薛山
14/28nm的營(yíng)收占比有著明顯的提升
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局是比較明晰的,首先是英特爾、三星、德州儀器等起步很早的傳統(tǒng)企業(yè),采用了從設(shè)計(jì)、制造到封測(cè)一把抓的IDM模式,這種模式的優(yōu)點(diǎn)就是把控全局,但缺點(diǎn)是回報(bào)率較低且投資巨大,因此順勢(shì)發(fā)展出海思、高通、聯(lián)發(fā)科為代表的無(wú)工廠芯片設(shè)計(jì)商,和臺(tái)積電、格芯、聯(lián)電以及中芯國(guó)際等制造代工廠,再加上日月光、長(zhǎng)電科技等封裝測(cè)試廠商,整個(gè)產(chǎn)業(yè)呈流水線形態(tài),企業(yè)間各司其職共同出力。
而在這三大環(huán)節(jié)當(dāng)中,芯片設(shè)計(jì)已有海思在前鋪路,長(zhǎng)電科技也位居封測(cè)領(lǐng)域市占率的全球第三,最薄弱的環(huán)節(jié)也就是制造,這也是國(guó)務(wù)院頒發(fā)通知的關(guān)鍵原因。而中芯國(guó)際作為目前國(guó)內(nèi)芯片制造的龍頭,剛剛實(shí)現(xiàn)了14nm制程的量產(chǎn),目前以6%的市場(chǎng)份額排名全球第五。芯片代工制造這個(gè)行業(yè)有幾個(gè)特點(diǎn),其一是圈子小,全球其實(shí)總共也就五大家;其二是廠商之間的差距大,臺(tái)積電一家就占了半壁江山,考慮到排名第三第四的格芯/聯(lián)電已經(jīng)放棄12nm以下制程,這意味著未來(lái)數(shù)年內(nèi)就是臺(tái)積電、三星和中芯國(guó)際的技術(shù)博弈。
雖然從消費(fèi)者角度來(lái)說(shuō)關(guān)注重點(diǎn)一定是在最高端的制造工藝上,比如手機(jī)SoC和PC CPU采用的7nm甚至今年即將到來(lái)的5nm,但從企業(yè)營(yíng)收構(gòu)成來(lái)說(shuō)并不是這樣,在5G、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)等快速增長(zhǎng)的行業(yè),大多數(shù)芯片設(shè)計(jì)依靠的是12/14nm甚至16nm制程工藝,所以中芯國(guó)際需要在利潤(rùn)尚且豐厚的12/14nm上快速提升產(chǎn)能以實(shí)現(xiàn)造血能力,并反哺到更先進(jìn)工藝的研發(fā)當(dāng)中,才能夠?qū)崿F(xiàn)真正加入“三巨頭”的這個(gè)“小目標(biāo)”。
華為/榮耀已成為中芯國(guó)際的服務(wù)對(duì)象
從中芯國(guó)際2020年第二季度財(cái)報(bào)來(lái)看,營(yíng)收9.38億美元環(huán)比增長(zhǎng)4%,同比增長(zhǎng)19%,毛利2.49億美元,環(huán)比增長(zhǎng)6.4%,同比暴增64.5%,其中值得關(guān)注的就是14/28nm先進(jìn)制程的營(yíng)收占比達(dá)到了9.1%,而去年同期的占比僅3.8%,同時(shí)聯(lián)席CEO梁孟松提到在5月的時(shí)候14nm產(chǎn)能提升到了6000片晶圓/月,年底有望達(dá)到15000片晶圓/月,而目前的主要服務(wù)客戶就是華為麒麟710A SoC,代表機(jī)型為榮耀Play 3、華為暢享平板2等產(chǎn)品,造血能力的增加有目共睹。
那么,可能很多人還是會(huì)關(guān)心一個(gè)問(wèn)題:中芯國(guó)際能不能超過(guò)臺(tái)積電?成為世界領(lǐng)先者。答案其實(shí)是復(fù)雜的,首先大家要認(rèn)識(shí)到一個(gè)現(xiàn)實(shí),那就是半導(dǎo)體制程的天花板已經(jīng)出現(xiàn)了,目前大家看到的納米制程與其說(shuō)是制程,不如說(shuō)是商標(biāo),因?yàn)樗c實(shí)際制程并不相關(guān)。從技術(shù)層面來(lái)說(shuō),單個(gè)單晶硅晶胞邊長(zhǎng)就超過(guò)了0.5nm,再先進(jìn)的光刻+刻蝕也不可能留下完整的單層硅原子,再加上實(shí)用還需要各種功能層,以及超小型器件不得不考慮的量子隧穿效應(yīng),單晶硅材料已經(jīng)讓目前半導(dǎo)體工藝的未來(lái)肉眼可見(jiàn)。
中芯國(guó)際今年量產(chǎn)的14nm與目前最先進(jìn)的5nm存在10nn、7nm這三個(gè)代差,但比2018年28nm與當(dāng)時(shí)最先進(jìn)7nm之間的四個(gè)代差已經(jīng)縮短了一個(gè),這意味著受制于單晶硅材料半導(dǎo)體天花板,領(lǐng)跑者的腳步已經(jīng)在放緩,最關(guān)鍵是單晶硅因其極其出色的性能和豐富的礦產(chǎn)資源,想要找到同等性價(jià)比的替代品難度很大,而且現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)備全都是為單晶硅晶圓加工設(shè)計(jì),換材料意味著現(xiàn)有設(shè)備全都要淘汰并重新研發(fā),全球代工企業(yè)將回到同一起點(diǎn)。所以,在單晶硅半導(dǎo)體的基礎(chǔ)上,中芯國(guó)際追上臺(tái)積電只是時(shí)間問(wèn)題,而如果想要超越就必須切換材料,這也是為什么基礎(chǔ)學(xué)科的建設(shè)力度必須跟上的原因。類(lèi)似的案例在汽車(chē)領(lǐng)域就有比較明顯的表現(xiàn),燃油汽車(chē)國(guó)產(chǎn)車(chē)企始終是追趕者,但在新能源時(shí)代就能實(shí)現(xiàn)技術(shù)獨(dú)立,差距立馬縮短。
當(dāng)然,這一切建立在國(guó)家支持力度充足,以及對(duì)配套設(shè)備的研發(fā)效率跟上的大前提下,前者自然沒(méi)有什么問(wèn)題,重點(diǎn)在于后者。芯片制造流程有三大核心設(shè)備,分別是光刻機(jī)、刻蝕機(jī)和薄膜沉積設(shè)備,光刻機(jī)目前是荷蘭ASML一家獨(dú)大,它的精度直接決定了元器件的光刻尺寸和密度,這是半導(dǎo)體制造國(guó)產(chǎn)之路上最硬的一塊“骨頭”,目前的差距還比較大,需要較長(zhǎng)時(shí)間來(lái)突破。而刻蝕機(jī)的作用是對(duì)光刻得到的圖案進(jìn)行加工,而且加工精度要求很高,其重要性不言而喻,好在刻蝕機(jī)方面國(guó)產(chǎn)技術(shù)跟上了全球步伐,早在2017年中微半導(dǎo)體就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了5nm等離子刻蝕機(jī)量產(chǎn)并供貨臺(tái)積電、三星、中芯國(guó)際等代工廠。而薄膜沉積設(shè)備方面,北方華創(chuàng)則領(lǐng)先國(guó)內(nèi),但基本還處于28nm級(jí)別,所以依然有一定的差距,至于其他設(shè)備,如離子注入機(jī)、拋光機(jī)和清洗機(jī)等也面臨類(lèi)似的情況,可以說(shuō)依然需要時(shí)間來(lái)追趕。
中芯國(guó)際在大陸總共有7座晶圓廠
中芯國(guó)際可以說(shuō)是一面鏡子,反映出來(lái)的是目前國(guó)家建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心,而且從目前來(lái)看它也確實(shí)在正確的道路上不斷前行,但同時(shí)大家也要清楚地認(rèn)識(shí)到差距的存在,有的差距甚至需要以十年為單位,不是喊喊口號(hào)、打打雞血就能快速?gòu)浹a(bǔ)的。好在國(guó)家調(diào)控政策的落實(shí)讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從基礎(chǔ)人才到財(cái)政補(bǔ)貼、免征稅收等各方面都有了切實(shí)的方案,再結(jié)合原本就跑在最前頭的5G等新領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的高速發(fā)展時(shí)刻或許就在眼前!