趙福泉 劉懷東 賈豪威
(1.中國(guó)科學(xué)院上海高等研究院 2.河西學(xué)院 3.中國(guó)鐵路鄭州局集團(tuán)有限公司鄭州東高鐵基礎(chǔ)設(shè)施段)
絕緣材料如果較長(zhǎng)時(shí)間處于粒子轟擊、X射線等作用下,容易使高聚物裂解,造成內(nèi)部和表面的侵蝕以及變質(zhì);同時(shí)由于制造工藝的不盡完善,或者絕緣材料吸收空氣中水分等,都會(huì)造成絕緣材料中形成內(nèi)部雜質(zhì)空間。內(nèi)部雜質(zhì)空間介質(zhì)的介電常數(shù)往往小于絕緣材料的介電常數(shù)。內(nèi)部雜質(zhì)空間介質(zhì)就會(huì)承受巨大的電場(chǎng)強(qiáng)度,造成局部放電。局部放電與絕緣材料的劣化過(guò)程密切相關(guān),是絕緣劣化的因素和征兆。絕緣材料的劣化造成局部放電,局部放電的持續(xù)發(fā)展又會(huì)進(jìn)一步造成絕緣劣化、壽命縮短、短時(shí)絕緣強(qiáng)度的降低、甚至是絕緣擊穿。因此局部放電是評(píng)估絕緣狀態(tài)的有效方法之一。
一般情況下,絕緣材料中的雜質(zhì)呈現(xiàn)夾層式極化,如圖1所示,選取一塊絕緣材料的截面,外加電場(chǎng)方向垂直于夾層方向,雜質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)為ε1,絕緣材料相對(duì)介電常數(shù)為ε2,ε1<ε2。電場(chǎng)的分布和介質(zhì)的介電常數(shù)成反比。就一般的雜質(zhì)而言,比如氣泡,固體的介電常數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于氣體的介電常數(shù)時(shí),氣泡承受的電場(chǎng)強(qiáng)度相比于固體絕緣材料的電場(chǎng)強(qiáng)度要大好幾倍。同時(shí),氣體的耐電強(qiáng)度又比固體絕緣低,所以氣泡部位非常容易發(fā)生局部放電。
圖1 試品樣式
當(dāng)外施電壓u加在絕緣體兩端,外施電壓值小于氣隙的擊穿電壓ust時(shí),氣隙兩端的電壓和外施電壓保持一致,并跟隨外施電壓的變化;隨著外施電壓的升高,并達(dá)到氣隙的擊穿電壓ust,氣隙分子將分離,氣隙空間內(nèi)會(huì)形成空間電荷,電荷類(lèi)型包括正離子、負(fù)離子和電子;在外電場(chǎng)的作用下,負(fù)電荷總體向高電位遷移,正電荷整體向低電位遷移,離子的遷移形成的空間電荷分布將在氣隙空間內(nèi)削弱外加電場(chǎng)的作用,產(chǎn)生與外加電場(chǎng)相反的內(nèi)部電壓-Δu,此時(shí)合成在氣隙上的電壓為ust-Δu;隨著放電的加深,更多的自由電荷被激發(fā),內(nèi)部電場(chǎng)的削弱作用也迅速增強(qiáng),直至氣隙合成電壓ust-Δu小于局部放電熄滅電壓uoff,則氣隙停止放電。氣隙上的電壓又會(huì)隨外電壓上升而上升,直到重新達(dá)到ust,又重新出現(xiàn)第二次放電。
另外,局部放電重復(fù)率代表著材料的劣化壞點(diǎn)數(shù)以及程度。交流電壓半個(gè)周期內(nèi),局部放電次數(shù)稱為局部放電重復(fù)率。當(dāng)外加電壓的幅值和頻率增加,介質(zhì)厚度與氣隙厚度之比變小,氣隙表面電阻變小等都會(huì)造成放電重復(fù)率的增加。
實(shí)際放電電荷看成僅僅是氣隙部分的放電量,視在放電電荷不同于實(shí)際放電電荷,近似為試驗(yàn)樣品一次局部放電時(shí)其兩端的瞬間電荷量的變化。假設(shè)局部放電時(shí)間非常短暫,以至于電源尚未及時(shí)補(bǔ)充電荷。試驗(yàn)樣品各部位電荷量重新分配,以至于出現(xiàn)電壓的變化。氣隙部分端電壓變化量ΔUg,樣品段對(duì)應(yīng)為ΔUa和ΔUb;另外氣隙部分實(shí)際放電量為qr。由抽象模型可知:
式中,氣隙與串聯(lián)部分試品等效電容遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于Ca。
由上式可看出,當(dāng)氣隙距離越小時(shí),則Cg越大,視在放電電荷要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于實(shí)際放電電荷。絕緣材料相對(duì)介電常數(shù)較大、介質(zhì)厚度小氣隙厚度大、有效放電面積和擊穿電壓較高時(shí),視在放電電荷會(huì)比較大。
在工頻電場(chǎng)下,可建立等效的電路模型,如圖2所示。
圖2 氣隙放電等效電路模型
把雜質(zhì)部分看成有電容效應(yīng)和電阻效應(yīng),即用Cg和Rg表示;在電場(chǎng)方向與雜質(zhì)串聯(lián)的絕緣材料存在的電阻和電容效應(yīng),用Cb和Rb表示;無(wú)雜質(zhì)部分的絕緣材料的兩種效應(yīng)用Ca和Ra表示。其中三部分的電阻效應(yīng)和電容效應(yīng)具有相同的電路結(jié)構(gòu),和電容部分并聯(lián)同樣處于外加電壓u作用下。由于絕緣材料的等效電阻值相對(duì)較高,可把電阻部分視同為斷路狀態(tài),所以不予考慮;雜質(zhì)部分等效電阻無(wú)論是否放電,均不可忽略??煞譃殡s質(zhì)放電體電阻Rg1和沿雜質(zhì)表面放電電阻Rg2。這兩種電阻在發(fā)生放電時(shí)分別變化為Z′g1和R′g2。在大部分文獻(xiàn)中,認(rèn)為放電時(shí),近似認(rèn)為只有電阻效應(yīng),且該電阻非常小,幾乎為零。但放電流注多為低溫高壓的等離子體,等離子體的電導(dǎo)率為復(fù)數(shù),形成的阻抗既有電阻分量也有電感分量,所以用阻抗Z′g1來(lái)表示氣泡部分體電阻更為合適。圖2中,由于存在狀態(tài)轉(zhuǎn)換,將雜質(zhì)部分電阻用放電符號(hào)代替。
根據(jù)以上分析,設(shè)置仿真模型如圖3所示。
圖3 絕緣介質(zhì)氣隙局部放電仿真模型
假設(shè)把絕緣材料看成常見(jiàn)的環(huán)氧樹(shù)脂,尺寸為30mm×30mm×30mm,ε2=3.8;雜質(zhì)看成為空氣,尺寸為近似為半徑2mm,高為4mm的圓柱形,氣隙內(nèi)氣壓1×105Pa,相對(duì)介電常數(shù)ε1=1。
根據(jù)經(jīng)驗(yàn)公式和給定參數(shù),可求得氣隙放電起始電壓和場(chǎng)強(qiáng),分別表示為:Ust和Est;放電熄滅電壓和場(chǎng)強(qiáng),分別表示為:Uoff和Eoff。由氣體放電理論和經(jīng)驗(yàn)總結(jié)知:
式中,p為氣隙壓強(qiáng),B為空氣放電開(kāi)始時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度,為一常數(shù),B=8.6;已知:p=1×105Pa,a=2mm;計(jì)算得Est=35.6×105V/m。由于電場(chǎng)垂直于夾層,可得放電起始電壓:Ust=Est·d=35.6×105×4×10-3=14.24kV;放電熄滅電壓是0.77倍放電起始電壓,即Uoff=0.77Ust=10.96kV。
仿真試品中,由電容的定義公式可計(jì)算出各部分的等效電容:
式中,a為氣隙底面半徑,l為試品尺寸,d為氣隙垂直高度。
根據(jù)查表,得出氣隙體電阻:R1=2×1010Ω,Z′1=15+j3Ω。氣隙沿面電阻:R2=6×1010Ω,R′2=8×105Ω。另外,假設(shè)電源電壓輻值40kV,f=50Hz;保護(hù)阻抗:R=5kΩ,L=0.5mH;耦合電容Ck=0.5×10-9F,檢測(cè)阻抗Zm∶50Ω,2×10-12F。
由氣隙放電電壓圖及放大波形可以看出,每次放電周期約等于1.25×10-7s,氣隙放電電壓范圍在11~17kV之間,如圖4和圖5所示,符合理論放電時(shí)間及起始電壓和熄滅電壓的計(jì)算。此外,因外加保護(hù)電抗較小且絕緣介質(zhì)的容性作用,氣隙電壓略超前于外加電壓10°的相位;氣隙放電均發(fā)生在每半周期的前半部分,這是因?yàn)槊慨?dāng)外加電壓反向時(shí),前一次放電在氣隙表面殘余電荷形成的內(nèi)電場(chǎng)和外加電壓方向相同,疊加電壓正向刺激了氣隙的再次放電;同理,經(jīng)過(guò)幾次放電后,又會(huì)形成新的空間電荷,和本次的外加電壓方向相反,會(huì)減弱外加電壓促成的放電,所以后面即使外加電壓高過(guò)于起始電壓,甚至達(dá)到最大幅值,氣隙放電也不會(huì)持續(xù)。
圖4 氣隙局部放電波形圖
圖5 氣隙局部放電波形放大