國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收。該光刻機由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制，在365nm光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達22nm；結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來還可用于制造10nm級別的芯片。該項目在原理上突破了分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線，繞過了國外相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)壁壘，具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，為超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、廣義芯片等變革性領(lǐng)域的跨越式發(fā)展提供了制造工具。

（圖片來源：新華網(wǎng)）