高 揚，陳新偉

(山西大學 物理電子工程學院，山西 太原 030006)

0 引 言

故意電磁干擾(IEMI)是指人為的、有針對性的對電子設備造成的各種干擾.1999年2月，在蘇黎世EMC研討會上對IEMI進行了定義和研究，同年8月國際無線電科學家聯(lián)盟(URSI)在一次特別會議正式對IEMI的概念、方式以及可能產(chǎn)生的影響進行了討論，有關這些方面的研究開始引起了國內外學者的關注[1].

故意電磁干擾有許多手段，其中最具破壞力的方式是高功率微波(HPM)和電磁脈沖(EMP)武器產(chǎn)生的高能電磁脈沖.高能脈沖可以與電子設備耦合，通過前門(如天線和傳感器)和后門(如通風口開關，電纜)激發(fā)破壞性電流對電子設備的元件進行攻擊.一般應對此類干擾的方法是使用導電金屬外殼將設備與外界隔離，但是大多數(shù)的電子和電氣設備都有諸如天線端口、通風口等與外界相連的部分，完全隔離難度較大.文獻[2]提出一種等離子限幅器的優(yōu)化思路，引入氣體擊穿方程對限幅器進行建模，分析了等離子體限幅器的設計參數(shù)對性能的影響；文獻[3]提出一種限制頻率選擇表面(LFSS)結構，通過在十字孔形頻率選擇表面(FSS)的交叉點上加載4個PIN二極管以限制S波段的傳輸功率；文獻[4]提出一種能量敏感帶通濾波器(ESBPF)，即在平面帶通濾波器的縫隙諧振腔頂部中心加載反平行肖特基勢壘二極管，使得其在高功率電磁脈沖下不會喪失帶通特性，同時將兩個ESBPF級聯(lián)形成雙層結構來提高最大防護功率；文獻[5]提出一種基于電磁能量選擇表面(ESS)的新防護手段，該ESS結構為非常密集的二極管陣列，高功率電磁脈沖作用于ESS時產(chǎn)生的感應電場使得二極管導通，表面波阻抗會迅速降低，從而實現(xiàn)對高功率電磁脈沖的防護.

本文提出了一種新型的ESS結構，單元由十字形貼片與在其四臂加載的矩形金屬枝節(jié)構成，并在單元間加載PIN二極管，構成一種能量與頻率雙重選擇的表面結構.當沒有高功率電磁脈沖干擾時，該表面工作于透波模式，單元枝節(jié)形成的二維陣列結構會在高頻產(chǎn)生透射共振，使得表面不僅在低頻有一工作頻帶，在高頻也有一頻帶供信號通過，此時該表面為一種FSS，有效屏蔽帶外信號，當高功率脈沖作用于表面時會自適應開啟防護模式，屏蔽電磁波.本文分析了能量選擇防護的原理，并對ESS進行了仿真測試與參數(shù)分析.仿真結果表明，該ESS在防護模式下的-20 dB帶寬可達3.4 GHz，透射模式下有兩個頻帶，低頻部分的-3 dB帶寬可以達到1.3 GHz(0 GHz～1.3 GHz)，此外，在5.36 GHz有一諧振點，-3 dB帶寬可達150 MHz.

1 能量選擇表面原理及防護機制

一般的電磁防護設備使用的是金屬屏蔽，但是這種方法在屏蔽空間中電磁波的同時也阻止了工作信號的傳輸，不能在通信設備上使用.因此，需要引入一種選擇機制，在屏蔽高功率電磁波的同時可以使工作信號正常通過.當輸入工作信號時，網(wǎng)絡等效阻抗為無窮大，不會影響正常的信號收發(fā)；當輸入高功率脈沖時，網(wǎng)絡等效阻抗變得很小，從而屏蔽電磁波.ESS的傳輸系數(shù)T可以表示為

T=2ZESS/(2ZESS+Zo),(1)

式中：Zo為空氣中的波阻抗；ZESS為ESS平面的表面阻抗，可以寫為入射場強的函數(shù)f=f(ZESS)，當入射場強很小時，ZESS無窮大，此時傳輸系數(shù)T為1，工作信號可以無消耗通過，當入射場強超過一定的閾值時，ZESS迅速減小，使得傳輸系數(shù)T變得很小，電磁波急劇衰減[6].

基于壓控導電的ESS結構利用強電磁場產(chǎn)生的感應電流導通二極管，從而改變平面的波阻抗[7].在正常情況下，空間電磁場強度低于ESS的防護閾值，PIN二極管兩端的感應電壓小于導通的門限，二極管截止，此時工作信號可以正常通過；當高功率微波輻照ESS時，PIN二極管兩邊的感應電壓超過門限使得二極管導通，表面形成金屬網(wǎng)格或柵格結構，屏蔽電磁波[8].在實際情況下，二極管并不需要采用反向并聯(lián)結構，因為高功率微波的周期遠小于二極管導通的截止時間，當電磁波進入負向峰值時，PIN二極管不會立即從導通狀態(tài)轉換到截止狀態(tài)，因此，在高功率微波作用下ESS會一直處于防護模式[9].

2 能量選擇表面結構設計

本文提出的ESS結構如圖1 所示，ESS由周期性的金屬貼片單元和單元間的二極管組成，金屬貼片分為中間十字形結構與其四臂的金屬枝節(jié).十字形結構的周期d1=4 mm，金屬條寬度w1=0.4 mm，二極管長度d3=1 mm，單元間距離w2=1 mm，結構放置于介電常數(shù)為3.48的介質板上，介質板厚度t=0.5 mm.

圖1 能量選擇表面結構Fig.1 The structure of ESS

當垂直極化的電磁波作用于表面時，會在表面激起感應電場，根據(jù)入射波的強度，ESS會在透波模式和防護模式中切換：當表面通過正常信號時，所產(chǎn)生的感應電壓小于二極管導通的閾值，二極管處于截止狀態(tài)，單元結構的枝節(jié)形成具有很窄狹縫的二維陣列結構，這種結構會在特定的入射波長下產(chǎn)生共振，從而使得該表面在高頻有一個頻帶供信號通過；當強電磁脈沖作用于表面時，在表面產(chǎn)生的感應電壓會使二極管導通，金屬單元被導通的二極管連接，從而使相鄰單元形成金屬網(wǎng)格柵格結構，表面波阻抗迅速降低，屏蔽電磁波.

3 仿真與參數(shù)分析

本節(jié)主要對ESS結構進行仿真并進行參數(shù)分析.根據(jù)Floque理論[10]，無窮大的周期陣列可以簡化為一個單元進行研究.仿真的思路是將二極管在導通和截止狀態(tài)下的特性用等效電路來代替，從而模擬在正常信號和高功率脈沖作用于表面時ESS的電磁特性.由于在實際情況下，二極管在截止與導通時的特性并不能完全等效為理想開關，故在仿真時二極管用等效電路代替，二極管型號為BAP6402，二極管截止時可等效為一個電容，Cd= 0.14 pF，二極管導通時可等效為電感和電阻串聯(lián)，電感Ld=0.8 nH，電阻Rd=1.5 Ω，仿真結果如圖2 所示.由圖可以看出該新型ESS與經(jīng)典十字形ESS相比，在透波模式下除了在低頻有一頻帶供信號通過，工作帶寬為 0 GHz～1.3 GHz，同時在5.36 GHz處會發(fā)生透射諧振，其產(chǎn)生的通帶可供高頻信號通過，工作帶寬為5.28 GHz～5.43 GHz；防護模式下的防護帶寬提高至 3.4 GHz.

(a) 透波模式

圖3 為周期大小對ESS性能的影響，可以看出單元周期的大小會同時對防護模式下的帶寬以及透波模式下的諧振頻率產(chǎn)生影響，其中當周期d1由3 mm提高到5 mm時其在防護模式下的帶寬由d1=3 mm時的4.37 GHz降低至d1=5 mm時的2.74 GHz，透波模式下的諧振頻率由d1=3 mm 時的6.6 GHz下降至d1=5 mm時的4.75 GHz.由上節(jié)分析可知，ESS主要由二極管導通后所形成的金屬網(wǎng)格和長縫結構降低表面波阻抗實現(xiàn)電磁屏蔽，而改變周期大小則會改變其在防護模式下金屬網(wǎng)格的大小與長縫的數(shù)量.當周期變大時網(wǎng)格的密度變小，長縫的條數(shù)也變小，屏蔽效能下降，而透波模式下FSS的諧振頻率也與枝節(jié)的長度有關，故選取不同的周期大小會得到不同的防護帶寬以及諧振頻率.

(a) 防護模式

圖4 所示為單元間縫隙寬度w2對ESS性能的影響，由圖可知在縫隙寬度w2由0.6 mm增加到1.4 mm的過程中，透波模式下的諧振頻率變化很小，防護模式下帶寬由3.76 GHz降低到2.81 GHz.可以看出縫隙寬度w2的增加在透波模式下對高頻諧振頻率的影響較小，但在防護模式下寬度越高防護帶寬越低.考慮工藝的限制，要合理選取w2的大小保證其在實際加工過程中不會產(chǎn)生較大誤差.

(a) 防護模式

圖5 所示為垂直臂d2的大小對ESS性能的影響，由圖可知在d2由3 mm增大到5 mm時，其在防護模式下帶寬變化很小，而在透波模式下諧振頻率則由6.1 GHz下降到5.08 GHz，這也說明了該ESS在二極管防護模式的防護特性主要由單元間縫隙寬度決定，而在透波模式下的諧振頻率主要由金屬枝節(jié)長度決定.

(a) 防護模式

4 結 論

基于半導體器件的壓控導電特性與FSS的頻率選擇特性，本文提出了一種新型ESS結構，該設計在十字形ESS單元結構上做了改進，使得該平面在入射波功率超過閾值時會有更高的屏蔽帶寬，而入射波功率小于閾值時該平面有頻率選擇特性，在高頻產(chǎn)生透波諧振.由S參數(shù)圖可以看出，當ESS處于透射模式時，低頻部分的頻帶寬度為1.3 GHz，高頻部分的諧振頻率為5.36 GHz，頻帶寬度為150 MHz；當ESS處于防護模式時，-20 dB帶寬可達到3.4 GHz.仿真結果表明，ESS對頻段內的工作信號呈帶通特性，對高功率電磁波和帶外信號呈帶阻特性，在兼容高功率電磁波與工作信號正常收發(fā)的同時，屏蔽帶外信號，提高電磁設備的工作效率與安全性.