呂衍秋，魯 星，魯正雄，李 墨

(1.中國空空導(dǎo)彈研究院，河南 洛陽 471009；2.空裝駐洛陽地區(qū)第一軍事代表室，河南 洛陽 471009；3.紅外探測(cè)器技術(shù)航空科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，河南 洛陽 471009；4.河南省銻化物紅外探測(cè)器工程技術(shù)研究中心，河南 洛陽 471009)

0 引 言

紅外探測(cè)器是紅外探測(cè)系統(tǒng)中的核心元件，是將入射的紅外輻射能轉(zhuǎn)變成其他形式能量的轉(zhuǎn)換器，是集電子科學(xué)與技術(shù)、材料學(xué)、凝聚態(tài)物理、光學(xué)工程、工程熱物理等多學(xué)科于一體的高技術(shù)產(chǎn)品，是信息化的基礎(chǔ)，是國家重要的戰(zhàn)略資源，同時(shí)也是國家綜合實(shí)力和科技水平的具體體現(xiàn)[1-2]。紅外探測(cè)器一般由焦平面陣列芯片(FPA)、制冷器(斯特林制冷機(jī))、杜瓦和濾光片、光闌等內(nèi)置光學(xué)件組成，外界目標(biāo)的紅外輻射經(jīng)帶通濾光片等內(nèi)置光學(xué)元件濾除不需要的光譜輻射后，到達(dá)光敏芯片，光敏芯片將紅外輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，輸出給信號(hào)處理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)的探測(cè)，制冷器和杜瓦分別提供光敏芯片正常工作的低溫冷源和隔熱環(huán)境。

紅外探測(cè)器的發(fā)展主要始于第二次世界大戰(zhàn)后，軍事應(yīng)用需求是推動(dòng)紅外探測(cè)器發(fā)展的主要?jiǎng)恿3]。按照發(fā)展歷程，紅外探測(cè)器通常被分為四代：第一代以分立型為主，元數(shù)在103元以下，有線列和小面陣結(jié)構(gòu)；第二代為掃描型和凝視型焦平面結(jié)構(gòu)，規(guī)模在103～106元；第三代以凝視型為主，規(guī)模在106元以上，且強(qiáng)調(diào)超大規(guī)模陣列、高工作溫度、雙波長(雙色)或多波長(多色)響應(yīng)。而即將進(jìn)入的第四代主要特點(diǎn)包括“超越規(guī)?！?、“超越像元”、光學(xué)集成和更強(qiáng)的智能化信息處理功能，如圖1所示。

圖1 制冷型紅外探測(cè)器發(fā)展歷史Fig.1 Development history of cooled infrared detectors

當(dāng)前，高性能的制冷型紅外探測(cè)器均采用化合物半導(dǎo)體材料，其中主要包括：HgCdTe、銻化物半導(dǎo)體(Antimonide Based Compound Semiconductor，ABCS)、量子阱探測(cè)器等，如表1所示。其中銻化物半導(dǎo)體紅外探測(cè)器指的是以Sb元素為基礎(chǔ)的InSb,InAsSb,InAlSb,InAs/GaSb T2SL等紅外探測(cè)器，覆蓋紅外短、中、長波，是目前主要的紅外探測(cè)器類型之一。

表1 制冷型紅外探測(cè)器的特點(diǎn)及對(duì)比Table 1 Comparison of cooled infrared detectors

InSb紅外焦平面探測(cè)器在20世紀(jì)90年代發(fā)展成熟，具有量子效率高、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，目前在軍用中波紅外探測(cè)器系統(tǒng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。與HgCdTe相比，InSb焦平面陣列材料缺陷密度低、位錯(cuò)密度?。籌nSb材料不存在組分均勻性問題，晶元尺寸更大、均勻性更高，也無由此產(chǎn)生的探測(cè)器光譜及響應(yīng)的不均勻性；InSb晶片是標(biāo)準(zhǔn)晶片，可實(shí)現(xiàn)芯片自動(dòng)化生產(chǎn)，器件成本低、長期使用穩(wěn)定性高，在系統(tǒng)應(yīng)用中具有很強(qiáng)的競(jìng)爭能力。

T2SL探測(cè)器是近年興起的新型本征吸收窄禁帶半導(dǎo)體材料，在晶格匹配的GaSb襯底上生長，可實(shí)現(xiàn)在整個(gè)紅外波段范圍內(nèi)響應(yīng)光譜可調(diào)，且屬于6.1?材料體系，具有靈活的設(shè)計(jì)空間。與HgCdTe器件相比，T2SL最大的優(yōu)點(diǎn)是晶格穩(wěn)定性好，工藝重復(fù)性和器件的均勻性容易保證，與InSb器件工藝兼容性很高，有利于制備出大規(guī)模焦平面探測(cè)器；此外，T2SL的俄歇壽命和隧道電流也要優(yōu)于HgCdTe，有利于器件暗電流的控制。T2SL可用于高工作溫度紅外探測(cè)器、長波紅外探測(cè)器、雙色及多色探測(cè)器，是HgCdTe探測(cè)器有力的競(jìng)爭者。

InAsSb和InAlSb同屬于三元合金，通過分子束外延(MBE)技術(shù)生長，用于高工作溫度紅外探測(cè)器。InAsSb主要在GaSb襯底上生長，工作溫度在150 K左右，截止波長4.2 μm；InAlSb主要在重?fù)诫s的InSb襯底上生長，工作溫度在110 K以上，截止波長4.8 μm，可以覆蓋中波紅外的大氣透過窗口。InAsSb、InAlSb探測(cè)器制備工藝相對(duì)簡單，成本較低，是高工作溫度紅外探測(cè)器領(lǐng)域的重要材料。

銻化物紅外探測(cè)器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于軍事和民用領(lǐng)域，如圖2～3所示。軍事方面，涉及精確制導(dǎo)、戰(zhàn)略戰(zhàn)術(shù)情報(bào)搜集和目標(biāo)偵察監(jiān)視等領(lǐng)域，是紅外制導(dǎo)類武器系統(tǒng)及光電搜索、偵察、告警類設(shè)備獲取目標(biāo)信息，實(shí)現(xiàn)探測(cè)、截獲和跟蹤功能的核心元器件；在航天領(lǐng)域，紅外探測(cè)器已被成功應(yīng)用于氣象衛(wèi)星、氣候監(jiān)測(cè)、空間紅外望遠(yuǎn)鏡等大型航天工程中，發(fā)揮重要作用。民用方面，紅外探測(cè)器在工業(yè)檢測(cè)、監(jiān)控、測(cè)溫、公安消防和監(jiān)視、醫(yī)學(xué)和科學(xué)探索等領(lǐng)域廣為使用，應(yīng)用范圍越來越廣泛。

圖2 銻化物紅外探測(cè)器在精確制導(dǎo)領(lǐng)域的應(yīng)用Fig.2 The application of antimonide infrared detector in the field of precise guidance

圖3 F-35光電分布式孔徑系統(tǒng)(DAS)和光電偵查系統(tǒng)(EOTS)采用1 024×1 024 InSb焦平面陣列Fig.3 F-35 photoelectric distributed aperture system (DAS) and photoelectric detection system (EOTS) use 1 024×1 024 InSb focal plane array

1 國內(nèi)外研究情況

1.1 國外銻化物探測(cè)器研制情況

國際上，銻化物紅外探測(cè)器已全面進(jìn)入第三代，具有超大規(guī)模陣列、高工作溫度、高靈敏度、雙色/多色成像等特點(diǎn)。以美國為例，其研發(fā)體系完整，包含由大學(xué)(Northwestern University、University of New Mexico等)、科研機(jī)構(gòu)(NASA、海軍實(shí)驗(yàn)室、空軍實(shí)驗(yàn)室等)、軍工企業(yè)(Raytheon、Lockheed Martin等)組成的從基礎(chǔ)研究、技術(shù)開發(fā)到產(chǎn)品開發(fā)的完整體系。近幾年由美國政府組織的VISTA項(xiàng)目將T2SL研發(fā)資源整合，分工明確、強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，極大地促進(jìn)了T2SL紅外探測(cè)器的工程化進(jìn)展。此外，在美國，HgCdTe與銻化物探測(cè)器并重，紅外中波領(lǐng)域主要以InSb為主，長波及雙色探測(cè)器領(lǐng)域以HgCdTe為主，隨著T2SL紅外探測(cè)器的發(fā)展，逐漸開始對(duì)InSb和HgCdTe在部分領(lǐng)域進(jìn)行替代。

國外主要的銻化物探測(cè)器廠商的具體情況如下：

a.美國L3公司/Cincinnati Electronics

L3公司是世界第七大防務(wù)公司，2004年收購Cincinnati Electronics 后增強(qiáng)其紅外探測(cè)器研制能力。Cincinnati Electronics公司成立于1973年，是著名的紅外焦平面陣列和相機(jī)制造商，主要業(yè)務(wù)是為軍事裝備提供支持，包括熱跟蹤導(dǎo)引頭、威脅告警、遠(yuǎn)距離偵查等。L3公司具備超大規(guī)模焦平面陣列制備能力，如4K×4K/15、8K×8K/10 InSb焦平面陣列，其中8K×8K焦平面陣列屬于全球領(lǐng)先產(chǎn)品。同時(shí)該公司還具有線性斯特林制冷機(jī)技術(shù)和數(shù)字/模擬讀出電路技術(shù)。L3公司已經(jīng)開始采用4″和5″InSb制備工藝，并且擴(kuò)大了超凈間廠房，為F-35的DAS系統(tǒng)提供支持。

在T2SL/nBn技術(shù)方面，L3公司是美國VISTA項(xiàng)目的成員之一，通過該項(xiàng)目成功開發(fā)出中波高工作溫度nBn紅外探測(cè)器，且在工程化進(jìn)展方面獲得巨大進(jìn)展。

b.Lockheed Martin/Santa Barbara Focalplane

Lockheed Martin公司是美國主要防務(wù)公司之一，通過兼并Santa Barbara Focalplane形成InSb和nBn焦平面陣列的研制能力。Santa Barbara Focalplane公司成立于1985年，主要為Lockheed Martin公司和政府部門的實(shí)驗(yàn)室提供各類紅外探測(cè)器以支持其軍用裝備，主要產(chǎn)品包括InSb和nBn焦平面陣列，以及各種類型的杜瓦和制冷器。同時(shí)作為紅外探測(cè)器供應(yīng)商對(duì)外提供320×256、640×512、1 024×1 024以及1 280×1 024(12 μm和8 μm像元中心距)的InSb焦平面陣列。

c.Raytheon/Raytheon Vision Systems

Raytheon Vision Systems是Raytheon公司內(nèi)部探測(cè)器研發(fā)和生產(chǎn)中心，主要產(chǎn)品是InSb、nBn/T2SL焦平面陣列，其中nBn/T2SL焦平面陣列主要在Raytheon的Ⅲ-V實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行研發(fā)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于航空航天裝備中，在滿足母公司需求的前提下，會(huì)對(duì)外進(jìn)行銷售。

Raytheon Vision Systems成立已有50余年，擁有完整的InSb、T2SL探測(cè)器產(chǎn)品線，包括320×256、640×512、1 024×1 024、2K×2K、4K×4K、高工作溫度、中/中雙色、中/長雙色等。

d.FLIR Systems/Indigo Detector Operations

FLIR公司成立于1978年，是全球主要的紅外成像系統(tǒng)供應(yīng)商，包括軍用紅外系統(tǒng)和民用紅外系統(tǒng)。該公司通過在全球范圍內(nèi)的兼并不斷發(fā)展壯大，2004年兼并Indigo公司將銻化物探測(cè)器納入其業(yè)務(wù)范圍，主要產(chǎn)品包括InSb和T2SL長波焦平面陣列。FLIR公司同時(shí)發(fā)展了讀出集成電路業(yè)務(wù)，以便與焦平面陣列芯片進(jìn)行集成。

FLIR公司自主開發(fā)紅外焦平面陣列和機(jī)芯，最大限度地降低成本，并集成到紅外系統(tǒng)中，為其產(chǎn)品提供差異化及價(jià)格優(yōu)勢(shì)。銻化物探測(cè)器方面主要有640×512、1 280×720、2 048×1 536/10 InSb焦平面陣列探測(cè)器等，并已經(jīng)大量裝備于各類軍用武器裝備中。

e.以色列Rafael&Elbit Systems/SCD公司

SCD公司成立于1976年，隸屬于Rafael&Elbit Systems，是以色列主要的紅外探測(cè)器供應(yīng)商，同時(shí)也是世界范圍內(nèi)主要的探測(cè)器供應(yīng)商之一。SCD公司產(chǎn)品應(yīng)用范圍涉及熱成像瞄準(zhǔn)系統(tǒng)、戰(zhàn)術(shù)導(dǎo)彈、機(jī)載及地面紅外視覺增強(qiáng)系統(tǒng)、遠(yuǎn)距離偵查系統(tǒng)、精確制導(dǎo)武器等軍用和民用領(lǐng)域，其產(chǎn)品50%出口北美、歐洲、東亞等地區(qū)。2018年，SCD公司在美國成立了分部(SCD USA)。

f.韓國KAIST/i3 system公司

i3 system成立于1998年，隸屬于韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)，是韓國主要的紅外探測(cè)器研發(fā)和制造商。該公司主要的貨架產(chǎn)品有：320×256/30/15、640×512/20/15 InSb焦平面陣列，1 280×1 024/10 InSb焦平面陣列正在研發(fā)。在T2SL方面，i3公司正在研發(fā)640×512/15焦平面陣列，用于中波和長波探測(cè)。

此外，法國Lynred公司，近年來也開始著手建設(shè)銻化物探測(cè)器生產(chǎn)能力。

這些廠商的共同點(diǎn)主要有：

·大軍工公司子公司或控股；

·采用4 in芯片生產(chǎn)線并正在進(jìn)行6 in技術(shù)開發(fā)，設(shè)備自動(dòng)化程度高；

·實(shí)現(xiàn)1K×1K及以下系列InSb探測(cè)器量產(chǎn)，InAs/GaSb T2SL探測(cè)器即將進(jìn)行量產(chǎn)，如表2所示。

表2 國外典型紅外探測(cè)器產(chǎn)品主要性能參數(shù)表Table 2 Main performance parameters of foreign typical infrared detector products

1.2 國內(nèi)銻化物探測(cè)器研制情況

國內(nèi)銻化物紅外探測(cè)器目前處于第二代焦平面陣列實(shí)現(xiàn)批產(chǎn)階段，第三代大陣列焦平面樣機(jī)研究階段，如表3所示。主要的銻化物紅外探測(cè)器基本可以實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，形成了預(yù)先研究、產(chǎn)品開發(fā)、工程化應(yīng)用較為完整的技術(shù)鏈，光譜范圍覆蓋短、中、長、甚長、雙色等。

表3 國內(nèi)典型紅外探測(cè)器產(chǎn)品主要性能參數(shù)表Table 3 Main performance parameters of domestic typical infrared detector products

1.3 國內(nèi)外研究對(duì)比分析

國內(nèi)銻化物紅外探測(cè)器設(shè)計(jì)與制造技術(shù)與國外相比，存在5～10年的差距，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：在陣列規(guī)模方面，國外可達(dá)單片4K×4K，拼接8K×8K的陣列規(guī)模，國內(nèi)實(shí)現(xiàn)1K×1K焦平面陣列樣機(jī)；在像元中心距方面，國外最小像元中心距為5 μm，國內(nèi)為10～12 μm；在工作溫度方面，國外已基本實(shí)現(xiàn)150 K焦平面探測(cè)器的工程化應(yīng)用，國內(nèi)實(shí)現(xiàn)130 K的焦平面樣機(jī)；在長波探測(cè)器方面，國內(nèi)外均可實(shí)現(xiàn)大于12.5 μm響應(yīng)截止波長，國外技術(shù)已接近工程化，國內(nèi)仍處于樣機(jī)階段；在中/短、中/長雙色焦平面陣列方面，國外陣列規(guī)模達(dá)到640×512，接近工程化應(yīng)用，國內(nèi)處于樣機(jī)階段；在外延襯底方面，國外已具備InSb 5 in、GaSb 4 in的量產(chǎn)能力，國內(nèi)主要以2 in、3 in為主；此外，國外數(shù)字化焦平面片的規(guī)模已達(dá)到640×512，精度為16位。

2 銻化物焦平面探測(cè)器技術(shù)路線

InSb焦平面探測(cè)器的制備工藝已經(jīng)十分成熟，具有陣列規(guī)模大、有效像元率高、穩(wěn)定性高、工藝重復(fù)性好等特點(diǎn)。InSb單晶采用熔煉、直拉法等晶體生長工藝制備，摻入Te來形成n型半導(dǎo)體，采用化學(xué)-機(jī)械拋光來減小表面缺陷。通過擴(kuò)散Cd工藝或離子注入Be工藝在表面進(jìn)行p型摻雜，從而形成p+-on-n二極管。目前國內(nèi)常用的InSb單晶是2 in和3 in單晶片，國際上6 in的InSb單晶片正在研發(fā)。

在InSb焦平面探測(cè)器方面，采用濕法腐蝕/干法刻蝕形成臺(tái)面；采用SiOX、SiON等介質(zhì)膜對(duì)芯片表面進(jìn)行鈍化，減小表面漏電流；采用Ti/Ni/Au或Cr/Au電極形成良好的歐姆接觸，完成焦平面陣列芯片的制備。讀出電路在完成電路及芯片版圖設(shè)計(jì)后，采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝在集成電路代工廠進(jìn)行流片加工，流片完成后再經(jīng)測(cè)試、篩選及銦柱制備滿足焦平面芯片制備需要[4]。

InSb焦平面芯片的封裝主要有四種結(jié)構(gòu)，如圖4所示。(1)非填充膠式：在InSb芯片制作好后，生長銦柱，互連，填充易溶式支撐材料，減薄、溶解支撐材料，共用電極為N。該技術(shù)使用較少，主要出現(xiàn)于早期小面陣InSb探測(cè)器制作。(2)Si轉(zhuǎn)移固定技術(shù)：在InSb芯片制作好后，先粘到中介載體上，減薄，再轉(zhuǎn)移到雙拋Si片上，生長銦柱，互連，共用電極為N，通過增加Si支撐片，可有效增強(qiáng)InSb芯片對(duì)熱失配的抵抗能力。(3)填充膠式：在InSb芯片制作好后，生長In柱，互連，填充膠，固化，減薄，共用電極為N，該技術(shù)在中、小面陣InSb探測(cè)器應(yīng)用較多，大部分公司采用該結(jié)構(gòu)，為主流結(jié)構(gòu)。(4)InSb-Si鍵合技術(shù)：InSb成結(jié)后，與雙拋p-Si鍵合，減薄，刻蝕成陣列，生長銦柱，互連，共用電極為P。該技術(shù)與前三種最大的不同是，消除了探測(cè)器與Si讀出電路的應(yīng)力失配，可靠性高，適合于中大規(guī)模的InSb焦平面探測(cè)器制備方案，目前只有LJ公司采用該技術(shù)路線。

圖4 InSb焦平面探測(cè)器技術(shù)路線Fig.4 InSb focal plane detector technology route

在杜瓦方面，以系列化金屬杜瓦為主，同時(shí)還可使用玻璃杜瓦、金屬—玻璃復(fù)合杜瓦、快啟動(dòng)金屬薄壁結(jié)構(gòu)滿足不同的應(yīng)用要求；在制冷方面，可根據(jù)用戶需求選配機(jī)械制冷機(jī)以及自調(diào)式、直噴式J-T、斯特林制冷器等多種結(jié)構(gòu)。

在T2SL探測(cè)器方面，主要在GaSb襯底上，采用分子束外延工藝制備，而在InAs襯底上采用MOCVD生長T2SL材料的工藝也正在快速發(fā)展。T2SL因材料及芯片結(jié)構(gòu)差異而制備工藝稍有不同外，其余與InSb探測(cè)器基本相同，如圖5所示。CaSb襯底和InSb襯底的制備工藝基本相同，但外延襯底對(duì)缺陷密度、表面粗糙度等要求更為嚴(yán)格。分子束外延設(shè)備能對(duì)材料進(jìn)行原子層厚度級(jí)別的精確調(diào)控，有利于對(duì)材料結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確控制。

圖5 銻化物焦平面陣列工藝路線Fig.5 Antimonide focal plane array process route

3 InSb探測(cè)器

3.1 InSb探測(cè)器簡介

InSb是一種具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料，具有較窄的禁帶寬度和較高的電子遷移率，在77 K溫度下，其禁帶寬度為0.227 eV，對(duì)3～5.5 μm紅外波段非常敏感，由于是本征吸收，量子效率高，因此廣泛應(yīng)用于中波紅外探測(cè)器的研制[5]。InSb探測(cè)器性能好，成本低，器件制造工藝成熟，雖然由于本征載流子濃度原因?qū)е缕淅碚撋系男阅軜O限低于HgCdTe，但從西方發(fā)達(dá)國家數(shù)十年來的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來看，InSb始終是最重要的紅外探測(cè)器之一，在紅外制導(dǎo)及紅外光電設(shè)備等高性能軍用系統(tǒng)應(yīng)用中波紅外探測(cè)器領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。

InSb探測(cè)器始于20世紀(jì)50年代，60年代研制出多元、線列探測(cè)器，80年代開始焦平面探測(cè)器的研制，至90年代基本發(fā)展成熟，目前向著更小光敏元尺寸、更大陣列規(guī)模的方向發(fā)展。InSb探測(cè)器擁有完整的產(chǎn)品系列，包括128×128，320×256，640×512，1K×1K，2K×2K，4K×4K，8K×8K以及其他定制規(guī)格，像元中心距主要有12，15，25，30，50等，10 μm及更小的像元中心距的產(chǎn)品也已經(jīng)開發(fā)成功，如圖6～7所示。2K×2K及以下的InSb焦平面陣列已經(jīng)成為商用貨架產(chǎn)品，并且8K×8K已經(jīng)在宇航和軍用領(lǐng)域得到應(yīng)用。InSb探測(cè)器無論是技術(shù)性能、陣列規(guī)模，還是探測(cè)器生產(chǎn)規(guī)模，代表了當(dāng)今紅外探測(cè)器發(fā)展的最高水平。

圖6 RVS公司InSb焦平面陣列發(fā)展歷史Fig.6 RVS InSb focal plane array development history

圖7 4×2K×2K ORION InSb焦平面陣列用于天文望遠(yuǎn)鏡Fig.7 4×2K×2K ORION InSb focal plane array for astronomical telescope

InSb紅外焦平面陣列按用途形成了不同的技術(shù)特點(diǎn)。低背景戰(zhàn)術(shù)應(yīng)用的InSb陣列特點(diǎn)為規(guī)模大、噪聲低、工作溫度低、幀頻低；中、高背景戰(zhàn)術(shù)應(yīng)用的InSb陣列主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)和熱成像。陣列特點(diǎn)為規(guī)模適度、電荷處理能力強(qiáng)、幀頻高。InSb焦平面探測(cè)器在美國軍用中波紅外系統(tǒng)中占有主導(dǎo)地位，主要包括精確制導(dǎo)和紅外熱成像兩個(gè)方面。在精確制導(dǎo)方面主要有：AIM-9X“響尾蛇”空空導(dǎo)彈(128×128)，F(xiàn)IM-92E/F“毒刺”便攜防空彈(128×128)，THAAD“薩德”末端高空防御反導(dǎo)導(dǎo)彈(256×256)，RIM-116B“拉姆”艦載防空反導(dǎo)導(dǎo)彈(128×1)等；紅外熱成像方面主要有：V-14M多傳感器機(jī)載系統(tǒng)(320×240)，Star SAFIREⅢ，Sea Star SAFIRE Ⅲ轉(zhuǎn)塔(640×480)，AN/AAQ-27、AN/AAQ-29系統(tǒng)(640×480)，AN/AAS-5多光譜瞄準(zhǔn)系統(tǒng)(MTS-A)(640×480)，Global Hawk集成傳感器(ISS)(640×480)等。此外，俄羅斯、以色列、南非等國家也使用了大量裝備InSb焦平面探測(cè)器的軍用紅外系統(tǒng)。

3.2 分子束外延InSb

英國QinetiQ公司和以色列SCD公司分別采用分子束外延技術(shù)在重?fù)诫s的InSb襯底上生長pin結(jié)構(gòu)的InSb。通過控制材料的摻雜濃度以及采用更為精細(xì)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能有效控制熱生載流子，減小器件的暗電流水平，從而提升探測(cè)器的工作溫度。2003年英國QinetiQ公司報(bào)道了256×256 InSb焦平面探測(cè)器，110 K溫度下成像質(zhì)量與80 K溫度下十分相近，且在130 K溫度下仍然保持較好的成像效果，如圖8所示。2007年以色列SCD公司推出兩款商用外延InSb產(chǎn)品PICCOLO“C”和GALI，在95 K溫度下探測(cè)器性能指標(biāo)與標(biāo)準(zhǔn)離子注入工藝80 K溫度下性能指標(biāo)相當(dāng)。外延InSb完全繼承了傳統(tǒng)InSb工藝的優(yōu)點(diǎn)，且能夠減低探測(cè)器組件功耗20%～30%，同時(shí)配合相應(yīng)的臺(tái)面制備工藝能夠有效減小光生載流子的橫向擴(kuò)散，從而減小光敏元之間的光學(xué)串音。

圖8 256×256 InSb焦平面探測(cè)器成像Fig.8 256 × 256 InSb focal plane detector imaging

2014年法國SOFRADIR公司的Evirgen等人采用分子束外延nBn結(jié)構(gòu)的InSb，進(jìn)一步減小探測(cè)器內(nèi)部暗電流[6-7]。該方案采用InAlSb材料作為nBn結(jié)構(gòu)中的勢(shì)壘層，為了減小勢(shì)壘層對(duì)外延材料產(chǎn)生的失配作用，采用Al組分漸變的勢(shì)壘結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，將Al組分由小到大逐漸增加，同時(shí)調(diào)控勢(shì)壘層的摻雜濃度，保證勢(shì)壘層導(dǎo)帶/價(jià)帶對(duì)器件內(nèi)部載流子輸運(yùn)的選通作用。在標(biāo)準(zhǔn)的Ⅲ-V半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)中，在F/3和量子效率80%的標(biāo)準(zhǔn)條件下，以暗電流低于光電流兩個(gè)數(shù)量級(jí)為標(biāo)準(zhǔn)，衡量探測(cè)器的工作溫度。nBn結(jié)構(gòu)的InSb探測(cè)器能夠工作于120 K，pin結(jié)構(gòu)的InSb能夠工作于100 K，而離子注入工藝的InSb工作溫度為80 K，如圖9所示。

圖9 三種不同制備工藝InSb探測(cè)器工作溫度對(duì)比Fig.9 Comparison of InSb working temperature detector with three different preparation processes

3.3 InSb平面雙色探測(cè)器

雙色探測(cè)器通過對(duì)比目標(biāo)在兩個(gè)波段內(nèi)的光譜信息來增強(qiáng)對(duì)目標(biāo)的識(shí)別能力，在精確制導(dǎo)和來襲告警等領(lǐng)域能夠降低虛警率。對(duì)于InSb探測(cè)器，通常是通過濾光片將InSb的響應(yīng)波段分成兩個(gè)部分。主要采用的技術(shù)方案有：分立集成(Hybrid)和單片集成(Monolithic)。

分立集成主要是通過光學(xué)分光，將不同波段的紅外輻射透射到兩個(gè)分立InSb焦平面探測(cè)器上，具有高幀頻、高空間分辨率、高光譜分辨率等，但對(duì)光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)有很高的要求，且在系統(tǒng)設(shè)計(jì)上要求更大的空間。2012年以色列SCD公司推出了一款分立式雙色I(xiàn)nSb焦平面探測(cè)器，由兩個(gè)480×384/20 數(shù)字InSb焦平面陣列組成，每個(gè)焦平面陣列有獨(dú)立的冷屏和濾光片，如圖10所示。將探測(cè)器的光學(xué)系統(tǒng)集成到同一個(gè)杜瓦中以減小整體的重量和體積，信號(hào)輸出通過讀出電路同步[8]。

圖10 雙色I(xiàn)DCA探測(cè)器組件Fig.10 The two-color IDCA detector assembly

單片集成主要是采用單個(gè)InSb焦平面陣列，通過濾光膜來對(duì)不同區(qū)域的光敏元的響應(yīng)波段進(jìn)行分區(qū)。濾光膜制備到單獨(dú)的濾光片上或直接制備到探測(cè)器芯片表面。單片集成雙色探測(cè)器和單色I(xiàn)nSb探測(cè)器具有幾乎完全相同的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，但是會(huì)損失探測(cè)器的空間分辨率，濾光膜的制備工藝要求很高，并且存在串音風(fēng)險(xiǎn)。2003年Cincinnati Electronics發(fā)表了一種并列式雙色I(xiàn)nSb焦平面探測(cè)器設(shè)計(jì)方案，如圖11(a)所示[9]。該方案在Si基的CCD可見光相機(jī)中已經(jīng)被應(yīng)用，并且可以有多種不同的雙色組合方案，如圖11(b)所示的棋盤格式方案等。

圖11 并列式和棋盤格式雙色焦平面探測(cè)器Fig.11 Side-by-side and checkerboard format dual-color focal plane detectors

4 T2SL探測(cè)器

4.1 T2SL探測(cè)器簡介

T2SL材料通常采用分子束外延技術(shù)生長。通過調(diào)節(jié)多層半導(dǎo)體薄膜的排列周期及摻雜濃度可對(duì)其禁帶寬度進(jìn)行“人工裁剪”，實(shí)現(xiàn)從短波至甚長波紅外波段吸收的調(diào)節(jié)。T2SL材料主要包括InAs/GaSb、InAs/GaInSb以及InAs/InAsSb等，主要在GaSb襯底上生長以實(shí)現(xiàn)晶格匹配。

InAs/GaSb T2SL材料是由InAs薄膜和GaSb薄膜按照不同的排列周期，相互堆疊形成。在InAs和GaSb層的界面，InAs層的導(dǎo)帶頂比GaSb層的價(jià)帶底還要低約150 meV，從而形成type-Ⅱ類異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。T2SL材料的禁帶寬度是由布里淵區(qū)中電子微帶(C1)底和第一重空穴微帶(HH1)頂之間的帶隙構(gòu)成的。根據(jù)薄膜的厚度及排列方式不同，理論上T2SL的禁帶寬度可以在0～400 meV之間連續(xù)調(diào)節(jié)，如圖12所示。

圖12 InAs/GaSb超晶格能帶結(jié)構(gòu)示意圖Fig.12 InAs / GaSb superlattice energy band structure diagram

T2SL材料的研究最早可追溯到1977年，Sai-Halasz等人第一次在理論上提出了InAs/GaSb T2SL的概念。從2000年開始，隨著分子束外延技術(shù)的迅速進(jìn)步，國際上不斷涌現(xiàn)出以T2SL材料為基礎(chǔ)的理論研究、材料制備研究及器件研究。歐美研究機(jī)構(gòu)對(duì)高質(zhì)量的T2SL材料設(shè)計(jì)與生長、器件物理機(jī)理和焦平面探測(cè)器研制等進(jìn)行了全面研究，并在T2SL材料系統(tǒng)的理論基礎(chǔ)研究和材料應(yīng)用方面取得了重大突破，如圖13所示。同時(shí)T2SL材料應(yīng)用到第三代紅外探測(cè)器上的技術(shù)優(yōu)勢(shì)得到了充分驗(yàn)證。目前，T2SL焦平面陣列的性能已經(jīng)十分接近HgCdTe和InSb[10-12]。

圖13 T2SL焦平面陣列發(fā)展路線圖Fig.13 T2SL focal plane array development roadmap

T2SL焦平面陣列的主要優(yōu)勢(shì)包括：

·材料外延工藝和器件制備工藝成熟；

·材料均勻性好；

·器件響應(yīng)波長在很寬的范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)；

·較小的Auger復(fù)合率。

國際上主要的紅外探測(cè)器制造廠商都投入了大量的資源進(jìn)行開發(fā)，其中最為著名的是美國VISTA項(xiàng)目。美國通過VISTA項(xiàng)目極大地推動(dòng)了中波、長波和雙色T2SL焦平面陣列的發(fā)展。VISTA項(xiàng)目尋求建立T2SL焦平面陣列的工程化生產(chǎn)能力，包括材料生長、讀出電路、焦平面陣列工藝、器件封裝等。該項(xiàng)目采用“水平整合(horizontal integration)”的方式來推進(jìn)T2SL焦平面陣列的發(fā)展，而非之前的“垂直整合(vertical integration)”模式。垂直整合是將項(xiàng)目研制的所有環(huán)節(jié)全部由一家公司承擔(dān)，而水平整合是將項(xiàng)目的每個(gè)環(huán)節(jié)分別交給具有很強(qiáng)基礎(chǔ)的公司來承擔(dān)，通過強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合來快速推進(jìn)項(xiàng)目進(jìn)展。在VISTA項(xiàng)目的推動(dòng)下，T2SL焦平面陣列已經(jīng)開始進(jìn)入美國主要軍事項(xiàng)目，例如F-35的下一代DAS。

4.2 高工作溫度紅外探測(cè)器

高工作溫度探測(cè)器是T2SL焦平面陣列的主要研究方向之一。以器件和材料結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)為兩個(gè)方向，降低器件暗電流和噪聲，從而提高探測(cè)器的工作溫度[13-14]，如圖14所示。

圖14 3 in襯底上制備的T2SL 2K×2K探測(cè)器的高溫成像圖Fig.14 High-temperature imaging of the T2SL 2K × 2K detector prepared on the 3-inch substrate

2006年美國的Maimon首次提出了nBn結(jié)構(gòu)的中波紅外勢(shì)壘器件，并演示了該結(jié)構(gòu)在暗電流壓制上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。通過將探測(cè)器的暗電流壓制到一個(gè)接近系統(tǒng)測(cè)試極限的水平，該探測(cè)器的背景限溫度成功地被提升到了150 K以上。美國Northwestern University 2012年報(bào)道了采用中波異質(zhì)結(jié)的T2SL探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了5 μm中波焦平面150 K以上成像，130 K以下NETD保持11 mK。其后又在2015年報(bào)道了基于pMp結(jié)構(gòu)的320×256單級(jí)型InAs/GaSb焦平面陣列，當(dāng)工作溫度為150 K時(shí)，像元的暗電流密度為1.2×10-5A/cm2，截止波長4.9 μm，量子效率可達(dá)67%。2013年Teledyne公司推出了小型高工作溫度T2SL紅外焦平面探測(cè)器，分辨率為640×512，工作溫度可達(dá)150 K，響應(yīng)波長3～5 μm，整機(jī)功耗小于8 W，具備體積小、重量輕、低功耗等特點(diǎn)，如圖15所示。

圖15 640×512小型高工作溫度T2SL紅外焦平面探測(cè)器組件Fig.15 640 × 512 high operating temperature T2SL infrared focal plane detector assembly

美國Lockheed Martin公司將“引領(lǐng)全球nBn結(jié)構(gòu)的紅外探測(cè)器技術(shù)”作為公司的發(fā)展戰(zhàn)略目標(biāo)，并于2015年推出了nBn結(jié)構(gòu)的1 280×1 024中波紅外焦平面探測(cè)器樣機(jī)，像元尺寸達(dá)到8 μm。此外，美國空軍實(shí)驗(yàn)室、雷神公司、美國海軍實(shí)驗(yàn)室、新墨西哥大學(xué)、瑞典Irnova公司、法國Sofradir公司、德國弗朗霍夫研究所等國際上主要紅外探測(cè)器研制廠商都開展了高工作溫度紅外探測(cè)器的研制工作。

在長波高工作溫度方面，由于禁帶寬度更窄，熱生載流子引起的噪聲更加明顯，主要采用InAs/InAsSb T2SL材料以提高器件性能。德國的IAF、波蘭的VIGO System在GaAs襯底上外延生長InAs/InAsSb材料，截止波長在10 μm左右，并且采用在芯片上制備微透鏡來提高探測(cè)器的響應(yīng)率。

4.3 長波紅外探測(cè)器

T2SL焦平面陣列另一主要研究方向是長波紅外探測(cè)器。長波紅外探測(cè)器禁帶寬度更窄，更容易受熱生載流子的影響，在材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及器件制備過程中需要盡可能減小器件內(nèi)部暗電流，以減小器件噪聲。大氣環(huán)境下，常溫物體自身輻射以及反射陽光的紅外輻射的峰值波段主要在長波波段，因此，長波紅外探測(cè)器具有重要應(yīng)用價(jià)值[15]。

T2SL材料內(nèi)部自身的Auger復(fù)合率較低，有利于實(shí)現(xiàn)更小的暗電流水平，晶格常數(shù)處于6.1?附近，包含GaSb、InAs、AlSb，具有靈活的材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)空間，可以設(shè)計(jì)成nBn、M型等勢(shì)壘型異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)來減小暗電流。此外，T2SL材料的電子有效質(zhì)量在長波波段比HgCdTe更有優(yōu)勢(shì)。因此，T2SL焦平面陣列被認(rèn)為是HgCdTe在長波波段的有力競(jìng)爭者。

俄亥俄州萊特-帕特森(Wright-Patterson AFB,OH,USA)空軍基地空軍研究實(shí)驗(yàn)室于2004年報(bào)道了一個(gè)甚遠(yuǎn)紅外探測(cè)器。他們通過理論計(jì)算模擬和實(shí)驗(yàn)研究了不同InAs、GaSb子層厚度以及引入In組分對(duì)超晶格截止波長和器件性能的影響。美國噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室于2006年報(bào)道了他們制作的GaSb基InAs/GaSb T2SL長波紅外光電二極管，80 K時(shí)探測(cè)率為8×1010cmHz1/2/W，探測(cè)器截止波長為12 μm。2010年該實(shí)驗(yàn)室又報(bào)道了1 K×1 K長波T2SL探測(cè)器，NETD為53 mK，如圖16所示。2007年美國Northwestern University報(bào)道了320×256/25長波焦平面陣列，截止波長為12 μm，有效像元率為97%，NETD最高達(dá)到270 mK，器件性能有待優(yōu)化。2012年又報(bào)道了高性能1 024×1 024/18長波焦平面陣列，采用M勢(shì)壘結(jié)構(gòu)，量子效率大于50%，NETD約為27 mK。2009年美國雷神夜視報(bào)道了256×256長波焦平面陣列，截止波長10.5 μm，工作溫度80 K。2015年以色列SCD公司報(bào)道了640×512/15 Pelican-D長波焦平面探測(cè)器，截止波長9.5 μm，有效像元率大于99%，量子效率為48%，NETD為15 μm，整機(jī)重量750 g，如圖17所示。

圖16 1K×1K 長波T2SL FPA在80 K下成像Fig.16 1K × 1K long wave T2SL FPA imaging at 80 K

圖17 640×512/15 Pelican-D長波焦平面探測(cè)器組件及成像圖Fig.17 640 × 512/15 Pelican-D long wave focal plane detector assembly and imaging diagram

4.4 雙色及多色探測(cè)器

在InAs/GaSb T2SL多色探測(cè)器研究中，美國、德國和以色列等國家一直處于世界領(lǐng)先地位[16-18]。美國Northwestern University量子器件中心以InAs/GaSb T2SL材料體系實(shí)現(xiàn)了從短波、中波到長波波段的多色探測(cè)。首次報(bào)道了短波/中波雙色640×512紅外焦平面器件，短波通道結(jié)構(gòu)pin異質(zhì)結(jié)，中波通道結(jié)構(gòu)為N-M-π-P。中波通道通過引入InAs/GaSb/AlSb/GaSb勢(shì)壘超晶格抑制器件暗電流[19]。焦平面成像如圖18所示，在150 K工作溫度下，器件短波和中波段截止波長分別為2.2 μm和5 μm。從圖中可以看出，短波段通道與中波段通道在火焰成像、藍(lán)寶石眼鏡成像以及背景等方面存在不同的成像特征。此外，2016年該團(tuán)隊(duì)通過雙電極偏壓調(diào)制實(shí)現(xiàn)了高性能的短/中/長波三色探測(cè)器。中波和長波通道采用InAs/GaSb T2SL結(jié)構(gòu)，短波通道使用InAs/GaSb/AlSb/GaSb “M”型超晶格既可作為短波響應(yīng)，也可作為中波和長波的勢(shì)壘。2010年德國Fraunhofer實(shí)驗(yàn)室首次報(bào)道了實(shí)用型的中波/中波288×384雙色焦平面探測(cè)器[20]，藍(lán)色通道的NETD達(dá)到了18 mK，紅色通道則達(dá)到了10 mK，顯示出極高的成像質(zhì)量及較低的光學(xué)串?dāng)_，如圖19所示。

圖18 150 K下640×512 T2SL雙色紅外焦平面成像Fig.18 640 × 512 T2SL dual-color infrared focal plane imaging at 150 K

圖19 77 K下中波雙色焦平面成像Fig.19 Mid-wave dual-color focal plane imaging at 77 K

在目前的多色紅外探測(cè)器研究中，如何通過器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)降低光學(xué)串?dāng)_是多色紅外探測(cè)器中存在的關(guān)鍵問題之一。此外，近年來隨著InAs/InAsSb及其相應(yīng)的勢(shì)壘超晶格在能帶設(shè)計(jì)和材料外延上的突破，基于InAs/InAsSb T2SL體系的紅外探測(cè)器研究得到迅速發(fā)展。因此，基于PBP雙色器件結(jié)構(gòu)，將InAs/InAsSb T2SL取代其中的InAs/GaSb T2SL理論上能夠?qū)崿F(xiàn)高工作溫度下的中/短波雙色紅外探測(cè)。

4.5 InAsSb探測(cè)器

InAsSb屬于三元合金材料，通過調(diào)節(jié)InSb和InAs的比例能夠調(diào)節(jié)禁帶寬度[21-23]。InAsSb的晶格常數(shù)與外延襯底GaSb匹配，150 K溫度下截止波長在4.2 μm左右。InAsSb探測(cè)器的材料結(jié)構(gòu)主要采用nBn、XBn、pBp等來減小器件內(nèi)部暗電流，實(shí)現(xiàn)高工作溫度。nBn結(jié)構(gòu)是在兩個(gè)n型半導(dǎo)體材料之間插入一層勢(shì)壘層，沒有傳統(tǒng)pn結(jié)的耗盡層，因此與耗盡層相關(guān)的G-R電流和隧穿電流被大幅減小。通過勢(shì)壘結(jié)構(gòu)在導(dǎo)帶和價(jià)帶上的帶階設(shè)計(jì),在減小噪聲的同時(shí)，不會(huì)對(duì)光生載流子的傳輸產(chǎn)生明顯影響。此外，nBn結(jié)構(gòu)有利于減小表面漏電流，由此減小對(duì)表面鈍化工藝的要求。

首款商用的InAsSb探測(cè)器是由Santa Barbara Focalplane開發(fā)完成，工作溫度在145～175 K之間。IRCameras公司的QUAZIRHD Camera采用Santa Barbara Focalplane提供的1280×1024/12 InAsSb焦平面陣列，工作壽命可達(dá)25 000 h，功耗約為5 W。SCD公司的InAsSb焦平面陣列主要采用XBn結(jié)構(gòu)，其Hercules產(chǎn)品的陣列規(guī)模為1 280×1 024，像元中心距為15 μm，幀頻為100 Hz，NETD小于25 mK，有效像元率大于99.5%，工作溫度為150 K，工作波段為2.0～4.2 μm，如圖20所示。將探測(cè)器工作溫度由80 K提升到150 K后，能夠顯著減小探測(cè)器組件的功耗、啟動(dòng)時(shí)間、重量等，如圖21所示。SCD公司已將InAsSb焦平面陣列開發(fā)成貨架產(chǎn)品，并且計(jì)劃將現(xiàn)有InSb產(chǎn)品系列均開發(fā)相同規(guī)格的InAsSb焦平面探測(cè)器產(chǎn)品。2015年Cyan Systems發(fā)布了一款2 040×1 156/5的超大InAsSb焦平面陣列，是目前陣列規(guī)模最大，像元最小的InAsSb焦平面陣列。

圖20 1 280×1 024 Hercules XBn焦平面陣列Fig.20 1 280×1 024 Hercules XBn focal plane array

圖21 高工作溫度探測(cè)器明顯優(yōu)勢(shì)Fig.21 Obvious advantages of the high operating temperature detector

4.6 InAlSb探測(cè)器

InAlSb是根據(jù)第三代紅外探測(cè)技術(shù)的要求對(duì)InSb材料的進(jìn)一步發(fā)展[24-25]。AlSb的禁帶寬度為2.386 eV，InSb的禁帶寬度為0.235 eV，在InSb中加入少量的Al組分能夠有效提升禁帶寬度，從而減小由溫度升高引起的熱噪聲。InSb在77 K溫度下截止波長為5.4 μm，加入Al組分后吸收波長向短波偏移。根據(jù)經(jīng)典Varshni模型，4.8 μm截止波長的InAlSb中Al組分為1.83%，與InSb襯底的晶格失配為0.095%，有利于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、低缺陷的外延材料生長。此外，基于InSb的焦平面紅外探測(cè)器制備技術(shù)已經(jīng)十分成熟，由于Al組分很少，在探測(cè)器制備工藝上InAlSb與InSb的兼容性很高，有利于制備出大面陣、高質(zhì)量的焦平面陣列器件。

2003年英國QinetiQ公司采用分子束外延的方式生長了InSb和InAlSb材料。其制備的InAlSb p+-n-n+結(jié)構(gòu)焦平面器件中Al組分為3.5%，截止波長4.2 μm。2005年以色列的SCD公司制備出320×256的InAlSb焦平面器件，同樣采用p+-n-n+結(jié)構(gòu)，Al組分為1.8%，截止波長4.8 μm，暗電流和InSb相比低一個(gè)數(shù)量級(jí)，在110 K的工作溫度下能夠?qū)?.5 km外的電線桿清晰地成像，如圖22所示。但由于p+-n-n+結(jié)構(gòu)中耗盡層的影響，130 K以下InAlSb器件的暗電流仍以G-R電流為主，沒有達(dá)到擴(kuò)散限，如何進(jìn)一步減小器件內(nèi)部暗電流是提升工作溫度的關(guān)鍵所在。

圖22 SCD公司320×256 InAlSb探測(cè)器對(duì)1.5 km外電線桿成像Fig.22 Image of a telephone pole far away 1.5 km by SCD’s 320 × 256 InAlSb detector

5 未來發(fā)展趨勢(shì)

隨著MOCVD和MBE等外延生長技術(shù)的應(yīng)用，器件制造技術(shù)與材料生長技術(shù)將更加密不可分；先進(jìn)的硅集成電路設(shè)計(jì)與制造技術(shù)、計(jì)算機(jī)信息處理技術(shù)使得探測(cè)器具備更多的功能和信息處理手段。

未來銻化物探測(cè)器的技術(shù)發(fā)展主要體現(xiàn)在：

(1) 光敏元數(shù)量向大規(guī)模、超大規(guī)模陣列方向發(fā)展，例如美國已經(jīng)制訂8 K×8 K乃至更大規(guī)模陣列焦平面的發(fā)展規(guī)劃。光敏元尺寸向更小方向發(fā)展，8 μm像元中心距的產(chǎn)品已有相關(guān)產(chǎn)品報(bào)道，并且將進(jìn)一步減小到5 μm甚至更小。在具體的焦平面芯片制備工藝方面，為降低生產(chǎn)成本，提高制造成品率，則呈現(xiàn)多種工藝路線并存的局面[26]。

(2) 在讀出電路發(fā)展方面，借助于微電子技術(shù)的發(fā)展，其陣列規(guī)模不斷增大，功能越來越強(qiáng)，視窗選擇、盲元剔除、非均勻校正、探測(cè)器信號(hào)模數(shù)轉(zhuǎn)換、高速傳輸及預(yù)放大處理、2D或3D圖像處理等功能已經(jīng)或即將出現(xiàn)，智能化成為發(fā)展方向。

(3) 信息處理的標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化，使得前置放大或預(yù)處理電路逐步成為探測(cè)器的有機(jī)組成部分；二元光學(xué)技術(shù)的應(yīng)用及設(shè)計(jì)理念的變更，加速了部分系統(tǒng)光學(xué)零部件向探測(cè)器的集成。

銻化物紅外探測(cè)器領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展路線如圖23所示。預(yù)期至2025年，銻化物探測(cè)器陣列規(guī)模將達(dá)8 K×8 K，像元中心距可達(dá)5 μm，NETD在5～10 mK左右，光譜拓展到16 μm，探測(cè)器可在150～180 K溫度條件下正常工作，達(dá)到熱電制冷溫度區(qū)域；至2030年，探測(cè)器的發(fā)展將主要集中于SwaP-C方面，雖然陣列規(guī)模、像元尺寸不會(huì)有太大變化，但器件性能將進(jìn)一步提高，NETD可達(dá)1 mK水平，工作溫度可提高至200 K以上，具備智能化信息處理能力，同時(shí)成本將大幅降低，能夠滿足更多的應(yīng)用需求；至2035年，基本實(shí)現(xiàn)以“超越規(guī)模”為基本特征的四代器件技術(shù)，完成以光學(xué)系統(tǒng)集成、“超越像元”為特征的高端四代器件技術(shù)。

圖23 銻化物紅外探測(cè)器領(lǐng)域發(fā)展路線圖Fig.23 Roadmap for the development of antimonide infrared detectors