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SiBCN陶瓷前驅(qū)體熱解機(jī)理研究

2018-03-22 01:20:30許藝芬胡繼東王曉葉馮志海
宇航材料工藝 2018年1期
關(guān)鍵詞:前驅(qū)機(jī)理高溫

許藝芬 胡繼東 陶 孟 王曉葉 馮志海

(航天材料及工藝研究所,先進(jìn)功能復(fù)合材料技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100076)

0 引言

隨著航空、航天技術(shù)的發(fā)展,對(duì)高溫服役結(jié)構(gòu)材料的性能提出了越來(lái)越高的要求,SiBCN陶瓷材料由于具有優(yōu)異的高溫?zé)岱€(wěn)定性、抗氧化性和抗蠕變性能,且在1 700 ℃以下保持無(wú)定形態(tài),有望作為高溫結(jié)構(gòu)材料被用于航空航天領(lǐng)域[1-6]。目前前驅(qū)體轉(zhuǎn)化法是SiBCN陶瓷材料最常用的制備方法,對(duì)于該方法的研究已經(jīng)有幾十年的歷史,迄今為止研究者們已經(jīng)通過(guò)對(duì)前驅(qū)體分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合成出可用于制備陶瓷纖維、多孔材料、復(fù)合材料、涂層等的SiBCN前驅(qū)體[5,7-10]。

前驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備陶瓷過(guò)程中必須經(jīng)歷高溫?zé)峤夥磻?yīng),熱解過(guò)程涉及一系列分子重排反應(yīng)并伴隨有小分子氣體的放出,因此熱解過(guò)程對(duì)最終陶瓷的組成與結(jié)構(gòu)有很大影響[11-12],研究不同熱解階段體系結(jié)構(gòu)發(fā)生的變化對(duì)于通過(guò)控制熱解制度來(lái)改善陶瓷性能具有重大意義。但是,由于其是四元非晶陶瓷,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,因此對(duì)于SiBCN陶瓷前驅(qū)體熱解過(guò)程結(jié)構(gòu)演變的研究是一大難點(diǎn)。目前已有研究者對(duì)硼改性聚硅氮烷[B(C2H4SiCH3NH)]n類(lèi)型前驅(qū)體的熱解機(jī)理進(jìn)行過(guò)詳細(xì)的研究[13-17],他們采用固體NMR的方法研究了聚合物結(jié)構(gòu)對(duì)最終陶瓷結(jié)構(gòu)與性能的影響,同時(shí)提出前驅(qū)體的熱解機(jī)理。ZHANG等[18]采用一步法合成的以—Si—N—B—為骨架的液態(tài)前驅(qū)體具有黏度低、對(duì)纖維浸潤(rùn)性好、陶瓷化產(chǎn)率高等優(yōu)點(diǎn),且合成工藝簡(jiǎn)單,副產(chǎn)物易于去除,是較為理想的SiBCN前驅(qū)體。但是對(duì)該類(lèi)前驅(qū)體的熱解機(jī)理至今未有人進(jìn)行過(guò)詳細(xì)的研究。本文采用固態(tài)NMR和FTIR為主要的技術(shù)手段,研究SiBCN陶瓷前驅(qū)體高溫?zé)峤鈾C(jī)理和結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,為前驅(qū)體熱解制度的制定提供理論指導(dǎo),為制備出高性能SiBCN陶瓷提供幫助。

1 實(shí)驗(yàn)

1.1 主要原料

PSNB的合成方法參考文獻(xiàn)[18]。

1.2 熱解制度

取一定量SiBCN陶瓷前驅(qū)體于氧化鋁坩堝中,放入管式爐里,Ar氣氛保護(hù)下240 ℃固化2 h。 取固化后樣品分別在400、600、800、1 000 ℃下保溫2 h,升溫速率為1 ℃/min。

1.3 測(cè)試表征

熱失重(TG/DSC)測(cè)試采用NETZSCH STA 409 C/CD高溫示差掃描量熱儀。測(cè)試溫度范圍為25~1 400 ℃,升溫速率為10 ℃/min,Ar氣氛保護(hù),流速50 mL/min。

紅外分析(FT-IR)采用FTS-3000型號(hào)紅外光譜儀,掃描波數(shù)范圍4 000~400 cm-1。

固體核磁共振分析采用300 MHz Avance Bruker CXP 300固體核磁測(cè)試儀。13C CP mas-NMR測(cè)試條件為12 kHz,d1=5 s;29Si CP mas NMR測(cè)試條件為8 kHZ;11B mas NMR 在14 kHZ下進(jìn)行。

裂解氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用(PyGC-MS)采用QP2010 Ultra型號(hào)氣相熱解色譜-質(zhì)譜儀,測(cè)試溫度為600 ℃,He氣氛保護(hù)。

2 結(jié)果與討論

2.1 SiBCN陶瓷前驅(qū)體的熱失重分析

圖1 陶瓷先驅(qū)體的TG/DSC曲線

2.2 SiBCN陶瓷前驅(qū)體高溫?zé)峤鈾C(jī)理

SiBCN陶瓷前驅(qū)體熱解過(guò)程經(jīng)歷了一系列無(wú)定形中間體階段,要研究前驅(qū)體的熱解機(jī)理需要對(duì)不同溫度下中間體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。固體NMR可被用于探測(cè)具有核磁共振活性核在10-9nm范圍內(nèi)的短程序,研究特定核與鄰近核之間的相互作用,因此固體NMR是一種有力的研究無(wú)定形結(jié)構(gòu)的工具[14]。紅外(FTIR)可以用于測(cè)試不同熱解階段下前驅(qū)體的基團(tuán)轉(zhuǎn)變。為了更深入的研究SiBCN陶瓷前驅(qū)體的熱解機(jī)理,對(duì)在240、400、600、800、1 000 ℃下熱解的中間產(chǎn)物進(jìn)行FTIR測(cè)試和固體NMR29Si、11B、13C測(cè)試,通過(guò)研究熱解過(guò)程中間體的基團(tuán)變化以及Si、B、C三種元素周?chē)瘜W(xué)環(huán)境的變化,推斷出熱解過(guò)程中鍵合方式的轉(zhuǎn)變,從而得出前驅(qū)體的熱解機(jī)理。

(a) FTIR譜圖 (b)13C-NMR譜圖

從240 ℃升溫到400 ℃過(guò)程中,紅外譜圖中2 119 cm-1處的Si—H鍵吸收峰逐漸減小,3 380 cm-1及1 164 cm-1處的N—H鍵吸收峰也減小,表明在此階段Si—H鍵和N—H鍵發(fā)生了脫氫耦合反應(yīng),如式(1)。同時(shí)29Si-NMR譜中δ=-36.62的峰消失,產(chǎn)物中剩下SiC3N、SiN2C2和CH3HSiN2結(jié)構(gòu),說(shuō)明有轉(zhuǎn)氨基化反應(yīng)發(fā)生,如式(2)。13C-NMR譜同240 ℃相比變化不大,說(shuō)明在此溫度下體系中的烴基還沒(méi)有開(kāi)始發(fā)生裂解,此時(shí)發(fā)生的主要還是Si—H鍵同N—H鍵的脫氫耦合反應(yīng)。600 ℃時(shí),從紅外譜圖上可以看到2 119 cm-1處Si—H鍵的吸收峰消失,3 380 cm-1及1 164 cm-1處的N—H鍵吸收峰減小,2 952 cm-1和2 898 cm-1的CH2和CH3吸收峰急劇減小,在溫度低于600 ℃時(shí)1 249 cm-1處Si—CH3鍵的吸收峰沒(méi)有發(fā)生明顯的變化,溫度達(dá)到600 ℃時(shí)的吸收峰開(kāi)始逐漸減小,說(shuō)明在此溫度下側(cè)鏈烴基開(kāi)始發(fā)生裂解反應(yīng)。29Si-NMR譜變成了由SiN2C2和SiN3C為主要結(jié)構(gòu)的寬峰。13C-NMR中Si—CH3、CH2和CH 結(jié)構(gòu)的吸收峰減小,出現(xiàn)了δ=145處無(wú)定型碳的吸收峰,說(shuō)明在此溫度下有無(wú)定型碳結(jié)構(gòu)形成。

通過(guò)FTIR以及固體NMR測(cè)試發(fā)現(xiàn)600 ℃下體系結(jié)構(gòu)發(fā)生了復(fù)雜的變化,但對(duì)體系發(fā)生的反應(yīng)仍然不是很清楚,為了進(jìn)一步研究該溫度下體系結(jié)構(gòu)發(fā)生的變化,采用Pygc-MS對(duì)該溫度下體系熱解釋放出的氣體進(jìn)行了檢測(cè),結(jié)果如圖3所示,在此溫度下體系的熱解產(chǎn)物主要有CH4、H2、NH3、三甲基硅烷。結(jié)合240及400 ℃的FTIR和固體NMR測(cè)試結(jié)果可知H2、NH3主要在400 ℃之前產(chǎn)生,而三甲基硅烷的產(chǎn)生是由于前驅(qū)體中末端基團(tuán)的脫落,如式(3)[15],CH4的產(chǎn)生則是由于側(cè)鏈烴基的裂解,具體反應(yīng)如式(4)~(7)。

800 ℃時(shí),紅外譜圖中2 953 cm-1和2 897 cm-1處C—H鍵的吸收峰消失,存在兩個(gè)寬的吸收峰, 既800~1 250 cm-1的Si—C鍵和Si—N鍵結(jié)構(gòu),1 300~1 600 cm-1處的B—N結(jié)構(gòu)。29Si-NMR譜中δ=-4和2處的SiN2C2和SiNC3結(jié)構(gòu)消失,出現(xiàn)了δ=-36處很寬的吸收峰,產(chǎn)物中是以SiN3C結(jié)構(gòu)為主的混合體系。13C-NMR圖中脂肪族的吸收峰幾乎消失,而δ=145的芳香族吸收峰增強(qiáng)。說(shuō)明在此處脂肪烴單元發(fā)生了劇烈的分子重排,陶瓷化過(guò)程強(qiáng)烈。

1 000 ℃時(shí),29Si-NMR譜中出現(xiàn)以δ=-34為中心的共振峰,即形成以Si—C—N(SiCxN4-x單元,x=1,2,3)為基體的無(wú)定型結(jié)構(gòu)。13C-NMR圖中只剩下了芳香族的弱吸收峰,說(shuō)明在此過(guò)程中烴基基本完成了陶瓷化轉(zhuǎn)變。

硼是一個(gè)I=3/2的四極核,其各項(xiàng)同性的化學(xué)位移與其振動(dòng)信號(hào)的重心不重合,當(dāng)中心躍遷(mI= -1/2到mI=+1/2)被激發(fā)時(shí),硼核極大的四極矩導(dǎo)致了大的二階展寬,因此11B-NMR譜不能用快速魔角旋轉(zhuǎn)消除二階峰的展寬[14]。圖2(d)為前驅(qū)體不同溫度處理后產(chǎn)物的固態(tài)11B-NMR圖,可以看到當(dāng)熱解溫度低于600 ℃時(shí)峰是處于一種極寬且沒(méi)有特征性的狀態(tài),這是硼核周?chē)瘜W(xué)環(huán)境不均一導(dǎo)致的,此時(shí)硼核處于一種四配位和三配位共存的狀態(tài)。當(dāng)溫度升高到600 ℃后,11B-NMR譜顯示出明顯的特征峰,從此峰的位置可以知道是六方BN(h-BN)的平面三配位體BN3結(jié)構(gòu)。

圖3 惰性氣氛下陶瓷先驅(qū)體熱解過(guò)程中放出的氣體

3 結(jié)論

SiBCN前驅(qū)體的熱解過(guò)程復(fù)雜,采用TG/DSC對(duì)SiBCN陶瓷前驅(qū)體的熱失重和吸放熱情況進(jìn)行測(cè)試,并結(jié)合固體NMR、FTIR和PyGC-MS對(duì)前驅(qū)體熱解中間產(chǎn)物結(jié)構(gòu)和釋放的氣體進(jìn)行表征。綜合以上分析可以將前驅(qū)體熱解過(guò)程分為三個(gè)階段:第一階段為400 ℃以下,主要發(fā)生轉(zhuǎn)氨基化反應(yīng)和S—H鍵與N—H鍵的脫氫耦合反應(yīng);第二階段為400~800 ℃,由于烴基斷裂和末端基團(tuán)的脫除釋放出CH4和三甲基硅烷;第三階段為800~1 000 ℃,產(chǎn)物進(jìn)一步發(fā)生結(jié)構(gòu)重排形成無(wú)定形網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),1 000 ℃處理后無(wú)定型陶瓷主要由無(wú)定形碳(石墨狀)、平面BN相、Si—C—N基體(SiCxN4-x單元,x=0,1,2,3)組成。

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