溫才妃　法伊莎

蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院教授田永輝團(tuán)隊(duì)與澳大利亞皇家墨爾本理工大學(xué)教授阿南·米切爾課題組、上海交通大學(xué)教授蘇翼凱課題組合作，在薄膜鈮酸鋰晶圓的表面沉積了一層氮化硅薄膜，通過成熟的CMOS兼容工藝刻蝕氮化硅層得到氮化硅—鈮酸鋰異質(zhì)脊型波導(dǎo)，解決了直接刻蝕鈮酸鋰薄膜帶來的波導(dǎo)側(cè)壁角度等問題，并基于該波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了高性能的模式和偏振復(fù)用器件。該工作有望助力高速、大容量數(shù)據(jù)通信，并為薄膜鈮酸鋰平臺上有源及無源器件全集成的光子芯片提供新的解決方案。相關(guān)研究近日以封面文章形式在線發(fā)表于《激光與光子學(xué)評論》。