唐文婷，張 瑞，陳寶瑨,，李樹琪，王保興，孫云飛，閔嘉華，齊薩仁，蔡 勇

（1.上海大學 材料科學與工程學院，上海 200072；2.中國科學院 蘇州納米技術與納米仿生研究所 納米器件與應用重點實驗室，江蘇 蘇州 215123；3.蘇州科技大學 電子與信息工程學院，江蘇 蘇州 215009；4.寧波天炬光電科技有限公司，浙江 寧波 315301）

引言

近年來，具有良好性能的LED 受到了廣泛的關注[1-3]。隨著其性能的持續(xù)提升和成本的不斷下降，LED 被應用于許多不同的領域，而不同的應用往往需要不同的光場。將具有特定光場形狀的LED光源應用于某一特定的場合，不僅可以提高光的利用效率，節(jié)約能源，降低成本，還能增加人眼的舒適度。光場的研究由來已久，目前光場的研究主要集中在單顆小芯片和LED 芯片陣列上，如板上芯片(chip on board,COB）[4]。

一般LED光源的光場是朗伯型光場，它的光束角一般是120°。光束角的定義是二分之一最大光強所對應的角度范圍。朗伯型光場在一些應用中是有優(yōu)勢的，但在大部分情況下都需要被調(diào)整，但是調(diào)整具有如此大光束角LED光源的光場會帶來二次光學系統(tǒng)設計難度和成本增加的問題。傳統(tǒng)熒光粉涂覆的白光LED 封裝由芯片、熒光粉和基板組成[5]。由于芯片和熒光粉產(chǎn)生的2 種光的光場不匹配，作為衡量人眼舒適度的重要性能要素的空間光色分布均勻性將會受到嚴重影響，這也使得光學透鏡的設計更具挑戰(zhàn)性[6]。空間光色分布均勻性一般有兩種表示方法：一種是用全空間中色溫（correlated color temperature,CCT）隨角度變化的曲線表示[7-8]；另一種是用遠場中黃光光輸出功率與藍光光輸出功率之比（P(B)/P(Y)）隨角度變化的曲線表示[9-11]。

當前大部分的研究都集中在二次自由表面光學系統(tǒng)上。Hu 等人[12]構造了二次雙自由曲面透鏡的擬合曲線。Le 等人[13]提出了一種改進的網(wǎng)格方法來設計具有花瓣狀光場的二次自由曲面透鏡?；趲缀喂鈱W分析和自由曲面構造，Chen 等人[14]設計了一個二次LED 準直自由曲面透鏡。與二次光學系統(tǒng)相比，一次光學透鏡更緊湊，體積更小，質(zhì)量更輕，還能提高LED光源的光提取效率（light extraction efficiency,LEE）。隨著芯片面積的擴大，一次光學透鏡的優(yōu)勢將會更加明顯。目前有關LED 一次透鏡的研究報道很少，Wang 等人[4]報道了用于道路照明應用的一次光學透鏡封裝的LED 芯片陣列的仿真。Lee 等人[15]研究了帶有一次光學透鏡的芯片陣列的顏色混合。而關于用一次光學透鏡調(diào)控單片集成發(fā)光二極管（monolithically integrated light-emitting diode,MI-LED）光源光場的實驗研究則沒有報道。

本文用Tracepro 仿真軟件設計了用于50 W 氮化鎵基MI-LED 芯片的一次光學透鏡，根據(jù)仿真結構模型制備了封裝有一次透鏡的熒光粉涂覆的白光LED光源，用光譜儀和光電測試系統(tǒng)對其進行了表征。

1 大功率單片集成發(fā)光二極管

MI-LED 芯片內(nèi)部包含1 個由相互電學隔離的單胞（即1 個基本的二極管單元）通過金屬互聯(lián)連接而成的拓撲結構[16-17]。MI-LED 芯片內(nèi)單胞的制作和電學連接是在微米級半導體工藝中形成的，MI-LED 芯片具有比芯片陣列更緊湊和功率密度更大的優(yōu)點。相同功率下，尺寸更小的MI-LED 更適合用于一次透鏡封裝，這樣可以減小一次透鏡的體積。如圖1所示，本研究中使用的50 W 氮化鎵基藍光MI-LED 芯片包含1 個由36 個單胞串聯(lián)連接組成的拓撲結構。表1 列出了50 W 氮化鎵基藍光MI-LED 芯片的主要參數(shù)。

圖1 50 W 氮化鎵基藍光MI-LED 芯片F(xiàn)ig.1 50 W GaN-base blue light MI-LED chip

表1 50 W 氮化鎵基藍光MI-LED 芯片參數(shù)Table 1 50 W GaN-base blue light MI-LED chip parameters

2 一次透鏡設計

一次光學透鏡的結構和參數(shù)分別如圖2 和表2所示。一次光學透鏡具有2 個表面：頂部球面和側面拋物面。如圖2所示，透鏡的上直徑用L1 表示，下直徑用L2 表示，R是球面的半徑，H是球面的高度，拋物線焦點位于透鏡的下表面內(nèi)。如圖3（a）所示，光從熒光粉層入射到透鏡時，大角度的光首先被側面拋物面反射到光軸方向，然后被頂部球面折射出去，而小角度的光則通過頂部球面朝光軸方向直接會聚。

圖2 一次透鏡結構參數(shù)網(wǎng)格圖Fig.2 Grid diagram of structural parameters of primary optical lens

表2 一次透鏡結構參數(shù)Table 2 Structural parameters of primary optical lens

圖3 仿真效果圖Fig.3 Effect diagram of simulation

光線在透鏡中的傳播通過光線追蹤軟件（Tracepro）進行模擬。仿真LED光源的結構模型和光在透鏡中傳播的示意圖如圖3（a）所示，封裝有一次透鏡LED光源的光跡追蹤示意圖如圖3（b）所示。表3 列出了仿真LED光源的幾何模型參數(shù)。

表3 仿真LED光源模型的關鍵參數(shù)Table 3 Key parameters of simulated LED light source model

這項工作的目的是初步驗證一次光學透鏡對大功率白光MI-LED光源光場調(diào)控的實驗可行性，而不在于用專業(yè)的光學設計原理設計復雜的透鏡結構。

3 實驗

為了驗證一次透鏡對光場的調(diào)控效果，首先基于模具倒模技術制備了與仿真透鏡結構參數(shù)一樣的4 個硅膠透鏡，然后將硅膠透鏡無縫粘貼于LED光源表面，從而得到加一次透鏡的白光LED光源。制作加一次透鏡的白光LED光源主要有3 步：第1 步是準備白光LED光源。通過銀環(huán)氧樹脂粘合劑將藍光MI-LED 芯片粘貼在沉金的銅芯PCB 上，然后將硅膠滴在藍光MI-LED 芯片周圍形成圍壩。金線鍵合后，將混合有黃光Ce∶YAG磷光體晶體的硅樹脂滴到藍光MI-LED 芯片上，在90 ℃的烤箱中加熱2 h，在180 ℃的烤箱加熱1 h。第2 步是制備硅膠透鏡。制備透鏡的倒模模具如圖4所示，為了方便加工，將模具設計分為上、下2 個獨立的部分。上面的A 部分包括4 個可拆卸部分，每個部分都定義了一種拋物面結構，下面的B 部分是限定4 種透鏡頂部表面形狀的整體?；诘鼓＜夹g制備了4 個不同結構的硅膠透鏡，透鏡的制作過程包括：1）將硅膠（n=1.4）注入到倒模模具中；2）抽真空除去氣泡；3）加熱固化；4）冷卻并取出透鏡。第3 步，將4 個硅膠透鏡無縫地連接到白光LED光源（即沒有加載一次透鏡的白光LED光源，如圖5所示）上得到如圖6所示的LED光源。加一次透鏡的LED光源在點亮和不點亮時的俯視圖如圖7所示。

圖4 用于制備一次透鏡的倒模模具視圖Fig.4 View of inverted mold used for preparation of primary optical lens

圖5 沒有加載一次透鏡的白光LED光源Fig.5 White light LED light source without primary optical lens

圖6 加不同結構一次透鏡的白光LED光源Fig.6 White light LED light source with primary optical lens of different structures

圖7 加一次透鏡的白光LED光源的俯視圖Fig.7 Top view of white light LED light source with primary optical lens

4 結果與分析

4.1 光提取效率

由于氮化鎵芯片（n=2.35）與空氣（n=1）之間的折射率差異，大部分光不能入射到空氣中，導致LED光取出效率低。對于COB 白光LED光源，LED 芯片表面的混合有熒光粉的有機樹脂層（n=1.4）可以提高藍光的光取出效率。但是仍然有一些藍光和黃光受到平坦表面引起的全內(nèi)反射（total internal reflection,TIR）的影響無法逃逸到空氣中，導致LED光源的LEE 不高。由于一次透鏡可以在一定程度上破壞TIR 條件，所以可以提高LED光源的LEE。

LED光源的光提取效率如表4所示，加一次硅膠透鏡的LED光源E1、E2、E3 和E4 的光提取效率分別提高了8.19%、9.89%、7.23%和6.22%。研究表明，LED光源的光提取效率主要取決于一次透鏡的結構，即拋物線曲率、拋物面高度以及球心與熒光粉層之間的距離。同時在設計的光學透鏡中，還應考慮藍光和黃光的轉(zhuǎn)換機理以及藍光和黃光的空間分布。拋物線曲率越大，拋物面高度越小，球心與熒光粉層之間的距離越短，光提取效率越高。

表4 LED光源的光提取效率Table 4 Light extraction efficiency of LED light source

4.2 光場分布

仿真和實驗LED光源的歸一化光場分布曲線如圖8所示。方案1 仿真結果表示加一次透鏡的仿真LED光源；方案1 實測結果表示加一次透鏡的實驗LED光源；無透鏡實測結果表示沒有加一次透鏡的實驗LED光源。實驗制備的LED光源E（i）（i=1,2,3,4）與仿真時的LED光源S（i）具有相同結構參數(shù)的一次透鏡。如圖8所示，仿真和實驗光場基本重合，說明實驗結果與仿真結果之間具有良好的一致性。從表5 的仿真和實驗LED光源的光束角數(shù)據(jù)可知，加具有相同結構參數(shù)一次透鏡的實驗LED光源和仿真LED光源的光束角大小基本一致。存在一定差距的原因如下：1）仿真LED光源模型經(jīng)過了簡化處理。例如：藍光光源和黃光光源被設置為兩個獨立的發(fā)光表面，沒有設置熒光粉晶體對光的散射作用的相關系數(shù)；2）光跡追蹤的光線數(shù)不夠；3）實驗制備的硅膠透鏡表面不夠光滑存在光的散射。

圖8 極坐標下LED光源的歸一化光場分布曲線Fig.8 Distribution curves of LED light source in polar coordinates under normalized optical field

表5 仿真和實驗LED光源的光束角Table 5 Beam angles of simulated LED light source and experimental LED light source

從表5 中可知，樣品E1、E2、E3 和E4 的光束角分別為48°、72°、60°和55°。在50 W 白光LED光源中，由于MI-LED 芯片更加緊湊，所以透鏡的尺寸較小。應該指出的是，本次工作的一次透鏡是未完全優(yōu)化的，如果透鏡被完全優(yōu)化，透鏡尺寸將會進一步縮小。

4.3 空間光色分布

本實驗使用的光源是藍光芯片加黃光熒光粉得到的白光LED光源。受測試設備的限制，本實驗表征空間光色均勻性采用的是較為簡單的黃、藍光光功率之比P(Y)/P(B)隨角度的變化曲線[18]。在相同的驅(qū)動電流下，在探測器前面分別加黃光和藍光濾光片進行測試，最終得到兩種光的空間分布曲線，然后通過計算得到P(Y)/P(B)隨角度的變化曲線。

實驗制備的LED光源的空間光色分布曲線如圖9所示，實線表示加一次透鏡的LED光源，虛線表示沒有加一次透鏡的LED光源。在0°～85°范圍內(nèi)，曲線單調(diào)遞增，P(Y)/P(B)增加了75%，在?60°～60°光束角范圍內(nèi)，P(Y)/P(B)增加了40%。在熒光粉涂覆的白光LED光源中，藍光由芯片產(chǎn)生，黃光由混合在硅膠層中的熒光粉激發(fā)產(chǎn)生。根據(jù)Snell 定理，射到空氣中的藍光和黃光的光場都是朗伯型光場，但是藍光的光束角比黃光的光束角小。這一差距來源于氮化鎵與空氣的折射率差大于氮化鎵與硅膠的折射率差[19]，所以藍光在小角度上更加集中。換句話說，這種白光光源在小角度上更像是“冷光源”，在大角度上更像是“暖光源”。加一次透鏡后LED光源的P(Y)/P(B)在全空間中的變化幅度比沒有加一次透鏡LED光源的P(Y)/P(B)小，說明加一次透鏡后LED光源的空間光色分布更加均勻，所設計的4 個一次透鏡能提高LED光源的光品質(zhì)。

圖9 LED光源的空間光色分布曲線Fig.9 Spatial light color distribution curves of LED light source

5 結論

本文對一次光學透鏡調(diào)控白光MI-LED光源光場進行了初步實驗研究。實驗結果表明4 個一次透鏡將白光MI-LED光源的光束角從120°降到了48°～72°范圍內(nèi)。初步研究顯示一次透鏡不僅能夠調(diào)控白光MI-LED光源的光場，還能提高LED 的光取出效率，增加空間光色分布的均勻性。值得一提的是本文中透鏡并未完全優(yōu)化，完全優(yōu)化的透鏡有望進一步地減小體積并提高LED光源的性能。

由于成本低、結構緊湊和集成度高的優(yōu)點，MI-LED 在未來大功率照明應用中具有巨大的潛力。隨著LED 向高質(zhì)量和小型化方向發(fā)展，LED的一次光學透鏡封裝將有望得到應用。