王 偉,董彥杰
(安慶師范大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院光電磁功能材料安徽省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,安徽安慶246133)
電解液中的添加劑[1]是加入到電鍍?nèi)芤褐袑﹀円汉湾儗有再|(zhì)有特殊作用的一類化學(xué)品的總稱。在酸性鍍銅電解液中加入特定的添加劑不會明顯地改變鍍液的電性(平衡電位、導(dǎo)電性等),但卻可以明顯地改變鍍層性能。添加劑的用量雖小,但其對鍍層的質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用[2],如目前興起的PCB印制電路板[3-4]行業(yè)就離不開酸性鍍銅。添加劑在電鍍行業(yè)中占有極其重要的地位,可以這樣說,現(xiàn)代電鍍添加劑的技術(shù)發(fā)展要領(lǐng)先于現(xiàn)代電鍍技術(shù)的發(fā)展。在20世紀(jì)初,酸性鍍銅添加劑就有了許多研究,其種類有纖維化合物、糊精、尿素、明膠和蛋白膠等。單一葡萄糖(X)[5]、可溶性淀粉(Y)[6]、十二烷基磺酸鈉(Z)[7]已用作電解沉積銅電解液中的添加劑,但葡萄糖、可溶性淀粉、十二烷基磺酸鈉相互復(fù)合作為電解沉積銅電解液中的添加劑還沒有看到文獻(xiàn)報(bào)道。為此,進(jìn)行了葡萄糖-可溶性淀粉、葡萄糖-十二烷基磺酸鈉、可溶性淀粉-十二烷基磺酸鈉、葡萄糖-可溶性淀粉-十二烷基磺酸鈉復(fù)合電解沉積銅的研究。
采用4 cm×5 cm的不銹鋼鋼片為陰極,4 cm×5 cm惰性鉛銀合金為陽極。實(shí)驗(yàn)中用到的材料五水合硫酸銅、硫酸、鹽酸、氫氧化鈉、無水碳酸鈉、十二烷基磺酸鈉、葡萄糖、可溶性淀粉、氯化鈉均為AR級,來自Aladdin industrial Corporation。實(shí)驗(yàn)儀器為電化學(xué)工作站(CHI660E)及其所需的三電極體系。具體實(shí)驗(yàn)方法如下:
(1)在電鍍之前將陰極板進(jìn)行預(yù)處理:超聲波洗槽(氫氧化鈉溶液或清潔劑)、水洗、酸洗(稀鹽酸)、水洗、預(yù)浸。通過以上處理,將陰極板面的氧化層與油污去除,使得待鍍層表面達(dá)到工藝要求。
(2)在配置好電鍍液后,使用舊的陰極板進(jìn)行引鍍,時(shí)間控制在3~5 min,以此來使得鍍液得到激活,然后通過真空抽濾獲得純凈鍍液,留作電鍍使用。
(3)將新配置的鍍液倒入自制的250 mL有機(jī)玻璃槽中,將其放在磁力加熱儀上,通過溫度傳感器控溫,最終將鍍液加熱到實(shí)驗(yàn)所需的溫度。同時(shí)將經(jīng)過預(yù)處理的陰、陽極板浸入鍍液中,記錄極板浸入鍍液面積,連接直流穩(wěn)壓電源,調(diào)節(jié)到所需電流強(qiáng)度。
(4)經(jīng)過10~30 min電鍍后,取出陰極板,通過水洗、干燥抗氧化處理,觀察鍍層形貌情況,進(jìn)行比較分析。
(5)酸性鍍銅電解液中的沉積速率計(jì)算公式μ=(m2-m1)×104/(ρ×s×t),電流效率計(jì)算公式η=(m2-m1)÷(K.I.t)×100%,其中,μ為沉積速率,單位:μm/h;m1、m2分別為工件電鍍前后的質(zhì)量,單位:g;ρ為銅的密度,大小為8.9 g/cm3;s為鍍層的表面積,單位:cm2,此處為4.5 cm2;t為電鍍時(shí)間,單位:h,此處t取0.5 h;η為電流效率,%;K為銅的電化當(dāng)量,大小為1.185 5 g/A.h;I為電流大小,單位:A。
(6)取50 mL新制鍍液進(jìn)行電化學(xué)分析,通過電化學(xué)工作站進(jìn)行陰極極化曲線的掃描,分析不同添加劑鍍液的電化性能。
表1給出了電流密度范圍及其鍍層質(zhì)量。由表1可以看出,電流密度的范圍與添加劑的種類有關(guān),電流密度增加時(shí)可提升鍍層的質(zhì)量,得到光亮細(xì)致無針孔理想的鍍層,當(dāng)電流密度高于10 A/dm2時(shí),會造成濃差極化。為了確保鍍層質(zhì)量,不引起濃差極化,最后確定合適的電流密度為6A/dm2。
表1 電流密度范圍及其鍍層質(zhì)量
2.2.1 溫度對沉銅速率的影響
在酸度C(H+)為1mol/L、電流密度為6A/dm2、葡萄糖濃度為10g/L、可溶性淀粉濃度為3g/L的酸性鍍銅電解液中考察溫度對沉銅速率(用v(Cu)表示)的影響,如圖1所示。圖1結(jié)果表明,溫度低于20℃時(shí),極板鍍不上銅并出現(xiàn)燒焦現(xiàn)象;在溫度為20~30℃時(shí),沉銅速率隨溫度升高而增大;溫度超過30℃時(shí),沉銅速率隨溫度升高而降低。所以,實(shí)驗(yàn)確定鍍銅的最佳溫度為30℃,此時(shí)沉銅速率最高,為69.66μm/h。
2.2.2 X與Y濃度對沉銅速率的影響
固定溫度30℃、酸度C(H+)1 mol/L、電流密度6 A/dm2、葡萄糖濃度30 g/L,改變可溶性淀粉濃度(用C(Y)表示),研究可溶性淀粉的量對沉銅速率的影響,結(jié)果見圖2。圖2表明,可溶性淀粉濃度在(0.25~1.0)g/L時(shí),隨可溶性淀粉濃度的增大,沉銅速率逐漸上升;可溶性淀粉濃度超過1.0 g/L后,隨可溶性淀粉濃度的增大,沉銅速率逐漸下降。所以實(shí)驗(yàn)確定最佳可溶性淀粉濃度為1.0 g/L,此時(shí)沉銅速率最高,為79.35 μm/h。
圖1 酸性鍍銅電解液中溫度對沉銅速率的影響
圖2 可溶性淀粉對沉銅速率的影響
固定溫度30℃、酸度C(H+)1 mol/L、電流密度6 A/dm2、可溶性淀粉濃度1 g/L,改變葡萄糖濃度(用C(X)表示),研究可葡萄糖的量對沉銅速率的影響,結(jié)果見圖3。圖3表明:隨葡萄糖濃度的增加,沉銅速率逐漸上升;當(dāng)葡萄糖濃度超過35 g/L時(shí)達(dá)到飽和,不能在電解液中使用。所以實(shí)驗(yàn)確定最佳葡萄糖濃度為30 g/L,此時(shí)沉銅速率最高,為79.35 μm/h。
2.3.1 溫度對沉銅速率的影響
在酸度C(H+)=1 mol/L、電流密度6 A/dm2、葡萄糖濃度10 g/L、十二烷基磺酸鈉[7-11]濃度0.3 g/L的酸性鍍銅電解液中考察溫度對沉銅速率的影響,如圖4所示。圖4結(jié)果表明,在溫度低于20℃時(shí),會出現(xiàn)燒焦現(xiàn)象;在溫度為20~30℃時(shí),沉銅速率隨溫度升高而增大;超過30℃時(shí),沉銅速率隨溫度升高而降低。所以,實(shí)驗(yàn)確定鍍銅的最佳溫度為30℃,此時(shí)沉銅速率最高,為70.21μm/h。
圖3 葡萄糖濃度對沉銅速率的影響
圖4 酸性鍍銅電解液中溫度對沉銅速率的影響
2.3.2 X與Z的濃度對沉銅速率的影響
固定溫度30℃、酸度C(H+)1 mol/L、電流密度6A/dm2、葡萄糖濃度30 g/L,改變十二烷基磺酸鈉濃度(用C(Z)表示),研究十二烷基磺酸鈉的量對沉銅速率的影響,結(jié)果見圖5。圖5表明:十二烷基磺酸鈉濃度在0.025~0.1 g/L之間時(shí),隨十二烷基磺酸鈉濃度的增大,沉銅速率逐漸上升;十二烷基磺酸鈉濃度超過0.1 g/L后,隨十二烷基磺酸鈉濃度的增大,沉銅速率逐漸下降。所以實(shí)驗(yàn)確定十二烷基磺酸鈉最佳濃度為0.1 g/L,此時(shí)沉銅速率最高,為79.20 μm/h。
固定溫度30℃、酸度C(H+)1 mol/L、電流密度6A/dm2、十二烷基磺酸鈉0.1 g/L,改變葡萄糖濃度,研究葡萄糖的量對沉銅速率的影響,結(jié)果見圖6。圖6表明:隨葡萄糖濃度的增大,沉銅速率逐漸上升。當(dāng)葡萄糖濃度超過35 g/L時(shí)達(dá)到飽和,不能在電解液中使用。所以實(shí)驗(yàn)確定最佳葡萄糖濃度為30 g/L,此時(shí)沉銅速率最高,為79.20 μm/h。
圖5 十二烷基磺酸鈉對沉銅速率的影響
圖6 葡萄糖濃度對沉銅速率的影響
2.4.1 溫度對沉銅速率影響
在酸度C(H+)1 mol/L、電流密度6 A/dm2、可溶性淀粉濃度3 g/L、十二烷基磺酸鈉濃度0.3 g/L的酸性鍍銅電解液中考察溫度對沉銅速率的影響,如圖7所示??梢?,溫度低于20℃時(shí),極板鍍不上銅,甚至出現(xiàn)燒焦現(xiàn)象;溫度在20~30℃時(shí),沉銅速率隨溫度升高而增大;超過30℃時(shí),沉銅速率隨溫度升高而降低;當(dāng)溫度超過40℃時(shí),沉銅速率下降很多,且電解沉積出的銅出現(xiàn)溶解現(xiàn)象。所以,實(shí)驗(yàn)確定鍍銅的最佳溫度為30℃,此時(shí)沉銅速率最高,為77.95 μm/h。
2.4.2 Y與Z濃度對沉銅速率的影響
固定溫度30℃、酸度C(H+)1 mol/L、電流密度6 A/dm2、可溶性淀粉濃度1 g/L,改變十二烷基磺酸鈉濃度,研究十二烷基磺酸鈉的量對沉銅速率的影響,結(jié)果見圖8。圖8表明:十二烷基磺酸鈉濃度在0.025~0.1 g/L時(shí),隨十二烷基磺酸鈉濃度的增大,沉銅速率逐漸上升;十二烷基磺酸鈉濃度超過0.1 g/L后,隨十二烷基磺酸鈉濃度的增大,沉銅速率逐漸下降。所以實(shí)驗(yàn)確定最佳可溶性淀粉濃度為0.1 g/L,此時(shí)沉銅速率最高,為78.15 μm/h。
圖7 酸性鍍銅電解液中溫度對沉銅速率的影響
圖8 十二烷基磺酸鈉對沉銅速率的影響
固定溫度30℃、酸度C(H+)1 mol/L、電流密度6 A/dm2、十二烷基磺酸鈉濃度0.1 g/L,改變可溶性淀粉濃度,研究可溶性淀粉的量對沉銅速率的影響,結(jié)果見圖9。圖9表明:隨可溶性淀粉濃度的增大,沉銅速率逐漸上升;當(dāng)可溶性淀粉濃度超過1.0 g/L時(shí),沉銅速率逐漸下降??梢娍扇苄缘矸蹪舛葹?.0 g/L時(shí),沉銅速率最高,為78.15 μm/h。
2.5.1 不同溫度對復(fù)合電解液沉銅速率的影響
在酸度C(H+)1 mol/L、電流密度6 A/dm2、葡萄糖濃度30 g/L、可溶性淀粉濃度1 g/L、十二烷基磺酸鈉0.1 g/L的酸性鍍銅電解液中考察溫度對沉銅速率的影響,如圖10所示??梢姕囟鹊陀?0℃時(shí),極板出現(xiàn)燒焦現(xiàn)象;溫度在20~30℃時(shí),沉銅速率隨溫度升高而增大;超過30℃時(shí),沉銅速率隨溫度升高而降低。所以,實(shí)驗(yàn)確定鍍銅的最佳溫度為30℃,此時(shí)沉銅速率最高,為77.20 μm/h。
圖9 可溶性淀粉濃度對沉銅速率的影響
圖10 酸性鍍銅電解液中溫度對沉銅速率的影響
2.5.2 基礎(chǔ)電解液與最佳二元與三元復(fù)合添加劑的LSV掃描曲線比較
在溫度30℃,酸度C(H+)1 mol/L,電流密度6 A/dm2時(shí),基礎(chǔ)鍍液與最佳二元與三元復(fù)合添加劑的LSV掃描曲線如圖11所示。
由圖11可以看出,三元復(fù)合添加劑電解液:Up=-0.508 V,Ip=-3.752e-2A(Up:峰電壓;Ip:峰電流),由此可知三元復(fù)合添加劑電解液中銅離子的還原電流最低,銅離子最難還原,沉積速率降低,但晶粒變細(xì),鍍層致密,從而更易獲得光亮致密的理想鍍層。
利用電子掃描顯微鏡(SEM)對電解沉積銅表面形貌進(jìn)行表征,結(jié)果如圖12所示。通過觀察掃描電鏡圖可知,基礎(chǔ)電解液沉積銅表面均為凸起的銅粒,甚至出現(xiàn)了銅瘤,結(jié)晶粗糙且不平整。復(fù)合添加劑的加入,電解液沉積銅表面變得細(xì)致光滑,但仍然存在局部的不平整與結(jié)晶粗糙,其中葡萄糖-可溶性淀粉-十二烷基磺酸鈉電解液電解沉積銅區(qū)域平整且結(jié)晶細(xì)致,形貌最佳。
圖11 基礎(chǔ)電解液與最佳二元與三元復(fù)合添加劑電解液的LSV曲線。
綜上所述,在酸性鍍銅電解液中添加葡萄糖、可溶性淀粉與十二烷基磺酸鈉的復(fù)合添加劑,其最佳二元復(fù)合添加劑為葡萄糖(30 g/L)與可溶性淀粉(1 g/L)組成的電解液,其沉銅速率為79.35 μm/h,電流效率為99.24%;最佳三元復(fù)合添加劑為葡萄糖(30 g/L)、可溶性淀粉(1 g/L)與十二烷基磺酸鈉(0.1 g/L)組成的電解液,其沉銅速率為77.20 μm/h,電流效率為96.56%。該實(shí)驗(yàn)的研究為電解鍍銅工藝提供了有價(jià)值的參考。
圖12 電解沉積銅表面SEM圖。12-1無添加劑,12-2添加劑為X與Y;12-3添加劑為X與Z;12-4添加劑為Y與Z;12-5添加劑為X、Y與Z