(包頭輕工職業(yè)技術(shù)學(xué)院 能源工程系, 內(nèi)蒙古 包頭 014035)
當(dāng)前,低反射率材料已成為許多傳感器部件的重要應(yīng)用材料之一,能夠顯著減弱低溫部件受到高溫環(huán)境的熱輻射影響[1-2]。但部件受到高溫作用后會(huì)在表面產(chǎn)生氧化產(chǎn)物,導(dǎo)致表面輻射性能發(fā)生變化,從而將更多熱量通過熱輻射方式傳導(dǎo)至低溫部件[3]。為了增強(qiáng)對(duì)低溫部件的保護(hù)作用,需要開發(fā)具備更優(yōu)熱穩(wěn)定性的低反射率材料。例如,有學(xué)者采用金與鉑制成金屬涂層,從而實(shí)現(xiàn)低反射率的性能,有效控制高溫部件產(chǎn)生的熱輻射[4-6]。但由于在高溫環(huán)境中,部件的表面會(huì)生成許多氧化物,并且受到基體元素的擴(kuò)散影響,導(dǎo)致結(jié)構(gòu)涂層達(dá)到更高紅外反射率。為了降低表面紅外輻射功率,可通過金屬層與陶瓷層共同復(fù)合結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn),同時(shí)顯著提高材料力學(xué)強(qiáng)度并獲得更優(yōu)的化學(xué)穩(wěn)定性[7]。在復(fù)合層中,金屬層可以有效反射紅外輻射,從而顯著降低涂層的紅外反射率,同時(shí)陶瓷層因具備高硬度與良好的化學(xué)惰性,能夠?qū)ν繉影l(fā)揮良好的表面保護(hù)作用,避免受到機(jī)械損傷?,F(xiàn)階段,AlCrN陶瓷已成為許多抗高溫材料表面保護(hù)結(jié)構(gòu),表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。受到高溫作用后,陶瓷層的表面會(huì)生成致密組織結(jié)構(gòu)的Al2O3與Cr2O3產(chǎn)物,有效抑制氧元素往內(nèi)部組織擴(kuò)散的過程[8-10]。還有學(xué)者將Si元素?fù)饺階lCrN陶瓷層內(nèi),從而顯著增強(qiáng)陶瓷層的抗高溫氧化能力,達(dá)到更優(yōu)的熱穩(wěn)定性[11-12]。但到目前為止,還沒有文獻(xiàn)報(bào)道涂層發(fā)生低紅外反射性能失效的作用機(jī)制,需要根據(jù)經(jīng)驗(yàn)預(yù)測(cè)合適的工作溫度,以此分析涂層發(fā)生高溫失效的作用機(jī)理,為優(yōu)化陶瓷層抗擴(kuò)散能力提供參考價(jià)值,同時(shí)確定涂層最佳工作溫度。
本文選擇多弧離子鍍工藝,并以Ni-11Cr合金作為基材,制得具備低紅外反射率的Cr/AlCrN與Cr/AlCrSiN涂層,并對(duì)上述兩種涂層熱處理后的表面微觀組織、元素含量及紅外反射率進(jìn)行測(cè)試。
以Ni-11Cr合金作為基材,通過表面打磨的方式控制表面均方根粗糙度在50~60 nm之內(nèi)。本試驗(yàn)在HPARC-I多弧離子鍍儀器上完成,在Ni-11Cr合金表面制得Cr/AlCrN與Cr/AlCrSiN涂層,經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)這兩種涂層的紅外反射率都<0.2,表現(xiàn)出較低的數(shù)值。涂層制備前,采用乙醇試劑對(duì)基體持續(xù)進(jìn)行15 min超聲清洗,之后利用烘箱將基體充分烘干后待用。對(duì)基體材料實(shí)施預(yù)處理,充分去除氧化物、油污等雜質(zhì),把基體放入多弧離子鍍真空腔中,再抽真空使壓力達(dá)到 6×10-3Pa以下,接著通入Ar氣,并設(shè)置800 V偏壓,經(jīng)5 min預(yù)濺射處理,確保表面雜質(zhì)被徹底清除。
表1給出了上述兩種涂層的制備工藝條件,設(shè)定腔體氣壓為0.5 Pa,施加60 A的弧電流,占空比70%,基體偏壓-120 V,同時(shí)控制沉積溫度為220 ℃。
表1 Cr/AlCr(Si)N涂層制備工藝參數(shù)
以Lindberg/BlueM真空管式爐與SX2-4-10馬弗爐作為加熱設(shè)備對(duì)涂層進(jìn)行真空熱處理,持續(xù)退火8 h,以5 ℃/min的速率升溫到設(shè)定溫度(700~900 ℃)并保持10 min,然后空冷。通過Empyrean X射線衍射儀表征涂層的物相成分與晶體組織結(jié)構(gòu)。同時(shí)利用JEM-2100F場(chǎng)發(fā)射透射電鏡觀察涂層的微觀結(jié)構(gòu)。利用Tensor 27型傅里葉變換紅外光譜儀觀察涂層的紅外反射率R(λ,T)(2~2.5 μm)。
圖1為真空熱處理前Cr/AlCrSiN與Cr/AlCrN涂層的XRD圖譜。可以看到,真空熱處理前兩種涂層都形成了Cr(100)晶面和Cr(201)晶面的特征峰,屬于面心立方晶體結(jié)構(gòu),呈現(xiàn)沿(100)晶面取向生長的特點(diǎn),同時(shí)也觀察到AlN(011)晶面特征峰。且兩種涂層的XRD表征未觀察到強(qiáng)度很高的衍射峰,表現(xiàn)為納米晶與非晶的組織形態(tài)。
圖1 真空熱處理前Cr/AlCr(Si)N涂層的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of the Cr/AlCr(Si)N coatings before vacuum heat treatment
圖2 試驗(yàn)涂層真空熱處理后的XRD圖譜Fig.2 XRD patterns of the tested coatings after vacuum heat treatment(a) Cr/AlCrN; (b) Cr/AlCrSiN
圖2給出了不同溫度真空熱處理后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層的XRD圖譜。根據(jù)圖2可知,兩種涂層經(jīng)800 ℃熱處理后,XRD圖譜上出現(xiàn)的Cr2O3與Al2CrO3的特征峰不明顯;900 ℃熱處理后,氧化物晶體結(jié)構(gòu)特征衍射峰明顯增加。這是因?yàn)檩^高的熱處理溫度更容易引起陶瓷層的氧化。同時(shí)根據(jù)檢測(cè)到的Al2CrO3相可以判斷在涂層表面生成了(Al, Cr)2O3混合氧化物,但無法精確確定Al與Cr的原子比,這主要是因?yàn)镃r2O3可以在Al2O3內(nèi)達(dá)到很高的溶解度。
圖3為真空熱處理前Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層的表面和截面SEM形貌,表2給出了測(cè)點(diǎn)的元素分析。由圖3和表2可知,兩種涂層的組織呈柱狀形態(tài)。在Cr/AlCrN、Cr/AlCrSiN涂層中Al與Cr的原子比依次為1.81與2.08。對(duì)陶瓷層進(jìn)行X射線衍射表征,發(fā)現(xiàn)其晶體組織屬于納米晶與非晶類型,對(duì)Cr/AlCrN涂層進(jìn)行觀察發(fā)現(xiàn),在Cr/AlCrN涂層中Cr元素含量較高,容易形成hcp-CrN納米晶;對(duì)Cr/AlCrSiN涂層進(jìn)行觀察發(fā)現(xiàn),在非晶AlCrN中形成了粒徑尺寸均勻的hcp-AlN納米晶[13]。這是因?yàn)楫?dāng)Al與Cr的原子比大于1.9后,Al原子會(huì)在固溶體中析出,進(jìn)而與N形成hcp-AlN納米晶。
表2 試驗(yàn)涂層的EDS分析(原子分?jǐn)?shù),%)Table 2 EDS analysis of the tested coatings (atom fraction, %)
圖4給出了真空熱處理前和800 ℃真空熱處理后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層的TEM形貌。可以明顯看到,熱處理前的涂層主要由非晶組織構(gòu)成,由此可以判斷陶瓷層是一種納米晶-非晶組織。經(jīng)800 ℃熱處理后,Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層內(nèi)的非晶組織AlCrN發(fā)生了結(jié)晶,轉(zhuǎn)變?yōu)槊嫘牧⒎紺r(Al)N相。Cr/AlCrSiN 涂層具備更高結(jié)晶溫度,主要是因?yàn)樵诜蔷lCrSiN介質(zhì)中形成了均勻分布的Si3N4,呈現(xiàn)明顯的非晶組織特征[14]。Cr(Al)N相生成的晶界起到了擴(kuò)散通道的作用,促進(jìn)了O元素往涂層內(nèi)部進(jìn)一步擴(kuò)散。
圖4 Cr/AlCrN(a, c)和Cr/AlCrSiN(b, d)涂層的TEM形貌(a,b)真空熱處理前;(c,d)800 ℃真空熱處理后Fig.4 TEM morphologies of the Cr/AlCrN(a, c) and Cr/AlCrSiN(b, d) coatings(a,b) before vacuum heat treatment; (c,d) after vacuum heat treatment at 800 ℃
圖5 真空熱處理前后試驗(yàn)涂層的紅外反射圖譜Fig.5 Infrared reflectance spectra of the tested coatings before and after vacuum heat treatment(a) Cr/AlCrN; (b) Cr/AlCrSiN
由真空熱處理前后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層的反射圖譜(見圖5)及反射率統(tǒng)計(jì)(見表3)可知,Cr/AlCrSiN涂層具備更高紅外穩(wěn)定反射率,這是因?yàn)樘砑覵i元素后,使陶瓷層達(dá)到了更高電子濃度,導(dǎo)致費(fèi)米能級(jí)更接近導(dǎo)帶,同時(shí)引起吸收譜與反射譜左移。由圖5還可以看到,在波長4.0~4.5 μm之間出現(xiàn)吸收峰,這是由于吸收了紅外穩(wěn)定反射率測(cè)定過程空氣中的CO2引起的,波長處于5.8~7 μm之間的吸收峰是因吸收空氣中的H2O引起的。經(jīng)800 ℃真空熱處理后,Cr/AlCrN與Cr/AlCrSiN涂層紅外穩(wěn)定反射率都發(fā)生較大變化,其值分別為0.681 與0.708。繼續(xù)升高溫度,兩個(gè)涂層紅外穩(wěn)定反射率分別增大至0.685與0.711。這是因?yàn)镺元素通過晶界往更深處擴(kuò)散,引起陶瓷層的內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生氧化,使涂層中產(chǎn)生大量氧化物,導(dǎo)致紅外穩(wěn)定反射率增大。
表3 真空熱處理前后試驗(yàn)涂層的紅外穩(wěn)定反射率統(tǒng)計(jì)
為了衡量涂層與基體之間的擴(kuò)散能力,以基體Ni元素為參考,表4給出了真空熱處理前后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層中Ni元素?cái)U(kuò)散系數(shù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果。在保持其它參數(shù)恒定的條件下,Ni擴(kuò)散系數(shù)和溫度之間呈現(xiàn)單調(diào)增加的變化趨勢(shì)。在涂層非晶-納米晶組織保持恒定的狀態(tài)下,對(duì)Cr/AlCrN與Cr/AlCrSiN涂層進(jìn)行900 ℃熱處理后,Ni擴(kuò)散系數(shù)分別為14.86 與52.34 μm2/s。結(jié)合圖4可知,熱處理加強(qiáng)了涂層內(nèi)部非晶結(jié)構(gòu)的結(jié)晶能力,其具有無晶界特性,對(duì)Ni擴(kuò)散起到了明顯促進(jìn)作用。
表4 真空熱處理前后試驗(yàn)涂層中Ni元素?cái)U(kuò)散系數(shù)統(tǒng)計(jì)
1) 真空熱處理后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN兩涂層形成了Cr2O3與Al2CrO3對(duì)應(yīng)的特征峰,900 ℃熱處理后,氧化物晶體結(jié)構(gòu)特征衍射峰明顯增加。
2) 兩種涂層的組織呈柱狀形態(tài)。在Cr/AlCrN涂層中存在許多hcp-CrN納米晶;在Cr/AlCrSiN涂層中形成了粒徑尺寸均勻的hcp-AlN納米晶。經(jīng)熱處理后,Cr/AlCrSiN與Cr/AlCrN涂層內(nèi)的非晶組織AlCrN發(fā)生了結(jié)晶,轉(zhuǎn)變?yōu)槊嫘牧⒎紺r(Al)N相。
3) Cr/AlCrSiN涂層具備更高紅外穩(wěn)定反射率,添加Si后使陶瓷層達(dá)到了更高電子濃度,引起吸收譜與反射譜左移。真空熱處理溫度越高,兩種涂層的紅外穩(wěn)定反射率越大。Ni擴(kuò)散系數(shù)和溫度之間呈現(xiàn)單調(diào)增加的變化趨勢(shì)。