許云鵬 劉輝 楊彬彬

摘要：目前我國(guó)電網(wǎng)和電壓的級(jí)別不斷提升，電站區(qū)面積的擴(kuò)大和電站容量的增加，位于導(dǎo)線內(nèi)部的分布電容和高頻開關(guān)內(nèi)部電容的抗干擾能力也在上升，由于電容太大導(dǎo)致繼電保護(hù)誤動(dòng)時(shí)常出現(xiàn)。本文闡述了直流系統(tǒng)分布電容對(duì)繼電保護(hù)的影響，提出了相關(guān)專業(yè)技術(shù)人員對(duì)直流回路電容的關(guān)注度。

關(guān)鍵詞：直流系統(tǒng);分布電容;繼電保護(hù);影響

由于電路的分布特點(diǎn)而具有的電容叫分布電容， 例如線圈的相鄰兩匝之間， 兩個(gè)分立的元件之間，兩根相鄰的導(dǎo)線間，一個(gè)元件內(nèi)部的各部分之間，都具有一定的電容。它對(duì)電路的影響等效于給電路并聯(lián)上一個(gè)電容器，這個(gè)電容值就是分布電容。由于分布電容的數(shù)值一般不大，在低頻交流電路中，分布電容的容抗很大，對(duì)電路的影響不大，因此在低額交流電路中，一般可以不考慮分布電容的影響，但對(duì)于高額交流電路，分布電容的影響就不能忽略不計(jì)了。在直流系統(tǒng)中，

分布電容的存在對(duì)經(jīng)長(zhǎng)電纜跳閘的回路和出口繼電器誤動(dòng)都有很大影響。

1、分布電容的簡(jiǎn)述

分布電容指的是依據(jù)電路的分布特征而具備的電容。分立的兩個(gè)元件，相鄰的兩個(gè)導(dǎo)線，線圈緊連的兩匝，元件內(nèi)部的每個(gè)部分，它們之間都具備有電容，電容對(duì)電路造成的影響等同于把一個(gè)電容器并聯(lián)在電路上，分布電容就是它的電容值。因?yàn)榉植茧娙莸臄?shù)值相對(duì)很小，而在低頻交流電路當(dāng)中，分布電容卻有很大的容抗，一般是不會(huì)影響電路，所以在低頻交流電路當(dāng)中，通常是不用思慮分布電容方面的問題，可是針對(duì)于高頻交流電路時(shí)，分布電容對(duì)它的影響就不能小瞧。分布電容的存在，于直流系統(tǒng)當(dāng)中，很大程度影響著出口繼電器誤動(dòng)及電纜跳閘的回路。

2、直流系統(tǒng)分布電容來源分析

2.1設(shè)備的分布電容

直流系統(tǒng)多采用微機(jī)保護(hù)裝置，這些裝置的電源基本上都取自直流系統(tǒng)， 但是在使用前需采用DC/DC模塊將取自直流系統(tǒng)的電壓轉(zhuǎn)換為微機(jī)保護(hù)裝 置所需的5、12、4V 等電壓。而 DC/DC 模塊電磁兼容（EMC）問題使其在輸入端都采取了 EMI抗干擾措施，而該項(xiàng)技術(shù)的特點(diǎn)是在正對(duì)地和 負(fù)對(duì)地間接入電容，通過 EMI手段來消除噪聲源對(duì)開關(guān)電源及設(shè)備的影響，但是隨著電網(wǎng)電壓等級(jí)的不斷提高，設(shè)備數(shù)量不斷增多，疊加在直流系統(tǒng)上的分布電容也就越來越大。

2.2電纜的分布電容

變電站或電廠的保護(hù)及控制電纜一般選用 KVVP22帶屏蔽層的多芯電纜， 芯線橫截面積多為2.2mm2，而根據(jù)國(guó)家電網(wǎng)十八項(xiàng)反措要求，變電站內(nèi)或電廠內(nèi)的控制及信號(hào)電纜屏蔽層需通過4mm2 軟銅線在電纜兩端接地，因此電纜對(duì)屏蔽層具有分布電容。同時(shí)，在電纜內(nèi)部，線芯與線芯間也存在分布電容。

3、直流回路分布電容對(duì)繼電保護(hù)的影響

3.1 會(huì)給接地查找儀器造成誤差

便攜式接地查找裝置，不論是經(jīng)過直流系統(tǒng)自身的電源造成的交變直流信號(hào)，還是注入低頻的交流信號(hào)，是不是查找出接地點(diǎn)，這當(dāng)中最主要的因素是取決于探測(cè)器抗分布電容的效果。比如一個(gè)變電站的接地電阻是 30Kl～，分布電容是 50UF，注入信號(hào)的頻率大概為 0.5Hz，而對(duì)地容抗卻只有64Kf～，很容易出現(xiàn)誤判結(jié)果為多點(diǎn)接地故障支路。

因?yàn)榈皖l信號(hào)接收器僅僅能夠判斷出有沒有低頻信號(hào)，它不能判斷出容性電流還是阻性電流，故而想要得出具體是故障電流回路還是非故障電流回流就不是那么容易，尤其是故障電流回路中不單單具有容性的分布電容電流，還具有阻性的接地電流時(shí)。而供電所變電站里直流系統(tǒng)接地通常是因?yàn)槌睗窠^緣或者是絕緣過于老化減低所造成的。這些狀況都是由于過渡電阻接地絕少存在直接金屬接地上。

3.2 分布電容造成開關(guān)誤動(dòng)

出口繼電器的動(dòng)作電壓不小于額定電壓的70%，但是在額定電壓的55%～70%是可能動(dòng)作也可能不動(dòng)作的。直流系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)，繼電器線圈J兩端的電壓恒定不變，一旦系統(tǒng)發(fā)生單點(diǎn)接地故障（圖1 所示 Rx 為接地等效電阻），正負(fù)對(duì)地電壓勢(shì)必發(fā)生偏差，在變化過程中，繼電器線圈J上會(huì)流過電流。如果此時(shí)支路的對(duì)地分布電容較小，那么流過電容的電流會(huì)很小，不足以驅(qū)動(dòng)線圈動(dòng)作;但是，如果此時(shí)支路的對(duì)地分布電容過大（圖1 中的等效電容C過大），那么電容對(duì)地會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很大的電流，且該電流會(huì)隨著電容的充放電發(fā)生改變，充放電電流和時(shí)間取決于此時(shí)單點(diǎn)接地電阻和繼電器線圈電阻的等效值。根據(jù)電容充放電特性τ=RC 能得出時(shí)間與等效電阻R和電容C大小成正比，電容越大，充放電時(shí)間也就相應(yīng)加長(zhǎng)。當(dāng)電流和時(shí)間都滿足圖3所示的繼電器動(dòng)作條件時(shí)，線圈J上便具有足夠的能量使接點(diǎn) CKJ動(dòng)作，從而導(dǎo)致誤動(dòng)作發(fā)生，會(huì)造成一系列不必要的損失。

3.3 導(dǎo)致保護(hù)跳閘

在直流電路中，分布電容對(duì)繼電保護(hù)影響而導(dǎo)致跳閘現(xiàn)象的產(chǎn)生原因主要有 3 點(diǎn)：一是在測(cè)量直流系統(tǒng)絕緣性能時(shí)，絕緣監(jiān)測(cè)裝置對(duì)地電壓產(chǎn)生較強(qiáng)的波動(dòng);二是在測(cè)量壓板電位時(shí)，由于操作不當(dāng)出現(xiàn)的短時(shí)間接地;三是在直流回路中，對(duì)地電容產(chǎn)生的影響。例如在一個(gè)保護(hù)裝置里，由于電流中存在分布電容，外部的非電量強(qiáng)電光耦開入，如果在此過程中出現(xiàn)單點(diǎn)接地，觸點(diǎn)閉合時(shí)輸入低電位從而發(fā)生開入導(dǎo)致保護(hù)誤動(dòng)。

4、降低分布電容的影響分析

分布電容是引起保護(hù)一點(diǎn)接地時(shí)誤動(dòng)和一些測(cè)量誤差的必要條件。分布電容真實(shí)存在，其大小決定了對(duì)保護(hù)設(shè)備的影響程度。在當(dāng)前制造工藝下，電纜的百米分布電容較為固定，系統(tǒng)的分布電容就取決于電纜的分布和長(zhǎng)度。降低分布電容的影響是通過提高保護(hù)和測(cè)試裝置的可靠性和采取抗分布電容的方法。

分布電容引起保護(hù)一點(diǎn)接地時(shí)誤動(dòng)，往往是由于保護(hù)元件動(dòng)作電壓過低或動(dòng)作功率較小所致。實(shí)驗(yàn)表明出口繼電器動(dòng)作電壓大于 55%，小于70%，動(dòng)作功率大于 5W 能有效預(yù)防類似事件的發(fā)生。為了防止光耦回路的誤導(dǎo)通，所有涉及到失靈及母差直跳、非電量直跳回路的開入可以一律采用雙開入的強(qiáng)電中間繼電器，采用出口繼電器的相同防范措施，由中間繼電器接點(diǎn)對(duì)直跳回路進(jìn)行開入重動(dòng)。接地查找儀器往往采用注入極低頻率信號(hào)的抗抗分布電容方法。例如信號(hào)源注入信號(hào)頻率低至 0.125Hz，抗分布電容高達(dá) 1200KΩ/ uF，大大減少容性電流成份。同時(shí)測(cè)量支路電流的幅值與相位，去除容性電流后，計(jì)算支路電阻。

5、結(jié)束語

分布電容的大小因站而異，在有條件時(shí)應(yīng)實(shí)測(cè)本站分布電容值，建立基礎(chǔ)數(shù)據(jù)，特別是以前曾經(jīng)發(fā)生過一點(diǎn)接地保護(hù)誤動(dòng)的廠站，應(yīng)認(rèn)真分析，采取必要的防范措施。

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