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真空自耗電弧熔煉制備鈦合金技術(shù)的研究進展

2019-07-18 08:54:38劉欣欣
工業(yè)加熱 2019年3期
關(guān)鍵詞:鑄錠偏析熔池

劉欣欣

(商洛學院城鄉(xiāng)規(guī)劃與建筑工程學院,陜西商洛726000)

真空自耗熔煉(VAR)技術(shù)是利用直流電在真空條件中重新融化金屬鑄錠,從而在高溫條件下可獲得高質(zhì)量低缺陷的鈦合金材料。真空自耗工藝的主要流程為:原料制備→壓制制備電極→形成自耗電極→熔煉→鑄錠處理→檢驗。目前國際上雖然制備鈦錠的方法較多(真空非自耗熔煉、真空感應凝殼熔煉、凝殼-自耗電極熔煉)但主要的制備方法仍為真空自耗熔煉(VAR)[1-2]。真空自耗技術(shù)的關(guān)鍵在于如何控制電極的熔化速率和重熔、冷卻速率從而使得形成的鈦錠缺陷最少。在多年的改進設(shè)計中仍然存在諸多缺陷問題,本文從VAR的基本原理和工藝出發(fā),概述VAR技術(shù)目前發(fā)展的現(xiàn)狀,以及提出此技術(shù)未來發(fā)展的趨勢。

1 真空自耗熔煉技術(shù)的原理及特點

圖1為VAR爐體的實物圖和結(jié)構(gòu)示意圖,從圖1中可以看出,電極在真空惰性氣氛下,由于高電流的作用,電極將會溶解,在經(jīng)過水冷坩堝后再次進行凝固,在此過程中,由于高電流電弧的作用,初始電極在熔融狀態(tài)下有微量雜質(zhì)元素揮發(fā),從而達到精煉合金的作用[3-4]。雖然在實際生產(chǎn)過程中會根據(jù)原料采用不同真空自耗熔煉形式,但是基本的設(shè)備及工藝流程是不變的。目前在真空自耗控制系統(tǒng)上也做出了調(diào)整,多采用計算機來精準控制熔煉的整個過程,使得電極的前端可以和坩堝表面保持恒定的距離,從而形成恒定的凝固模式。

真空自耗熔煉技術(shù)(VAR)相比于其他熔煉技術(shù)具有以下特點:①可以去除氫、硫、氮等雜質(zhì)元素;②降低整個熔煉氣氛條件下的微量雜質(zhì)元素;③得到從下向上的近定向凝固柱狀晶,對于宏觀和微觀偏析具有明顯的改善作用。

圖1 VAR實物及示意圖

2 真空自耗熔煉技術(shù)存在的問題

對于制備所得的鈦合金質(zhì)量一般用以下幾個標準進行評價:①是否符合初始規(guī)定得到設(shè)計參數(shù);②鑄錠表面是否光滑,是否存在表面缺陷;③鑄錠內(nèi)部是否存在偏析;④所制備的鑄錠內(nèi)部雜質(zhì)是否符合規(guī)定標準。其中對于合金成品影響最大的是鑄錠內(nèi)部的偏析,金屬從高溫液態(tài)到固態(tài)過程中,由于溶質(zhì)的再分配將不可避免地出現(xiàn)局部成分不均勻即偏析現(xiàn)象。偏析的程度不僅與凝固速率有關(guān),還和初始狀態(tài)下原料的質(zhì)量有著密切的關(guān)系,這就需要在合成前和過程中充分考慮各方面的影響因素。

2.1 宏觀偏析

合金在凝固過程中由于熱量的擴散不充分從而使得局部化學成份不均勻,這將導致溶質(zhì)再分配現(xiàn)象,引發(fā)宏觀偏析現(xiàn)象[5]。如圖2 所示為鈦合金鑄錠的偏析模式示意圖。鈦合金的宏觀偏析雖具有一般合金的宏觀偏析的特征,但也具有自己獨有的特征,其在某些特征上與金屬具有類似性質(zhì)。N.F.Anoshkin 等人通過對鈦合金和鋁合金鑄錠的研究[6]得出了決定宏觀偏析程度的幾個因素:①表征元素偏析程度的溶質(zhì)分配系數(shù);②凝固溫度范圍和鑄錠的冷卻速度決定的固液兩相區(qū)的寬度;③凝固收縮程度決定了流動到固液兩相區(qū)中的富集溶質(zhì)液相體積大?。虎軆上鄥^(qū)中的液相和熔池的相互作用程度決定了兩相區(qū)中和熔池中的化學成分。

圖2 宏觀偏析模型示意圖

2.2 α微觀偏析

除宏觀偏析之外鈦合金熔煉凝固過程中還存在一種微觀偏析,其中α微觀偏析又可分為I和Ⅱ型兩種[7]。在早期的研究中人們無意中發(fā)現(xiàn)在鈦合金材料α富集的微小區(qū)域中存在一些特殊的區(qū)域,這些區(qū)域的N、C、O 元素的含量較高且硬度會高于其他部分—就是所謂的α微觀偏析中的I 型缺陷區(qū)域[8],由于α微觀偏析I 型缺陷區(qū)域的材料C 元素的富集使得此區(qū)域呈現(xiàn)一種硬而脆的物理特性,這對于航空材料來說是一種致命的缺陷。而Ⅱ型缺陷主要是由于在偏析區(qū)域Al 元素的富集,在其區(qū)域會變現(xiàn)除硬度低的特性,這種缺陷被稱之為軟偏析缺陷[9]。對于α微觀偏析中的I 和Ⅱ型來說這兩種缺陷對于材料本身的使用都是有害的。在研究中一直試圖去減少此類缺陷的發(fā)生。

2.3 β微觀偏析

β微觀偏析即β相穩(wěn)定富集存在區(qū)域[10],β微觀偏析形成的主要原因是因為在合金凝固過程中溶液前端將會因為熱流擴散的不均勻形成等軸晶,這些等軸晶會發(fā)生沉淀再加之溶質(zhì)再分配系數(shù)的不同將會發(fā)生元素偏析,而隨著凝固的進行這些偏析將會被保存下來,這就形成了β微觀偏析。為了減少β微觀偏析的形成,在條件允許的情況下盡可能提升凝固的速率;一定程度的減少鑄錠的尺寸,將使β微觀偏析的雜質(zhì)元素含量降到最低。

3 真空自耗熔煉目前主要研究進展

目前針對于真空自耗熔煉的研究主要集中在設(shè)備工藝參數(shù)的優(yōu)化,熔煉過程中的傳熱傳質(zhì)條件、減低雜質(zhì)富集等問題。L.A.Bertram 等人[11]利用Ta 及WC 等難熔物質(zhì)對熔池的形狀深度進行了測量,研究在不同熔煉電流條件下熔池深度和形狀的變化。Lampasas G.Hosamani[12]在實驗室條件下將熱電偶插入坩堝邊緣對熔煉過程中的溫度變化進行了測量,分析熔煉過程中的傳熱理論。S.Spitans 等人[13]采用理論計算的方式對缺陷形成的位置進行了精準計算(見圖3)。

圖3 熔池鑄錠的計算形貌及實物形貌圖

隨著計算機技術(shù)的發(fā)展,針對于合金鑄錠在高溫真空下的凝固過程有了新的研究方法,采用數(shù)值模擬的方法可以實現(xiàn)實驗所無法完成的測試,通過對整個物理化學過程進行建模分析,可以得到VAR 過程中合金凝固融化過程的傳熱傳質(zhì)機理,從而為優(yōu)化整個工藝流程提供理論指導意義,也是對于凝固的整個過程有圖形化的認識。Miguel F.Soler[14]采用數(shù)值計算與實驗對比的方法對VAR 前端的高溫電弧的位置進行精確模擬及實驗驗證,其模擬測試結(jié)果如圖4 所示。

Ashish Patel[15]采用軌跡運動模塊對凝固過程中顆粒軌跡運動情況進行模擬,從微觀粒子運動方面研究了鈦合金中熔質(zhì)顆粒的運動規(guī)律(見圖5)。

圖4 VAR實物及示意圖

圖5 顆粒運動軌跡模擬圖

4 結(jié) 語

真空自耗熔煉制備鈦合金作為制備鈦合金領(lǐng)域主流的工藝技術(shù),經(jīng)過多年的發(fā)展以及工藝改進,已經(jīng)具備了大規(guī)模生產(chǎn)應用的基礎(chǔ),但是在制備過程中仍然存在著各方面的缺陷問題,而計算機技術(shù)的發(fā)展也為此研究提供了一條全新的研究道路。這也將促使鈦合金VAR技術(shù)的進一步發(fā)展。

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