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通信基站監(jiān)控設(shè)備電源綜合浪涌防護(hù)研究

2018-08-20 06:37肖良平侯曉榮陸金波
電瓷避雷器 2018年4期
關(guān)鍵詞:浪涌共模傳導(dǎo)

肖良平,侯曉榮,肖 豆,陸金波

(電子科技大學(xué)能源科學(xué)與工程學(xué)院,成都 610054)

0 引言

通信基站常建于高樓頂端、山頂?shù)鹊貏萃怀鑫恢?,容易遭受到雷擊或雷電感?yīng),危及基站內(nèi)部監(jiān)控設(shè)備的安全。雷電入侵通信基站的主要途徑有[1]:經(jīng)過交流配電系統(tǒng)入侵,基站內(nèi)部的電源線路可能會因為感應(yīng)雷的影響,導(dǎo)致基站監(jiān)控設(shè)備出現(xiàn)故障;或經(jīng)直流系統(tǒng)入侵,基站內(nèi)部直流供電設(shè)備感應(yīng)雷電沖擊,基站監(jiān)控設(shè)備的電能來自基站內(nèi)的直流配電箱-48 V DC電源,因此浪涌電流容易沿著監(jiān)控設(shè)備供電線傳輸至設(shè)備電源輸入端,破壞設(shè)備電源。在這種復(fù)雜的電磁環(huán)境中,監(jiān)控設(shè)備需要可靠電源浪涌防護(hù)才能保證監(jiān)控設(shè)備正常的電能供給,保證監(jiān)控設(shè)備持續(xù)可靠地工作,因此對基站監(jiān)控設(shè)備電源防護(hù)研究很有實際意義。

電源浪涌防護(hù)方面已有許多研究。如文獻(xiàn)[2]給出了氣體放電管在開關(guān)變換器中的選擇和設(shè)計方案,可是在直流電源防護(hù)中,由于放電管的續(xù)流問題,只采用氣體放電管是無法做到安全防護(hù)浪涌電流;文獻(xiàn)[3-4]研究變電站特殊環(huán)境下微機電源防雷保護(hù),設(shè)計了電源防雷濾波器消除高頻浪涌的影響,沒有給出濾波器的插入損耗;文獻(xiàn)[5]研究風(fēng)電機組控制系統(tǒng)交流電源的浪涌電流防護(hù),但只說明了電路防護(hù)效果;文獻(xiàn)[6]分析了LED驅(qū)動電源的抗雷擊浪涌電路,該電路設(shè)計的泄流容量有限差模1 kV、共模2 kV雷擊高壓,重點研究了浪涌防護(hù)效果,缺乏對電源傳導(dǎo)騷擾情況的研究。文獻(xiàn)[7]分析了LED驅(qū)動電源EMI濾波電路以及電路參數(shù)對插入損耗影響,而缺少關(guān)于電路浪涌保護(hù)的分析。另有一些相關(guān)研究[8-10],針對AC電源線采用LC隔離兩級浪涌保護(hù),增強浪涌電流的防護(hù),但缺少對濾波效果的評估。已有的綜合防護(hù)方案,分析重點是如何抑制高頻浪涌的沖擊,缺乏對DC/DC電源EMI濾波的考慮。筆者提出了一種綜合浪涌電流防護(hù)方案,解決浪涌電流防護(hù)問題和抑制DC/DC電源傳導(dǎo)騷擾的問題,使得整個方案滿足浪涌抗擾度和傳導(dǎo)騷擾限值要求。

1 設(shè)計原則以及雷電流分析

1.1 設(shè)計原則

目前,國際和國內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)化組織都已制定了關(guān)于雷擊浪涌相關(guān)測試及防護(hù)標(biāo)準(zhǔn),例如IEC 61000-4-5和GB 17626.05等,同時在GB 9254-2008規(guī)范中規(guī)定了關(guān)于信息技術(shù)設(shè)備無線電騷擾限值和測量方法,而基站監(jiān)控設(shè)備電源需要達(dá)到A級設(shè)備的水平?;驹O(shè)備電源系統(tǒng)浪涌來自兩個方面,即內(nèi)部浪涌和外部浪涌?;就獠坷擞恐饕獊碜岳纂?,經(jīng)電源線傳導(dǎo)到電源系統(tǒng),或者通過設(shè)備電源線感應(yīng)產(chǎn)生的;電源設(shè)備內(nèi)部浪涌,主要來自DC/DC開關(guān)電源。對于電源端的浪涌保護(hù)電路都會考慮電路的通流能力、輸出殘壓、響應(yīng)速度以及使用壽命等方面。對于處于通信基站內(nèi)部的監(jiān)控設(shè)備,其電源綜合浪涌防護(hù)電路來說,還應(yīng)當(dāng)注意防護(hù)的安全可靠性,這包括正常防護(hù)和失效防護(hù)的分析,同時注意電源電壓和多級防護(hù)之間電流的泄放。圖1為電源板結(jié)構(gòu)示意圖,包含兩部分:綜合浪涌防護(hù)部分和DC/DC電源模塊。內(nèi)置的DC/DC電源會帶來較大的電磁干擾噪聲,因此在綜合浪涌防護(hù)增加了EMI濾波電路,減少內(nèi)部開關(guān)噪聲傳導(dǎo)至前級電源-48 V DC輸出端的同時也阻止來自線路浪涌高頻部分的干擾,因此綜合浪涌防護(hù)電路需要能夠達(dá)到抗擊浪涌的標(biāo)準(zhǔn)以及限制電源傳導(dǎo)騷擾的能力。

圖1 電源板示意圖Fig.1 Diagram of power supply board

1.2 8/20 μs模擬電涌電流分析

基站設(shè)備受到的沖擊浪涌電流波形可用8/20 μs模擬,根據(jù)IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),8/20 μs的雷電流波形,圖2為擬合雷電流波形,函數(shù)表達(dá)式為

式中:I(t)為浪涌沖擊電流;Ip為浪涌電流峰值;波形系數(shù)k=0.01243(μs)-3,τ=3.911 μs。由式(1)可得8/20 μs雷電流擬合曲線。

圖2 8/20 μs浪涌仿真波形Fig.2 Surge simulation waveform of8/20 μs

從波形可知,電流上升時間較短,在線路上由于di/dt的存在會在線路上產(chǎn)生高電壓,5 kA下8/20 μs雷電流的總電荷由積分計算:

雷電流的單位能量,有近似公式:

式中:W/R為單位能量,即流過1Ω電阻消耗的能量,J/Ω;I為雷電流幅值,A;T2為雷電流波形的半值時間,s。

在5 kA下8/20 μs雷電流單位能量有W/R=357 J/Ω。由此可知,浪涌電流對于端口的沖擊能量很大,因此,足見在設(shè)備電源端口處設(shè)置浪涌防護(hù)尤為重要。

2 電源綜合防護(hù)設(shè)計

對于普通DC/DC開關(guān)電源,浪涌電流往往來自內(nèi)部的容性器件[11],在電容處于尚未通電的初始狀態(tài)下,供電線開關(guān)導(dǎo)通的瞬間將會產(chǎn)生很大的浪涌電流,損害電路元件。而在通信基站電磁環(huán)境較為惡劣的條件下,更多的是防護(hù)來自外部電源線傳導(dǎo)的浪涌電流,因此本設(shè)計主要是抑制外部5 kA浪涌電流,測試波形采用8/20 us浪涌電流波形。

2.1 整體方案設(shè)計

浪涌防護(hù)一般選用的防護(hù)器件有氣體放電管、壓敏電阻和TVS管,單一使用某種器件很難達(dá)到良好的浪涌防護(hù)效果,因此需要它們之間相互配合使用,抑制浪涌。

通常電源傳導(dǎo)干擾頻率分布,差模干擾主要作用在10~100 kHz頻率,對于共模干擾在1~30 MHz頻率下占據(jù)主導(dǎo)作用。DC/DC開關(guān)電源的傳導(dǎo)干擾度無法滿足A類要求,采用復(fù)雜多級濾波結(jié)構(gòu)改善阻抗適配條件下的EMI濾波效果,采用如圖3所示綜合浪涌防護(hù)設(shè)計結(jié)構(gòu)。

防護(hù)設(shè)計摒棄了采用放電管或壓敏電阻單一、直接地并聯(lián)到電源輸入端的設(shè)計思路,而是采用復(fù)合方案,這種方式避免了單一放電管在受到浪涌電壓波動導(dǎo)通時無法扼制氣體放電管續(xù)流而導(dǎo)致電源短路問題,也避免了壓敏電阻由于漏電流等因素縮短壓敏電阻壽命問題。受到共模浪涌電流沖擊時,浪涌電流通過壓敏(Z2或Z3)和放電管G3泄放;受到差模浪涌電流沖擊時,浪涌電流通過壓敏Z1和放電管G1泄放到大地,TVS管D1、D2和 D3作為二級限壓。為了避免浪涌沖擊下共模電感產(chǎn)生諧振,損壞功率器件,共模電感兩側(cè)并上一個氣體放電管,可以避免諧振引起共模電感的過電壓。

圖3 綜合浪涌防護(hù)電路Fig.3 Integrated surge protection circuit

2.2 防護(hù)電路作用瞬態(tài)分析

壓敏和氣體放電管串聯(lián)導(dǎo)通下等效電路見圖4,在MOV等效模型[12-13]中,L1為引線電感(約1nH/mm);R2為引線電阻;RV1為非線性電阻,其呈現(xiàn)3種狀態(tài),在漏電流區(qū)為Rleak,在泄流區(qū)為Rd,在非線性大電流區(qū)為RB。這3種狀態(tài)下電阻大小為Rleak?Rd?RB。其中Rd決定了壓敏的電氣特性,C1為晶界電容。放電管在導(dǎo)通時,L為電路雜散電感,可假設(shè)U2(t)=GeAt。受到浪涌電流產(chǎn)生的高壓時,電路存在:

圖4 壓敏和氣體放電管導(dǎo)通瞬態(tài)等效電路Fig.4 Transient equivalent circuit of gas discharge tube and varistor

若忽略L1和R2,則可求:

2.3 電路濾波特性分析

根據(jù)圖3所示綜合浪涌防護(hù)電路結(jié)構(gòu),可知共模、差模高頻濾波等效電路分布見圖5和圖6。

圖5 共模濾波高頻等效電路Fig.5 High-frequency equivalent circuit of the common mode filter

圖6 差模濾波高頻等效電路Fig.6 High-frequency equivalent circuit of the differential mode filter

從圖5共模濾波高頻等效電路可知,在理想情況下共模濾波器按照斜率40 dB/10(oct)曲線衰減。電源線對地之間由于有共模電容CY=C2的存在,使得電流漏電流,漏電流有限制要求,漏電流近似:Ig=2πf?U?CY?10-6(mA)。供電電源可能來自基站備用電池,電源電壓波動范圍:-60~-40 V。

圖6差模濾波高頻等效電路,其由共模漏感Lleak、差模電感L2以及CX電容C1、C4、C5和CY電容C2其高頻等效電路組成。

在Pspice中,對設(shè)計的濾波器進(jìn)行插入損耗分析,在寄生參數(shù)存在的情況下,分析可得插入損耗曲線見圖7,測試負(fù)載50 Ω。在f=230 kHz左右,共模插入損耗約為-45 dB,差模損耗約為-26 dB。在等效電容和電感諧振點處,插入損耗達(dá)到最大值,諧振點后,損耗逐漸降落。共模插入損耗約在f=600 kHz達(dá)到最大,損耗為-123 dB,差模插入損耗約在f=11 MHz,達(dá)到最大-100 dB。

圖7 寄生參數(shù)下電路插入損耗Fig.7 Circuit insertion loss under parasitic parameters

3 仿真及試驗結(jié)果

在圖3綜合防護(hù)方案中,通流量為5 kA,通常采用兩個壓敏泄流并聯(lián),以滿足泄放要求。因此按照選用壓敏通流要求,Z2和Z3選用壓敏MOV-20D121K型號,其峰值通流6.5 kA,允許線路電壓100 V DC,脈沖電流8/20 μs下最大拑位電壓200 V/100 A,兩個并聯(lián)之后通流量可達(dá)到13 kA,可以滿足設(shè)計要求。同時,Z1也采用兩個MOV-20D820K型號壓敏并聯(lián)。G1采用直插大通流量10kA的放電管N81-A90X,可耐受10 kA的8/20 μs波形10次沖擊,在50 V DC下絕緣電阻大于10 GΩ。G2為三端放電管,采用TDK公司T23-A230可耐受20 kA的8/20 μs波形正負(fù)5次沖擊,單次可泄放25 kA浪涌電流,在浪涌電壓上升1 kV/μs時,電壓小于450 V。并聯(lián)在電感兩側(cè)的氣體放電管G3型號為SPA230F,可耐受2.5 kA沖擊電流,直流擊穿電壓230 V DC。共模電感T的電感量為15 mh,C1值為1uf,L2和L3為47 uH。

監(jiān)控設(shè)備后級DC/DC電源接上負(fù)載后,在沒有加入綜合濾波器之前,測試電源端口的傳導(dǎo)干擾試驗波形見圖8,測試儀器按照GB 9254—2008測試要求進(jìn)行測試。

圖8 無綜合浪涌防護(hù)電路電源傳導(dǎo)N線測試曲線Fig.8 No comprehensive surge protection circuit power supply conduction N-wire test curve

在接入綜合防護(hù)器之后,按照相同標(biāo)準(zhǔn)測試的曲線見圖9。對比兩個波形,圖8中在沒有接入之前,干擾頻率在1 MHz以下準(zhǔn)峰值和平均值有超過限值的頻率點。從測試數(shù)據(jù)可知,在頻率f=231 kHz時是最高點,準(zhǔn)峰值達(dá)到89 dB,超出規(guī)定限值10 dB;平均值達(dá)到89.4 dB,超出規(guī)定值23.4 dB。在接入圖9后顯示,電源設(shè)備達(dá)到規(guī)定A類要求,在頻率f=231 kHz左右時,準(zhǔn)峰值為55.9dB,接入綜合防護(hù)器,干擾噪聲信號損耗約33 dB,與理論值仿真約相差10 dB,造成這個偏差可能原因有:在Pspice等效電路下,寄生參數(shù)是通過理論計算得到的,理論計算并沒有考慮實際布線帶來的影響。當(dāng)頻率f<3 MHz時,綜合防護(hù)電路的噪聲干擾衰減很明顯;由于器件在高頻下寄生參數(shù)影響,使得頻率f超過3 MHz時干擾衰減效果并不明顯。綜上對比圖8和圖9接入綜合浪涌防護(hù)裝置前后的電源傳導(dǎo)騷擾的試驗波形,可知該電路能夠使電源端子傳導(dǎo)騷擾限值達(dá)到A級水平。

圖9 有綜合浪涌防護(hù)電路電源傳導(dǎo)N線測試曲線Fig.9 Integrated surge protection circuit power conduction N-wire test curve

運用PSCAD/EMTDC軟件對電源綜合防護(hù)電路進(jìn)行定量分析,在共模及差模方式下對8/20 μs雷電流干擾抑制后電路各端的電壓波形見圖10。從圖10中可知,在受到共模和差模5 kA浪涌電流沖擊下保護(hù)器件端迅速保護(hù),將電壓拑位到200 V左右,輸出電容端電壓受到浪涌沖擊下最終趨于平穩(wěn),電壓將穩(wěn)定在100 V內(nèi),由此可知該電路可以有效抑制浪涌電流。

圖10 防護(hù)電路下電容輸出端和保護(hù)輸入端電壓Fig.10 Voltage of capacitance and protect port after the common mode and differential mode surge

最后試驗表明,選擇合適容量和規(guī)格的器件就能夠達(dá)到較好的抑制效果。經(jīng)過制作樣品后,按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對接入樣板后的設(shè)備進(jìn)行測試,該電路能夠有效抑制浪涌電流的沖擊,可以達(dá)到5 kA浪涌設(shè)計要求,能夠有效避免基站浪涌電流對監(jiān)控設(shè)備的沖擊,同時能夠抑制電源端的傳導(dǎo)干擾,保證設(shè)備提供可靠電能。

4 結(jié)論

在通信基站電磁環(huán)境惡劣的情況下,監(jiān)控設(shè)備電源容易受到雷擊浪涌暫態(tài)過電流的影響,同時存在DC/DC電源傳導(dǎo)騷擾問題。針對這些問題,本文提出了新的綜合浪涌防護(hù)設(shè)計方案,并進(jìn)行了防護(hù)電路作用瞬態(tài)分析和電路EMI濾波特性分析,通過運用Pspice和PSCAD/EMTDC軟件分別對綜合防護(hù)電路的EMI濾波特性和浪涌電流防護(hù)特性進(jìn)行了仿真研究,仿真結(jié)果表明,電源綜合防護(hù)能夠有效衰減電源傳導(dǎo)的干擾信號,同時防護(hù)電路輸出電壓低于可承受的最高電壓,與試驗結(jié)果表現(xiàn)一致。所提出的方案,能夠達(dá)到抗擊差模、共模5 kA(8/20 us)浪涌電流的能力,同時電源端子傳導(dǎo)騷擾限值滿足A類設(shè)備水平。同時該防護(hù)電路可以有效解決壓敏電阻漏電流和放電管續(xù)流的問題。

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