劉 帥,賈桂芝,徐 磊
(中國人民解放軍32181 部隊(duì),陜西 西安 710032)
電容去離子技術(shù) (Capacitive deionization, CDI)是20 世紀(jì)90 年代末開始興起的一種新型水處理技術(shù)[1]。CDI 依靠外加電壓,利用電極強(qiáng)大的吸附能力,對水中鹽離子進(jìn)行周期性吸附與解吸,以達(dá)到鹽水脫離目的[2]。CDI 還具備儲(chǔ)能功能,脫鹽過程中的能耗可在解吸時(shí)部分回收。與反滲透脫鹽方法相比,具有低壓、低能耗、低成本、易再生、易維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)[3-4]。
CDI 單元通常由2 塊平行放置的電極構(gòu)成,電極之間持續(xù)流過含帶電微粒(如離子)的水溶液,當(dāng)給2 電極施加直流電壓時(shí),2 電極間將產(chǎn)生持續(xù)穩(wěn)定電場,帶電微粒在電場力作用下朝著電性相反的電極移動(dòng),被吸附在電極表面,溶液濃度降低,實(shí)現(xiàn)脫鹽或凈化。吸附飽和后,將電極短接或加反向電壓,雙電層變薄或建立相反電性雙電層,離子被快速釋放,溶液濃度迅速升高,電極實(shí)現(xiàn)再生[5],
本研究將離子交換和石墨烯新材料引入到CDI技術(shù)中,形成了新型石墨烯基膜電容電吸附技術(shù)(membrane capacitive deionization 簡稱 MCDI)[6],使得鹽離子移動(dòng)更加規(guī)律,電極表面形成的雙電層面積更大更穩(wěn)定,克服了CDI 技術(shù)極板濃差極化、容易結(jié)垢等技術(shù)難題。
本試驗(yàn)設(shè)備原理見圖1。具有能量利用率高、環(huán)境友好、運(yùn)行成本低、易操作等優(yōu)勢。設(shè)備共連接14個(gè)吸脫附模塊組件,外加1.2~2.0 V 的直流電壓,利用電極表面雙電層進(jìn)行電容吸附,把水中的帶電物質(zhì)吸附在正負(fù)電極上。吸附飽和后,給電極加反向電壓,吸附的帶電微粒發(fā)生脫附,電極得到再生。本試驗(yàn)的工藝流程見圖2。
圖1 CDI 技術(shù)原理
圖2 MCDI 工藝流程示意
主要試驗(yàn)試劑包括氯化鈉、超純水(電導(dǎo)率變化范圍為 1~3 μS/cm)等。
主要試驗(yàn)儀器包括電子天平(APT456)、多參數(shù)水質(zhì)分析儀(DZS-706)、溫度計(jì)(TP101)、超純水機(jī)(GWA-UN2-20)等。
1.3.1 脫鹽率
用多參數(shù)水質(zhì)分析儀分別測定原水電導(dǎo)率和出水電導(dǎo)率,然后采用公式(1)計(jì)算,結(jié)果保留4 位有效數(shù)字。
式中:R 為脫鹽率,%;C1為原水電導(dǎo)率,μS/cm;C2為出水電導(dǎo)率,μS/cm。
1.3.2 噸水能耗
噸水能耗為產(chǎn)出1 t 水所消耗的電能,用模塊在工作時(shí)間內(nèi)所用的電壓、電流以及時(shí)間按公式(2)來計(jì)算,結(jié)果保留4 位有效數(shù)字。
式中:W 為能量消耗,J;U為工作電壓,V;I 為工作電流,A;t為工作時(shí)間,s。
模擬對苦咸水中鹽離子的去除測試,自配原水,以氯化鈉為溶質(zhì)配制TDS 質(zhì)量濃度分別為2 000,3 000,4 000 mg/L 的模擬苦咸水,運(yùn)行 MCDI 設(shè)備,設(shè)備中的14 個(gè)模塊組件均為循環(huán)運(yùn)行模式,1 個(gè)運(yùn)行周期為20 min,先進(jìn)行吸附過程,時(shí)長10 min,再進(jìn)行脫附過程,時(shí)長10 min,記錄MCDI 設(shè)備的運(yùn)行數(shù)據(jù)。
此外,對于質(zhì)量濃度2 000 mg/L 的鹽水,在其他條件相同時(shí),從脫鹽率以及噸水能耗方面對比MCDI 設(shè)備與反滲透(RO)設(shè)備的運(yùn)行數(shù)據(jù),RO 設(shè)備的工藝流程見圖3。
對質(zhì)量濃度2 000 mg/L(測得電導(dǎo)率約為4 000 μS/cm)自配氯化鈉鹽水進(jìn)行吸脫附測試,探討不同電壓以及不同流量下MCDI 設(shè)備的脫鹽情況,測試結(jié)果見圖4~6。
圖4 在 0.5 t,4 000 μS·cm-1 參數(shù)下,不同電壓對脫鹽及噸水能耗影響
圖5 在 1.0 t,4 000 μS·cm-1 參數(shù)下,不同電壓對脫鹽及噸水能耗影響
圖6 在 1.5 t,4 000 μS·cm-1 參數(shù)下,不同電壓對脫鹽及噸水能耗影響
由圖4~ 圖6 可知,無論流量、電壓如何,產(chǎn)水中鹽離子濃度均在1 min 內(nèi)急劇下降至最低,然后再逐漸升高,最大脫鹽率均在95%以上。在3 種流量下,脫鹽率均隨著電壓的升高而增大,且由圖4~圖6 的曲線變化可知,流量越大,電壓對脫鹽率的影響效果越顯著,但隨著電壓的升高,噸水能耗也增加。
根據(jù)電吸附原理,電壓是驅(qū)使溶液中離子從溶液主體遷移至電極表面的驅(qū)動(dòng)力,因此,電壓是影響MCDI 電極吸附脫鹽效果的關(guān)鍵因素之一。在一定范圍內(nèi),電壓越高,靜電場作用力越強(qiáng),極板間電流密度越大,吸附速率越快,脫鹽效果越明顯,但超過上限值后,會(huì)使水產(chǎn)生電解反應(yīng)[7],水電解后產(chǎn)生的H+和OH-也會(huì)被吸附至電極表面,從而降低鹽離子的電荷吸附效率,影響脫鹽效果,同時(shí)電壓升高會(huì)消耗更多的電能,增加運(yùn)行能耗,因此不能無限制增加電壓。
恒定電壓下,不同流量對脫鹽以及噸水能耗的影響對比見圖7。
圖7 在 1.6 V,4 000 μS·cm-1 參數(shù)下,不同流量對脫鹽及噸水能耗影響
由圖7 可知,流量越小,脫鹽效果越好,但同時(shí)噸水能耗也越高。這是由于恒定電壓下,在一定范圍內(nèi),進(jìn)水流量越小,意味著單位時(shí)間內(nèi)水中流過的鹽離子受到電場力的驅(qū)動(dòng)時(shí)間越長,吸附效果越好,但當(dāng)進(jìn)水流量過低,單位時(shí)間內(nèi)流過的鹽離子數(shù)量過少時(shí),在電極吸附額度相同的條件下,處理相同體積、相同濃度的鹽水,需要多進(jìn)行幾輪的吸附才能使電極達(dá)到飽和,即需要更長的通電時(shí)間,進(jìn)而消耗更多的電能。若進(jìn)水流量過大時(shí),會(huì)導(dǎo)致模塊單元內(nèi)用于離子傳遞轉(zhuǎn)移的停留時(shí)間縮短,電極表面與溶液中的離子接觸不充分,會(huì)有大量離子尚未來得及吸附就被較大的水流量帶出,從而導(dǎo)致脫鹽率低。
綜上所述,在實(shí)際運(yùn)行中需根據(jù)實(shí)際情況配合使用合適的電壓及流量。利用RO 設(shè)備對質(zhì)量濃度2 000 mg/L 自配氯化鈉鹽水進(jìn)行脫鹽測試,RO 設(shè)備的脫鹽情況見圖8。
圖8 RO 設(shè)備的脫鹽運(yùn)行數(shù)據(jù)
由圖8 可知,與 MCDI 設(shè)備相似的是,RO 設(shè)備產(chǎn)出水的電導(dǎo)率也在實(shí)驗(yàn)初始1 min 內(nèi)急劇降至最低,但與MCDI 設(shè)備不同的是,在后續(xù)的實(shí)驗(yàn)過程中,產(chǎn)水電導(dǎo)率均維持在最低水平,未出現(xiàn)回升現(xiàn)象,平均脫鹽率可達(dá)到99.57%,在脫鹽率方面優(yōu)于MCDI 設(shè)備。但在噸水能耗方面,經(jīng)計(jì)算,MCDI 設(shè)備每產(chǎn)出1 t 水消耗的平均電能約為1.17 kW·h,RO設(shè)備每產(chǎn)出1 t 水消耗的平均電能約為1.56 kW·h,RO 設(shè)備的電能消耗比MCDI 設(shè)備高出25%左右,經(jīng)濟(jì)性稍差。
對質(zhì)量濃度3 000 mg/L(測得電導(dǎo)率約為6 000 μS/cm)自配氯化鈉鹽水進(jìn)行吸脫附測試。在不同電壓以及不同流量下MCDI 設(shè)備的脫鹽情況見圖9~10。
圖9 在 1.0 t,6 000 μS·cm-1 參數(shù)下,不同電壓對脫鹽及噸水能耗影響
圖10 在 1.6 V,6 000 μS·cm-1 參數(shù)下,不同流量對脫鹽及噸水能耗影響
由圖9 可知,在流量恒定為1.0 t,不同電壓的條件下,MCDI 設(shè)備對質(zhì)量濃度3 000 mg/L 原水的脫鹽情況與質(zhì)量濃度2 000 mg/L 原水相類似,即流量相同時(shí),在一定范圍內(nèi),電壓越高,脫鹽效果越好,原因同上。由圖10 可知,在電壓恒定為1.6 V,不同流量的條件下,MCDI 設(shè)備對質(zhì)量濃度3 000 mg/L 原水的脫鹽規(guī)律也與質(zhì)量濃度2 000 mg/L 原水相類似,即電壓相同時(shí),在一定范圍內(nèi),水流量越低,脫鹽效果越好,但噸水能耗越高,原因也與上述相同。
在不同電壓下,MCDI 設(shè)備對質(zhì)量濃度4 000 mg/L(測得電導(dǎo)率約為8 000 μS/cm)氯化鈉鹽水的吸脫附測試見圖11。
圖11 在 1.0 t,8 000 μS·cm-1 參數(shù)下,不同電壓對脫鹽及噸水能耗影響
對比圖5,9,11 可知,在相同流量、不同電壓條件下,MCDI 設(shè)備對各濃度鹽水的脫鹽規(guī)律類似,但隨著自配鹽水濃度的提升,電壓對鹽水脫鹽率的影響作用慢慢減弱。這是由于在較低初始濃度以及較低恒定電壓下,電吸附產(chǎn)生的雙電層重疊效應(yīng)也增強(qiáng)[8],即熱運(yùn)動(dòng)占主要影響,故此時(shí)擴(kuò)散層占主導(dǎo)作用,緊密層的作用減弱,若此時(shí)增加電壓,使電極表面的電荷密度增加,則可以增強(qiáng)電場力產(chǎn)生的靜電作用,以此來削弱熱運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的影響。所以,在低初始濃度的溶液中,電吸附的作用受恒定電壓的影響比較大;反之,若在高濃度下,雙電層中的德拜長度變小,電極表面的電荷密度增強(qiáng),緊密層作用增強(qiáng)[9],此時(shí)緊密層占主導(dǎo)作用,外加電場的影響就相對較小。同時(shí)也可以說明,在較高的初始濃度下,適宜選用較小的恒定電壓,以減少運(yùn)行能耗。
(1)石墨烯基膜電容電吸附對質(zhì)量濃度2 000,3 000,4 000 mg/L 自配苦咸水的脫鹽率均先在短時(shí)間內(nèi)迅速升至最大,達(dá)到95%以上,然后再逐漸減小。
(2)反滲透設(shè)備對質(zhì)量濃度2 000 mg/L 氯化鈉鹽水的脫鹽率先在短時(shí)間內(nèi)迅速升至最大,達(dá)到99.57%,后脫鹽率基本維持穩(wěn)定。反滲透設(shè)備在脫鹽率方面優(yōu)于石墨烯基膜電容電吸附設(shè)備,但在能耗方面稍占劣勢。
(3)對于石墨烯基膜電容電吸附設(shè)備,操作條件對質(zhì)量濃度 2 000,3 000,4 000 mg/L 自配苦咸水脫鹽率的影響規(guī)律類似,均為當(dāng)進(jìn)水流量相同時(shí),在一定范圍內(nèi),電壓越高,脫鹽率越高,運(yùn)行能耗越大,但隨著自配鹽水濃度的提高,電壓對脫鹽率的影響作用慢慢減弱。當(dāng)電壓恒定時(shí),在一定范圍內(nèi),進(jìn)水流量越小,脫鹽率越高,運(yùn)行能耗越大。