劉喜斌, 梅孝安, 廖高華, 魏 勇, 錢 坤, 陶 瑋, 陶家友
(1.湖南理工學(xué)院 物理與電子科學(xué)學(xué)院,湖南 岳陽(yáng) 414006;2.岳陽(yáng)大陸激光技術(shù)有限公司,湖南 岳陽(yáng) 414000)
MXenes(M:過(guò)渡金屬前半?yún)^(qū)的元素;X:C或N;ene:與石墨烯有類似的二維結(jié)構(gòu))是一類只有幾層原子的二維納米晶體,一般由其前驅(qū)物MAX(A:Ga, Si, P, S, Ga, Ge, As等元素)制備而得.MAX的通式為Mn+1AXn(n=1,2,3),根據(jù)n的取值不同,可以將MAX分為211、312和413相.MAX的結(jié)構(gòu)相似,屬于六方晶體結(jié)構(gòu),空間群為 P63/mmc[1-2].在碳化物MAX中,1個(gè)C原子與6個(gè)M原子之間形成緊密堆積的共棱M6C八面體,C原子位于八面體間隙中心,交替出現(xiàn)的M6C由A原子平面層連接而成.C原子與M原子間的鍵合為共價(jià)鍵,處于中間層的A元素原子與M原子間的鍵合為金屬鍵,相對(duì)較弱.利用A元素原子反應(yīng)活性高、鍵能低的特點(diǎn),可以采用液相化學(xué)刻蝕的方法將A元素原子選擇性地刻蝕掉,從而得到只有幾個(gè)原子厚度的MXenes二維納米晶體.研究表明,通過(guò)液相化學(xué)刻蝕法制備的MXenes不僅具有大的比表面積,還具有優(yōu)異的光電特性[3-6]、力學(xué)性能[7-8]和化學(xué)組成可調(diào)[9]等性質(zhì).在制備過(guò)程中,MXenes的表面容易修飾多種官能團(tuán),形成MXT相 (T代表—OH、O或F+離子),表現(xiàn)出親水性.密度泛函理論研究表明,純的MXene相具有金屬導(dǎo)電性,而MXT相的電子結(jié)構(gòu)與T的種類及其在二維平面上的定向排列有關(guān),表現(xiàn)出半導(dǎo)體性質(zhì)[10].目前,MXenes在儲(chǔ)能[11-14]、催化[15-17]、吸附[18-19]、生物醫(yī)療[20]等方面展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力.然而,成功合成、剝離單層MXenes納米材料仍然存在很多挑戰(zhàn).現(xiàn)有的MXenes合成方法主要有兩類:直接合成和通過(guò)前驅(qū)物MAX刻蝕合成.國(guó)內(nèi)北京大學(xué)Ning Kang團(tuán)隊(duì)聯(lián)合中科院Wencai Ren團(tuán)隊(duì),采用化學(xué)蒸發(fā)沉積(CVD)方法,直接在銅箔上生長(zhǎng)了幾納米厚的Mo2Cene[21].這種方法合成的Mo2Cene缺陷少,但工藝復(fù)雜,而且產(chǎn)率低,難以進(jìn)行大規(guī)模應(yīng)用.通過(guò)MAX刻蝕得到MXenes是目前采用較多的方法.該方法分成兩步:首先是前驅(qū)物MAX的合成,然后是MAX的刻蝕過(guò)程.前驅(qū)物MAX是一種性能優(yōu)異的陶瓷材料,合成方法主要有冷/熱壓燒結(jié)[22]、熱等靜壓燒結(jié)[23]、脈沖放電燒結(jié)[24]、高能球磨以及燃燒合成[25-26]等.MAX的刻蝕過(guò)程主要有液相化學(xué)刻蝕[7]和高溫氟鹽熔融法[27]等.在前驅(qū)物MAX的合成過(guò)程中,一般需要將原料粉體球磨數(shù)小時(shí)以上,不僅能耗高而且容易在球磨過(guò)程中發(fā)生固相反應(yīng),產(chǎn)生大量的雜質(zhì);而高溫氟鹽熔融法,容易破壞二維Mn+1Cn的晶體結(jié)構(gòu)從而產(chǎn)生缺陷,適合刻蝕結(jié)合能更低的Mn+1XNn.本文首先對(duì)MAX的合成方法進(jìn)行研究,發(fā)展了一種簡(jiǎn)單、高效,易于大規(guī)模生產(chǎn)高純度前驅(qū)物MAX的方法;然后對(duì)MAX的液相化學(xué)刻蝕過(guò)程進(jìn)行了研究,分析了MXenes形成的機(jī)制,并對(duì)影響刻蝕結(jié)果的幾個(gè)關(guān)鍵因素進(jìn)行了討論.
鋁粉 (≥99.8%,1000目)購(gòu)自北京環(huán)球金鼎科技有限公司;鉬粉 (≥99.95%,1000目) 、鈮粉 (≥99.5%,1000目)購(gòu)自長(zhǎng)沙天久金屬材料有限公司;石墨粉 (≥99.8%,1000目)、無(wú)水乙醇 (≥99.7%)購(gòu)自國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;氫氟酸 (50 %)購(gòu)自上海阿拉丁生化科技股份有限公司.
1.2.1混料考慮到在MAX的燒結(jié)過(guò)程中,原料中不同成分在高溫下的揮發(fā)性不同,以及石墨坩鍋在燒結(jié)時(shí)不可避免的滲碳現(xiàn)象,混料時(shí)Mo、Al、石墨粉或Nb、Al、石墨粉的原子物質(zhì)的量比不能嚴(yán)格按目標(biāo)產(chǎn)物M2AlC (M代表Mo或Al)的原子物質(zhì)的量比2∶1∶1來(lái)進(jìn)行.Al的熔點(diǎn)較低,在加熱過(guò)程先熔化,會(huì)有比較多的揮發(fā),因此Al的比例應(yīng)高于M2AlC的化學(xué)配比.C的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,如果過(guò)量,在后期工藝中難以去除;而且石墨坩鍋本身有滲碳現(xiàn)象,加之石墨粉熔點(diǎn)高,燒結(jié)過(guò)程中碳的揮發(fā)極少,因此石墨的混料比例應(yīng)低于M2AlC的化學(xué)配比.這種“過(guò)鋁欠碳”方案,有利于提高目標(biāo)產(chǎn)物的純度.
為避免球磨混料過(guò)程中的諸多不足,本文設(shè)計(jì)了一種攪拌混料工藝.將Mo、Al、石墨或Nb、Al、石墨原料粉體按設(shè)定元素原子物質(zhì)的量比置于無(wú)水乙醇中,室溫下進(jìn)行磁力攪拌.待無(wú)水乙醇完全揮發(fā)后,將獲得的混合物放入瑪瑙研缽中進(jìn)行研磨,然后用篩網(wǎng)多次篩分,棄掉大的顆粒.最后將混合均勻的原料粉體置于不銹鋼模具中,用液壓機(jī)冷壓成圓片.
1.2.2燒結(jié)將壓好的圓片裝入石墨坩堝,放入射頻感應(yīng)爐中 (CY15/30,沈陽(yáng)世昂真空技術(shù)有限公司).將射頻爐抽成真空后,充入氬氣作為保護(hù)氣氛,維持爐內(nèi)氬氣壓強(qiáng)為10 Pa.緩慢升高工作電壓至160 V并保持30 min,使Al顆粒先熔化并充分浸潤(rùn)Nb或Mo粉以及石墨粉,形成一種固液共存相.隨后將電壓緩慢升高到220 V,反應(yīng)2 h或3 h后將工作電壓降低到0 V,自然冷卻到室溫.
1.2.3刻蝕將冷卻后的M2AlC胚體用瑪瑙研缽研碎,過(guò)300目的不銹鋼篩,剔除較大的顆粒.取1.0 g篩好的M2AlC粉末,緩慢加入10 mL質(zhì)量濃度為50 %的氫氟酸中,50 ℃下磁力攪拌反應(yīng)24 h不等.取出反應(yīng)液,加去離子水離心清洗至pH≈6,放入真空干燥箱中干燥24 h備用.
為探究不同原料粉體原子物質(zhì)的量比的燒結(jié)產(chǎn)物差異,選取n(Nb)∶n(Al)∶n(C)或n(Mo)∶n(Al)∶n(C)依次為2∶1.1∶0.99,2∶1.2∶0.98,2∶1.3∶0.97進(jìn)行實(shí)驗(yàn).預(yù)熔階段先將工作電壓調(diào)至160 V并保持30 min,使Al先熔化形成一種固液共存相,有利于Al與其他顆粒的充分浸潤(rùn)和熱量的快速傳導(dǎo),減小胚體內(nèi)部的溫度梯度.其次,液態(tài)Al對(duì)Nb和Mo顆粒的浸潤(rùn)性優(yōu)于C顆粒,能在Nb和Mo顆粒表面形成一層液膜,緩解了二者與C的反應(yīng),有利于MAX相的形成.
圖1是Nb、Al、C三種元素在不同原子物質(zhì)的量比下,將電壓升高到220 V燒結(jié)2 h后產(chǎn)物的掃描電鏡圖和能譜圖 ( EDS 譜).從圖1(a)中可以看出,在中間顆粒的周圍,散落著一些頁(yè)巖狀的小顆粒.EDS譜分析結(jié)果證明,中間顯示出燒結(jié)凝固痕跡的較大顆粒為Nb2AlC,而周圍頁(yè)巖狀的小顆粒為石墨粉.這表明在Al耗盡后,還有剩余的C沒(méi)有發(fā)生反應(yīng).將Al的比例增高到1.2,同時(shí)降低C的比例至0.98,燒結(jié)產(chǎn)物為整體形貌比較接近的顆粒.顆粒中間的裂紋可能是冷卻過(guò)程中內(nèi)部應(yīng)力的釋放所導(dǎo)致的.進(jìn)一步的EDS譜分析證明,這一比例的燒結(jié)產(chǎn)物形成了很好的MAX相,見(jiàn)圖1(d).繼續(xù)對(duì)元素的原子物質(zhì)的量比進(jìn)行調(diào)整,以n(Nb)∶n(Al)∶n(C)=2∶1.3∶0.97進(jìn)行燒結(jié),結(jié)果如圖1(c)所示.可以看出,產(chǎn)物中包含一定量的表面凹凸不平的顆粒,通過(guò)EDS譜分析,證實(shí)為Al元素,這一結(jié)果證明該比例的Al元素過(guò)多.綜合以上結(jié)果,可以得到元素原子物質(zhì)的量比n(Nb)∶n(Al)∶n(C)= 2∶1.2∶0.98 時(shí)有利于得到純度高的Nb2AlC.
Mo2AlC的燒結(jié)研究方法類似.圖2是Mo、Al、C三種元素在不同原子物質(zhì)的量比下,在220 V下燒結(jié)3 h后產(chǎn)物的掃描電鏡圖和EDS譜.在圖2(a)和(b),均可以找到剩余的石墨顆粒,表明Al耗盡前,仍有部分C沒(méi)有參加反應(yīng).繼續(xù)調(diào)整元素原子物質(zhì)的量比到n(Mo)∶n(Al)∶n(C)=2∶1.3∶0.97,燒結(jié)結(jié)果如圖2(c)所示.進(jìn)一步對(duì)圖2(c)進(jìn)行EDS譜分析,證明產(chǎn)物為MAX相的Mo2AlC.在圖1和圖2中,EDS譜中出現(xiàn)的O峰可能是降溫過(guò)程中表面的氧化所致.
燒結(jié)胚體研磨后,通過(guò)液相化學(xué)刻蝕法來(lái)制備二維M2Cenes.液相化學(xué)刻蝕法一般是通過(guò)HF溶液將前驅(qū)物M2AlC刻蝕剝離成M2Cenes.刻蝕過(guò)程中,HF優(yōu)先選擇鍵能較弱的M—Al鍵,使Al原子層連接的M—C層分離,形成二維M2Cenes結(jié)構(gòu).暴露出的M元素容易與溶液中的—OH、F+離子等結(jié)合形成配合物.這一過(guò)程中可能發(fā)生的反應(yīng)如下[28]:
M2AlC + 3HF = AlF3+ 3/2H2↑+ M2C
(1)
M2C + 2H2O = M2C(OH)2+ H2↑
(2)
M2C + 2HF = M2CF2+ H2↑
(3)
刻蝕過(guò)程中,酸的濃度、反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度、MAX顆粒的大小等因素,都會(huì)對(duì)MXene相的二維晶體產(chǎn)生影響.雖然A層原子一般有較強(qiáng)的活性,與M—X鍵相比,M—A鍵相對(duì)較弱,但HF酸濃度較低或刻蝕時(shí)間太短都不能完全刻蝕掉A層原子,制備不出完整的二維納米晶體MXenes[29].HF濃度過(guò)高或刻蝕時(shí)間過(guò)長(zhǎng),則可能會(huì)破壞MAX相的基本結(jié)構(gòu),在二維晶體上形成孔洞,甚至將MAX完全溶解掉,同樣制備不出完整的二維納米晶體MXenes[30-31].Yanan Ma等人的研究表明[32],濃度為50 %的HF酸在50 ℃下,可以在24 h后將Ti3AlC2刻蝕成二維Ti3C2,優(yōu)于在室溫下選用濃度為40 %的HF酸的刻蝕結(jié)果.因此,本文刻蝕過(guò)程選用50 %的HF酸在50 ℃下進(jìn)行,來(lái)探究刻蝕時(shí)間對(duì)產(chǎn)物的影響.
圖3是MAX相前驅(qū)物Nb2AlC顆粒在50 %的HF酸中,50 ℃下刻蝕不同時(shí)間的SEM圖和對(duì)應(yīng)的EDS譜.從圖3(a)中可以看出,刻蝕18 h后,Nb2AlC 顆粒有明顯的分層,但是部分區(qū)域仍然粘結(jié)在一起.這表明刻蝕的時(shí)間太短,在顆粒相對(duì)光滑的區(qū)域,比表面積較小,反應(yīng)不夠充分.如圖3(b)所示,對(duì)應(yīng)的EDS譜表明,產(chǎn)物中仍然含有較多的Al元素,其原子物質(zhì)的量比為4.21%.延長(zhǎng)刻蝕時(shí)間到24 h,結(jié)果如圖3(c)、(d),Nb2AlC 顆粒均有明顯的分層.通過(guò)EDS譜中Al元素峰計(jì)算可得,產(chǎn)物中Al元素的原子物質(zhì)的量比為1.31%,表明在Nb2AlC 顆粒內(nèi)部,有部分Al元素存在,片狀結(jié)構(gòu)中仍有部分粘連,并未完全分離.將刻蝕時(shí)間設(shè)置為30 h,結(jié)果如圖3(e)、(f)所示.Nb2AlC 顆粒分層明顯,而且EDS譜中Al元素峰消失,表明Al元素原子已經(jīng)被HF酸完全反應(yīng)掉,獲得二維Nb2Cene.EDS譜中的O峰,可能來(lái)自Nb2Cene表面修飾的O官能團(tuán),或者是在刻蝕后樣品的干燥過(guò)程中表面被氧化所致.MAX相前驅(qū)物Mo2AlC顆粒的刻蝕方法類似.圖4是MAX相前驅(qū)物Mo2AlC顆粒在50 %的HF酸中50 ℃時(shí)刻蝕不同時(shí)間的SEM圖和對(duì)應(yīng)的EDS譜.從圖4(a)中可以看出,刻蝕22 h后,Mo2AlC 顆粒形成較厚的片狀結(jié)構(gòu),仍有部分區(qū)域粘結(jié)在一起.如圖4(b)所示對(duì)應(yīng)的EDS譜表明,產(chǎn)物中Al元素的原子物質(zhì)的量比為6.38%.延長(zhǎng)刻蝕時(shí)間到28 h,結(jié)果如圖4(c)、(d)所示.Mo2AlC 顆粒有明顯的分層,通過(guò)EDS譜中Al元素峰計(jì)算可得,產(chǎn)物中Al元素的原子物質(zhì)的量比為2.47%,片狀結(jié)構(gòu)并未完全分離.將刻蝕時(shí)間延長(zhǎng)至34 h,結(jié)果如圖4(e)、(f),顆粒分層明顯,EDS譜中Al元素峰消失,表明刻蝕過(guò)程已經(jīng)完全結(jié)束,形成二維Mo2Cene.EDS譜中出現(xiàn)O峰的可能原因與前述類似.
本文采用“過(guò)鋁欠碳”的方法,制備了高純度的MAX相Nb2AlC和Mo2AlC前驅(qū)體,探討了不同元素原子物質(zhì)的量比對(duì)合成產(chǎn)物的影響.實(shí)驗(yàn)表明,元素原子物質(zhì)的量比為2∶1.2∶0.98時(shí),合成的Nb2AlC純度最高,總共的燒結(jié)時(shí)間為2.5 h;元素原子物質(zhì)的量比為2∶1.3∶0.97時(shí),合成的Mo2AlC純度最高,總共的燒結(jié)時(shí)間為3.5 h.其他比例的燒結(jié)產(chǎn)物中,含有過(guò)量的C或Al.過(guò)量的C不容易在后續(xù)過(guò)程中清除,而過(guò)量的Al則會(huì)在隨后的液相化學(xué)刻蝕過(guò)程中消耗大量的HF,降低酸的濃度,給刻蝕過(guò)程帶來(lái)不利的影響.將前驅(qū)物放入濃度為50 %的HF酸中在50 ℃下進(jìn)行刻蝕,探討了刻蝕時(shí)間對(duì)產(chǎn)物的影響.實(shí)驗(yàn)表明,對(duì)于Nb2AlC的刻蝕,當(dāng)刻蝕過(guò)程持續(xù)18 h后,產(chǎn)物中含有原子物質(zhì)的量比為4.21%的Al元素,將刻蝕時(shí)間延長(zhǎng)至30 h后,EDS譜中的Al峰消失,獲得高純度的Nb2Cene;對(duì)于Mo2AlC的刻蝕,當(dāng)刻蝕時(shí)間為22 h,產(chǎn)物中仍含有原子物質(zhì)的量比為6.38%的Al元素,將刻蝕時(shí)間設(shè)置為34 h后,EDS譜中的Al峰消失,獲得高純度的Mo2Cene.本文的研究提供了一種普適的合成方法,為合成其他的MXenes提供參考,但HF酸的使用存在一定的危險(xiǎn),有望在后續(xù)的研究中得到改進(jìn).
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