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(1.海洋石油工程股份有限公司,青島 266520;2.中海石油深海開發(fā)有限公司,深圳 518000)
近年來,隨著科學技術的發(fā)展,超聲波相控陣(PAUT)檢測技術逐漸成熟,在各行業(yè)中開始推廣應用,國內外陸續(xù)出臺了PAUT應用的相關標準,如標準ISO 13588Non-destructiveTestingofWelds-UltrasonicTesting-UseofAutomatedPhasedArrayTechnology,其是利用PAUT檢測焊縫的國際標準。ASME鍋爐與壓力容器規(guī)范第V卷標準在國內外海洋石油天然氣行業(yè)的應用比較廣泛,在其第4章的強制性附錄中也對PAUT的應用給出了相應規(guī)定,而關于PAUT校準試塊的要求是以常規(guī)UT(超聲檢測)試塊為基礎的,僅增加或修改了小部分內容,總體要求比較寬泛、靈活。筆者基于ASME鍋爐與壓力容器規(guī)范第V卷標準要求,結合PAUT和常規(guī)UT的聯系和差別,進一步明確了相關技術要求、縮小了參數范圍,使得校準PAUT系統更加方便有效。
常規(guī)UT和 PAUT在本質上是相同的,二者均利用壓電晶片實現電能和機械能的相互轉換,其聲波特性(反射、折射、衍射等)也是完全相同的,但PAUT是常規(guī)UT的一種特殊高級應用[1],在某些方面也存在不同點(見表1)。若對常規(guī)UT試塊的參數和要求做進一步的改進和提升,則能大大提高PAUT系統校準的便利性和有效性。
表1 常規(guī)UT和PAUT的不同點
ASME鍋爐與壓力容器規(guī)范第V卷第4章強制性附錄IV和V規(guī)范了PAUT檢測技術的要求[2],其中包含校準試塊在內的基本技術要求(參考第4章正文),ASME鍋爐與壓力容器規(guī)范第V卷第T-434章詳細介紹了校準試塊的技術要求,其中第T-434.1條對校準試塊做了綜述性的通用要求,主要包括反射體類型、材料牌號、材料質量要求、堆焊情況、熱處理狀態(tài)、表面成形狀態(tài)和曲率等,這些要求適用于所有按照ASME鍋爐與壓力容器規(guī)范第V卷標準設計制作的試塊,必須嚴格遵守。第T-434.3條是專為管狀校準試塊提出的技術要求,其主要內容包括:① 校準試塊的形狀和反射體按照圖T-434.3-1要求規(guī)定,或曲率和壁厚允許時可按照圖T-434.3-2要求規(guī)定;② 試塊曲率應符合第T-434.1條要求;③ 試塊的壁厚必須在被檢工件壁厚±25%公差范圍內;④ 試塊尺寸和反射體位置必須保證能夠完成相關的校準工作。
2.2.1 基本形狀和反射體的選擇
現行ASME鍋爐與壓力容器規(guī)范第V卷第T-434.3條給出了兩種試塊選擇,即圖T-434.3-1和圖T-434.3-2,其中使用圖T-434.3-2所示試塊的前提條件是曲率和壁厚允許, 應符合第T-434.1.7條和第T-434.3.1條的要求。最終的選擇要結合實際情況,比如被檢工件的規(guī)格尺寸、試塊原材料的規(guī)格尺寸、加工能力和費用等。圖T-434.3-1所示試塊的反射體僅包含上下表面的刻槽,ASME鍋爐與壓力容器規(guī)范第V卷 2010版及以前版本均只提供該試塊的設計;從2013版開始,規(guī)范增加了可選試塊(參照圖T-434.3-2),除上下表面的刻槽外,還增加了試塊內部的切向及軸向橫孔反射體,當檢測焊縫內部不連續(xù)時可采用橫孔校準靈敏度,對焊縫表面開口不連續(xù)采用刻槽校準靈敏度,有利于提高定量精度;另外,用圖T-434.3-1所示試塊的刻槽校準橫波60°聲束靈敏度時端角反射率太低,而利用圖T-434.3-2所示試塊的橫孔可避免此問題,因此筆者建議在可能的情況下,優(yōu)先選用圖T-434.3-2所示試塊。但圖T434.3-2所示試塊在某些情況下的應用可能受限,這是因為:由于反射體數量增加,試塊的加工費用會有所增加;當被檢工件的管徑或者壁厚較小時,切向橫孔能夠加工的長度有限而不足以用于校準靈敏度。小管徑薄壁試塊切向橫孔反射體示意如圖1所示,該被檢工件管徑為89 mm,壁厚為10 mm,校準試塊和被檢工件規(guī)格相同,當采用圖T-434.3-2所示設計試塊時,能夠加工的切向橫孔A的長度僅約為10 mm。若增加切向橫孔的長度則引起孔的深度急劇變化,在橫孔A的長度增加到18 mm 時穿出材料,如圖1虛線所示,切向橫孔A不適用于校準靈敏度,故這種情況下不建議采用圖T434.3-2的設計?;谝陨显颍话闱闆r下當校準試塊的管徑小于150 mm或者壁厚小于20 mm時,推薦采用圖T-434.3-1的設計。
圖1 小管徑薄壁試塊切向橫孔反射體示意
2.2.2 反射體距試塊邊緣的距離
圖2 20 mm試塊局部設計截面示意
ASME鍋爐與壓力容器規(guī)范第V卷給出的校準試塊的設計中,均提出反射體距試塊邊緣的距離,在圖T-434.3-1所示試塊中規(guī)定,刻槽與試塊邊緣的距離不小于試塊厚度的一半或13 mm;圖T-434.3-2試塊中規(guī)定長橫孔長度不小于38 mm和刻槽距離試塊邊緣不小于38 mm。但在標準的第T-434.3條最后一句明確指出,試塊的尺寸和反射體的位置必須保證能夠完成相關的校準工作,這也是該標準通用型和靈活性的體現,亦是該條推薦設計的依據。當設計的試塊用于校準PAUT系統時,這些數值(13,38 mm等)的最低要求需要進一步提高。這主要是考慮到常規(guī)UT和PAUT聲束的差別:常規(guī)UT聲束角度單一,聲束單一,聲束范圍相對較小,主要包括主聲束及6 dB或20 dB擴散區(qū),檢測時需要做鋸齒狀掃查;而PAUT聲束由聚焦法則控制各晶片的激發(fā)延時,利用超聲波的干涉形成最終波束,其聲束范圍通常較為寬廣,例如常用的40°~70°扇掃描, 在實際檢測中僅作沿線掃查即可。由于PAUT聲束范圍較為寬廣,如果按照圖T-434.3-1或圖T-434.3-2的最小數值設計試塊,在校準靈敏度的過程中,試塊的端角反射信號可能與反射體信號同時出現,并且干擾校準工作。20 mm試塊局部設計截面示意如圖2所示,校準試塊的厚度為20 mm,若按照圖T-434.3-1的規(guī)定,AB之間的距離至少為13 mm;若按照圖T-434.3-2的規(guī)定,AB之間的距離至少為38 mm。圖例中的設計AB間的距離為38 mm,當用此試塊校準相控陣系統時,則會出現如圖3所示的結果。探頭前后移動使每個角度波束經過并記錄A處刻槽的信號時,在部分范圍內A處刻槽信號和B處端角回波信號同時出現,并幾乎處于同一深度。由于PAUT的校準是通過檢索閘門范圍內的最高波幅信號后,經過計算統一,將所有角度波幅補償至基準波高,如80%FSH(滿屏高度),即ACG(角度補償增益)曲線,而在某些位置,B處波幅高度大于A處波幅高度,也就意味著在這些位置,PAUT系統檢索記錄了B點的端角反射,而不是A處刻槽反射體的信號,導致校準錯誤。
圖3 設計試塊校準相控陣系統結果
解決這一難題最行之有效的辦法就是增大AB之間的距離,若將AB的距離增大到90 mm,修改后試塊局部設計截面示意如圖4所示,則在整個校準過程中,A處刻槽信號和B處端角回波信號不會同時出現。因此,在PAUT校準過程中,為了避免上述問題,反射體距試塊邊緣的距離需要增大。由于PAUT聲束的可控性,在檢測不同的工件,選用不同的參數時,AB間距具體增加到的精確數值需要視情況而定,一般情況下不小于100 mm,在某些特殊工藝條件下,可能需要增加到150 mm,甚至更大,最好是在設計之前,利用聲束模擬確定其最小間距。
圖4 修改后試塊局部設計截面示意
2.2.3 橫向反射體的設計
PAUT相對于常規(guī)UT有很多優(yōu)勢,但對于橫向不連續(xù),尤其當檢測對象管徑較小時,即使使用曲率楔塊,其靈活性和耦合效果均比常規(guī)UT的略差,所以在某些情況下制定PAUT檢測工藝時,通常使用常規(guī)UT技術做補充橫向掃查。在這種情況下,如果已經有常規(guī)UT校準試塊,則必須在檢驗規(guī)程中注明PAUT不檢測軸向缺陷,而用常規(guī)UT代替,并且得到客戶的認可。
PAUT技術正在飛速發(fā)展,大范圍推廣使用PAUT已經成為行業(yè)發(fā)展的趨勢,目前國內也正在起草編制PAUT的應用標準。PAUT和常規(guī)UT一樣,準確地校準靈敏度是成功檢測的重要基礎,ASME鍋爐與壓力容器規(guī)范第V卷標準中給定的校準試塊的通用性較強,可應用的范圍廣泛,在使用該標準設計PAUT校準試塊時,應根據實際情況靈活應用。