南京郵電大學(xué)電子與光學(xué)工程學(xué)院微電子學(xué)院 薛 鵬
隔離型設(shè)計(jì)可以使輸入市電高壓與輸出低壓應(yīng)用分開(kāi),這樣設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)是確保輸出端使用的安全。因?yàn)榉醇な介_(kāi)關(guān)電源的變壓器具有電感和變壓器的雙重作用,所以輸出端不需要使用電感。較其他拓?fù)涠?,反激變換器的好處就是可以進(jìn)一步減小電源體積、節(jié)約設(shè)計(jì)成本等。本設(shè)計(jì)基于原邊反饋的技術(shù)、混合工作模式設(shè)計(jì)出一款12W(12V/1A)的反激式開(kāi)關(guān)電源,有著較高的轉(zhuǎn)換效率。分別驗(yàn)證系統(tǒng)在交流115V和交流230V兩種用電標(biāo)準(zhǔn)下的轉(zhuǎn)換效率,結(jié)果表明本設(shè)計(jì)的效率滿足六級(jí)能效的要求。
在信息高速發(fā)展時(shí)代,各行各業(yè)都在飛速地發(fā)展同時(shí)對(duì)電源技術(shù)提出更高更多的要求。比方說(shuō)提升效率、節(jié)約能源、減輕重量、減小體積、防止污染、環(huán)境改善、使用安全性等。與線性電源相比,開(kāi)關(guān)電源有著高功率密度、高效率、小體積、輕重量等諸多優(yōu)勢(shì),因此它在工程實(shí)踐中的應(yīng)用更加廣泛。尤其20世紀(jì)90年代微型計(jì)算機(jī)的普及與通信技術(shù)的突飛猛進(jìn),極大的推動(dòng)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的進(jìn)步和開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。根據(jù)不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)分類,開(kāi)關(guān)電源分為隔離和非隔離兩種形式。隔離的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括正激式、反激式、半橋式、全橋式等,非隔離型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有Buck、Cuk、Boost、Sepic、Buck-Boost等。若按照不同的激勵(lì)形式來(lái)分類,開(kāi)關(guān)電源又可以劃分為他激式和自激式兩種。如果按照控制方式來(lái)分類,開(kāi)關(guān)電源還可以分成脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation,PWM)、脈沖頻率調(diào)制(Pulse Frequency Modulation,PFM)、混合調(diào)制方式(PWM+PFM)。按照輸入和輸出電壓大小來(lái)分類,開(kāi)關(guān)電源可以分成升壓式、降壓式。
圖1 反激式開(kāi)關(guān)電源的電路拓?fù)?/p>
圖2(b) SSR反饋原理
由圖1所示可知,反激變換器大致由輸入整流濾波電路、功率變換電路、輸出整流濾波電路、輸出采樣電路和控制器五個(gè)子模塊組成。輸入整流濾波電路由D1、D2、D3、D4和Ci組成,當(dāng)輸入端流過(guò)交流信號(hào)Vin時(shí),先被橋式整流器(四個(gè)二極管D1、D2、D3、D4組成)全波整流成直流信號(hào)Vd,再通過(guò)輸入電容Ci濾波后變?yōu)橛幸欢}動(dòng)成分的直流電壓Vc。功率變換電路由MOS管M1和變壓器T1組成,當(dāng)M1導(dǎo)通時(shí),輸入電壓Vc給初級(jí)電感Lp充電,流過(guò)Lp的電流線性升高直到峰值Ip,該過(guò)程稱之為儲(chǔ)能或者勵(lì)磁階段。而此時(shí)次級(jí)側(cè)電感Ls同名端為正,故次級(jí)整流二極管D5反向截止。當(dāng)M1斷開(kāi)時(shí),初級(jí)電感Lp中的電流不斷減小,該過(guò)程稱之為釋能或者消磁階段。
圖2(a)、圖2(b)分別為原邊反饋和副邊反饋的原理圖。
圖2 (a) PSR反饋原理
與SSR相比較,PSR的優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)為:(1)節(jié)省光耦和TL431等外置環(huán)路補(bǔ)償器件,使系統(tǒng)更加精簡(jiǎn);(2)由于外圍使用的器件更少,所以它有著更低的成本。本文采用原邊反饋控制。
反激變換器工作模式可分為連續(xù)導(dǎo)通模式(Continuous Current Mode,CCM)和斷續(xù)導(dǎo)通模式(Discontinuous Current Mode,DCM)。如圖3(a)、圖3(b)所示。
圖3 (a) CCM工作波形
圖3(b) DCM工作波形
(1)CCM工作模式分析
PWM信號(hào)代表MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)、Ip代表初級(jí)電感中的電流、Is代表次級(jí)電感中的電流、T表示MOS管的開(kāi)關(guān)周期、Ton表示MOS管的導(dǎo)通時(shí)間、Toff表示MOS管的關(guān)斷時(shí)間。當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí),初級(jí)線圈中存儲(chǔ)的能量往次級(jí)線圈傳輸。在這放電過(guò)程中,初級(jí)線圈中的能量并未完全釋放,故在MOS管關(guān)斷結(jié)束時(shí)刻次級(jí)線圈中電流不為零。
在Ton剛開(kāi)始時(shí),初級(jí)線圈電感中的電流為Ipv,這對(duì)應(yīng)著次級(jí)線圈放電結(jié)束時(shí)電流Isv;由楞次定律可知初級(jí)電感中的電流以斜率等于Vin/Lp升高,在Ton結(jié)束時(shí)初級(jí)電感中的電流達(dá)到最大值。
當(dāng)Toff剛開(kāi)始時(shí),次級(jí)線圈電感中的電流為Isp,然后以斜率等于Vout/Ls降低,在Toff結(jié)束時(shí)次級(jí)電感中的電流達(dá)到最小值Isv。CCM沒(méi)有死區(qū)(初級(jí)線圈電流為零、次級(jí)線圈電流為零)時(shí)間,整個(gè)Toff期間都是在消磁。
(2)DCM工作模式分析
Tdis表示MOS管的消磁時(shí)間、Td表示死區(qū)時(shí)間。
在Ton期間,次級(jí)側(cè)的二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài),因此次級(jí)電感中的電流Is為零;初級(jí)電感電流Ip的初始值為零,勵(lì)磁過(guò)程中Ip以斜率等于Vin/Lp線性上升。(Vin代表輸入電壓,Lp代表變壓器初級(jí)繞組的電感量)
(3)混合工作模式
本設(shè)計(jì)采用多工作模式:負(fù)載為重載時(shí)芯片工作在PFM_QR模式,此時(shí)Ipeak不變,工作頻率隨著輸出電流的減小而減??;當(dāng)工作頻率減小到25KHz附近,芯片選擇工作在PWM_QR模式,這時(shí)Ipeak隨著輸出電流的減小而減小,但頻率基本保持不變,該模式不但可以有效的避免音頻噪聲問(wèn)題而且有利于提升帶載效率;當(dāng)芯片CS管腳偵測(cè)到內(nèi)部RCS上電壓達(dá)到170mV時(shí),芯片又選擇進(jìn)入空載模式(Standby),此工作階段的Ipeak保持不變,工作頻率隨輸出電流減小而減小。如圖4所示。
圖4 本設(shè)計(jì)選用的工作模式
表1所示列出樣機(jī)的輸入/輸出要求。
表1 輸入/輸出參數(shù)
根據(jù)反激變壓器的設(shè)計(jì)原則和設(shè)計(jì)步驟,結(jié)合表1中參數(shù),計(jì)算出該變壓器的初級(jí)線圈繞組Np=87,次級(jí)線圈繞組和輔助繞組的匝數(shù)分別為11匝和14匝,所設(shè)計(jì)出的反激變壓器詳細(xì)信息如表2所示。
表2 設(shè)計(jì)的變壓器參數(shù)
使用Protel繪圖軟件,繪制基于PN8370的隔離型反激式電源,圖5所示為設(shè)計(jì)的原理圖。
圖5 繪制的電路圖
制作出的實(shí)物如圖6(a)和圖6(b)所示。
圖6 (b) 樣機(jī)的背面
圖6 (a) 樣機(jī)的正面
在輸入條件為115V/60Hz和230V/50Hz兩種不同模式下,測(cè)試樣機(jī)的帶負(fù)載能力。分別計(jì)算25%、50%、75%、100%帶載條件下樣機(jī)的效率,具體的數(shù)值如表3所示。結(jié)果表明在115V/60Hz和230V/50Hz兩種用電標(biāo)準(zhǔn)下,設(shè)計(jì)樣品的平均效率均優(yōu)于六級(jí)能效的要求(83.08%)。
表3 不同輸入條件/不同負(fù)載下的樣機(jī)效率
本文設(shè)計(jì)了一款功率為12W(12V/1A)的反激式開(kāi)關(guān)電源,采用反激式的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、混合工作模式。在輸入分別為交流115V和交流230V兩種用電標(biāo)準(zhǔn)下,系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率均滿足六級(jí)能效的要求。本設(shè)計(jì)的隔離型反激式開(kāi)關(guān)電源具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、輸入電壓范圍寬、轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)。