杜 彬
(1.太原理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院,山西 太原 030024;2.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所,山西 太原 030024)
科技的高速進(jìn)步,伴隨著核武器等技術(shù)的日新月異的發(fā)展,引信及點(diǎn)火技術(shù)應(yīng)用于各類核武器彈藥的制造中。并且對(duì)該技術(shù)的安全性提出了較高的要求,比如外形小巧、成本低廉等。MEMS技術(shù)的全稱是微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù),該技術(shù)的應(yīng)用能夠滿足核武器等研究的要求,因此MEMS技術(shù)在國(guó)內(nèi)與國(guó)外都受到了廣泛的關(guān)注。而MEMS高過(guò)載加速度傳感器是MEMS技術(shù)在引信侵徹過(guò)程慣性測(cè)試與控制的重要組成部分。關(guān)于MEMS高過(guò)載加速度傳感器的研究結(jié)論和應(yīng)用必將會(huì)極大促進(jìn)多個(gè)類型攻擊性武器的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)。
加速度傳感器的主要功能是對(duì)加速度值的測(cè)試和分析。通常由質(zhì)量模塊、阻尼系統(tǒng)、彈性系統(tǒng)、感應(yīng)器和電橋模塊等部分組成。在傳感器在測(cè)試過(guò)程中,通過(guò)監(jiān)視質(zhì)量模塊所受慣性力,利用牛頓第二定律即可計(jì)算出加速度值。按照傳感器感應(yīng)器件的類型,可以把加速度傳感器分為壓電式、電感式、應(yīng)變式、壓阻式、電容式等幾個(gè)類別。MEMS高g加速度傳感器是引信技術(shù)研究中的關(guān)鍵技術(shù)之一,MEMS高g加速度傳感器能夠優(yōu)化當(dāng)前武器研究領(lǐng)域中的問(wèn)題,滿足現(xiàn)代化社會(huì)研究對(duì)武器的需求,因此MEMS高g加速度傳感器中MEMS技術(shù)在軍事領(lǐng)域中具有非常高的研究?jī)r(jià)值,在使用中具有較高的安全性[1]。
加速度傳感器的種類非常多,可以分為壓電式傳感器、電容式傳感器和壓阻式傳感器等,而壓阻式加速度傳感器又可以分為系統(tǒng)反饋和導(dǎo)航儀器兩種。系統(tǒng)反饋型壓阻式加速度傳感器是用于控制系統(tǒng)來(lái)反饋加速度信號(hào),導(dǎo)航儀器型壓阻式加速度傳感器則是用來(lái)監(jiān)視導(dǎo)航儀器的加速度[2]。
基于對(duì)加速度傳感器的研究,我們對(duì)比了壓電式傳感器、電容式傳感器以及壓阻式傳感器三者之間的性能。首先是壓電式傳感器,其敏感原理是電荷參數(shù),處理信號(hào)的電路屬于電荷放大器,具有較好的線性度以及較寬的頻響范圍,與其他加速度傳感器相比,具有較高的工藝穩(wěn)定以及反應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn),但是不適用于連續(xù)測(cè)試中,因?yàn)槠湫盘?hào)處理電路復(fù)雜。第二個(gè)是電容式傳感器,該傳感器的敏感原理是電容參數(shù)敏感,信號(hào)處理電路屬于高靈敏度的開(kāi)關(guān)電容,與其他傳感器相比,其線性度較差,頻響范圍比較寬,其優(yōu)點(diǎn)是精準(zhǔn)度比較高,容易集成,成本低,使用過(guò)程中功耗也比較低,受外界溫差影響程度比較低,但是與電壓式傳感器具有相似的缺點(diǎn),就是信號(hào)處理電路比較復(fù)雜。第三個(gè)是壓阻式加速度傳感器,該傳感器敏感源屬于電阻敏感參數(shù),簡(jiǎn)單的電阻電路,具有良好的線性度,與其他加速度傳感器相比,具有比較窄的頻響范圍,缺點(diǎn)是受外界溫度影響比較大,所以在使用時(shí),需要處于規(guī)定的溫差范圍內(nèi)。壓阻式加速度傳感器具有工藝穩(wěn)定、信號(hào)較強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)[3]。
通過(guò)對(duì)壓電式傳感器、電容式傳感器以及壓阻式傳感器的多方面對(duì)比,我們可以得出:壓阻加速度傳感器具有相對(duì)較高的可靠性、成熟的生產(chǎn)工藝、快捷方便的模擬仿真實(shí)驗(yàn)等優(yōu)點(diǎn),因此本設(shè)計(jì)通過(guò)對(duì)各類型傳感器優(yōu)缺點(diǎn)的比較,最終選擇壓阻式加速度傳感器作為研究對(duì)象。
通過(guò)上文對(duì)加速度傳感器的分析,我們確定將壓阻式加速度傳感器作為研究對(duì)象,接著我們根據(jù)壓阻式加速度傳感器進(jìn)行力學(xué)模型的構(gòu)建,首先對(duì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)力進(jìn)行分析。MEMS高g加速度傳感器具有較快的反應(yīng)速率,并且有固有頻率、阻尼等,由此可見(jiàn)該結(jié)構(gòu)在大小方面相互影響,為了優(yōu)化其高過(guò)載能力,在結(jié)構(gòu)中,我們確保良好的工藝,其最大應(yīng)力為340 MPa,固有頻率最低為250 kHz,其阻尼比為0.707[4]。
MEMS高g加速度傳感器具有固有頻率,如圖1所示,設(shè)y0為中間點(diǎn)的撓度,然后計(jì)算最低頻率。
圖1 結(jié)構(gòu)的彎曲振動(dòng)圖
在圖1中,y0中間節(jié)點(diǎn),y為x的固定撓度,在計(jì)算MEMS高g加速度傳感器最低頻率時(shí),可以采用Rayleigh方法。
在EMES設(shè)計(jì)中,阻尼與頻率息息相關(guān),我們對(duì)機(jī)械設(shè)備、武器等的要求是外形小巧,而外形變小后,空氣阻尼會(huì)發(fā)生變化,因此在靈敏度較高的傳感器中,阻尼的數(shù)值會(huì)對(duì)固定頻率產(chǎn)生一定的影響。通過(guò)數(shù)據(jù)分析,我們發(fā)現(xiàn)隨著設(shè)備尺寸的降低,頻率與阻尼的比率會(huì)逐漸增加。在設(shè)置實(shí)驗(yàn)中,阻尼為0.707是最佳數(shù)值,因此在進(jìn)行優(yōu)化MEMS高g加速度傳感器的研究中,我們可以將阻尼設(shè)置到最佳數(shù)值,使實(shí)驗(yàn)研究更加順暢??諝馀c阻尼之間的模擬圖如圖2所示。
圖2 阻尼模擬圖
在 MEMS高 g加速度傳感器高過(guò)載能力的優(yōu)化分析中,由于其具有較高的靈敏性,為了使仿真實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確,不受外界條件干擾,我們將頻率、阻尼等設(shè)置為最佳值,然后進(jìn)行仿真模擬實(shí)驗(yàn)。
高g加速度傳感器的結(jié)構(gòu)普遍容易出現(xiàn)頂端或者根端斷裂的情況,我們將傳感器在150 000 g作用下進(jìn)行研究。然后對(duì)MEMS高g加速度傳感器高過(guò)載能力進(jìn)行分析,并且做了靜態(tài)仿真實(shí)驗(yàn),據(jù)實(shí)驗(yàn)分析可知,傳感器的高過(guò)載能力原理如圖3所示。
圖3 高過(guò)載能力原理圖
靜態(tài)仿真模擬的目的是用于求解靜力載荷作用下結(jié)構(gòu)的位移、應(yīng)力等,因此靜態(tài)仿真中,我們主要針對(duì)在150 000 g~200 000 g應(yīng)力分布結(jié)果。分析結(jié)果為應(yīng)力達(dá)到3 470 000 g時(shí),發(fā)生形變,因此完全能夠抵抗住200 000 g的應(yīng)力。
模態(tài)仿真與靜態(tài)仿真的實(shí)驗(yàn)方法相似,根據(jù)平面圖形進(jìn)行模擬,在計(jì)算中,我們將其前六個(gè)階段以圖形的形式展現(xiàn)出來(lái),如圖4所示。
圖4 前六階段模態(tài)圖
在MEMS高過(guò)載加速度傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中以及模態(tài)仿真中,我們發(fā)現(xiàn),當(dāng)頻率靠近固有頻率,容易引起共振,從而導(dǎo)致結(jié)構(gòu)出現(xiàn)損壞,因此我們應(yīng)該計(jì)算出加速器的固有頻率,在使用時(shí),避開(kāi)其固有頻率。
綜上所述,本文通過(guò)MEMS高g加速度傳感器的分析,構(gòu)建了相應(yīng)的模型,并且對(duì)MEMS高g加速度傳感器進(jìn)行了靜態(tài)仿真實(shí)驗(yàn)與模擬仿真實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)表明,MEMS高g加速度傳感器適用于當(dāng)代軍事領(lǐng)域,與其他加速度傳感器相比較,MEMS高g加速度傳感器具有較高的實(shí)用性、可靠性以及安全性,且對(duì)于傳統(tǒng)的引線技術(shù)等進(jìn)行了有效的優(yōu)化,我國(guó)未來(lái)軍事領(lǐng)域中核武器的研究、武器爆炸監(jiān)測(cè)等工作都可以通過(guò)MEMS高g加速度傳感器技術(shù)來(lái)完成。