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聚1H-咪唑-4-甲酸一納米氧化鋅復合膜修飾電極的制備及其對抗壞血酸、多巴胺和尿酸的同時測定

2020-12-28 06:53:04趙丹張雷
關鍵詞:混合液復合膜電位

趙丹 張雷

摘要:采用電化學法在滴涂納米氧化鋅(Zn0)的玻碳電極(GCE)上聚合修飾1H-咪唑-4-甲酸(HIMC),制得聚1H-咪唑-4-甲酸一納米ZnO(PHIMC-ZnO)復合膜修飾的GCE( PHIMC-ZnO/GCE),并用掃描電子顯微鏡(SEM)及電化學方法對修飾電極的形貌和電化學特性進行了表征.利用循環(huán)伏安法(CV)和差分脈沖伏安法(DPV)研究了抗壞血酸(AA)、多巴胺(DA)和尿酸(UA)在該修飾電極上的電化學行為,結果表明:在pH值為7.0的磷酸鹽緩沖溶液(PBS)中,PHIMC-ZnO/GCE對AA,DA和UA均具有良好的電催化作用.在優(yōu)化的實驗條件下,AA,DA和UA的物質的量濃度線性范圍分別為80~1400,0.15~45.00和2-120 umol·L-1,相關系數分別為0.998 0,0.993 7和0.998 3,檢出限(S/N=3)分別為0.50,0.03和0.09 umol·L-1.AA,DA和UA在不同掃速下的電化學行為表明:AA,DA和UA在PHIMC-ZnO/GCE上的電極過程受吸附過程控制,將PHIMC-ZnO/GCE應用于尿樣和血清中AA,DA和UA的同時測定,結果令人滿意.

關鍵詞:1H-咪唑-4-甲酸(HIMC);納米氧化鋅(Zn0);抗壞血酸(AA);多巴胺(DA);尿酸(UA)

中圖分類號:0 657.1

文獻標志碼:A

文章編號:1000-5137(2020)02-0191-12

0引 言

抗壞血酸(AA)又叫維生素C,是維持人體健康必需的一種水溶性維生素,在體內生物合成及物質代謝中發(fā)揮重要作用[1-2],人體中AA含量不足會引發(fā)壞血病、牙齦出血和牙齒脫落等疾病[3-4],因此對AA的定量分析在食品和醫(yī)藥等領域相當重要.多巴胺(DA)是哺乳類動物中樞神經系統中重要的神經遞質[5],人體內DA含量失調會引發(fā)心臟病、帕金森病等疾病6-7J.此外,DA類物質還具有興奮心臟、增加腎血流量的作用,可用于治療心肌梗死、腎功能衰竭等引起的休克綜合征[8].因此,DA濃度的準確測定對于神經生理學研究、疾病診斷及相關藥物的質量控制也尤為重要.尿酸(UA)是人體中嘌呤的最終代謝產物[9],是尿液和血液中的一種重要物質.人體內UA含量異常時會導致糖尿病、痛風、白血病和高血壓等疾病[10],因此,對人體中AA,DA和UA含量的測定具有醫(yī)學和生命科學意義.

目前,對于AA,DA和UA等生物分子的檢測主要采用化學發(fā)光法[11]、高效液相色譜法[12]、毛細管電泳法[13]及電化學方法[14-15]等.在這些方法中,電化學方法因操作簡單、成本低廉、靈敏度高等優(yōu)點而被廣泛關注.然而,由于AA,DA和UA共存于生物體液中,且三者在裸電極上具有較高的相互接近的氧化過電位,因此很難對三者進行同時測定.基于此,本文作者首先采用滴涂法將納米氧化鋅(Zn0)修飾在玻碳電極(GCE)上制備納米Zn0修飾的GCE (ZnO/GCE),然后在ZnO/GCE上電聚合1H-咪唑-4-甲酸( HIMC)制得聚1H-咪唑-4-甲酸一納米ZnO(PHIMC-Zn0)復合膜修飾的GCE( PHIMC-ZnO/GCE).該復合膜能有效結合HIMC的電化學活性和納米Zn0良好的生物相容性及高的電子傳遞特性,使其呈現出獨特的性質[16],將該PHIMC-ZnO/GCE應用于尿樣和血清中AA,DA和UA的同時檢測,結果令人滿意.

1實驗部分

1.1儀器與試劑

PCSTAT128N型AUTOLAB電化學工作站,瑞士萬通;雷磁pHS-25型精密pH計,上海精密科學儀器有限公司;SJ-1200型超聲波清洗器,上海潔凈超聲波設備廠;三電極體系:表面修飾玻碳電極為工作電極,飽和甘汞電極( SCE)為參比電極,盤狀鉑絲電極為輔助電極;S-4800場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM),日本日立;差分脈沖伏安法(DPV)實驗的測試電位范圍為-0.2-0.8 V,掃速為0.05 V·s-l,脈沖幅度為0.025 V·s-1,頻率為0.5 s,脈沖寬度為0.06 s,所有電化學測試均在室溫(20+3)℃下完成,溶液和電極保持靜止;電化學阻抗( EIS)測量均在含1 mmol·L-1K,Fe(CN)6,1 mmol·L-1K4Fe(CN)6及0.1 moI.L_lKNO3的混合液中進行,開路電位為0.19 V,頻率范圍為0.01-100 kHz.

HIMC,Aladdin;Zn0,上海笛柏化學品技術有限公司;AA,上海曹楊二中化工廠;DA,Sigma;UA,Sigma;磷酸鹽緩沖溶液(PBS),pH值為4.0—9.0,由0.1 mol·L-1的NaH2PO4和Na2HPO4溶液配制;其他試劑均為分析純,實驗用水為二次蒸餾水.

1.2修飾電極的制備

PHIMC-ZnO/GCE的制備:稱取8 mg納米Zn0分散在10 mL超純水中并超聲5 min,配制Zn0分散液.在進行表面修飾之前,將GCE依次用0.3 um和0.05 um的氧化鋁(Al202)粉拋光至鏡面,用蒸餾水沖洗后,依次在無水乙醇和蒸餾水中各超聲清洗2 min,高純氮氣(N2)吹干,室溫保存,取6uL Zn0分散液滴于GCE表面,室溫下晾干,然后在含有0.01 mol.L-l HIMC的0.1 mol·L-1H2SO4溶液中,對制得PHIMC -ZnO/GCE用循環(huán)伏安法(CV)在-0.6+1.8V電位范圍內以0.05 V·s-1的掃速循環(huán)掃描15圈.修飾電極置于0.1 mol·L-l pH值為7.0的PBS溶液中室溫保存、備用,

聚1H-咪唑-4-甲酸修飾的GCE( PHIMC/GCE)的制備:將GCE置于含有0.01 mol·L-1 HIMC的0.1mol·L-l H2SO4溶液中,用循環(huán)伏安法在-0.6 +1.8 V電位范圍內以0.05 V·s-1的掃速循環(huán)掃描15圈制得PHIMC/GCE.

ZnO/GCE的制備:將6uL Zn0分散液滴涂到GCE表面,室溫下晾干即可制得ZnO/GCE.

2結果與討論

2.1修飾電極的制備與表征

2.1.1

HIMC在ZnO/GCE上的電化學聚合

圖l為ZnO/GCE在含有0.01 mol·L-1 HIMC的0.1 mol·L-lH2SO4溶液中電聚合15圈后的CV圖.由圖l中內插圖(b)可以看出,在掃描的第一圈,出現了1個峰電位位于1.09 V的氧化峰和2個分別位于-0.37 V和0.61 V微弱的還原峰.其中,峰電位位于1.09 V的氧化峰歸因于HIMC失去1個e發(fā)生氧化反應生成1H-咪唑-4-甲酸自由基(HIMC+);位于-0.37 V和0.61 V的還原峰為HIMC+與其單體或HIMC+之間發(fā)生化學反應生成的1H-咪唑-4-甲酸二聚體或低聚物的還原所致.

隨著掃描的持續(xù)進行,位于1.09 V的氧化峰逐漸減弱消失,而在1.55 V處出現了一個新的微弱的氧化峰.這是由于在第1圈中生成的HIMC+與其單體或HIMC+之間發(fā)生化學反應生成的HIMC的二聚體或低聚物的再氧化所致.隨著反應的持續(xù)進行,溶液中HIMC的濃度逐漸減小,電極表面發(fā)生電氧化的HIMC的分子數也不斷減少,從而導致位于1.09 V處的氧化峰逐漸減弱,直至消失;隨著掃描圈數的增加,位于1.55 V處的氧化峰和位于-0.37 V和0.61 V的還原峰的峰電流逐漸增大,直至基本穩(wěn)定.這些電化學行為表明PHIMC在ZnO/GCE上的形成,且在15圈后基本穩(wěn)定.

2.1.2修飾電極的表面形貌

圖2(a),2(b)和2(c)分別為PHIMC/GCE,ZnO/GCE和PHIMC-ZnO/GCE的SEM圖,由圖2可知,PHIMC/GCE,ZnO/GCE和PHIMC-ZnO/CCE表面分別呈現出不同的結構形貌.其中,圖2(a)中PHIMC膜呈現出“方糖”狀的塊狀結構,顆粒的直徑約為10~40um;圖2(b)中的ZnO/CCE表面呈現出“棒一塊”狀交替的非均勻結構,直徑約為30~100 nm,長度約為1~5 um;圖2(c)顯示,當在ZnO/GCE上進一步修飾PHIMC后,在電極表面形成了一層緊致復合膜,這種復合膜結構為生物分子的負載及其電催化氧化提供了良好的活性平臺.

2.1.3 EIS表征

EIS是用于測試電極界面動力學屏障的工具,常用來研究在改性過程中電極表面的阻抗變化.EIS譜包括一個位于高頻區(qū)的半圓部分和一個位于低頻區(qū)的直線部分,高頻區(qū)的半圓部分對應電子傳遞受限過程,低頻區(qū)的直線部分對應電子傳遞擴散過程.為了進一步考察各聚合物膜在電極表面的導電性,分別對GCE(曲線a),PHIMC/GCE(曲線b),PHIMC-ZnO/GCE(曲線c)和ZnO/GCE(內插圖)在等物質的量濃度的Fe(CN)63-/4-溶液中的EIS譜進行了研究,如圖3所示,

由圖3可知,GCE的電荷交換電阻(Ret)約為1470 Ω(曲線a);當在GCE表面修飾PHIMC膜時,其Ret值增加到約4 340Ω(曲線b),表明PHIMC膜對電子傳遞有阻礙作用;當在GCE表面修飾Zn0膜時,其Ret值降低到約1149 Q(內插圖曲線d),表明納米Zn0具有較高的電子傳遞特性,促進了電極的電子傳遞速率;當在GCE表面修飾PHIMC-Zn0復合膜后,它的Ret值顯著降低到約1270Ω(曲線c),表明復合膜能有效地促進了電極表面電子的傳遞,同時也表明了PHIMC-Zn0復合膜已修飾到電極表面.

2.2 AA,DA和UA在修飾電極上的電化學氧化

為了研究AA,DA和UA在修飾電極上的電化學行為,圖4(a),4(b)和4(c)分別展示了1 000 umol·L-lAA,130 umol·L-1 DA和180 umol·L-l UA在GCE(曲線1)、PHIMC/GCE(曲線2)、ZnO/GCE(曲線3)和PHIMC-ZnO/GCE(曲線4)上的伏安響應.

從圖4(a)可以看出,在GCE(曲線1)上,AA呈現出一個位于0.12 V處寬的弱氧化峰;在PHIMC/GCE(曲線2)上,AA的氧化峰電位為0.09 V.與裸GCE相比,AA在PHIMC/GCE上不僅具有較低的氧化過電位,且其氧化峰電流是裸GCE上峰電流的2.6倍;在ZnO/GCE(曲線3)上,AA具有比其在PHIMC/GCE上更低的氧化峰電位(0.07 V);在PHIMC-ZnO/GCE(曲線4)上,AA的氧化峰電位為0.08 V.與裸GCE相比,AA在PHIMC-ZnO/GCE上不僅具有較低的氧化過電位,而且其氧化峰電流也大大增加,為其在裸GCE上峰電流值的3.5倍.由此可知,與裸GCE相比,AA在PHIMC/GCE,ZnO/GCE和PHIMC-ZnO/GCE上都有較低的氧化過電位和較強的峰電流響應,表明此3種修飾電極對AA的電化學氧化都具有催化作用,而其中催化作用最為顯著的為復合膜修飾的PHIMC-ZnO/GCE電極.

從圖4(b)可以看出,在GCE(曲線1)上,DA在0.22 V處呈現出一個很寬的弱氧化峰,而在PHIMC/GCE(曲線2),ZnO/GCE(曲線3)和PHIMC-ZnO/GCE(曲線4)上,DA的氧化過電位均負移,分別為0.17,0.15及0.16 V,且峰電流均增大,分別為DA在GCE上峰電流的2.0,2.5及3.0倍,其中表現最為突出的為PHIMC-ZnO/GCE.在該復合膜修飾的GCE上,DA的氧化峰負移到0.16V處,較裸GCE減小0.06V,且峰電流為其在裸GCE上的3.0倍,這說明PHIMC-ZnO/GCE對DA有較好的催化氧化作用.

從圖4(c)可以看出,在GCE(曲線1)上,UA在0.34 V處呈現出一個很寬的弱氧化峰,而在PHIMC/GCE(曲線2),ZnO/GCE(曲線3)和PHIMC-ZnO/GCE(曲線4)上,UA的氧化過電位均負移,分別為0.28,0.32及0.27 V,且峰電流均增大,分別為UA在GCE上峰電流的5.9,3.1及8.5倍.由此可見,這3種修飾電極對UA的電化學氧化都具有催化作用,其中PHIMC-ZnO/GCE對UA的催化氧化作用最為突出.

2.3 PHIMC-ZnO/GCE對混合液中AA,DA和UA的電化學區(qū)分

為了考察PHIMC-ZnO/GCE的實用性,分別采用CV法和DPV法研究了AA,DA和UA的混合液在GCE(曲線1),PHIMC/GCE(曲線2),ZnO/GCE(曲線3)和PHIMC-ZnO/GCE(曲線4)上的電化學行為,如圖5所示.

圖5(a)為800 umol·L-1AA,50 umol·L-lDA和50 umol·L-1UA的混合溶液在裸GCE(曲線1),PHIMC/GCE(曲線2),ZnO/GCE(曲線3)和PHIMC-ZnO/GCE(曲線4)上的CV圖,由圖5(a)中曲線1和3可知,AA,DA和UA在GCE上的氧化峰幾乎重疊在一起,不能將三者區(qū)分開來.在ZnO/GCE上,AA和DA的氧化峰重疊在一起,UA的氧化峰呈現扁平狀.而從曲線2和4可以看出,在PHIMC/GCE和PHIMC-ZnO/GCE上,其重疊的氧化峰均被分成3個獨立的氧化峰,此外,與在PHIMC/GCE上的氧化峰相比,AA,DA和UA在PHIMC-ZnO/GCE上具有更強的峰電流響應.值得注意的是,PHIMC膜對AA和DA的重疊氧化峰有較好的區(qū)分作用,而Zn0膜對AA,DA和UA有較好的催化氧化作用,兩者的協同作用使得PHIMC-ZnO/GCE不僅能很好地將AA,DA和UA的氧化峰區(qū)分開來,而且能使其氧化電流大大增加.在PHIMC-ZnO/GCE(曲線5)上,AA,DA和UA的氧化峰電位分別為0.02,0.13和0.27 V,氧化電流值為

21.2,19.0和17.3 uA.以上結果表明,該修飾電極可用于混合液中AA,DA和UA的選擇性測定和同時測定,

圖5(b)為800 umol·L-lAA,50 umoI ·L-1DA和50 umol·L-1UA的混合溶液在裸GCE(曲線1),PHIMC/CCE(曲線2),ZnO/GCE(曲線3)和PHIMC-ZnO/GCE(曲線4)上的DPV圖.由圖5(b)可以看出,AA和DA在GCE(曲線1)上的氧化峰幾乎重疊,UA的氧化峰呈扁平狀.在PHIMC/GCE(曲線2)上,三者氧化峰的電位分別為0.02,0.19和0.33 V.在ZnO/GCE(曲線3)上,AA和DA呈現出一個重疊的寬氧化峰.在PHIMC-ZnO/GCE(曲線4)上,AA,DA和UA分別在0.叭,0.15和0.29 V呈現出3個獨立的強氧化峰,AA-DA和DA-UA的峰電位差(△Epa)為0.14 V,峰電流分別為24.9,26.9及19.7 uA.AA,DA和UA氧化峰之間寬的峰電位差和靈敏的電流響應表明該電極可用于混合液中三者的選擇性和同時測定.

2.4介質酸度的選擇

介質酸度對AA,DA和UA的電化學行為有較大的影響,為此考察了不同酸度介質下AA,DA和UA的電化學行為.圖6為PHIMC-ZnO/GCE在不同酸度(pH值分別為4.0,5.0,6.0,7.0,8.O,9.0)的0.1 mol·L-1 PBS中對AA,DA和UA的電化學響應.由圖6可知,隨著介質pH的增加,AA,DA和UA的氧化峰電位均逐漸負移,說明質子參與了電極反應.由圖6(a)可知,當介質pH值從4.0增至6.0時,AA的峰流值逐漸增加并達到最大值,此后隨著溶液pH的繼續(xù)增大,AA的氧化峰電流又逐漸減弱.從圖6(b)可以看出,隨著介質pH值從4.0增至7.0,DA的峰電流值逐漸增加并達到最大值;當溶液pH值為7.0時,DA的氧化峰電流達到最大值,此后隨著溶液pH值的繼續(xù)增大,DA的氧化峰電流又下降.從圖6(c)可以看出,隨著溶液pH值的增大,UA的峰電流值在pH值為7.0時達到最大值,此后隨著溶液pH值的繼續(xù)增大,UA的氧化峰電流又逐漸減弱.基于此,為了獲得高區(qū)分度和高靈敏度,本實驗選用0.1 moI·L-1 pH值為7.O的PBS作為測定介質.

2.5 AA,DA和UA在PHIMC-ZnO/GCE上的選擇性測定

為了考察共存于同一混合液中的AA,DA和UA在電化學選擇性測定時相互之間的影響,分別在保持溶液中其他兩種待測物濃度不變的情況下,研究不同濃度的另一種物質在修飾電極上的電化學行為.結果顯示,若保持DA(20 umol·L-1)和UA(40 umol·L-1)的濃度不變,在一定范圍內增加AA的濃度,AA的峰電流隨其物質的量的濃度增加而線性增加,而DA和UA的峰電流幾乎保持不變,如圖7(a)所示,在220~1 200 umol·L-1范圍內,AA的峰電流(ip,AA)與其物質的量濃度(cAA)呈線性關系,回歸方程為ipa,AA=6.711+0.OllcAA( r=0.997 6).同樣,若保持AA( 800 umoI·L-l)和UA(50 umol·L-1)的濃度不變,在一定范圍內增加DA的濃度,DA的峰電流也隨其物質的量的濃度增加而線性增加,而AA和UA的峰電流幾乎保持不變,如圖7(b)所示,在5—85 umol·L-1范圍內,DA的峰電流(ipa,DA)與其物質的量濃度(cDA)呈線性關系,回歸方程為ipa,DA=10.331+0.187cDA(r=0.998 1).若保持AA(800 umoI·L-l)和DA(30umol·L-1)的濃度不變,在一定范圍內增加UA的濃度,UA的峰電流也隨其物質的量的濃度增加而線性增加,而AA和DA的峰電流幾乎保持不變,如圖7(c)所示,在10—170 umol·L-l濃度范圍內,UA的峰電流(ipa,UA)與其物質的量的濃度(cUA)的線性方程為ipa,UA=6.597+0.130cUA(r=0.998 5).這表明在AA,DA和UA共存的混合液中,其他兩種物質的存在不會干擾另外一種物質的響應,因此,PHIMC-ZnO/GCE可用于混合液中AA,DA和UA的選擇性測定.

2.6 AA,DA和UA在PHIMC-ZnO/GCE上的同時測定

在pH值為7.0的0.1 mol.L-l的PBS中,不同物質的量濃度的AA,DA和UA的混合液在PHIMC-ZnO/GCE上的DPV圖,如圖8所示.由圖8可知,AA,DA和UA的氧化峰電流在一定范圍內均隨其物質的量濃度的增加而線性增大,濃度范圍分別為80.00—l 400.00, 0.15—45.00和2.00—120.00 umoI·L-1,回歸方程分別為ipa,AA=4.271+0.012cAA(r=0.998 0),ipa,DA=6.182+0.301eDA(r=0.993 7)和ipa,UA=4.796+0.151cUA(r=0.998 3).AA,DA和UA的檢出限(S/N=3)分別為0.50,0.03和0.09 umoI·L-l.相比于表1中列出的同時測定AA,DA和UA的其他研究,本方法具有較低的檢出限、較好的選擇性和較寬的檢測范圍等優(yōu)點.

2.7 AA,DA和UA在不同掃速下的電化學行為

在不同掃速下,PHIMC-ZnO/GCE在AA(1 600 umol·L-1),DA(200 umol·L-l)和UA(400 umol·L-l)溶液的CV圖,如圖9所示.由圖9可知,當掃速(V)在60—260 mV ·s-1時,AA的氧化峰電流(ipa,AA)隨掃速(V)的增大而線性增大,回歸方程為ipa,AA=0.069 3v+7.54(r=0.998 3),表明AA在PHIMC-ZnO/GCE上的電極反應為吸附控制過程,當掃速在50—280 mV·s-1時,DA的氧化峰電流(ipa,AA)隨掃速(V)的增大而線性增大,回歸方程為ipa,DA=0.118 6v+6.43(r=0.998 5),表明DA在PHIMC-ZnO/GCE上的電極反應受吸附過程控制.當掃速在70—440 mV·s-1時,UA的氧化峰電流(ipa,AA)隨掃速(V)的增大而線性增大,回歸方程為ipa,AA= 0.049 3v+27.01(r=0.999 3),表明UA在PHIMC-ZnO/GCE上的電極反應受吸附過程控制.

2.8干擾研究

為了考察修飾電極在實際樣品分析中的應用,研究了生物樣品中潛在的干擾物質對AA,DA和UA測定的干擾.在含有180umoI·L-1 AA,30umol·L-l DA和50umoI·L-1 UA的PBS溶液中(pH值為7.0,0.1 mol·L-l),當相對誤差在+5%范圍時,分別加入檸檬酸(3 000umol.L-l),Na+(2 000 p,mol.L。1),K+(2 000 umol·L-1),Ca2+(2 200 umol·L-1),Mg2+(2 200 umol·L-1),Zn2+(2 000 umol·L-1),葡萄糖(2 000umol.L-l),L-賴氨酸(1 200 umoI·L-l),L-酪氨酸(1 200umoI·L-l),L-半胱氨酸(1 000 umol·L-l)等干擾物質對AA,DA和UA進行測定,發(fā)現均無干擾,說明該修飾電極有較好的抗干擾能力.

2.9 電極的重現性與穩(wěn)定性

采用同樣的方式重復測定含有180 umol·L-1 AA,30 umol·L-1 DA和50 umol·L-1 UA混合液,考察了PHIMC-ZnO/GCE的重現性和穩(wěn)定性.用同一根電極連續(xù)15次測定AA,DA和UA結果的相對標準偏差( RSD)分別為4.3%,3.3%和3.1%.另外,用5根采用相同方法制備的修飾電極對含有混合液進行測量,AA,DA和UA的RSD分別為3.7%,3.1%和2.9%,也表明修飾電極有較好的重現性.測定結束后,將修飾電極在室溫下保存于pH值為7.0的0.1 mol·L-1 PBS溶液中,其峰電流在一周內基本不變,兩周后下降約3.7%,一個月后下降約6.5%,表明該修飾電極具有較好的穩(wěn)定性.

2.10樣品分析

為了研究該修飾電極在實際樣品分析中的實用性,對人體尿液和血清樣本中的AA,DA和UA進行了分析.所用樣本在檢測前用pH值為7.0的0.1 moI·L-1 PBS溶液進行稀釋,為了驗證該方法的有效性,采用標準加入法在尿樣和血清樣本中加入一定量的AA,DA和UA標準溶液,測定AA,DA和UA的含量,結果見表2.由表2可知:AA,DA和UA的回收率分別為97.6%-104.0%,92.2%-99.O%和105.3%-108.7%,表明PHIMC-ZnO/GCE能有效地應用于實際樣品中AA,DA和UA的同時測定.3結論

采用電聚合法在Zn0滴涂的GCE上聚合修飾HIMC,制得了PHIMC-Zn0復合膜修飾的GCE( PHIMC-ZnO/GCE),并采用CV法和DPV法研究了AA,DA和UA在PHIMC-ZnO/GCE上的電化學行為.結果表明:該修飾電極不僅能夠使AA,DA和UA的氧化過電位發(fā)生較大的負移和陽極峰電流增加,而且還能將它們在裸電極上重疊的弱氧化峰分開成3個明顯的強氧化峰,并有較大的峰間距.因此,PHIMC-ZnO/GCE可用于混合液中AA,DA和UA的同時測定,并有較好的靈敏度、選擇性和較高的電催化行為.將該方法用于尿液和血清中AA,DA和UA的同時測定,結果令人滿意,

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(責任編輯:郁慧,馮珍珍)

收稿日期:2019-11-12

基金項目:上海市教委重點課程建設項目(A-0131-18-004031);全國青年教師教育教學研究課題(2017QNJ079)

作者簡介:趙丹(1993-),女,碩士研究生,主要從事電分析化學方面的研究.E-mail:zhaodan6728@163.com

通信作者:張雷(1968-),男,副教授,主要從事導電高聚物、生物傳感器及光譜電化學方面的研究.E-mail:chemzl@shnu.edu.cn

引用格式:趙丹,張雷.聚1H-咪唑-4-甲酸一納米氧化鋅復合膜修飾電極的制備及其對抗壞血酸、多巴胺和尿酸的同時測定[J].上海師范大學學報(自然科學版),2020,49(2):191-202.

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