趙學(xué)陽
摘要:由于最近一個世紀(jì)以來,電子設(shè)備發(fā)展發(fā)展迅速,半導(dǎo)體元器件的制造為人類文明所起影響令人震驚,半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品起到了關(guān)鍵作用,可以說沒有半導(dǎo)體就沒有現(xiàn)在的人類科技文明,70年代的初步計算機,80年代的PC,后來的互聯(lián)網(wǎng),半導(dǎo)體無不影響著我們整個社會,下面筆者就簡單的介紹下半導(dǎo)體元器件及制造方法。
【關(guān)鍵詞】半導(dǎo)體 元器件 制造方法
半導(dǎo)體材料在我們生活中處處可見,半導(dǎo)體作為一個使用時間不到一百年的新型材料,可是它的存在價值確是可怕。僅僅在2001年,全球微芯片的銷售額就有望超過2000億美元,半導(dǎo)體材料已經(jīng)成為新型技術(shù)的革命中心,這場革命就是電子信息革命,這場革命基礎(chǔ)就是半導(dǎo)體元器件及其制造。
1 半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程
1.1 半導(dǎo)體材料的繁榮發(fā)展
半導(dǎo)體,顧名思義就是處于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,半導(dǎo)體作為介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間的特殊位置,可用來生產(chǎn)半導(dǎo)體元器件中集成電路的電子材料。在上世紀(jì)50年代,Ge(鍺),Si(硅)作為當(dāng)時的主要半導(dǎo)體材料,可以在低壓,低頻中功率晶體和光電探測器中廣泛使用,后來因為Ge的抗熱性較差,抗腐蝕輻射性能不好,在后面十多年里漸漸被Si所替代,硅作為新式半導(dǎo)體材料,它的優(yōu)點立刻體現(xiàn)在多重方面,首先因為硅的含量在地球中極其豐富,所以它的可廣泛使用成為現(xiàn)實,并且硅的提純結(jié)晶方法簡便,提純后的二氧化硅的純度很高,絕緣性能好并且能顯著提高產(chǎn)品穩(wěn)定性可靠性,諸多優(yōu)點使得硅成為應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,有效的應(yīng)用在科技生活之中,為我們提供便利?,F(xiàn)在只有不到5%的半導(dǎo)體材料和1%的集成電路不是由硅制作。由于硅具有的優(yōu)點特性,硅在新世紀(jì)的地位不會動搖后來半導(dǎo)體材料據(jù)需發(fā)展,通訊系統(tǒng)的光速發(fā)展,互聯(lián)網(wǎng)和光纖通信興起,二代半導(dǎo)體材料橫空出世,以砷化硅(GaAs)磷化銦(Lnp)為主要代表的材料方興未艾,這些材料不僅繼承上一代材料的特性更加完善了自身性能,可以制作出功能更強大的電子元器件,在衛(wèi)星通訊,GPS等方面大放光彩,但是第二代半導(dǎo)體材料也有自身缺點,由于自身的價格昂貴,資源稀缺,存在毒性,污染環(huán)境等不良因素,使其使用范圍大大縮減,只能應(yīng)用于某些高端產(chǎn)業(yè)。后來行業(yè)里還有第三代半導(dǎo)體材料,主要有SiC,GaN,金剛石等,又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。和第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高健合能等優(yōu)點,可以滿足新的特點要求,是半導(dǎo)體材料的新的發(fā)展,具有良好的應(yīng)用前景和使用價值。在某些重要方面起重大作用。例如在太陽能上就可以將太陽的使用率達到50%以上這是一種飛躍,還能使體積降低到原來25%,這對人類生活起巨大作用,可以說是前所未然的。
1.2 半導(dǎo)體元器件制造技術(shù)的前景
半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于主要應(yīng)用于工業(yè)方面,這是技術(shù)到工藝環(huán)節(jié)的基礎(chǔ),現(xiàn)在的企業(yè)將大量資金投入研發(fā)新式半導(dǎo)體元器件制造,希望開發(fā)出更強大合理的半導(dǎo)體產(chǎn)品,提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的可靠性,降低其價格能耗,以成為當(dāng)今社會追求的新發(fā)展方向,同時現(xiàn)在的半導(dǎo)體制造技術(shù)是一些工業(yè)生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù),沒有了半導(dǎo)體元器件制造技術(shù)許多工業(yè)生產(chǎn)就無法進行下去,這是一個電子時代,沒有半導(dǎo)體元器件制造技術(shù)將寸步難行,所以需要對半導(dǎo)體進行相應(yīng)的開發(fā),相信未來時間的積累,半導(dǎo)體元器件制造技術(shù)將會得到廣泛應(yīng)用,質(zhì)量和水平將會的到長足的發(fā)展。
2 半導(dǎo)體元器件中集成電路的用途分析和制造方法
2.1 集成電路的用途分析
半導(dǎo)體元器件制造中,有多種不同類型的每種類型都有其相應(yīng)的特定功能,集成電路最著名的應(yīng)用是在個人電腦上,例如每臺電腦上的只讀儲存器(ROM)隨機存儲器(RAM)等這些產(chǎn)品中都有集成電路身影,集成電路的類型變化取決于我們?nèi)祟悾覀冃枰欠N隨即新的集成電路應(yīng)運而生,但主要可分為兩類,模擬和數(shù)字,模擬集成電路中有運算放大器,運算放大器是一種阻抗放大器,可在電子控制中應(yīng)用。集成電路是在一小片硅片上同時制作幾十個或者幾百個特定的芯片,芯片數(shù)量取決于每個芯片的尺寸,尺寸取決于一個芯片的集成水平,半導(dǎo)體元器件的制作僅發(fā)生于在接近硅片的幾微米之間,硅片的強度是由硅片的厚度決定的,硅片上的金屬線路層作為硅片上信號傳導(dǎo)連接。現(xiàn)代的集成電路互聯(lián)概念材料很像原仙童半導(dǎo)體公司的第一代商業(yè)化原始平面晶體管,但是現(xiàn)在的集成電路更為復(fù)雜。
2.2 集成電路的制造方法
集成電路作為半導(dǎo)體元器件,通常是由硅制成,為什么要選擇硅,是因為硅有幾種特性,豐裕度,融化溫度和材料數(shù)量。硅片上的電子器件形成方式被稱為結(jié)構(gòu),其中集成電路就是結(jié)構(gòu)中較有特點的一種。集成電路的制造分為5個步驟,硅片制備,硅片制造,硅片測試,裝配與封裝,終測。硅片制造是第一階段,將硅從沙中提取出來并進行相應(yīng)的處理,生產(chǎn)出適當(dāng)直徑的硅錠,然后被切割成規(guī)定尺寸,第二階段是硅片制造,裸露的硅片進行進一步的處理具有一套完整步驟,這樣處理后的硅片上就有了一套集成電路。在進行的就是硅片的測試,將硅片送到相應(yīng)的測試區(qū),進行相應(yīng)的測試,挑選合格硅片,后進行裝配工藝,硅片的背面進行一定的研磨減少后厚度,一片厚的塑料貼在每個硅片的背面,然后正面用金剛石尖鋸刃分開,最后還要進行終測,確保硅片的質(zhì)量,要對每一個被封裝的硅片進行測試,看是否滿足需求,最后一個完整的半導(dǎo)體元器件集成電路制作完成。集成電路將多個元件結(jié)合在一個硅片上降低了成本提高了性能,以此最近的時代可以說是集成電路時代,其中還有摩爾定律預(yù)計一塊芯片上的元件數(shù)每隔18到24個月翻一番,直到上世紀(jì)60年代這個定律一直正確,后來的發(fā)展速度不可估計。
3 結(jié)語
經(jīng)過分析可知,半導(dǎo)體元器件及制造技術(shù)在現(xiàn)在的社會處于一種必不可少的地位,半導(dǎo)體元器件機制造方法技術(shù)已成為衡量一個國家的工業(yè)發(fā)展水平,社會潛在進步力的重要技術(shù),在行業(yè)里面看這種技術(shù)值得重視,雖然在不斷更新的現(xiàn)在,半導(dǎo)體產(chǎn)元器件及制造技術(shù)依舊發(fā)展緩慢,大部分技術(shù)沿用原來傳統(tǒng)方法,傳統(tǒng)方法趨于成熟,但不斷發(fā)展的行業(yè)需要更先進的技術(shù)支持,因此很有必要價值在半導(dǎo)體元器件制造中加大力度,謀求更好發(fā)展。
參考文獻
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