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第三代化合物半導(dǎo)體微波射頻“芯”專家

2021-01-15 05:50鄭小龍
電子產(chǎn)品世界 2021年12期
關(guān)鍵詞:大功率半導(dǎo)體射頻

鄭小龍

談起半導(dǎo)體,人們首先想到的就是硅(Si),正是這種來源于沙子的超純凈的硅片造就了集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)的半個多世紀繁榮。然而,這還只是第一代半導(dǎo)體材料的輝煌;目前,以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代潮流仍在激蕩,而基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的第三代浪潮業(yè)已興起。本土IC產(chǎn)業(yè)的弄潮兒早已在風(fēng)口浪尖上激流勇進,為“中國芯”譜寫濃墨重彩的新篇章。

出于對第三代半導(dǎo)體發(fā)展狀況和趨勢的興趣,我關(guān)注到以發(fā)展GaN射頻器件為方向,致力于第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新的泰新半導(dǎo)體有限公司,通過與其創(chuàng)始人之一鄭文濤博士進行交流,得到有關(guān)技術(shù)和市場的專家點評。

1萬象更“芯”的化合物半導(dǎo)體市場

從第一代到第二、三代半導(dǎo)體材料特性的比較和應(yīng)用領(lǐng)域如表1所示。

鄭文濤介紹說,隨著應(yīng)用場景越來越多,突顯出硅基半導(dǎo)體的局限性,主要表現(xiàn)在自身性能無法在高溫、高頻、高壓環(huán)境中使用。而以GaAs和GaN為代表的化合物半導(dǎo)體材料脫穎而出,使新型器件市場空間得以拓展。GaN作為第三代化合物半導(dǎo)體的佼佼者,以更高功率密度、更好熱傳導(dǎo)性、更高輸出功率、適用更高頻率等特性成為公認發(fā)展方向,5G通信技術(shù)和微波射頻創(chuàng)新需求適時地加速了這一進程。

方興未艾的5G通信系統(tǒng)建設(shè)帶動了射頻芯片需求激增。采用大規(guī)模天線陣列的多進多出(Massive MIMO)技術(shù)大幅提高網(wǎng)絡(luò)容量和信號質(zhì)量,但隨著天線由4T4R通道向64T64R甚至更高通道數(shù)演進,如圖1所示,基站單元內(nèi)射頻芯片數(shù)量正大幅提升。與此同時,5G組網(wǎng)采用小基站和超密度組網(wǎng)技術(shù),使基站數(shù)量大幅提升。正是基站數(shù)量和基站單元內(nèi)射頻芯片數(shù)量的增加推動射頻芯片需求劇增。

根據(jù)權(quán)威機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,中國5G建設(shè)元年是2019年,當年基站端GaN功率放大器(PA)同比增長71%;2020年市場規(guī)模為32.7億元人民幣,同比增速為341%;預(yù)計到2023年中國基站GaN功率放大器市場規(guī)模將達到121.7億元。由于5G小基站對5G信號室內(nèi)覆蓋、提升用戶體驗、實現(xiàn)超低延時、超大規(guī)模接入等關(guān)鍵特性起著至關(guān)重要的作用,在未來5~10年內(nèi),將是運營商部署包含分布式基站、微基站、皮基站等小型化5G基站的建設(shè)周期??梢灶A(yù)測,2025年僅中國四大電信運營商集采的小基站4G/5G射頻器件將達到100億元的規(guī)模。

為5G建設(shè)鋪路,廣電已緊急啟動無線電視信號圖移2頻工作,發(fā)射機面臨升級。千瓦級大功率PA、驅(qū)放等射頻器件未來兩年集中采購約為2到3億元,之后每年穩(wěn)定采購2000萬元以上,10年合計約5億元。廣電5G廣播網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)以移動蜂窩基站組網(wǎng)為主,廣播電視發(fā)射塔為輔,將興建700MHz頻段5G基站48萬站,并借助于4.9GHz、(3.3~3.4)GHz頻段進行補充,實現(xiàn)“低頻+中頻”的5G精品網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建。由此可見,大功率GaN的PA芯片需求迫在眉睫。

雷達是GaN微波射頻另一個具有重要潛力的市場,雖然軍用雷達仍是重頭戲,但民用雷達市場穩(wěn)步增長,預(yù)計2026年規(guī)模將達154億美元左右,涵蓋氣象勘測、遙感測繪、導(dǎo)航防撞、交通管制等領(lǐng)域,GaN“中國芯”有助于國產(chǎn)廠家迎頭趕上。

2令人“芯”動的微波射頻芯片及模組

在巨大無線射頻市場規(guī)模的支撐下,中國的GaN射頻器件市場呈現(xiàn)旺盛態(tài)勢。前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國氮化鎵(GaN)行業(yè)市場前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報告》顯示,2020年達到66億元人民幣,同比增長57%,其中國防軍事與航天應(yīng)用占比53%;無線基礎(chǔ)設(shè)施占比為36%。預(yù)計到2025年底,達到200億元以上將不在話下。

然而“缺芯”的困擾同樣出現(xiàn)在無線射頻行業(yè),鄭文濤指出,在通信領(lǐng)域,美日廠商長期壟斷射頻市場,市場整體上高度集中,其中Broadcom、Skyworks、Murata、Qorvo就占據(jù)了97%的市場份額。國內(nèi)射頻芯片廠商依然處于起步階段,市場話語權(quán)有限,產(chǎn)量遠遠無法滿足全球市場。在雷達領(lǐng)域,國外實施產(chǎn)品的出口限制越來越嚴苛,而國內(nèi)以往依賴科研機構(gòu)背景供貨廠商產(chǎn)能不足,且在定制開發(fā)、交付周期、服務(wù)質(zhì)量、產(chǎn)品價格方面無法滿足市場需求。因此,國產(chǎn)化芯片替代的需求日益緊迫。

對于射頻芯片的需求,通信產(chǎn)品側(cè)重于高頻段、高速率、高線性,而雷達產(chǎn)品側(cè)重于寬帶和大功率,而這正是GaN/GaAs微波毫米波芯片可以勝任的強項。泰新半導(dǎo)體憑借先發(fā)技術(shù)優(yōu)勢,已經(jīng)取得了豐碩的成果,目前已推出系列功率放大器、低噪聲放大器、射頻開關(guān)等產(chǎn)品,如圖2所示。其中,大功率、高頻段GaN芯片性能指標堪為國內(nèi)標桿,具有顯著優(yōu)勢。

泰新的系列功率放大器包括4G/5G基站、衛(wèi)星通信、點對點通信、雷達、電子對抗用微波毫米波功率放大器等;低噪聲放大器包括各類專用、通用低噪聲放大器等;而射頻開關(guān)包括高頻率、高隔離度、低插入損耗射頻收發(fā)開關(guān)、天線開關(guān)等。還有其他單片微波集成電路(MMIC),包括限幅器、Gain Block、衰減器等。

由于射頻芯片所涉及的無線性能指標極為精密和復(fù)雜,只有具備專業(yè)系統(tǒng)應(yīng)用經(jīng)驗的資深工程師才有可能設(shè)計并完善。為更廣泛和有效地推廣國產(chǎn)化射頻芯片,泰新半導(dǎo)體憑借資深的專家人才優(yōu)勢,提供品質(zhì)穩(wěn)定可圖3靠的封裝功放管、專用功放模塊、發(fā)射和接收(T/R)模塊組件,如圖3所示。

系列封裝功放管包括金屬封裝、陶瓷封裝以及塑封多種封裝形式的(內(nèi)匹配)功放管;專用功放模塊包括大功率、小型化、高集成化專用射頻功放模組;而T/R組件則包括大功率、高性能微波毫米波射頻收發(fā)組件。對于大功率功放管,還有客戶項目定制高端射頻模塊、組件,都有量身定制的必要,以獲得更大的附加價值。

3心“芯”相印的高端芯片全流程能力

泰新半導(dǎo)體成立僅兩年,就已經(jīng)形成六大微波射頻芯片及模塊產(chǎn)品系列,合計百余個型號,鄭文濤對此頗為欣慰。他表示,研發(fā)芯片設(shè)計核心技術(shù)才是關(guān)鍵所在,不僅要實現(xiàn)GaN放大器單管芯設(shè)計,還要對多管芯極間匹配、多級放大管設(shè)計、DPD數(shù)字預(yù)失真等核心技術(shù)具有足夠的功力,才能充分掌握針對最先進GaN材料工藝的毫米波芯片設(shè)計能力。

為進一步掌控國產(chǎn)化射頻芯片的自給自足能力,泰新半導(dǎo)體針對高頻段、大功率微波毫米波封測環(huán)節(jié)缺失問題,著手自建微波毫米波芯片后道工藝。在建的后道工藝中試車間將全面支持劃片、切割、選片、裝架、測試、封裝等工序,滿足高端芯片的小批量生產(chǎn),之后將建設(shè)正式生產(chǎn)線。工藝方面,首先在設(shè)計和晶片制造工藝磨合方面積累豐富經(jīng)驗,然后擇機建設(shè)或整合晶片制造工藝環(huán)節(jié),從而形成具有全流程能力的IDM模式,如圖4所示。這已成為公司發(fā)展的既定目標。

泰新半導(dǎo)體重視產(chǎn)學(xué)研合作,占領(lǐng)技術(shù)制高點,以最快的速度把技術(shù)轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品。為此,泰新積極參與第三代半導(dǎo)體先進技術(shù)科研課題,與多所知名大學(xué)、國家5G中高頻器件和信息通信芯片產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新中心,以及產(chǎn)業(yè)合作伙伴建立密切合作關(guān)系,確保持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新能力和產(chǎn)品落地能力。未來,有關(guān)合作還將擴充和深化。

其技術(shù)團隊主要成員不僅是GaN/GaAs射頻芯片設(shè)計專家,而且都熟知制造、封測全流程,具有上百種產(chǎn)品開發(fā)實戰(zhàn)經(jīng)驗,其中GaN芯片設(shè)計技術(shù)代表國內(nèi)最高水平。已獲授權(quán)發(fā)明專利1項、實用新型2項;已獲受理發(fā)明專利8項、實用新型2項。更多的專利、版圖知識產(chǎn)權(quán)已在申請中。

由三位志同道合的創(chuàng)始人聯(lián)合創(chuàng)立、以泰山來命名的創(chuàng)新型芯片公司,立志以博大的情懷深耕射頻行業(yè)。截至目前公司已積累大量客戶資源,并通過小批量供貨成功鎖定一批可帶來長期價值的大客戶。其優(yōu)勢突出的產(chǎn)品將不斷打動客戶,以高價值、高利潤產(chǎn)品推進銷售,帶動中長期大批量中低端產(chǎn)品的市場滲透,實現(xiàn)企業(yè)規(guī)?;砷L,達到“會當凌絕頂”的境界。

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