鄭金武

科學導報訊 12月6日，記者從中國科學院電工研究所獲悉，該所研究員、中國科學院院士王秋良團隊采用自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術(shù)，研制出了中心磁場高達32.35特斯拉（T）的全超導磁體。該磁體打破了2017年12月由美國國家強磁場實驗室創(chuàng)造的32.0T超導磁體的世界紀錄，標志著我國高場內(nèi)插磁體技術(shù)已經(jīng)達到世界領(lǐng)先水平。