氮化硅
- 缺陷對氮化硅導(dǎo)熱性能影響的模擬研究
1)0 引 言氮化硅作為一種性能優(yōu)良的陶瓷材料，因具有良好的力學(xué)性能、抗熱沖擊性和耐磨損性能，而被廣泛應(yīng)用于化工、機械、能源、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。除卻優(yōu)異的機械性能外，研究表明β型氮化硅也具有較高的導(dǎo)熱性能。Haggerty等[1]通過計算提出在室溫下β型氮化硅的理論熱導(dǎo)率可達 200～320 W·m-1·K-1。Hirosaki等[2]利用分子動力學(xué)方法，探究發(fā)現(xiàn)β型單晶氮化硅在300 K下，其沿a軸與c軸的熱導(dǎo)率分別可達170 W·m-1·K-1和450 W
硅酸鹽通報 2022年5期2022-06-16
- 無壓燒結(jié)氮化硅陶瓷的物理性能研究
1)0 引 言氮化硅陶瓷具有優(yōu)異的機械性能、熱學(xué)性能以及化學(xué)穩(wěn)定性，在航空航天、機械化工以及耐磨耐腐蝕領(lǐng)域應(yīng)用廣泛[1]。氮化硅是由70%共價鍵和30%離子鍵組成的高共價化合物[2-3]，由于其自擴散系數(shù)小，體積擴散和晶界擴散速率低[4]，所以為了獲得致密的氮化硅陶瓷，通常燒結(jié)時需要加入燒結(jié)助劑，燒結(jié)助劑在高溫下與氮化硅粉末表面的SiO2反應(yīng)生成液相，并通過顆粒重排、溶解、析出實現(xiàn)致密化燒結(jié)[5]。常用的液相燒結(jié)方式有無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、氣壓燒結(jié)、和熱等靜
硅酸鹽通報 2022年5期2022-06-15
- 不同摻量YF3氟化物助劑對Si3N4顯微結(jié)構(gòu)及熱導(dǎo)率的影響
1）。關(guān)鍵詞：氮化硅（Si3N4）;YF3氟化物助劑;熱導(dǎo)率中圖分類號：TH145.1+1;TQ174.6? ? 文獻標(biāo)志碼：A? ? 文章編號：1671-0797（2022）10-0018-04DOI：10.19514/j.cnki.cn32-1628/tm.2022.10.0060? ? 引言氮化硅（Si3N4）因具有強度高、硬度大、高溫蠕變小、熱腐蝕性能好、熱膨脹系數(shù)較低、熱導(dǎo)率較高和摩擦系數(shù)小等優(yōu)異特性，被普遍認(rèn)為是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料之一[
機電信息 2022年10期2022-05-26
- 氮化硅陶瓷在四大領(lǐng)域的研究及應(yīng)用進展
8)0 引 言氮化硅(Si3N4)是一種由硅和氮組成的共價鍵化合物，1857年被發(fā)現(xiàn)，到1955年，其作為陶瓷材料實現(xiàn)了大規(guī)模生產(chǎn)[1]。氮化硅陶瓷具有金屬材料和高分子材料所不具備的眾多優(yōu)點，如耐高溫(在1 200 ℃下抗彎強度可達350 MPa以上)、耐酸堿腐蝕、自潤滑等，在航空航天、國防軍工、機械領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用[2-3]。氮化硅陶瓷材料的優(yōu)異特性隨著制備工藝的改進得到充分發(fā)掘，這使其成為歷史上研究最多的陶瓷材料之一，商業(yè)用途得到快速發(fā)展。20世紀(jì)80
硅酸鹽通報 2022年4期2022-05-13
- 三元復(fù)合燒結(jié)助劑Er2O3-Mg2Si-Yb2O3對氮化硅陶瓷性能的影響
熱問題的關(guān)鍵。氮化硅陶瓷具有硬度高、耐腐蝕、熱膨脹系數(shù)與Si相匹配、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點，已成為基板材料的研究熱點。Hirosaki等[10]使用分子動力學(xué)模擬氮化硅單晶的能量運輸，通過公式計算出β-Si3N4沿a軸和c軸的熱導(dǎo)率分別為170 W/(m·K)和450 W/(m·K)。但是，目前制備的氮化硅陶瓷的實際熱導(dǎo)率遠低于其理論值。在影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的眾多因素中，晶格氧的影響最為顯著。氧以SiO2的形式固溶到β-Si3N4晶格，產(chǎn)生硅空位和晶格畸變等
硅酸鹽通報 2022年4期2022-05-13
- 氮化硅結(jié)合碳化硅燃燒器噴口在鍋爐機組的應(yīng)用初探
行了闡述，結(jié)合氮化硅結(jié)合碳化硅新材料特性的分析，闡述了碳化硅結(jié)合氮化硅新材料燃燒器噴口在國內(nèi)燃煤鍋爐機組的應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞：氮化硅;碳化硅;燃燒器噴口前言隨著我國社會經(jīng)濟的不斷發(fā)展，我國能源消費逐步增加，雖然近些年光伏、風(fēng)電、核電等新能源不斷發(fā)展，但仍然滿足不了社會發(fā)展所需要的能源消費需求，在今后一定時期內(nèi)，火力發(fā)電依舊會是主要的電力供應(yīng)方式。近些年我國火電技術(shù)發(fā)展迅速，超臨界機組、超超臨界機組不斷投入商業(yè)運行，隨著機組參數(shù)的不斷提高對于鍋爐主要備件材質(zhì)的
家園·電力與科技 2021年12期2021-12-22
- MgO-Y 2O3復(fù)合燒結(jié)助劑對氮化硅軸承球致密化的影響*
03）0 引言氮化硅軸承球在現(xiàn)代工業(yè)中占有重要地位，具有耐高溫、硬度大、耐腐蝕等優(yōu)良特性[1-2]，因此，被廣泛應(yīng)用在滾珠軸承、增壓器轉(zhuǎn)子、汽輪機葉片等現(xiàn)代工業(yè)上。由于氮化硅軸承球的廣泛使用，其面對的處境類型隨之增加，在密閉顛簸的工作環(huán)境中對氮化硅軸承球材料性能的要求也隨之提高。目前被廣泛使用的氮化硅軸承球材料雖然具有良好的導(dǎo)熱性[3]，但其強度和致密化較低。這是由于氮化硅存在三種晶體結(jié)構(gòu)，其中，長軸狀β氮化硅晶體會出現(xiàn)大量的氮化硅晶體交錯橋連，從而出現(xiàn)微
南方農(nóng)機 2021年19期2021-10-28
- 金屬薄板拉伸凹模的理想材料
——氮化硅陶瓷
解決措施（1）氮化硅（Si3N4）陶瓷材料的特點。氮化硅（Si3N4）陶瓷是將硅粉在液壓機上模壓成型后，粗加工后電爐中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1,450℃，時間為50h，燒結(jié)氣氛為常壓氮氣。燒結(jié)終了出爐空冷，磨削加工得到最終尺寸，最后拋光處理。反應(yīng)燒結(jié)的氮化硅陶瓷材料具有以下特點：a.耐磨性高。氮化硅陶瓷材料耐磨性很高，可以保證拉伸模在工件允許的變形程度內(nèi)，都能長期工作，并保證拉伸件尺寸不變。b.拋光性能優(yōu)良。氮化硅陶瓷材料具有良好的拋光性，能加工成鏡面狀態(tài)的?？?/div>
模具制造 2021年8期2021-10-20
- 混合稀土對氮化硅陶瓷材料的密度及硬度的性能影響
5000)前言氮化硅陶瓷在新型陶瓷中占有重要的地位，其具有高溫強度及硬度高、蠕變小、耐腐蝕、耐磨損、比重小、熱膨脹系數(shù)低、斷裂韌性高、抗熱沖擊性好等優(yōu)點，是制備特種陶瓷彈簧、發(fā)熱體、切削刀具的材料之一[1-3]。但在制備氮化硅陶瓷材料時，由于氮化硅屬強共價鍵化合物，原子擴散遷移率很低，并且溫度在高于1 600 ℃時分解明顯，因此純氮化硅不能通過固相燒結(jié)達到致密化，必須加入燒結(jié)助劑，利用液相燒結(jié)原理來促進氮化硅燒結(jié)致密化[4-6]。在已有研究中，對Y2O3、陶瓷 2021年8期2021-09-26
- 氮化硅光子器件與應(yīng)用研究進展
5）1 引 言氮化硅（Silicon Nitride）是由硅元素和氮元素構(gòu)成的無機化合物，其研制主要依靠人工條件合成。除了常見的普通氮化硅（Si3N4）外，根據(jù)不同的反應(yīng)條件和純化方法，還能高溫合成一氮化二硅（Si2N）、三氮化二硅（Si2N3）等氮化程度不同的氮化硅。氮化硅是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，在日常生活中也常見到氮化硅陶瓷，其在熱學(xué)、力學(xué)和化學(xué)等方面有著廣闊的發(fā)展前景。在熱學(xué)方面，氮化硅在空氣中的分解溫度為1800℃，且具有較高的強度和抗沖擊性，1中國光學(xué) 2021年4期2021-09-03
- GaAs器件鍍層應(yīng)力問題分析及解決
層呈銳角，導(dǎo)致氮化硅表面出現(xiàn)變色脫落等現(xiàn)象，影響器件穩(wěn)定性和可靠性。本文改進了傳統(tǒng)的電鍍布線工藝，在電鍍布線后，表面先涂覆薄層聚合物（0.5 μm以內(nèi)）以消除銳角，消除應(yīng)力集中點，之后再淀積氮化硅，形成復(fù)合保護層。改進后的工藝解決了因鍍層金屬應(yīng)力集中導(dǎo)致的氮化硅表面變色和脫落等問題。關(guān)鍵詞：電鍍布線;應(yīng)力集中;氮化硅中圖分類號：TN304.23文獻標(biāo)識碼：A文章編號：1003-5168（2021）10-0033-03Analysis and Solutio河南科技 2021年10期2021-08-24
- 氮化硅陶瓷的研究與應(yīng)用進展
81)0 引言氮化硅陶瓷是具有優(yōu)異的耐高溫、耐強度、抗蠕變、高硬度、低密度等力學(xué)性能的先進結(jié)構(gòu)陶瓷，在工程結(jié)構(gòu)領(lǐng)域得到了廣泛研究和應(yīng)用[1,2]。氮化硅陶瓷因其優(yōu)異的綜合性能指標(biāo)，使它成為可承受惡劣溫度和重負(fù)荷條件下應(yīng)用的主要候選材料。例如：渦輪增壓器轉(zhuǎn)子和燃?xì)鉁u輪發(fā)動機部件。氮化硅在燒結(jié)過程中會出現(xiàn)α→β 相變，這一相變屬于結(jié)構(gòu)重建型，必然存在化學(xué)鍵的斷裂和生成。對于氮化硅材料而言，高能共價鍵在燒結(jié)過程中是一個不利因素，Si-N 共價鍵的存在導(dǎo)致原子擴散中國陶瓷工業(yè) 2021年3期2021-07-19
- 多維度耦合氮化硅陶瓷軸承粉粒制備效果與制粒結(jié)構(gòu)分析
鋼制軸承相比，氮化硅陶瓷軸承具有壽命長、耐高溫、耐磨損、耐腐蝕和超高速等優(yōu)異性能[1-4]。但氮化硅陶瓷軸承仍存在著脆性較差等缺點，這與制備的氮化硅陶瓷粉粒存在著制粒效果差、制粒結(jié)構(gòu)單一等缺陷有關(guān)[5-7]。粉粒流動相對較弱，會形成固體旋轉(zhuǎn)區(qū)，導(dǎo)致粉粒出現(xiàn)打旋現(xiàn)象[8-9]。對制粒結(jié)構(gòu)進行多維度改進可以增強粉粒的流動性，提高制粒效果[10-11]。國內(nèi)外學(xué)者對氮化硅粉粒氣-固兩相流旋轉(zhuǎn)耦合場制粒方法進行了大量研究工作，但到目前為止，國內(nèi)外氮化硅粉粒氣-固兩中國陶瓷工業(yè) 2021年3期2021-07-19
- SPS制備氮化硅/鋅鋁基復(fù)合材料的組織和性能研究
化硅、氧化鋁、氮化硅等。本文選用氮化硅作為增強相，是由于其具有硬度高、摩擦系數(shù)小、耐磨損、抗腐蝕性等優(yōu)異性能，且成本較低。放電等離子燒結(jié)是一種全新的制備功能材料的技術(shù)手段，該技術(shù)主要特點是升溫速度快、燒結(jié)溫度低、及生產(chǎn)效率高，獲得的晶粒更細(xì)小，組織更均勻。近年來，該技術(shù)已經(jīng)成為粉末冶金行業(yè)制備納米塊體材料、非晶體材料和多尺度復(fù)合的結(jié)構(gòu)材料的重要技術(shù)[7-8]。目前，制備鋅鋁基復(fù)合材料的方法主要有原位生成法，熔煉鑄造法，無壓燒結(jié)法等，而采用放電等離子燒結(jié)技術(shù)材料科學(xué)與工藝 2021年3期2021-06-23
- 顯微結(jié)構(gòu)對Si3N4力學(xué)性能和熱導(dǎo)率的影響分析
需求。關(guān)鍵詞：氮化硅（Si3N4）;熱壓燒結(jié);斷裂韌性;抗彎強度;熱導(dǎo)率0? ? 引言Si3N4陶瓷具有優(yōu)秀的力學(xué)性能、熱學(xué)性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于機械加工、汽車、航空航天、電子電路等領(lǐng)域，如切削刀具、散熱基板等。Si3N4為共價鍵陶瓷，自擴散系數(shù)低。一般通過添加燒結(jié)助劑與Si3N4表面的SiO2反應(yīng)形成液相，提高傳質(zhì)速率，同時相變增加反應(yīng)驅(qū)動力[1]，實現(xiàn)Si3N4材料的致密化。在高性能Si3N4中，氣孔是材料內(nèi)部缺陷，嚴(yán)重影響材料的導(dǎo)熱性能和力學(xué)機電信息 2021年15期2021-06-22
- LPCVD氮化硅設(shè)備對顆粒污染的影響研究
控制。為了降低氮化硅薄膜制程中的顆粒污染，主要從LPCVD氮化硅薄膜生產(chǎn)設(shè)備出發(fā)，深入研究和探討各環(huán)節(jié)可能存在的微粒污染問題，為低顆粒污染生產(chǎn)提供依據(jù)。關(guān)鍵詞：LPCVD;氮化硅;顆粒污染在集成電路的生產(chǎn)制造過程中，總會不可避免地產(chǎn)生顆粒、金屬離子、有機殘余物、自然氧化層、靜電釋放（Electro Static Discharge，ESD）、微生物、氣體雜質(zhì)等污染物，這些污染物會在芯片生產(chǎn)過程中形成缺陷[1-2]。一般情況下，當(dāng)混入的污染物數(shù)量較少時，不會現(xiàn)代鹽化工 2021年1期2021-05-07
- 氮化硅結(jié)合碳化硅復(fù)合材料性能優(yōu)化的研究進展
1)0 引 言氮化硅結(jié)合碳化硅具有優(yōu)良的力學(xué)性能、抗蠕變性能、抗熱沖擊性能、導(dǎo)熱性能和化學(xué)穩(wěn)定性能[1-3]，在大型煉鐵爐、鋁電解槽、陶瓷窯具、垃圾焚燒爐和魯奇液態(tài)排渣爐等高溫領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用[4-7]。氮化硅結(jié)合碳化硅的制備工藝是將硅粉與碳化硅顆粒均勻混合，原料經(jīng)成型后放置于氮氣氣氛下進行高溫氮化燒結(jié)[8,9]。作為高溫結(jié)構(gòu)材料，氮化硅結(jié)合碳化硅在典型服役環(huán)境下受到應(yīng)力、溫度和化學(xué)侵蝕等多維度作用，材料的力學(xué)性能、抗熱震性能、抗侵蝕性能和抗氧化性能是制約中國陶瓷工業(yè) 2021年1期2021-03-08
- 燒結(jié)溫度對氮化硅陶瓷球顯微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響
5)0 引 言氮化硅陶瓷具有比重輕、強度高、耐磨損、電絕緣和自潤滑等優(yōu)異性能，是陶瓷軸承用滾動體的首選材料[1-3]。以氮化硅陶瓷球作為滾動體的陶瓷軸承特別適合在高速、高溫、低扭矩、貧油潤滑等工況條件下使用，比如用作精密機床高速電主軸軸承、風(fēng)電軸承和航空航天軸承等[4-6]。氮化硅是強共價鍵化合物，自擴散系數(shù)很低，燒結(jié)驅(qū)動力不足，難以通過單純的固相燒結(jié)來實現(xiàn)致密化，因此需要加入一定量的燒結(jié)助劑，借助液相燒結(jié)完成致密化過程[7]。氮化硅陶瓷的液相燒結(jié)原理是燒硅酸鹽通報 2021年1期2021-02-23
- 氮化硅陶瓷牙科修復(fù)材料研究進展
斷。研究表明，氮化硅陶瓷與其他牙科陶瓷相比具有更好的生物相容性與化學(xué)穩(wěn)定性，以及更高的強度和斷裂韌性，其磨損率遠遠低于金屬和其他陶瓷材料，同時密度比氧化鋁、氧化鋯和鈦合金等更小[3]，而且醫(yī)用級氮化硅具有生物相容性，在體內(nèi)穩(wěn)定，并且不會影響X射線成像[4]。還有研究表明，氮化硅陶瓷具有比其他生物材料更好的骨整合性能，對于有孔腔的氮化硅陶瓷，骨細(xì)胞能夠向其孔內(nèi)生長[5]。因此，目前氮化硅陶瓷已經(jīng)成功應(yīng)用于骨科修復(fù)手術(shù)[6]，骨科手術(shù)用氮化硅種植體實例如圖1所硅酸鹽通報 2021年1期2021-02-23
- 氮化硅陶瓷在空氣氣氛爐中燒結(jié)的氧化及致密化研究
00）0 前言氮化硅陶瓷具有高強度、高硬度、較高的斷裂韌性，以及耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、熱穩(wěn)定好、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)良的性能，在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)和工業(yè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。但由于氮化硅具有共價鍵結(jié)合程度高、自擴散系數(shù)低等特點，難以通過固相燒結(jié)使其致密化，所以通常添加一些燒結(jié)助劑，利用液相燒結(jié)的原理使其達到致密化。目前常用的燒結(jié)方法主要有常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、氣壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)等方式。本文通過氮化硅粉埋燒的燒結(jié)方法，在空氣氣氛爐中對氮化硅進行燒結(jié)，探究其氧化及致密化江蘇陶瓷 2021年6期2021-02-16
- α-氮化硅對硅磷酸鈣生物陶瓷力學(xué)強度和生物活性的影響
成.研究了α-氮化硅（α-Si3N4）對CPS生物陶瓷顯微結(jié)構(gòu)、抗彎強度、體外磷灰石形成能力及細(xì)胞相容性的影響.結(jié)果表明：α-Si3N4的添加可在一定程度上提高CPS生物陶瓷的抗彎強度，當(dāng)其質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.5%時，Si3N4-CPS陶瓷的抗彎強度為相同溫度下純CPS陶瓷的1.2倍.模擬體液浸泡實驗表明：Si3N4-CPS生物陶瓷均具有良好的磷灰石形成能力.CCK-8細(xì)胞相容性實驗結(jié)果表明：Si3N4-CPS生物陶瓷無明顯細(xì)胞毒性，展示出良好的生物相容性.關(guān)鍵上海師范大學(xué)學(xué)報·自然科學(xué)版 2021年6期2021-01-06
- 多孔氮化硅陶瓷的研究進展及應(yīng)用
?要 ?多孔氮化硅陶瓷集合了氮化硅材料和多孔材料的優(yōu)勢，是一種具有優(yōu)異物理化學(xué)性能的結(jié)構(gòu)陶瓷，受到全球材料界的廣泛關(guān)注。不同的制備方法可以給予材料不同的結(jié)構(gòu)與性能，同時也衍生出了不同制備方法相結(jié)合的方案，對于材料性能的不同需求提供了可行的思路。本文針對多孔氮化硅陶瓷的制備及其應(yīng)用進行綜述，旨在為氮化硅陶瓷的研究工作提供指導(dǎo)幫助。關(guān)鍵詞 ?氮化硅;陶瓷材料0 ?序 ?言氮化硅（Si3N4）材料具有硬度高、抗蠕變、化學(xué)耐腐蝕、耐高溫等特點，是一種十分重要的結(jié)江蘇陶瓷 2020年4期2020-10-09
- PECVD工序?qū)Χ嗑Ч韫夥M件層壓色差的影響
制備單層或多層氮化硅薄膜，目前行業(yè)內(nèi)一般采用雙層膜或3層膜結(jié)構(gòu)。一方面，氮化硅薄膜中富含的H離子可與硅表面懸掛鍵相結(jié)合，起到表面鈍化的作用；另一方面，氮化硅薄膜可以降低硅表面的界面態(tài)密度。高致密的氮化硅薄膜會阻擋鈉離子進入、掩蔽金屬，氮化硅薄膜所采用的氧化硅、氮化硅等材料的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可以起到良好的耐腐蝕、抗氧化的作用[1]。在氮化硅鈍化的諸多工藝參數(shù)中，氮化硅薄膜的硅氮比最為重要，其對氮化硅薄膜折射率的影響尤為顯著，而折射率又與該薄膜的減反射作用和鈍化太陽能 2020年8期2020-09-01
- 氮化硅多孔陶瓷制備國內(nèi)專利技術(shù)綜述
技術(shù)概述多孔氮化硅陶瓷是一種同時具備了結(jié)構(gòu)性和功能性的陶瓷材料，是一種體內(nèi)具有相通或閉合氣孔的陶瓷材料。多孔氮化硅陶瓷由于其特殊的結(jié)構(gòu)和性能，低密度、高孔隙率、適中的介電性能、高比表面積、高硬度、高的斷裂韌性等，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于航空航天、環(huán)境化工、生物醫(yī)藥、國防軍事等重要領(lǐng)域，市場前景十分顯著。氮化硅陶瓷相對于其他氧化物陶瓷難燒結(jié)，因此多孔氮化硅陶瓷的制備工藝與其他氧化物陶瓷有所不同。通過成型和反應(yīng)燒結(jié)工藝過程得到多孔氮化硅陶瓷工藝簡單，制品強度較高。無江西化工 2020年4期2020-08-17
- 超精密高性能氮化硅軸承研究現(xiàn)狀與應(yīng)用*
6600)1 氮化硅軸承的性能優(yōu)勢軸承是一切旋轉(zhuǎn)機械的靈魂，被稱為機械工業(yè)的“芯片”。沒有高端軸承就沒有尖端裝備與精密儀器。如：航空發(fā)動機軸承、精密機床軸承、高鐵軸承、核電軸承，特別是尖端武器裝備上的高端軸承。氮化硅（Si3N4）材料屬于高強度人工晶體，俗稱“陶瓷王”，具有密度小、硬度高、耐高溫、耐腐蝕、電絕緣、不導(dǎo)磁、抗壓強度高、自潤滑性能好等諸多特點[1-6]。氮化硅密度大約為軸承鋼的42%，彈性模量高達320 GPa，抗拉強度1600 MPa，抗壓強精密制造與自動化 2020年1期2020-04-15
- 多晶硅太陽能電池PECVD四層氮化硅減反射膜工藝
710511 氮化硅膜在多晶硅太陽能電池中的作用氮化硅的化學(xué)分子式為Six Ny，在氮化硅薄膜中主要是由硅元素Si與氮元素N所組成，但其中還包括了小量的氫元素H。在PECVD技術(shù)的作用下，改善了傳統(tǒng)太陽能電池吸收轉(zhuǎn)化率的問題，通過PECVD技術(shù)可以在多晶硅表面形成相應(yīng)的氮化硅薄膜，同時薄膜兩面的反射光會相互干擾從而減少反射量，提升太陽能電池板對能量的吸收，增加了光生電流的密度，極大的提升了太陽能電池板的效率，有利于可持續(xù)性發(fā)展戰(zhàn)略的實行[1]。2 多晶硅太商品與質(zhì)量 2020年1期2020-04-15
- 自增韌氮化硅陶瓷的制備與性能研究*
8100)前言氮化硅的研究起源于隕石的研究，大約有100多年的歷史。最早的資料報道是Deville and wohler在1859年指出Si3N4的形成可能是在地球形成時，Si和N2反應(yīng)形成Si3N4，并在1896年德國科學(xué)家利用減碳法人工合成了Si3N4。氮化硅陶瓷材料作為一種重要的結(jié)構(gòu)材料和功能材料，具有優(yōu)良的性能:高溫蠕變小、抗氧化、耐腐蝕和耐摩擦[1]。已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于社會的各個領(lǐng)域，比如耐高溫性能用于燃?xì)鈾C的轉(zhuǎn)子、定子和火花塞等，抗熱震性、熱膨脹陶瓷 2019年9期2019-09-06
- 透波氮化硅纖維的綜合性能評價表征研究
摘 系統(tǒng)研究了氮化硅纖維的基本物理性能、力學(xué)性能和介電性能，并且探究了各性能的測試方法。結(jié)果表明，氮化硅纖維在1 500℃的高溫強度保留率達到50%以上，介電常數(shù)為6.0左右，說明氮化硅纖維可以作為透波材料在苛刻的高溫環(huán)境下長時使用。0 引言采用前驅(qū)體聚合物制備陶瓷的方法成為陶瓷材料的新熱點，目前氮化硅纖維、氮化硼纖維和SiBN陶瓷纖維引起廣泛的關(guān)注［1］。氮化硅纖維具有優(yōu)異的高溫?zé)岱€(wěn)定性、高溫抗氧化性及高溫抗蠕變性，同時具有低的介電常數(shù)，被認(rèn)為是高溫高性宇航材料工藝 2019年4期2019-08-31
- 背鈍化膜特性對PERC單晶硅太陽電池的影響研究
的背鈍化不能以氮化硅膜直接作為背面鈍化材料[3]。由于氮化硅膜內(nèi)含有的固定正電荷密度較高，導(dǎo)致其下方的p型硅片的電性能出現(xiàn)了反轉(zhuǎn)層，這一反轉(zhuǎn)層與基底中金屬接觸區(qū)的耦合產(chǎn)生了寄生電容效應(yīng)，導(dǎo)致短路電流及填充因子出現(xiàn)一定程度的降低。研究發(fā)現(xiàn)，負(fù)電荷密度較高的氧化鋁膜能消除因氮化硅膜存在而產(chǎn)生的寄生電容效應(yīng)[4]，并產(chǎn)生優(yōu)于氮氧化硅膜、氧化硅膜、碳化硅膜、非晶硅膜、氮化硅膜的鈍化效果。然而，氧化鋁膜不能與鋁背場直接接觸，因為金屬鋁經(jīng)燒結(jié)后會對氧化鋁膜產(chǎn)生破壞。因太陽能 2019年5期2019-06-11
- 氮化硅短纖維多孔材料制備與性能研究
76）0 引言氮化硅材料具有高強度、高模量、耐磨性優(yōu)異的力學(xué)性能，同時具有良好的熱穩(wěn)定性、高耐沖蝕、低介電常數(shù)和介電損耗等熱學(xué)和介電性能，是一種綜合性能優(yōu)良的耐高溫透波材料［1-4］，這些特點使其在運載火箭、導(dǎo)彈、飛船、衛(wèi)星等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景［5-6］。但是氮化硅材料在工程應(yīng)用時受到脆性大、可靠性差等陶瓷本征特點的極大制約［7-10］，尤其是對于高氣孔率氮化硅陶瓷材料，不僅可靠性較差，而且制備難度很大，一般的氣孔率都在60%以下，很難得到氣孔率更高的宇航材料工藝 2019年1期2019-03-01
- 添加TiCN相對熱壓燒結(jié)Si3N4陶瓷力學(xué)性能的影響
詞：碳氮化鈦；氮化硅；熱壓燒結(jié)；力學(xué)性能1 前言氮化硅是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì)，本身具有潤滑性，并且耐磨損，為原子晶體;高溫時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會碎裂。氮化硅是多組分、多相結(jié)構(gòu)材料，包括等軸狀的α-Si3N4基體相和長棒狀β-Si3N4晶種，以及晶界和可能的第二相[1]。研究表明，氮化硅材料中的長棒狀β-Si3N4晶粒可以有效提高氮化硅材料的斷裂韌性[2～6]。但是氮化硅佛山陶瓷 2018年4期2018-07-11
- 不同濕度下氮化硅陶瓷摩擦學(xué)性能的研究*
11 研究背景氮化硅在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛，是一種具有一定熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、較高彈性模量的高強度硬陶瓷。不同于一般陶瓷，氮化硅的斷裂韌性高。這些性質(zhì)結(jié)合起來，使氮化硅具有優(yōu)秀的耐熱沖擊性能，能夠在高溫下承受高結(jié)構(gòu)載荷，并具備優(yōu)異的耐磨損性能[1-4]，常用于高耐用性和高溫環(huán)境下，如汽輪機、汽車引擎零件，以及軸承和金屬切割加工零件等[5]。美國的航天飛機就是采用氮化硅制造的主引擎軸承。氮化硅薄膜是硅基半導(dǎo)體常用的絕緣層。由氮化硅制作的懸臂是原子力顯裝備機械 2018年2期2018-07-04
- 精細(xì)霧化拋光氮化硅陶瓷的拋光液配制參數(shù)優(yōu)化
著巨大的挑戰(zhàn)。氮化硅陶瓷材料以其耐高溫、強度高、耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良性能在工業(yè)和國防等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用；由于其自身的硬度高，研磨加工易在氮化硅陶瓷表面產(chǎn)生劃痕和殘余應(yīng)力等表面缺陷，無法獲得高質(zhì)量的氮化硅陶瓷表面，影響零件的使用性能，因此化學(xué)機械拋光成為了對氮化硅陶瓷進行超精密加工的極佳方式[1-2]?；瘜W(xué)機械拋光(chemical mechanical polishing，CMP)是目前公認(rèn)的可有效兼顧局部和全部平坦化的技術(shù)[3]，朱從容采用四種不同的磨料對氮材料科學(xué)與工程學(xué)報 2018年2期2018-05-08
- 高性能氮化硅陶瓷的制備與應(yīng)用新進展
4)0 引 言氮化硅陶瓷是結(jié)構(gòu)陶瓷家族中綜合性能最為優(yōu)良的一類材料，被認(rèn)為是最具有發(fā)展應(yīng)用前景的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷材料之一。氮化硅陶瓷具有較高的抗彎強度以及斷裂韌性，比如熱壓燒結(jié)制備的氮化硅陶瓷，在室溫下，抗彎強度能夠達到800-1050 MPa，斷裂韌性可達到6-7 MPa·m1/2，并且具有較好的耐磨損性和一定的自潤滑能力。因此，氮化硅很適合用于軸承材料的應(yīng)用之中。除此之外，氮化硅陶瓷還具有比較高的理論熱導(dǎo)率(Haggerty等人通過理論計算證明氮化硅陶瓷的陶瓷學(xué)報 2018年1期2018-03-22
- 高熱導(dǎo)率氮化硅散熱基板材料的研究進展
期階段人們認(rèn)為氮化硅的熱導(dǎo)率很低[10]。直到1995年，Haggerty等[11]提出復(fù)雜的晶體結(jié)構(gòu)并非氮化硅低熱導(dǎo)率的原因，而是晶格內(nèi)缺陷、雜質(zhì)等原因，并預(yù)測β-Si3N4陶瓷熱導(dǎo)率可以達到200-320 W/(m·K)。在1999年，Watar等[12]用熱等靜壓法在溫度 2773 K、氮氣壓力200 MPa的條件下制備出了熱導(dǎo)率為155 W/(m·K)氮化硅陶瓷，用實驗的方法證明了氮化硅陶瓷具有很高的熱導(dǎo)率。此外，研究者們對Si3N4熱膨脹系數(shù)，機陶瓷學(xué)報 2018年1期2018-01-28
- 論用于各向同性濕法刻蝕中的氮化硅掩膜
耐刻蝕性很好的氮化硅常被用作頂層掩膜材料。我們通過選擇不同的刻蝕液配比，以便在硅片刻蝕不同的結(jié)構(gòu)，配比不同，氮化硅掩膜的刻蝕速率各不相同?；谶@種認(rèn)識，本文用PECVD及LPCVD兩種不同方法，在型硅片上沉積了560nm和210nm厚的氮化硅薄膜，在分析了它們在不同配比刻蝕液中的刻蝕速率的同時，為科學(xué)制作所需厚度的氮化硅掩膜提供科學(xué)化的參考。關(guān)鍵詞：各向同性刻蝕 掩膜 氮化硅引言隨著科學(xué)技術(shù)發(fā)展，刻蝕技藝日臻完善，低成本的濕法刻蝕法的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛。從完善魅力中國 2017年51期2018-01-27
- 氮化硅等離子體刻蝕工藝研究
00060)?氮化硅等離子體刻蝕工藝研究曲鵬程，唐代飛，向鵬飛，袁安波(重慶光電技術(shù)研究所 工藝中心，重慶 400060)針對氮化硅刻蝕工藝中硅襯底刻蝕損傷的問題。為了提高氮化硅對二氧化硅的刻蝕選擇比，采用CF4，CH3F和O2這3種混合氣體刻蝕氮化硅，通過調(diào)整氣體流量比、腔內(nèi)壓強及功率，研究其對氮化硅刻蝕速率、二氧化硅刻蝕速率及氮化硅對二氧化硅選擇比等主要刻蝕參數(shù)的影響。實驗表明，在CH,F流量為25 ,O2流量為40 sccm，腔內(nèi)壓強為67 Pa，功電子科技 2017年8期2017-07-19
- 一種新型石墨烯/多孔氮化硅復(fù)合材料的制備及性能研究
型石墨烯/多孔氮化硅復(fù)合材料的制備及性能研究錢棟梁，葛道晗，程廣貴，張立強（江蘇大學(xué) 機械工程學(xué)院 微納米科學(xué)技術(shù)研究中心，江蘇 鎮(zhèn)江 212013）基于等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、干法刻蝕技術(shù)、化學(xué)氣相沉積法及腐蝕基底法，制備了一種新型石墨烯與多孔氮化硅復(fù)合材料；該結(jié)構(gòu)的氮化硅襯底具有不同的形貌結(jié)構(gòu)（孔陣列及溝道陣列）。利用掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、拉曼光譜儀對石墨烯/多孔氮化硅復(fù)合材料進行表征和表面應(yīng)力特性研究。結(jié)果表明：不同形貌結(jié)構(gòu)的氮化硅與石墨電子元件與材料 2017年1期2017-01-16
- 高溫高速全陶瓷軸承配合技術(shù)研究
摘要：基于先進氮化硅陶瓷材料的特點，對全陶瓷軸承內(nèi)圈與鋼軸配合的影響因素以及過盈配合動、靜態(tài)極限值進行了分析和實例試驗，證明了給出的全陶瓷軸承與鋼軸配合的分析方法可行，對高科技陶瓷軸承的推廣應(yīng)用具有重要的理論和現(xiàn)實意義。關(guān)鍵詞：全陶瓷軸承；動態(tài)極限值；靜態(tài)極限值；過盈配合；氮化硅；試驗0引言近幾十年來，隨著科學(xué)技術(shù)的進步，滾動軸承的使用環(huán)境和條件越來越苛刻，如高速、高溫、耐腐蝕、強磁性、無油潤滑等惡劣工況，采用脂潤滑和油潤滑的鋼制軸承已不能滿足要求。實踐已智能制造 2016年7期2017-01-11
- 低溫?zé)o壓燒結(jié)氮化硅陶瓷的相變及致密化研究
?低溫?zé)o壓燒結(jié)氮化硅陶瓷的相變及致密化研究白星亮1,喬瑞慶1,張翠敏2(1.沈陽工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,沈陽 110870；2.遼寧省輕工科學(xué)研究院,沈陽 110036)采用氧化鋁(Al2O3)和氧化釔(Y2O3)為燒結(jié)助劑,利用無壓燒結(jié)工藝在低溫下制備氮化硅陶瓷材料。利用XRD和SEM等著重研究了無壓燒結(jié)氮化硅陶瓷低溫階段時的物相組成及其致密化。結(jié)果表明：當(dāng)添加劑含量為10%,燒結(jié)溫度高于1430 ℃時,α→β相轉(zhuǎn)變較快；當(dāng)燒結(jié)溫度達到1510 ℃時硅酸鹽通報 2016年9期2016-11-10
- 氮化硅加入量對碳化硅-氮化硅-莫來石復(fù)相材料氧化層的影響
255000)氮化硅加入量對碳化硅-氮化硅-莫來石復(fù)相材料氧化層的影響張 雍，郝 岑，劉曙光(山東理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,山東 淄博 255000)以莫來石、紅柱石、氮化硅、碳化硅為主要原料，在空氣氣氛下燒成制備碳化硅-氮化硅-莫來石復(fù)相材料，并采用XRD、SEM樣品進行了表征。結(jié)果表明：碳化硅化硅-氮化硅-莫來石復(fù)合材料在燒結(jié)過程中會在試樣表面形成氧化層，分為氧化膜和致密層。氧化膜的主要成分為SiO2，其主要是碳化硅和氮化硅的氧化產(chǎn)物，隨著試樣中氮化山東化工 2016年4期2016-09-05
- Si3N4晶須對TiC0.7N0.3-WC-TaC-Mo-(Ni,Co)金屬陶瓷組織和性能的影響研究
金屬陶瓷; 氮化硅; 微觀組織; 性能0引言鎢是制備切削加工高強度合金的硬質(zhì)合金刀具材料的主要成分，同時也是一種具有戰(zhàn)略意義的原材料。隨著全球鎢價的急劇上漲，作為一種可部分替代硬質(zhì)合金的刀具材料，金屬陶瓷正受到越來越多的關(guān)注[1-2]。Ti(C,N)基金屬陶瓷材料具有極高的硬度和耐磨性，優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性、紅硬性和抗蠕變能力，與金屬間的摩擦系數(shù)低[3-7]，能提高被加工工件的尺寸精度和表面光潔度[8-9]，是一種較理想的切削刀具材料，在汽車和航空制造業(yè)的使功能材料 2016年3期2016-05-25
- 氮化硅陶瓷的制備與應(yīng)用
450006）氮化硅陶瓷的制備與應(yīng)用孫亞光1，2，賀勝利2，劉榮安2，金 昊1，楊文龍1，張宇航2（1. 河南工業(yè)大學(xué)，河南 鄭州 450006； 2. 鄭州駿科納鑫特種陶瓷有限公司，河南 鄭州 450006）論述了氮化硅陶瓷在航天軍工、機械工程、超細(xì)研磨、軸承制造、汽車配件等領(lǐng)域的應(yīng)用，對氮化硅陶瓷的生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展與市場應(yīng)用進行了分析，展望了我國氮化硅行業(yè)的發(fā)展方向。氮化硅；氮化硅陶瓷；粉體0 引 言氮化硅是在人工條件下合成的化合物。雖早在140多年前就直中國陶瓷工業(yè) 2016年5期2016-02-07
- 常壓型氮化硅陶瓷導(dǎo)輥的應(yīng)用前景
203）常壓型氮化硅陶瓷導(dǎo)輥的應(yīng)用前景王歡 （中冶東方工程技術(shù)有限公司上海分公司,上海 201203）導(dǎo)輥是鋼鐵業(yè)高速線材生產(chǎn)的主要易耗件。目前，用碳化鈦鋼結(jié)硬質(zhì)合金制造導(dǎo)衛(wèi)輥（導(dǎo)衛(wèi)輪），是當(dāng)今世界鋼鐵工業(yè)界的共識，但其生產(chǎn)困難，成本非常高。氮化硅陶瓷材料具有高強度、高硬度、耐氧化、耐腐蝕和抗沖擊等優(yōu)良性能，研究氮化硅陶瓷導(dǎo)輥的性能是否能夠滿足工業(yè)生產(chǎn)要求，具有重要的現(xiàn)實意義。氮化硅陶瓷；導(dǎo)輥；常壓0 引言20世紀(jì)80年代以來，高速線材軋機迅速發(fā)展，我國已山東工業(yè)技術(shù) 2015年5期2015-07-26
- 基于VLD終端的光刻對準(zhǔn)標(biāo)記工藝設(shè)計
條件。關(guān)鍵詞：氮化硅；VLD終端；雙層掩膜0 緒論1977 年Τemple 提出的結(jié)終端擴展(JΤE)[1-2]是通過在重?fù)诫s的主結(jié)區(qū)附近通過離子注入 獲得輕摻雜的p 型區(qū)的方法,。1985 年R.Stengl等人提出的橫向變摻雜(VLD)[3-4]是通過漸變的掩膜小窗口離子注入再推進,形成可控的雜質(zhì)分布。每個窗口下得到一個P 區(qū),這些漸變的P 型區(qū),與W. Τant raporn 等人[5-6]1987 年提出的多區(qū)JΤE 的情況類似，但VLD的P型區(qū)摻山東工業(yè)技術(shù) 2015年11期2015-06-13
- 基于lamb波在氮化硅陶瓷葉片及其作摩擦材料鍍層傳播特性的研究
于lamb波在氮化硅陶瓷葉片及其作摩擦材料鍍層傳播特性的研究吳南星，陳正林，廖達海(景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院機械電子工程學(xué)院，江西 景德鎮(zhèn) 333403)摘 要：氮化硅陶瓷以其高強度、耐磨損及高化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性能被應(yīng)用于燃?xì)廨啓C渦輪的靜葉片和金屬基氮化硅陶瓷摩擦材料中。其應(yīng)用的關(guān)鍵是避免制備過程中形成的缺陷。利用Lamb波具有傳播距離遠、檢測速度快的特點實現(xiàn)氮化硅陶瓷靜葉片和金屬基氮化硅陶瓷摩擦材料缺陷檢測。采用二分法繪制lamb波在燃?xì)廨啓C氮化硅陶瓷渦輪葉片和金陶瓷學(xué)報 2015年1期2015-05-28
- 單根氮化硅納米線壓阻效應(yīng)研究
0024)單根氮化硅納米線壓阻效應(yīng)研究畢精會(太原科技大學(xué)，太原 030024)為了實現(xiàn)惡劣環(huán)境下的精密儀器和精確測量，適應(yīng)于惡劣環(huán)境下的壓力傳感器的需求大大增加。首次報道單根氮化硅納米線的橫向壓電效應(yīng)。在不同壓力負(fù)載下，采用導(dǎo)電原子力顯微鏡(CAFM)對單根氮化硅納米線進行壓阻效應(yīng)測量。計算得到橫向壓電效應(yīng)的系數(shù)在1.8～7.5×10-11Pa-1范圍內(nèi)。壓電電阻系數(shù)和負(fù)載壓力之間的關(guān)系幾乎是線性的。穩(wěn)定和可重復(fù)的電流-電壓曲線通過多次循環(huán)往復(fù)測量完成，太原科技大學(xué)學(xué)報 2015年4期2015-05-25
- 剪切增稠拋光加工Si3N4陶瓷的試驗研究*
剪切增稠拋光;氮化硅;流變行為;應(yīng)力狀態(tài);材料去除;精密拋光降低工件表面粗糙度、去除損傷層,并獲得高精度和表面完整性的超精密拋光,一直是超精密加工技術(shù)不斷發(fā)展的重要方向[1-2].近年來,一些先進的拋光技術(shù),如彈性發(fā)射加工(EEM)、化學(xué)機械拋光(CMP)、磁流變拋光(MRF)和磁流變磨粒流拋光(MRAFF)及磁力研磨理論的超聲波振動輔助復(fù)合加工等,已經(jīng)成為獲得超精密光滑表面的重要手段[2- 4].其中,EEM可獲得超光滑無損表面,但材料去除量僅為幾個到幾華南理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2015年9期2015-02-18
- γ輻照聯(lián)合熱交聯(lián)聚碳硅烷先驅(qū)絲熱解制備高強度氮化硅陶瓷纖維
熱解制備高強度氮化硅陶瓷纖維黎 陽1，高家誠2，許云書31.貴州師范大學(xué) 材料與建筑工程學(xué)院，貴州 貴陽 550014；2.重慶大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，重慶 400045； 3.中國工程物理研究院 核物理與化學(xué)研究所，四川 綿陽 621900在空氣氣氛中采用γ射線輻照處理聚碳硅烷(PCS)先驅(qū)絲，輻照先驅(qū)絲經(jīng)Ar中熱交聯(lián)、NH3中熱解氨化、N2中高溫氮化處理制備了氮化硅陶瓷纖維。研究了熱交聯(lián)處理對輻照先驅(qū)絲化學(xué)結(jié)構(gòu)、凝膠含量、氨化陶瓷產(chǎn)率、抗拉強度、微觀核化學(xué)與放射化學(xué) 2014年5期2014-09-01
- PECVD工藝中氮化硅薄膜龜裂研究
ECVD工藝中氮化硅薄膜龜裂研究徐 衡，林洪春，唐 冬（中國電子科技集團公司第四十七研究所，沈陽110032）PE氮化硅薄膜優(yōu)異的物理、化學(xué)性能使其在半導(dǎo)體分立器件、IC電路中常被用作絕緣層、鈍化層而使用。然而，氮化硅龜裂問題是影響其作為鈍化層使用的阻礙因素，因此，科學(xué)的氮化硅工藝條件對其薄膜質(zhì)量的影響非常關(guān)鍵。給出了等離子體化學(xué)氣相淀積（PECVD）氮化硅薄膜技術(shù)的原理，通過實驗驗證，確定了誘發(fā)氮化硅龜裂現(xiàn)象的原因，優(yōu)化工藝條件，確定了PECVD氮化硅的微處理機 2014年4期2014-08-07
- 晶體硅鑄錠用氮化硅涂層失效機理及改性研究
要預(yù)先制備一層氮化硅涂層作為脫模劑。目前，常規(guī)多晶硅鑄錠生產(chǎn)中通常采用噴涂法在坩堝內(nèi)壁制作氮化硅涂層，近期為了追求更高的光電轉(zhuǎn)換效率，鑄錠廠家普遍采用更大的溫度梯度、更為苛刻的長晶工藝生長柱狀晶體以求提高電池光電轉(zhuǎn)換效率，由此導(dǎo)致強度較弱的氮化硅涂層失效，鑄錠生產(chǎn)中粘堝比例大幅度增加。為了增加氮化硅涂層的強度，通常在氮化硅涂層中引入有機黏合劑提高氮化硅涂層致密性。研究發(fā)現(xiàn)，有機物雖然可以增加氮化硅涂層的早期強度，但其殘余卻大幅度降低氮化硅涂層與硅熔體間的非無機鹽工業(yè) 2014年5期2014-06-11
- 氮化硅鐵對鋁碳質(zhì)炮泥性能影響的研究
添加非氧化物如氮化硅、氮化硅結(jié)合碳化硅和氮化硅鐵等來提高鋁碳質(zhì)炮泥的性能，這些非氧化物添加劑具有良好的抗熱震性、抗氧化性、耐沖刷性等優(yōu)點［1－3］。本實驗研究了添加Fe－Si3N4對鋁碳質(zhì)炮泥性能的影響。1 實驗1.1 實驗用原料主要采用白剛玉、焦粉為骨料，絹云母、軟質(zhì)粘土和氮化硅鐵(化學(xué)組成見表1)為細(xì)粉，焦油為結(jié)合劑。表1 氮化硅鐵的化學(xué)組成 wt%1.2 試樣的制備按表2 進行配料，先將90%焦油與粗顆粒白剛玉混合，然后加入中顆粒白剛玉，再加細(xì)粉，最河南冶金 2013年6期2013-08-09
- 軸承用氮化硅球的制造方法
NSK等。雖然氮化硅在工業(yè)陶瓷中不是最硬的，韌性也不是最高的，但是在要求高性能的軸承應(yīng)用中，氮化硅被認(rèn)為具有最佳的機械物理綜合特性，所以用于高性能滾動軸承的陶瓷一般指的就是氮化硅（Si3N4）。2 滾動軸承用陶瓷材料的使用特性陶瓷具有硬度高、耐熱性好、高耐蝕性和重量輕等許多優(yōu)良特點。表 1 為熱壓氮化硅（Si3N4）和滾動軸承鋼的材料特性比較，表 2 為熱壓氮化硅（Si3N4）和滾動軸承鋼的基本差別。圖1 氮化硅球的加工過程3 氮化硅球的制造氮化硅球的制造哈爾濱軸承 2012年3期2012-06-11
- 混合稀土對氮化硅陶瓷材料的密度及硬度的性能影響