高 尚，黃夢(mèng)詩(shī)，王君兆，馬 清

(1. 哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，廣東 深圳518055； 2. 深圳市美信咨詢有限公司，廣東 深圳 518055)

顯微結(jié)構(gòu)、取向和成分分布是決定結(jié)晶材料各種性能的關(guān)鍵因素[1]。在掃描電鏡中，掃描電鏡圖像可以獲得顯微結(jié)構(gòu)和形貌信息，能譜儀可以獲得成分信息，而電子背散射技術(shù)(Electron Backscatter Diffraction，以下簡(jiǎn)稱EBSD)可以獲得結(jié)構(gòu)和取向信息。雖然EBSD技術(shù)商品化較晚，在上世紀(jì)九十年代初才初露頭角[2]，但是它發(fā)展迅速[3-4]。目前，EBSD在材料研究中的應(yīng)用已十分廣泛，其應(yīng)用范圍包括金屬、半導(dǎo)體、礦物和陶瓷材料等領(lǐng)域，是研究結(jié)晶材料中成分、組織、工藝與性能關(guān)系的重要工具。與X射線衍射(獲取宏觀的統(tǒng)計(jì)信息)和透射電鏡(獲取極微小區(qū)域信息)相比，EBSD可以在微米到毫米范圍內(nèi)提供物相的類型和分布、晶粒大小、形狀和缺陷、晶界類型、局部晶體取向及擇優(yōu)取向等大量有價(jià)值的信息[5]，彌補(bǔ)了微米尺度結(jié)構(gòu)和取向表征的空缺。

隨著場(chǎng)發(fā)射電鏡的進(jìn)展和應(yīng)用領(lǐng)域的增加，EBSD技術(shù)也出現(xiàn)了很多新進(jìn)展。首先，由于納米材料的發(fā)展，對(duì)于更高空間分辨率的要求越發(fā)迫切，透射菊池衍射(Transmission Kikuchi Diffraction，TKD)是一個(gè)提高空間分辨率的方向。在其基礎(chǔ)上又有新的進(jìn)展，比如同軸TKD技術(shù)[6-9];其次，對(duì)處理速度的追求，通過(guò)探測(cè)器的改進(jìn)可以實(shí)現(xiàn)更快的采集速度,除了提升效率，還可以減輕表面污染、荷電和樣品漂移。本文首先簡(jiǎn)介EBSD表征技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)，然后再介紹上述EBSD技術(shù)領(lǐng)域的重大進(jìn)展。

1 基礎(chǔ)知識(shí)

1.1 菊池花樣和取向圖

EBSD在掃描電鏡中使用菊池衍射。它采集的菊池花樣由許多菊池帶組成。菊池帶的形成經(jīng)歷了兩個(gè)過(guò)程[10]：首先，入射電子與晶體相互作用產(chǎn)生非相干的準(zhǔn)彈性背散射電子；其次，準(zhǔn)彈性背散射電子發(fā)生相干衍射，即各個(gè)方向的準(zhǔn)彈性背散射電子入射到一族平行的晶面，滿足布拉格條件就可能產(chǎn)生衍射，投影到探測(cè)器的屏幕上即可得到近似平行的菊池帶。在菊池衍射中，信號(hào)源猶如在樣品內(nèi)部，將衍射面投影到磷屏上。所以，菊池帶可被視為衍射面的投影，菊池帶的交點(diǎn)即為晶帶軸的投影。相對(duì)于入射束方向，衍射方向是背散射的方向，所以被稱作電子背散射衍射。

EBSD技術(shù)通常借助于商用軟件對(duì)菊池花樣進(jìn)行自動(dòng)標(biāo)定。為了方便計(jì)算機(jī)識(shí)別和處理，儀器采集到的菊池花樣需要進(jìn)行Hough變換[3]。Hough變換可以使軟件更準(zhǔn)確和方便地識(shí)別出菊池帶，并算出菊池帶的夾角和相對(duì)位置[5]。識(shí)別出的菊池帶與已知結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)，可以判別物相的結(jié)構(gòu)和取向[11]。為了更好地表示各個(gè)區(qū)域之間的取向、物相等關(guān)系，科研人員通常會(huì)使用取向圖。取向圖建立了二維圖像上位置與結(jié)構(gòu)/取向的關(guān)系，通過(guò)軟件對(duì)取向圖的處理可得到樣品的結(jié)構(gòu)、取向、晶界、晶粒和應(yīng)變分布等信息，也可以導(dǎo)出花樣質(zhì)量圖、相分布圖、晶界分布圖等有價(jià)值的定量分析數(shù)據(jù)。

1.2 探測(cè)器

圖1展示了電鏡中大部分EBSD探測(cè)器的位置。探測(cè)器一般是可伸縮裝置，不工作時(shí)縮回，工作時(shí)探測(cè)器伸出并抵近樣品，如圖1(a)所示。探測(cè)器主要由磷屏和CCD相機(jī)(近年出現(xiàn)CMOS相機(jī))構(gòu)成。其中磷屏將衍射電子轉(zhuǎn)變成光子，光信號(hào)通過(guò)透鏡或者光纖傳遞給相機(jī)，相機(jī)再把光信號(hào)轉(zhuǎn)成電信號(hào)，后續(xù)的圖像和數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)分析采集到的菊池花樣，見圖1(b)所示。最新的直接電子探測(cè)相機(jī)(Direct Electron Detectors, DED)無(wú)磷屏等部件，如圖1(c)所示，可以直接探測(cè)電子并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，詳見后文所述。

圖1 EBSD探測(cè)器的位置(a)和信號(hào)轉(zhuǎn)換傳統(tǒng)方式(b),直接電子探測(cè)方式(c)

1.3 測(cè)試條件要求

菊池花樣的主要信息來(lái)自于準(zhǔn)彈性散射電子，而其他背散射電子則構(gòu)成了花樣的背景。所以，EBSD對(duì)于對(duì)樣品位置、加速電壓、束流等測(cè)試條件都提出了較高的要求。

對(duì)于塊狀樣品，必須大角度傾斜樣品，以保證從表層區(qū)域產(chǎn)生大量可以滿足布拉格條件的準(zhǔn)彈性背散射電子。若傾斜角度較小，這部分準(zhǔn)彈性背散射電子較少，菊池帶的襯度和花樣質(zhì)量也會(huì)隨之變差。但是大角度傾斜也會(huì)帶來(lái)聚焦和成像上的困難，以及分辨率的下降和不對(duì)稱，所以通常選取的傾斜角在60°～70°之間，且以70°最為常用。

為了得到更好的花樣質(zhì)量，通常設(shè)置高加速電壓以提高探測(cè)器磷屏的發(fā)光效率[2,12]。由于衍射電子能量更高、穿透力更強(qiáng)，高加速電壓還可以減少表面氧化層或者污染物的影響。但是對(duì)于塊狀樣品，高加速電壓也意味著信號(hào)產(chǎn)生區(qū)更大、信號(hào)范圍更廣，從而造成分辨率降低和樣品漂移、損傷、荷電等不利影響。綜合以上各種因素，加速電壓通常選擇10～30 keV，較常使用20 keV。

形成菊池花樣的準(zhǔn)彈性背散射電子只占背散射電子的很小一部分。為了提高花樣質(zhì)量，必須增加總體背散射電子的產(chǎn)量。通常設(shè)置較高的束流(在場(chǎng)發(fā)射電鏡中一般為納安級(jí)[13])。通過(guò)增加束流可以提高花樣質(zhì)量，減少曝光時(shí)間，也使得采集取向圖的時(shí)間顯著減少。但是,束流增加會(huì)伴隨束斑的增加，對(duì)樣品的損傷和表面污染也會(huì)加劇。曝光時(shí)間和采集時(shí)間也同樣受限于樣品，若掃描時(shí)間太長(zhǎng)，樣品漂移、損傷和污染都會(huì)變得明顯并影響取向圖的質(zhì)量。因此，使用CCD相機(jī)的探測(cè)器經(jīng)常會(huì)用到像素合并(Binning)，即將多個(gè)像素作為一個(gè)像素進(jìn)行處理，以提高處理速度。

總之，EBSD對(duì)測(cè)試條件和探測(cè)器都提出了嚴(yán)格的要求。隨著EBSD應(yīng)用領(lǐng)域的拓展和表征技術(shù)的發(fā)展，一方面需要探測(cè)器適用更寬泛的測(cè)試條件，如低加速電壓、低束流等；另一方面，在同樣的測(cè)試條件下，需要探測(cè)器獲得的菊池花樣更清晰，從而提高背散射電子衍射分析的分辨率、速度和效率。

2 提高空間分辨率的措施

2.1 空間分辨率

EBSD的空間分辨率可細(xì)分為物理分辨率和有效分辨率[14-15]。物理分辨率是分辨大角度晶界兩側(cè)不同菊池花樣的最小距離；有效分辨率指通過(guò)算法，比如圖像去卷積，可以分辨相鄰取向的最小距離。有效分辨率基于物理分辨率并可能優(yōu)于后者。提高花樣質(zhì)量有時(shí)可以提高有效分辨率。以下主要討論物理分辨率。

EBSD物理分辨率取決于信號(hào)產(chǎn)生區(qū)的大小，而信號(hào)產(chǎn)生區(qū)是材料性質(zhì)(如原子序數(shù)和密度)及實(shí)驗(yàn)參數(shù)(如樣品厚度、傾斜角度和加速電壓)的函數(shù)[16]。在塊體材料中，同實(shí)驗(yàn)條件下重元素樣品的信號(hào)產(chǎn)生區(qū)小，且其背散射電子產(chǎn)額高、能量分布窄[13]，所以花樣質(zhì)量和分辨率優(yōu)于輕元素樣品[17]。

對(duì)塊體的EBSD測(cè)試，通常需要大角度傾斜樣品，如圖2(a)所示。在平行于傾斜軸方向和垂直于傾斜軸方向上，信號(hào)的產(chǎn)生區(qū)會(huì)存在不對(duì)稱，并且前者的分辨率優(yōu)于后者(δx小于δy)。這種分辨率數(shù)值的差別在傾角在70°時(shí)約為3倍，在80°時(shí)接近6倍[13]。顯然從分辨率角度考量，降低傾角是有利的，但是降低傾角會(huì)導(dǎo)致信號(hào)量變差，花樣質(zhì)量降低。

圖2 信號(hào)產(chǎn)生區(qū)和空間分辨率：(a)傾斜塊狀樣品；(b)薄樣品

2.2 提高物理分辨率的措施

目前，對(duì)于致密塊體材料(如Pt)，EBSD的物理分辨率(在平行于傾斜軸方向上)[15]可以達(dá)到20 nm，對(duì)于過(guò)渡族金屬(如Cu)可以達(dá)到50 nm，對(duì)于輕金屬(如Al)可以達(dá)到200 nm。在垂直于傾斜軸方向上的分辨率更低。

表征納米晶、變形嚴(yán)重的晶粒等樣品，需要更高的分辨率，提高EBSD的空間分辨率的意義不言而喻。為減少信號(hào)產(chǎn)生區(qū)，可以使用能量過(guò)濾、低加速電壓和減薄樣品等措施。

菊池衍射來(lái)自于較高能量的準(zhǔn)彈性背散射電子，其他較低能量的背散射電子產(chǎn)生區(qū)較大且?guī)?lái)了背底信息。如果過(guò)濾掉這些能量較低的背散射電子，除了提高菊池帶襯度外，還可以縮小信號(hào)產(chǎn)生區(qū)，進(jìn)而提高分辨率。但是信號(hào)產(chǎn)生區(qū)的縮小并不顯著，同時(shí)必然犧牲花樣的信噪比，增加設(shè)備復(fù)雜程度[18]。

受制于磷屏探測(cè)能力和信號(hào)強(qiáng)度，通常設(shè)置較高的加速電壓，如20 keV。使用較低加速電壓時(shí)，如7 keV，信號(hào)產(chǎn)生區(qū)會(huì)明顯減小，并且潛在的分辨率也會(huì)提高?？傮w上看，空間分辨率隨著加速電壓的減少和原子序數(shù)的增加而提高。對(duì)于低原子序數(shù)材料，降低加速電壓可以顯著提高空間分辨率，對(duì)于高原子序數(shù)材料分辨率改善則并不明顯[17]。并且，低加速電壓時(shí)為了補(bǔ)償花樣質(zhì)量的降低，需要增加束流和束斑，或增加曝光時(shí)間和采集時(shí)間，反而會(huì)加重樣品表面的污染和樣品漂移。同時(shí)低加速電壓產(chǎn)生的區(qū)域更趨于表面，對(duì)表面的應(yīng)力層和清潔提出了更高的要求。受限于以上原因，使用低加速電壓提高分辨率也碰到了許多困難。有關(guān)低加速電壓的嘗試，可以參閱文獻(xiàn)[14,19-22]。

如圖2(b)所示，如果使用薄樣品，可以顯著減少信號(hào)產(chǎn)生區(qū)并隨之提高分辨率，還可以避免傾斜樣品帶來(lái)分辨率不一致的情況。因此，在EBSD基礎(chǔ)上，發(fā)展了使用薄樣品的透射菊池衍射(TKD)技術(shù)[15,23]。TKD技術(shù)發(fā)展迅速，應(yīng)用也在逐漸增多。

3 TKD技術(shù)

3.1 TKD技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和設(shè)置

TKD技術(shù)也被稱為t-EBSD(Transmission Electron Backscatter Diffraction)，適用電子束透明的樣品(薄樣品)。無(wú)需大角度傾斜，透過(guò)薄樣品的透射電子也可以形成菊池花樣，這種設(shè)置不僅使得信號(hào)產(chǎn)生區(qū)大為減小，還使得分辨率不對(duì)稱情況得到改善，最終提高了分辨率。同時(shí)，在同樣加速電壓下，薄樣品中參與形成菊池花樣的電子比厚樣品的電子能量高、能量分布范圍更窄[24]。因此，理論上TKD菊池帶的襯度更好[24]。

圖3為28 keV加速電壓下，Ni薄膜(50 nm，20°傾斜，依TKD的通常設(shè)置)和Ni塊體(70°傾斜，依EBSD的通常設(shè)置)樣品分別使用蒙特卡洛模擬軟件(CASINOv2.4.2)進(jìn)行模擬。由圖3(a)可以看出，透射電子能量更高、分布更窄。圖3(b)信號(hào)電子終端能量取自圖3(a)信號(hào)電子的峰值(27 keV)，由圖可見TKD的信號(hào)產(chǎn)生區(qū)更小。

圖3 EBSD和TKD信號(hào)電子能量譜圖和產(chǎn)生區(qū)：(a)信號(hào)電子能量譜；(b)信號(hào)產(chǎn)生區(qū)

圖4為多晶硅薄膜的取向圖，薄膜厚度約為100 nm。當(dāng)加速電壓為7 keV時(shí)，形成菊池花樣的背散射電子來(lái)自于樣品表面，此時(shí)樣品可以視為塊體材料；當(dāng)加速電壓設(shè)置為20 keV時(shí)，采集透射電子得到菊池花樣，樣品可以視為薄樣品。圖4(a)采取降低加速電壓的方式，但是取向圖的信噪比和空間分辨率都較差。相反，圖4(b)則是使用TKD技術(shù)得到的取向圖，細(xì)節(jié)清晰，信噪比和細(xì)膩度也明顯優(yōu)于圖4(a)。

圖4 多晶硅的取向圖[25]：(a)普通EBSD，塊體材料，加速電壓7 keV；(b)TKD，薄膜材料，加速電壓30 keV

總之，較之普通EBSD技術(shù)，TKD在理論上可以顯著提高空間分辨率，使之可以優(yōu)于10 nm[15]。根據(jù)樣品情況，目前文獻(xiàn)報(bào)道最高的有效分辨率可以達(dá)到2 nm[26]。

3.2 同軸TKD技術(shù)

在TKD技術(shù)中，依據(jù)探測(cè)器是否處在光軸上，又分成了離軸的TKD技術(shù)和新近出現(xiàn)的同軸TKD技術(shù)[6]，本文著重介紹同軸TKD技術(shù)。

離軸TKD探測(cè)器跟普通EBSD設(shè)置一樣，不在電子束光軸上，如圖5所示。為了接受更大角度范圍的衍射電子束，需要略微傾斜樣品，傾角常設(shè)為20°。離軸TKD的這種布置只能接收部分散射束而錯(cuò)過(guò)了大部分的散射束，這就決定了菊池花樣對(duì)束流的依賴。并且菊池花樣中條帶有限且菊池帶上窄下寬[8]，如圖5中離軸探測(cè)器對(duì)應(yīng)的菊池花樣。

2016年以來(lái)出現(xiàn)了同軸TKD技術(shù)[6]。這種方法使探測(cè)器磷屏垂直于光軸并布置在樣品正下方，可以接收靠近光軸方向的低角度散射束，如圖5所示。因?yàn)榈徒嵌壬⑸涫雀呓嵌壬⑸涫鴱?qiáng)度更高[6-7,27-28]，這種設(shè)置可以降低對(duì)束流的要求，同時(shí)菊池花樣不會(huì)出現(xiàn)明顯畸變，如圖5中同軸探測(cè)器對(duì)應(yīng)的菊池花樣所示。但是該設(shè)置也存在需要解決的困難：較強(qiáng)的透射束會(huì)在花樣中形成過(guò)曝的亮斑；散射束中也可能出現(xiàn)透射電鏡中可見的衍射斑、菊池線對(duì)和高階勞厄衍射[29]等信息。比如圖5同軸花樣中的亮點(diǎn)即為衍射斑。雖然過(guò)曝斑減少了花樣面積，但可以調(diào)節(jié)加速電壓和束流進(jìn)行控制。實(shí)踐證明，這些過(guò)曝斑和衍射斑不妨礙商用程序?qū)φl帶的識(shí)別[8,30]。

圖5 離軸和同軸TKD的設(shè)置和對(duì)應(yīng)花樣

表征超細(xì)晶粒、超高位錯(cuò)密度材料的結(jié)構(gòu)和取向，需要更高的空間分辨率。普通EBSD難以滿足要求，需要使用TKD技術(shù)[6,8,15]。在這些應(yīng)用中，高空間分辨率需要較小的束斑，降低束斑必然降低束流，也必然對(duì)菊池花樣質(zhì)量和曝光時(shí)間進(jìn)行折衷，此時(shí)離軸TKD會(huì)受到以下限制：若增加像素合并和縮小曝光時(shí)間，會(huì)降低花樣質(zhì)量；若曝光時(shí)間較長(zhǎng)，則增加了取向圖的采集時(shí)間，并造成明顯的樣品漂移[8]。相對(duì)于離軸TKD，同軸TKD沒(méi)有顯著提高空間分辨率，但是可以降低對(duì)束流的要求。接收強(qiáng)度高的低角度散射束使它在同等厚度和花樣質(zhì)量下可以采用稍小的束斑電流，或者同樣束流下更快的采集速度。有研究表明[7]，達(dá)到同樣花樣質(zhì)量和標(biāo)定率，在同樣束流下同軸TKD比離軸TKD采集速度縮短20倍，在同樣時(shí)間下束流可以降低20倍。并且，同軸TKD的位置類似掃描電鏡中的STEM探測(cè)器，位于樣品正下方。TKD本身的FSD探測(cè)器還可以實(shí)現(xiàn)STEM的明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像功能[8,9,31]。

4 探測(cè)器技術(shù)進(jìn)展

為了降低對(duì)設(shè)置參數(shù)(加速電壓、束流、像素合并和曝光時(shí)間)的要求，并適應(yīng)更多類型的樣品，同時(shí)能夠提高花樣質(zhì)量，以及從花樣中獲得更多細(xì)節(jié)，在探測(cè)器方面也出現(xiàn)了很多技術(shù)進(jìn)展[32-37]。

4.1 CMOS相機(jī)

目前已安裝的EBSD探測(cè)器大多仍采用電荷藕合器件(Charge Couple Device，CCD)相機(jī)[13,33,36-38]，它使用CCD芯片。CCD芯片不能直接探測(cè)電子[39]，而是通過(guò)磷屏中的閃爍體將電子轉(zhuǎn)換成光子，隨后經(jīng)光纖或透鏡將光子傳輸至CCD傳感器繼而轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，如圖1(b)所示。這樣電子-光子-電子的處理方式會(huì)必然出現(xiàn)磷屏、光纖或透鏡中的光散射和能量吸收，這些都會(huì)降低花樣的信噪比和空間分辨率[33,36-37]。另外CCD芯片串行處理信號(hào)，耗時(shí)相對(duì)較長(zhǎng)。為了提高處理速度，CCD相機(jī)通常需進(jìn)行像素合并。過(guò)度的像素合并會(huì)明顯地犧牲花樣質(zhì)量。

互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)芯片發(fā)展迅速。目前，部分新型探測(cè)器仍然使用磷屏，但是用CMOS相機(jī)替換CCD相機(jī)。CMOS相機(jī)利用CMOS芯片處理速度更快的優(yōu)點(diǎn)，降低對(duì)像素合并的要求，從而達(dá)到更快的花樣采集速度[32]。

4.2 直接電子探測(cè)相機(jī)

直接探測(cè)電子相機(jī)(以下簡(jiǎn)稱DED)因其分辨率高在透射電鏡和透射掃描電鏡得到越來(lái)越多的應(yīng)用[38]，使用也越發(fā)廣泛。它使用結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜、耐輻照的CMOS芯片來(lái)直接探測(cè)電子。使用DED用于記錄衍射花樣、成像和動(dòng)態(tài)觀察，具有更高量子效率、更高空間分辨率、更快讀取速度和耐輻照的優(yōu)點(diǎn)[33,37-41]。

同樣用于記錄衍射花樣，在EBSD領(lǐng)域也開始使用DED相機(jī)[33,35-37]。相對(duì)于其他相機(jī)，它具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)。首先，掃描電鏡相對(duì)較低的加速電壓(最高加速電壓為30 kV)基本上不用考慮電子束損傷[33]；其次，如圖1(c)所示，它沒(méi)有磷屏以及光纖或透鏡。這樣就沒(méi)有光散射、能量吸收和光學(xué)透鏡的像差，必然提高了探測(cè)信號(hào)的效率。

因此，DED相機(jī)在提高花樣信噪比的同時(shí)，低束流或者低加速電壓下的花樣質(zhì)量也得到了提高，從而提高了EBSD的空間分辨率[33,36-37]。另外，DED具有能量過(guò)濾的功能，能夠提高菊池帶襯度并從菊池花樣中獲得更多細(xì)節(jié)信息[33,36-37]，并增加菊池帶測(cè)量的準(zhǔn)確性。文獻(xiàn)[42-43]使用DED相機(jī)采集菊池花樣，結(jié)合深度學(xué)習(xí)直接從高精度花樣中提取信息。這種技術(shù)可以發(fā)掘衍射花樣中的更多細(xì)微特征，進(jìn)而更精確地識(shí)別物相以及晶體結(jié)構(gòu)，解決了Hough變換方法難以對(duì)相似結(jié)構(gòu)進(jìn)行判別的難題。

5 結(jié)論與展望

結(jié)合EBSD，掃描電鏡可以獲得以往只有透射電鏡同時(shí)具備的電子衍射和成像功能，EBSD探測(cè)器為掃描電鏡帶來(lái)了強(qiáng)大的結(jié)構(gòu)和取向分析功能，更全面地反映樣品的微觀特征。

隨著電子背散射衍射的技術(shù)進(jìn)展，能量過(guò)濾和采用低加速電壓可以提高空間分辨率，但是受到較多限制，而使用薄樣品的TKD技術(shù)大大拓展了技術(shù)的適用范圍。CMOS和直接電子探測(cè)相機(jī)等新技術(shù)可以對(duì)花樣進(jìn)行更快地處理、更清晰地呈現(xiàn)。這些在表征技術(shù)上的進(jìn)展，使得電子背散射衍射具有更高的分辨率、更快的速度和更高的效率，在材料科學(xué)與工藝中的應(yīng)用會(huì)繼續(xù)大放異彩。

隨著離子研磨等制樣技術(shù)的普及，以及硬件技術(shù)和算法的蓬勃發(fā)展，EBSD在晶體材料領(lǐng)域應(yīng)用的深度和廣度都在迅速增加。未來(lái)，EBSD不僅會(huì)實(shí)現(xiàn)更高空間分辨率，還可以實(shí)現(xiàn)更快的采集速度，這些都將促進(jìn)對(duì)晶體材料的研究水平和提高解決問(wèn)題的能力。