近日，IBM歐洲研究中心和洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院的研究人員研發(fā)出一種混合硅基器件。該器件結(jié)合了三五族場效應(yīng)晶體管和金氧半場效晶體管的優(yōu)勢，能夠在不同電壓條件下實現(xiàn)較低的功耗，未來或可用于減少信通行業(yè)的碳足跡。新研究已發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然—電子學(xué)》，論文名稱為《集成在硅上的混合三五族場效應(yīng)晶體管和金氧半場效晶體管技術(shù)平臺》。