chǎn)生的磁致圓雙折射幾乎被線性雙折射所湮沒(méi),無(wú)法避免光強(qiáng)受線性雙折射擾動(dòng),電流測(cè)量值引起得波動(dòng)對(duì)結(jié)果干擾明顯,為了提高精度,降低直至克服線性雙折射是關(guān)鍵環(huán)節(jié),這直接影響全光纖電流傳感器的應(yīng)用。

在工程應(yīng)用中,特別是在配電網(wǎng)絡(luò)中,互感器常年工作在戶內(nèi)外、敞開(kāi)環(huán)境下,氣候環(huán)境惡劣,寒來(lái)暑往,晝夜交替,自然條件下溫度的變化是劇烈的,線性雙折射的影響程度與溫度的起伏變化關(guān)系密切,降低溫度產(chǎn)生的波動(dòng)對(duì)測(cè)量精度和測(cè)量結(jié)果的重復(fù)性有深刻的意義。降低線性雙折射變化對(duì)互感器測(cè)量結(jié)果的影響,提高光纖電流傳感器的溫度穩(wěn)定性,是提高互感器測(cè)量精度的主要途徑,也是制造互感器技術(shù)路徑的選擇依據(jù)。同時(shí)利用逆磁材料降低光纖對(duì)溫度影響系統(tǒng)測(cè)量的敏感性,提高測(cè)量的穩(wěn)定性,也是在材料選擇方面的關(guān)鍵步驟。

2線性雙折射的成因

相對(duì)于理想全光纖電流傳感器模型,應(yīng)用中的測(cè)試光纖受外界多種因素影響影響,這種影響與需要測(cè)量的電流磁場(chǎng)疊加在一起,改變類理想模型下其光纖雙折射振值,甚至掩蓋了電流磁場(chǎng)產(chǎn)生的效果。理論分析中提及的單模光纖,其橫截面結(jié)構(gòu)應(yīng)該是完全的軸對(duì)稱圓形,在此前提下,將任意偏振光分解為兩束正交偏振光,這兩束正交偏振光在單模光纖中傳輸時(shí)其初傳播常數(shù)是相同的,不存任何關(guān)聯(lián)情況,因此在理想的傳播過(guò)程中,兩束偏振光之間的狀態(tài)不會(huì)改變,最終合成輸出時(shí)偏振態(tài)應(yīng)該沒(méi)有變化。但限于光纖的制造工藝、光纖在布防過(guò)程中受到的不均勻力、以及扭曲、熱變形、壓力等多種實(shí)際條件,光纖中傳波的兩束正交偏振模光會(huì)出現(xiàn):耦合、相位變化等問(wèn)題,這種兩個(gè)正交偏振光模傳播常數(shù)不同的現(xiàn)象被稱為光纖雙折射。通常,光線在光纖中傳播時(shí)有很多種折射的分類方法,一般較為常見(jiàn)的是線性雙折射和圓雙折射:線性雙折射主要引起正交的線偏振光傳播常數(shù)不同;圓雙折射則引起正交的左右旋圓偏振光傳播常數(shù)不同。光學(xué)材料的折射率的各向異性分布將導(dǎo)致光傳播的線性雙折射發(fā)生在這種光學(xué)材料中,線偏振光的情況也與此相似,由于兩個(gè)正交電場(chǎng)傳播速度不等,演變?yōu)楣饩€經(jīng)光纖中的傳播后相位差變化,原本以線偏振光形態(tài)傳導(dǎo)的光線,在上述影響下發(fā)生變化,部分以橢圓偏振光的形式傳導(dǎo)。

分析傳感光纖中的線性雙折射產(chǎn)生的主要原因,可以歸納為以下幾個(gè)方面:不均勻應(yīng)力產(chǎn)生的雙折射,拉制過(guò)程中冷卻不均勻以及某一方向上的外力使包裹層產(chǎn)生形變,這些細(xì)微的因素都將不可避免的帶來(lái)雙折射,產(chǎn)生這類雙折射的準(zhǔn)用稱謂為本征雙折射,或殘余雙折射,主要原因是制造工藝,在批量生產(chǎn)中控制工藝的差別,造成了光纖固有的隱疾;外部條件的變化,如振動(dòng)、溫度變化也會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生雙折射,特別是溫度的變化也會(huì)產(chǎn)生線性雙折射,因?yàn)闇囟鹊淖兓枪饫w受力不均,內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力,形變會(huì)進(jìn)一步造成使折射率發(fā)生變化,且這種折射率的變化分布不均勻;還有一些裝配環(huán)節(jié)會(huì)帶來(lái)誤差,傳感頭組裝、環(huán)形結(jié)構(gòu)繞制,難免會(huì)讓光纖受到到了來(lái)自于垂直和彎曲兩個(gè)平面上的力,兩個(gè)力合成后會(huì)產(chǎn)生不均勻的受力的結(jié)果。線性雙折射對(duì)整個(gè)測(cè)量過(guò)程都影響很大,特別是多個(gè)光纖部件級(jí)聯(lián)使用,其影響因子會(huì)連乘在一起,誤差會(huì)產(chǎn)生累計(jì)產(chǎn)生放大的效果,必須采取有效措施,針對(duì)性降低或者減少線性雙折射的影響,保證測(cè)量精度。

3線性雙折射的抑制方法研究

3.1線性雙折射的抑制途徑

為降低殘余線性雙折射,優(yōu)先選擇的是使用超低雙折射光纖來(lái)代替普通的單模光纖,這種性能更加優(yōu)良的光纖可以大幅降低雙折射的影響,普通單模光纖的線性雙折射在103°/m左右,而一般用做傳感光纖的低雙折射光纖,國(guó)內(nèi)可以達(dá)到≤2.6°/m,國(guó)外可以達(dá)到0.75°/ m 的水平;還可以在材料使用上進(jìn)行改進(jìn),選擇光纖內(nèi)部雙折射發(fā)生幾率較小的光纖,如雙折射光纖、超低光纖等,同時(shí)還有光纖傳導(dǎo)方面研究結(jié)論顯示,當(dāng)光纖中的圓雙折射增加后,特別是大量引入圓雙折射,光纖中的線性雙折射的數(shù)量就會(huì)降低,抑制效果佳。

提高圓雙折射的方法有很多種,但較為有效的有兩種方法:改變光纖的傳感器的繞制結(jié)構(gòu),使其成為環(huán)形結(jié)構(gòu),這樣的結(jié)構(gòu)保證了可以獲得一定量的圓雙折射;另一個(gè)常用的方法高圓雙折射光纖,這種光纖是經(jīng)過(guò)特殊工藝處理,高折射率高,材料選用的同時(shí)在加上特殊的旋扭工藝,雙管齊下提高圓雙折射效果,但這樣做也有兩方面的缺點(diǎn),一是單純的旋轉(zhuǎn)會(huì)使光纖硬度提高,彎曲半徑增加,容易發(fā)生斷裂;二是高圓雙折射光纖對(duì)溫度敏感性很強(qiáng),一旦外界溫度發(fā)生變化,光纖的性能會(huì)隨之發(fā)生變化,需要良好的溫度補(bǔ)償措施,需要溫度補(bǔ)償措施。所以,可以綜合以上兩種方法,采用超低雙折高園射光纖,將其布置為圓形結(jié)構(gòu)并在徑向扭轉(zhuǎn)的方式來(lái)提高園折射,消除部分線性雙折射的影響。

3.2逆磁光纖溫度補(bǔ)償機(jī)理

使用上節(jié)的環(huán)形互感器結(jié)構(gòu),采取上節(jié)采用的方法提高園雙折射抑制線性雙折射,但高圓雙折射光纖受溫度影響的弱點(diǎn)也暴露出來(lái)。前期進(jìn)行此種方案嘗試時(shí),也多在溫度補(bǔ)償方面留下不足。今年來(lái),隨著基礎(chǔ)材料物理的進(jìn)展,逆磁光纖的發(fā)現(xiàn)解決這一問(wèn)題。

朗之萬(wàn)是量子物理學(xué)的奠基人之一,它的理論能較為準(zhǔn)確的解釋物質(zhì)具有抗磁性的原因。1905年朗之萬(wàn)在洛倫茲經(jīng)典電子理論的基礎(chǔ)上首次對(duì)抗磁性做出了定量解釋。Kittel結(jié)合朗之萬(wàn)的相關(guān)理論,從而發(fā)展出成熟的抗磁性理論。在自旋狀體的電子,受到外施加磁場(chǎng)作用會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)磁距,影響電子軌道磁距和自旋磁距等狀態(tài),當(dāng)這種自身狀態(tài)的變化的產(chǎn)生抵消外施磁場(chǎng)影響,即誘導(dǎo)磁化強(qiáng)度與外磁場(chǎng)方向相反,這就是抗磁性現(xiàn)象。究其產(chǎn)生的原因,是復(fù)雜的量子態(tài)過(guò)程,利用宏觀模型類比,磁力線穿過(guò)電子運(yùn)動(dòng)的軌道,產(chǎn)生了使電子加速的效果,電子帶負(fù)電,加速運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生了新的磁場(chǎng),與外施磁場(chǎng)方向恰好是逆向,磁化率為負(fù),抵消了外施磁場(chǎng)的效果,在宏觀上表現(xiàn)為物質(zhì)不受磁場(chǎng)影響。量子力學(xué)理論下,一切物體都具備上述現(xiàn)象特性,但在有些現(xiàn)象中它們表現(xiàn)出磁化效果,是因?yàn)榉强勾呕镔|(zhì),磁化效應(yīng)更強(qiáng)烈,總體表現(xiàn)出來(lái)的是磁化效果,但將觀察尺度縮小,直至原子、離子尺度,這種抗磁現(xiàn)象顯現(xiàn)出來(lái)。

進(jìn)一步的深入研究,一些表現(xiàn)出逆磁效果的物質(zhì),如逆磁玻璃、逆磁纖維,其原子結(jié)構(gòu)中不存在永久的電子軌道磁矩,因此外加磁場(chǎng)后,只會(huì)產(chǎn)生很小的誘導(dǎo)磁矩,且方向與磁場(chǎng)方向相反。相對(duì)而言,普通玻璃的組成原子,是以網(wǎng)絡(luò)形成體和網(wǎng)絡(luò)修飾體離子形式存在的,它們的機(jī)構(gòu)類似惰性氣體的電子層結(jié)構(gòu),沒(méi)有未配對(duì)的電子,如四價(jià)硅離子、鈉離子、鈣離子、二價(jià)鉛離子、二價(jià)鋇離子等,體現(xiàn)出逆磁性。1985年,Kazuo Shiraishi等人研究溫度在10~90℃FR-2 逆磁玻璃和FR-5 順磁玻璃費(fèi)爾德的溫度關(guān)聯(lián)性,并以圖像的形式闡釋了變化趨勢(shì),F(xiàn)R-5體現(xiàn)出明顯變化趨勢(shì),Verdet常數(shù)與溫度有線性變化關(guān)系,為逆相關(guān);逆磁玻璃FR-2與其表現(xiàn)相反,如圖1所示,Verdet常數(shù)基本未發(fā)生變化,盡管溫度同樣變化劇烈。

進(jìn)一步研究逆磁玻璃的Verdet系數(shù)特性,熱膨脹會(huì)影響其數(shù)值的變化,值受溫度影響很小,這是一種良好的光纖制備材料,以此為材料的光纖,不會(huì)受溫度的影響,特別是加長(zhǎng)光纖的長(zhǎng)度后也不會(huì)產(chǎn)生Verdet常數(shù)的大幅變化,這是材料科學(xué)進(jìn)展為設(shè)備制造帶來(lái)的變革。

3.3提高逆磁光纖的Verdent常數(shù)

通過(guò)研究鍺硅酸鹽玻璃中不同PbO成分變化與Verdet系數(shù)大小的關(guān)系,有了這樣的結(jié)論:PbO含量與Verdet系數(shù)大小正相關(guān)。隨后對(duì)幾種玻璃效果較為優(yōu)異磁光玻璃組分分布進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)Verdet常數(shù)變化與金屬氧化物的含量變化的趨勢(shì)也是相同的,但在BCG 三元系統(tǒng)中,這種增加的趨勢(shì)是逐漸趨于減小的,逐步趨向于穩(wěn)定值,;在BPGB四元系統(tǒng)中結(jié)論卻不成立。工程實(shí)踐中,選取TeO2、PbO和H3BO3三種化合物,H3BO3 的摩爾比例固定為2%(H3BO3主要作用的粘合劑),TeO2和PbO按不同的比例混合均勻,放入馬弗爐中燒制,多次燒制,確定合適的溫度;同時(shí)也確定最佳TeO2、PbO的摩爾比,經(jīng)檢測(cè),最終確定的摩爾比為(4:6)98%。

光纖制備主要分為多模光纖和單模光纖兩個(gè)部分。一是制作多模光纖,反射層直接用聚乙烯材料。這種方式簡(jiǎn)單,成本低,但是纖芯比較粗,保護(hù)層與纖芯直接接觸,光纖在彎曲或者受力時(shí),容易斷裂,曲率半徑比較大。但是作為電流互感器的傳感光纖,傳感部分本身半徑就比較大,光纖被固定在傳感環(huán)內(nèi)部,產(chǎn)生的雙折射現(xiàn)象通過(guò)后面信號(hào)處理單元補(bǔ)償,所以不影響整體的使用。二是制作單模光纖,反射層與纖芯都是逆磁玻璃成份,但折射率小于纖芯。這種制作方式要在傳統(tǒng)光纖拉絲技術(shù)上改進(jìn),先用MCVD方法制作預(yù)制棒,對(duì)預(yù)制棒尺寸等進(jìn)一步加工,拉絲塔工作參數(shù)的調(diào)正,比如,拉絲環(huán)境溫度、濕度、馬達(dá)速度等。這種光纖優(yōu)點(diǎn)是曲率半徑小,不易被折斷,損耗小。

本世紀(jì)光纖的價(jià)格大幅下降,主要是光纖的制造工藝有了大幅提升,成品提高,其中較為成熟的工藝方法是利用不同溫度下物質(zhì)沉積作用,在氣態(tài)對(duì)光纖預(yù)制棒進(jìn)行制造,如圖2所示,典型的“one、two”制造工藝。

在芯棒拉絲前必須對(duì)其進(jìn)行處理,這是眾所周知的,強(qiáng)度和強(qiáng)度分布的預(yù)拉伸纖維強(qiáng)烈地依賴于初始纖維預(yù)制件的質(zhì)量,特別是其表面質(zhì)量。預(yù)制棒表面難免會(huì)存在雜質(zhì)粒子,不少還有細(xì)微的裂紋,不處理直接高溫拉伸后,會(huì)遺留缺陷,這些缺陷會(huì)留在光纖的表面,光纖表面裂紋和微晶就是在這個(gè)環(huán)節(jié)未處理好而遺留的拉成后的缺陷。因此,為了克服這一問(wèn)題,為了制備連續(xù)長(zhǎng)度和高強(qiáng)度的光纖,需要在拉拔工藝之前對(duì)這些表面缺陷進(jìn)行修復(fù)和消除。要生產(chǎn)復(fù)合使用要求的預(yù)制棒,就需要對(duì)光纖預(yù)制棒現(xiàn)行處理,主要的處理的部分是其外表面,處理的方案主要有三個(gè)步驟:采用有機(jī)溶液(Etoth、Meoh、丙酮等有機(jī)溶液)預(yù)處理,完成后再經(jīng)酸蝕后,最后完成火焰拋光工藝。

4總結(jié)

本文主要分析了在分析光纖電流傳感器測(cè)量精度的影響因素,溫度、震動(dòng)及線性雙折射。分析了線性雙折射產(chǎn)生的原因、帶來(lái)的危害,分析了利用提高圓折射抑制性雙折射的方案;在解決溫度對(duì)測(cè)量影響方面,采取了使用逆磁材料制備光纖的方案,采用重金屬碲酸鉛為基質(zhì)玻璃,摻雜稀有元素制造磁光光纖,提高溫度不相關(guān)性的同時(shí),也提高了法拉第效應(yīng)。

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