石會(huì)營 王佳平 吳吉光 黃志剛 秦紅彬
中鋼集團(tuán)洛陽耐火材料研究院有限公司 河南洛陽 471039
垃圾焚燒發(fā)電是當(dāng)前世界各國對(duì)生活垃圾進(jìn)行無害化、資源化處理的最有效手段[1]。生活垃圾焚燒爐的主流爐型為爐排式焚燒爐,市場(chǎng)占比70%以上[2]。我國爐排爐第一煙道主要選用SiC質(zhì)澆注料或可塑料,平均壽命只有8~12個(gè)月。爐排爐第一煙道工作溫度為800~1 100℃。因生活垃圾含水量高,高溫蒸汽氧化是SiC質(zhì)耐火材料損毀的重要原因[3]。
在本工作中,設(shè)計(jì)了兩種不同SiC含量的澆注料,研究了它們?cè)? 000℃水蒸氣中的抗氧化性能。
試驗(yàn)原料有:5~3 mm的電熔白剛玉顆粒;≤2.5 mm的碳化硅顆粒;≤0.065 mm 的碳化硅細(xì)粉,w(SiC)>97.5%;d50=3.51μm的活性氧化鋁微粉,w(Al2O3)=99.75%,w(R2O)=0.01%;d50=0.14 μm的二氧化硅微粉,w(SiO2)=96.5%,w(R2O)=1.09%;純鋁酸鈣水泥(Secar71),w(Al2O3)=69.5%,w(CaO)=29.3%。
按表1配料,加水5.0%(w)攪拌均勻,振動(dòng)澆注成40 mm×40 mm×160 mm的試樣,自然養(yǎng)護(hù)24 h后脫模,在110℃烘干24 h,在1 000℃保溫3 h熱處理。
表1 試樣的配料組成Table 1 Compositions of specimens
從熱處理后試樣上切取40 mm×40 mm×50 mm的試樣,按照ASTM C-863的方法,在1 000℃、32 kg·m-3·h-1水蒸氣條件下分別保持100、200、300、400和500 h進(jìn)行氧化試驗(yàn)。檢測(cè)試樣氧化前后的質(zhì)量、體積、常溫耐壓強(qiáng)度(GB/T 5072—2008)以及體積密度和顯氣孔率(YB/T 5200—1993)。分別采用XRD和SEM分析試樣氧化前后的物相組成和顯微結(jié)構(gòu)。
氧化500 h后試樣的照片見圖1。1#試樣表面出現(xiàn)了較長的裂紋,左側(cè)試樣膨脹明顯;2#試樣表面有不規(guī)則裂紋,中間試樣膨脹明顯,左側(cè)試樣出現(xiàn)缺角。
圖1 試樣氧化500 h后的照片F(xiàn)ig.1 Appearance of specimens after 500 h oxidation
氧化不同時(shí)間后試樣的體積變化率和質(zhì)量變化率見圖2,體積密度和顯氣孔率見圖3。
圖2 試樣氧化不同時(shí)間后的體積變化率和質(zhì)量變化率Fig.2 Volume and mass change rate vs oxidation duration
圖3 試樣氧化不同時(shí)間后的體積密度和顯氣孔率Fig.3 Bulk density and apparent porosity vs oxidation duration
由圖2和圖3可以看出:1)隨著氧化時(shí)間的延長,兩種試樣的質(zhì)量變化率、體積變化率和顯氣孔率均呈增大趨勢(shì),體積密度呈減小趨勢(shì);但在300~500 h段的變化均較小。2)氧化時(shí)間相同時(shí),兩種試樣的質(zhì)量變化率差別很小。1#試樣的體積變化率和顯氣孔率在0~200 h段均略小于2#試樣的,在300~500 h段則顯著小于2#試樣的;體積密度的對(duì)比情況與顯氣孔率的相反。3)氧化500 h后,1#試樣和2#試樣的質(zhì)量變化率分別為5.28%和5.22%,體積變化率分別為15.64%和23.68%。
氧化不同時(shí)間后試樣的常溫耐壓強(qiáng)度見圖4??梢钥闯觯弘S著氧化時(shí)間的延長,兩種試樣的常溫耐壓強(qiáng)度均呈減小趨勢(shì),但在300~500 h段變化較?。谎趸瘯r(shí)間相同時(shí),1#試樣的常溫耐壓強(qiáng)度大于2#試樣的,尤其在300~500 h氧化階段;氧化500 h后,1#試樣和2#試樣的常溫耐壓強(qiáng)度減小率分別為75.8%和91.1%。
圖4 氧化不同時(shí)間后試樣的常溫耐壓強(qiáng)度Fig.4 Cold crushing strength vs oxidation duration
氧化前及分別氧化300和500 h后試樣的XRD圖譜見圖5,除SiC以外的各物相的定量分析結(jié)果見表2。
圖5 氧化前及氧化不同時(shí)間后1#試樣和2#試樣的XRD圖譜Fig.5 XRD patterns of specimens before and after oxidation
由圖5和表2可看出:隨著氧化時(shí)間從0到300 h再到500 h,兩種試樣的二鋁酸鈣(CA2)相逐漸消失,剛玉含量逐漸減少,鈣長石(CAS2)和方石英相逐漸增多;它們的合量也呈增多趨勢(shì),表明碳化硅含量逐漸減少。
表2 氧化前及氧化不同時(shí)間后試樣中除SiC以外的物相含量Table 2 Phase composition except SiC of specimens before and after different oxidation durations
1#試樣氧化前及氧化500 h后的顯微結(jié)構(gòu)照片見圖6??梢钥闯觯貉趸霸嚇咏Y(jié)構(gòu)比較致密,骨料與基質(zhì)結(jié)合緊密。氧化500 h后,試樣中出現(xiàn)了較多圓形氣孔,骨料與基質(zhì)間出現(xiàn)縫隙;放大后發(fā)現(xiàn),基質(zhì)中碳化硅細(xì)粉小顆粒邊緣變光滑,可見發(fā)生了明顯的氧化。
圖6 1#試樣氧化前及氧化500 h后的顯微結(jié)構(gòu)照片F(xiàn)ig.6 Microstructure of specimen 1#before and after 500 h oxidation
2#試樣氧化前及氧化500 h后的顯微結(jié)構(gòu)照片見圖7??梢钥闯觯貉趸霸嚇咏Y(jié)構(gòu)比較致密,骨料與基質(zhì)結(jié)合緊密。氧化500 h后,試樣中圓形氣孔增多,碳化硅骨料和白剛玉骨料與基質(zhì)間均出現(xiàn)較寬的縫隙;放大后發(fā)現(xiàn),基質(zhì)中碳化硅細(xì)粉小顆粒邊緣變光滑,可見發(fā)生了明顯的氧化。
圖7 2#試樣氧化前及氧化500 h后顯的微結(jié)構(gòu)照片F(xiàn)ig.7 Microstructure of specimen 2#before and after 500 h oxidation
在1 000℃水蒸氣中,SiC發(fā)生氧化反應(yīng):
試樣中的Al2O3微粉、SiO2微粉和氧化產(chǎn)物SiO2與鋁酸鈣水泥中的CaO發(fā)生反應(yīng):
根據(jù)以上反應(yīng)式和各物質(zhì)的真密度[4-6]計(jì)算可知:1 mol SiC與2 mol H2O按反應(yīng)(1)氧化成1 mol SiO2(以方石英計(jì)),其質(zhì)量變化率和體積變化率分別為50%和115.5%;1 mol Al2O3和2 mol SiO2(以方石英計(jì))與1 mol CaO按反應(yīng)(2)反應(yīng)生成1 mol CaO·Al2O3·2SiO2(鈣長石,CAS2),其質(zhì)量不變,體積變化率約為4.92%。由此可知:碳化硅的氧化是導(dǎo)致本試驗(yàn)中試樣氧化后質(zhì)量增大的唯一原因和體積增大的主要原因;根據(jù)質(zhì)量增大率可以判斷碳化硅的氧化程度,根據(jù)質(zhì)量增大率的變化速率可以判斷碳化硅的氧化速率。因此,由圖2可知:在0~300 h氧化階段,兩種試樣中碳化硅的氧化速率均呈逐漸增大的趨勢(shì);在300~500 h氧化階段,碳化硅的氧化速率均很小。這可能是因?yàn)?,氧?00 h后,碳化硅顆粒表面的SiO2層已達(dá)到一定厚度,阻礙了水蒸氣和CH4的擴(kuò)散。由于本試驗(yàn)中氧化時(shí)間間隔設(shè)計(jì)很長(100 h),圖2未能反映出氧化速率減小階段。
根據(jù)1#試樣和2#試樣的SiC含量(w)分別為85%和70%及氧化500 h后的質(zhì)量變化率分別為5.28%和5.22%計(jì)算可以得出:1#試樣和2#試樣中碳化硅的氧化程度分別為12.42%和14.91%,2#試樣中碳化硅的氧化程度和氧化速率略大于1#試樣的。這可能是因?yàn)椋?#試樣中的顯氣孔率略大于1#試樣的,水蒸氣更容易擴(kuò)散進(jìn)入試樣內(nèi)部;2#試樣中的碳化硅比1#試樣的少,在同樣的水蒸氣氣氛中,水蒸氣量與碳化硅量的比值比1#試樣的略大。
兩種試樣基質(zhì)料中均有鋁酸鈣水泥和二氧化硅微粉。在1 000℃氧化過程中,它們反應(yīng)生成低熔點(diǎn)物鈉鈣硅。由于低熔點(diǎn)物鈉鈣硅的熱膨脹系數(shù)(8~10×10-6℃-1)[7]比SiC的(4.4×10-6℃-1)[8]和α-Al2O3的(5.4×10-6~6.6×10-6℃-1)[8]大,在氧化試驗(yàn)結(jié)束后從1 000℃降至常溫的過程中,因基質(zhì)與骨料的收縮不同,導(dǎo)致試樣中出現(xiàn)裂紋。隨著氧化時(shí)間的延長,反應(yīng)生成的低熔點(diǎn)物鈉鈣硅增多,裂紋也隨之增多,變長,變寬。從燒結(jié)角度考慮,隨著氧化時(shí)間的延長,試樣的氣孔率會(huì)逐漸減小??赡芤?yàn)榱鸭y導(dǎo)致的氣孔率增大超過了燒結(jié)導(dǎo)致的氣孔率減小,因此試樣的顯氣孔率隨氧化時(shí)間的延長而增大。
試樣的常溫耐壓強(qiáng)度主要受試樣的氣孔率和裂紋控制。氣孔率越大,裂紋越多越長越寬,則常溫耐壓強(qiáng)度越小。
(1)在0~300 h氧化階段,碳化硅的氧化速率呈增大趨勢(shì);在300~500 h氧化階段,碳化硅的氧化速率很小。
(2)SiC含量(w)為71%的試樣的氧化速率比SiC含量(w)為86%的試樣的略大。
(3)隨著試樣中碳化硅氧化程度的增大,氧化后試樣的顯氣孔率呈增大趨勢(shì),體積密度和常溫耐壓強(qiáng)度呈減小趨勢(shì)。