本報(bào)訊 日前,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國(guó)微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示,目前國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中,紫光國(guó)微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)。
在此之前,紫光國(guó)微副總裁杜林虎已經(jīng)表示,未來紫光國(guó)微會(huì)在DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品方面加大投入,對(duì)于公司來說,DDR3內(nèi)存芯片是主流,而DDR4芯片會(huì)在年內(nèi)完成設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。
據(jù)悉,紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發(fā)。