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光子芯片使用可編程光子新材料 可加快集成電路研發(fā)

2020-04-26 09:58
關(guān)鍵詞:非晶硅氫化折射率

近日,據(jù)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)透露,荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)(Eindhoven University of Technolog)的研究人員發(fā)現(xiàn)了一種可轉(zhuǎn)換的光學(xué)材料——?dú)浠蔷Ч瑁軌蚣涌旃庾蛹呻娐返难邪l(fā)和生產(chǎn)。

該研究項(xiàng)目的負(fù)責(zé)人Oded Raz表示,這是第一個(gè)可編程的光子電路,研發(fā)人員可以對(duì)光子材料本身進(jìn)行編程和重新設(shè)置,且不需要任何電力依然可保持自身的編程狀態(tài),將在一定程度上幫助工程師加速開(kāi)發(fā)光子器件。

據(jù)介紹,這種材料名為氫化非晶硅,目前主要用于薄膜硅太陽(yáng)能電池。研究人員在一個(gè)被稱為“Staebler-Wronski效應(yīng)”的研究中發(fā)現(xiàn),光或熱會(huì)改變氫化非晶硅的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì),但當(dāng)它在黑暗中緩慢冷卻后,可以恢復(fù)一部分光學(xué)性質(zhì)。研究人員們推斷,可重構(gòu)PIC(光子集成電路)或可利用此特點(diǎn)來(lái)彌補(bǔ)切換過(guò)程中的性能損耗。

為了驗(yàn)證推斷,研究人員將一層薄薄的氫化非晶硅,在近紅外激光中浸泡了100小時(shí)以上,然后將它放置在黑暗中緩慢冷卻4個(gè)小時(shí)。在這一過(guò)程中他們發(fā)現(xiàn),近紅外激光可以使材料的折射率增加0.3%,同時(shí)冷卻可以將折射率降低0.3%,實(shí)現(xiàn)逆轉(zhuǎn)。

隨后,研究人員利用氫化非晶硅的微觀環(huán)(microscopic rings)開(kāi)發(fā)了可重新配置的光學(xué)開(kāi)關(guān)。研究人員發(fā)現(xiàn),光學(xué)開(kāi)關(guān)能夠可逆地改變這些器件的折射率,而不增加光學(xué)損耗。

不過(guò),Oded Raz還表示,未來(lái),可能會(huì)有研究表明,非晶硅鍺或非晶硅碳等類似材料比氫化非晶硅更擅長(zhǎng)進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。

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