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晶振引發(fā)的EMC輻射發(fā)射超標(biāo)分析及整改方案設(shè)計(jì)概述

2021-02-26 14:54
科學(xué)與信息化 2021年4期
關(guān)鍵詞:晶振走線信號(hào)線

大連云動(dòng)力科技有限公司 遼寧 大連 116023

1 EMC輻射實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象描述

某產(chǎn)品進(jìn)行EMC輻射發(fā)射測(cè)試,產(chǎn)品采用DC5V供電,該產(chǎn)品的輻射發(fā)射水平和垂直兩種測(cè)試的頻譜如下圖所示,在150M、175M、199M處嚴(yán)重超標(biāo),不符合認(rèn)證要求。

圖1 發(fā)射水平和垂直兩種測(cè)試的頻譜

2 輻射發(fā)射超標(biāo)原因分析

根據(jù)實(shí)驗(yàn)報(bào)告可知,測(cè)試超標(biāo)的頻點(diǎn)大致為25的倍數(shù),有很強(qiáng)的規(guī)律性,為尋找發(fā)射源提供了很好的線索。進(jìn)一步分析可知,PCB上剛好有25M無(wú)源晶振作為W5500的外置晶振,所以極有可能是此處引起的超標(biāo)。EMC三要素是干擾源,被干擾對(duì)象和干擾路徑。結(jié)合本次實(shí)驗(yàn)報(bào)告顯示出的頻點(diǎn)的周期性,本次整改可以從源頭修正,即優(yōu)化晶振的布局和走線[1]。

圖2 PCB雙面板

圖2這一版本PCB是雙面板,晶振與其對(duì)應(yīng)的芯片W5500不在一個(gè)層面,XIN和XOUT兩個(gè)引腳引出后打了過(guò)孔,晶振時(shí)鐘走線過(guò)于曲折,與芯片距離比較遠(yuǎn),可能會(huì)產(chǎn)生很多不必要的高次諧波,甚至形成發(fā)射天線。盡管PCB形狀和大小都有限制,但是晶振作為時(shí)鐘,屬于關(guān)鍵信號(hào)線,在布局上一定要從優(yōu)安排。

另外此版本晶振的位置離PCB板邊緣很近,晶振放在電路板邊緣,則會(huì)造成晶振的回流地面積不夠充裕,從而引發(fā)EMC問(wèn)題。

3 EMC整改措施

優(yōu)化晶振的走線,降低干擾,通常有如下做法:

(1)晶振自身的屏蔽性能要好,晶振接地。

(2)晶振XIN和XOUT盡可能靠近IC引腳,走線盡可能短,與其他信號(hào)線保持一定距離,最好進(jìn)行包地。

(3)晶振底下最好不要走線,尤其需要避免高速信號(hào)線。

本次整改首先從雙面板改為四層板,四層板中的電源和地各自獨(dú)立一層,完整的地平面作為參考平面,這樣做有一定的屏蔽作用。對(duì)于高頻、高速、時(shí)鐘這類較為關(guān)鍵的信號(hào)線,它們與地線之間的距離僅為PCB板的層間距離,電流也會(huì)在信號(hào)線正下方的地線上流動(dòng),信號(hào)環(huán)路面積達(dá)到最小,從而減小輻射。

晶振和芯片放在同一層面,盡可能靠近芯片引腳,減小芯片XIN和XOUT引腳到晶振兩個(gè)對(duì)應(yīng)引腳的走線長(zhǎng)度,并進(jìn)行包地處理,以免將干擾耦合到其他信號(hào)線,晶振的地包圍單點(diǎn)接到地層,詳見(jiàn)圖3。

5V進(jìn)電端和5V轉(zhuǎn)3.3V后的輸出端加去耦電容和磁珠,使電源紋波控制在5%以內(nèi),增強(qiáng)電源的穩(wěn)定性和抗干擾性,減少雜波。W5500芯片的VDD和AVDD與3.3V之間用120R的磁珠隔開(kāi),減小電源雜波對(duì)芯片的干擾。元器件更換為同參數(shù)的屏蔽性能更好的晶振。

圖3 晶振走線示意圖

4 整改后測(cè)試結(jié)果

整改后產(chǎn)品測(cè)試結(jié)果如圖4所示,最小余量為0.65,測(cè)試通過(guò)。

圖4 整改后發(fā)射水平和垂直兩種測(cè)試的頻譜

5 加深研究與分析

PCB是元器件和電子電路的連接橋梁,PCB設(shè)計(jì)的好壞會(huì)直接影響產(chǎn)品的抗干擾能力。PCB尺寸確定后,特殊元器件應(yīng)該優(yōu)先排布,并進(jìn)行合理的設(shè)計(jì),避免產(chǎn)生諸多噪聲進(jìn)而引起EMC問(wèn)題。

其次是地面完整性問(wèn)題。輻射發(fā)射超標(biāo)的雙面板版本中,晶振并沒(méi)有進(jìn)行包地處理,PCB板元器件較多,元器件排布比較緊密,所以也沒(méi)有條件形成完整的地平面,晶振的走線也沒(méi)有達(dá)到最短,形成的噪聲耦合到旁邊的信號(hào)線也會(huì)通過(guò)連接器帶出PCB,導(dǎo)致輻射超標(biāo)。

最后就是晶振自身,在成本和電參數(shù)滿足的前提下,盡可能使用上升時(shí)間長(zhǎng)的時(shí)鐘,因?yàn)樯仙龝r(shí)間短的時(shí)鐘諧波能量高于上升時(shí)間長(zhǎng)的時(shí)鐘,上升時(shí)間長(zhǎng)的時(shí)鐘可以減少一些諧波的干擾。另外,頻率低的時(shí)鐘諧波成分低于頻率高的時(shí)鐘,在系統(tǒng)可以正常工作的前提下,盡可能選擇頻率低的時(shí)鐘。

6 結(jié)束語(yǔ)

EMC輻射發(fā)射晶振倍頻超標(biāo)很難一次性處理好,所以項(xiàng)目前期需要格外重視晶振的布局、走線,并且盡可能的預(yù)留可以降干擾的元器件,以免出現(xiàn)問(wèn)題后改板打樣,浪費(fèi)時(shí)間。其次選擇合適的可靠的晶振也尤為重要,如果EMC要求很嚴(yán)格,在成本允許的前提下,盡可能選擇大廠生產(chǎn)的晶振,并且了解晶振自身的檢測(cè)報(bào)告。在條件允許的情況下,項(xiàng)目前期最好進(jìn)行相關(guān)測(cè)試。

以上為本次晶振引發(fā)EMC輻射發(fā)射問(wèn)題的分析與整改,通過(guò)更改PCB走線和布局,通過(guò)了產(chǎn)品的相關(guān)認(rèn)證。

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