李 姚,鄭子軒，蒲紅斌

(1.西安理工大學(xué)電子工程系，西安 710048; 2.西安電子科技大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，西安 710071;3.西安市電力電子器件與高效電能變換重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，西安 710048)

0 引 言

隨著GaN基高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor, HEMT)技術(shù)在商用固態(tài)功率開關(guān)和RF功率放大器領(lǐng)域的應(yīng)用，自熱效應(yīng)(高場下，由于聲子散射增強(qiáng)導(dǎo)致載流子遷移率退化，從而造成漏電流降低的現(xiàn)象)對器件工作性能和可靠性的影響得到了越來越多的關(guān)注。將GaN基HEMT器件與高熱導(dǎo)率的襯底材料(如SiC或金剛石)結(jié)合可以顯著增強(qiáng)器件的熱耗散性能。近年來隨著人工合成金剛石技術(shù)和設(shè)備的進(jìn)一步發(fā)展，金剛石襯底上GaN(GaN on diamond, GOD) HEMT器件已被廣泛報(bào)道，研究表明，相比SiC襯底上的GaN HEMT器件，該結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)RF功率密度的3.6倍增長[1]。

然而，用化學(xué)氣相淀積(chemical vapor deposition, CVD)技術(shù)生長的多晶金剛石(polycrystalline diamond, PCD)薄膜由于在晶粒邊界上存在較強(qiáng)的聲子散射，會導(dǎo)致其熱導(dǎo)率低于體單晶金剛石中的值。此外，PCD復(fù)雜的顯微結(jié)構(gòu)也會影響金剛石薄膜的熱輸運(yùn)特性[2]，成核和合并會在生長界面數(shù)十納米范圍內(nèi)產(chǎn)生高濃度的小晶粒，這些晶粒邊界以及可能存在的缺陷和雜質(zhì)會導(dǎo)致該區(qū)域的熱導(dǎo)率顯著降低；其次，隨著晶粒生長，橫向晶粒尺寸隨距生長界面距離的增加而增大，造成熱導(dǎo)率的不均勻性；最后，生長過程中晶粒的競位生長會導(dǎo)致柱狀晶粒結(jié)構(gòu)的形成，最終橫向晶粒邊界密度遠(yuǎn)高于垂直方向的晶粒邊界密度，導(dǎo)致面內(nèi)熱導(dǎo)率低于截面熱導(dǎo)率[3]。因此，為了準(zhǔn)確估計(jì)GOD HEMT的器件熱阻，需要計(jì)入PCD襯底不均勻且各向異性的熱導(dǎo)率的影響。

Sood等[2]采用時(shí)域熱反射技術(shù)測量了金剛石薄膜的各向異性且不均勻的熱導(dǎo)率，并用晶粒邊界散射和晶粒尺寸演變有關(guān)的模型進(jìn)行了解釋。Anaya等[4]通過改變金剛石生長條件調(diào)控金剛石橫向晶粒尺寸，增加了金剛石面內(nèi)熱導(dǎo)率，并用晶粒尺寸和晶粒/晶粒界面質(zhì)量對聲子平均自由程的限制進(jìn)行了解釋。Cheng等[5]用時(shí)域熱反射技術(shù)測量了高質(zhì)量CVD金剛石膜的各向異性熱導(dǎo)率，并與理論模型進(jìn)行了擬合。Song等[6]利用不考慮GaN層中外部缺陷和界面散射的GaN面內(nèi)熱導(dǎo)率，擴(kuò)散失配模型預(yù)測的GaN/金剛石邊界熱阻和非均勻/各向異性的金剛石熱導(dǎo)率，通過有限元計(jì)算得到了GOD HEMT器件的最低可能熱阻。Zou等[7]用有限元熱仿真研究了器件的熱耗散過程，考慮了PCD中與深度有關(guān)的各向異性熱導(dǎo)率，發(fā)現(xiàn)金剛石膜生長初期較低的熱導(dǎo)率對器件熱阻有重要影響。本文中，利用Darwish等[8-10]建立的AlGaN/GaN器件熱阻解析模型，研究了PCD襯底各向異性且非均勻的熱導(dǎo)率對GOD HEMT器件結(jié)溫的影響，結(jié)合FEM仿真模型提取了襯底的有效熱導(dǎo)率，并計(jì)算了其與柵長、柵寬、柵指間距、金剛石襯底層厚度以及耗散功率的依賴關(guān)系。

1 理論模型

文中采用如圖1(a)所示典型的GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)。由于AlGaN勢壘層通常很薄，僅幾十納米，可忽略其對熱阻貢獻(xiàn)。同樣，GaN和襯底層之間插入的成核層厚度也很小，對熱阻的影響也忽略不計(jì)。因此，GaN HEMT器件可簡化為一個(gè)具有兩層結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，其頂部具有一個(gè)長且薄的熱源，底部是一個(gè)等溫表面。根據(jù)文獻(xiàn)[8-10]的分析，可將該兩層結(jié)構(gòu)分為三個(gè)不同的區(qū)域，GaN HEMT器件的熱阻Rtotal等于這三個(gè)區(qū)域的熱阻之和，即Rtotal=RⅠ+RⅡ+RⅢ。其中RⅠ、RⅡ和RⅢ分別表示區(qū)域Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ的熱阻。

圖1 (a)多柵指GaN HEMT器件的截面圖，s為柵指間距，Ⅰ～Ⅲ表示不同的熱擴(kuò)散區(qū)域；(b)器件1/4結(jié)構(gòu)中區(qū)域Ⅰ～Ⅲ的典型等溫面圖Fig.1 (a) Cross section of multi-fingers GaN HEMT, s denotes the gate spacing, Ⅰ～Ⅲ represent different heat spreading regions; (b) typical isothermal surfaces for regions Ⅰ～Ⅲ in a quarter model of HEMT device

如圖1(b) 所示:區(qū)域Ⅰ是圓柱形的等溫面，圓柱長度沿垂直紙面的方向；區(qū)域Ⅱ是長球形的等溫面；區(qū)域Ⅲ是橢圓柱形的等溫面，圓柱長度沿紙面方向。因此，兩個(gè)共焦等溫面AⅠ和BⅠ之間的熱阻為區(qū)域Ⅰ的熱阻，兩個(gè)半平面共焦等溫面AⅡ和BⅡ之間的熱阻為區(qū)域Ⅱ的熱阻，等溫面AⅢ和BⅢ之間的熱阻為區(qū)域Ⅲ的熱阻。假設(shè)材料具有常數(shù)熱導(dǎo)率，基于拉普拉斯方程在長球和圓柱坐標(biāo)系中的解，各區(qū)域的熱阻具有如下的形式[8]：

(1)

(2)

(3)

然而，材料熱導(dǎo)率并不是固定不變的，它通常隨溫度的增加而減小，滿足k(T)=kT0(T/T0)-α，其中α是常數(shù)，kT0是溫度T0下的熱導(dǎo)率，T0是參考溫度，T是器件工作溫度。在熱傳導(dǎo)方程中用基爾霍夫變換(Kirchhoff’s transformation)計(jì)入熱導(dǎo)率與溫度的依賴關(guān)系后，實(shí)際溫度可以表示為[9]:

(4)

式中：ΔTlin是線性溫度增加量；Tnon-lin表示計(jì)入非線性熱導(dǎo)率時(shí)的溫度。

最終，器件的溝道溫度可以表示為Tch=TBase+ΔTSub+ΔTGaN，其中ΔTSub和ΔTGaN分別表示襯底和GaN外延層中的溫度增量，用耗散功率和各自熱阻的乘積(式(1)和(2)(3))計(jì)算，TBase表示襯底底部的溫度。而為了考慮與溫度有關(guān)的襯底和GaN層熱導(dǎo)率，應(yīng)用式(4)，對襯底層取T0=TBase，ΔTlin=ΔTSub，得到襯底/GaN層界面真實(shí)的工作溫度TSub；對GaN層取T0=TSub，ΔTlin=ΔTGaN，得到真實(shí)的器件溝道溫度TGaN。具體地，TSub和TGaN的計(jì)算式分別為[10]：

(5)

(6)

式中：αSub和αGaN是襯底和GaN材料熱導(dǎo)率模型中溫度的指數(shù)項(xiàng)系數(shù)。

上述模型考慮了非線性且均勻的材料熱導(dǎo)率，較準(zhǔn)確地計(jì)算了溝道溫度。然而，PCD襯底顯微結(jié)構(gòu)表征圖像中顯示[2]，PCD晶粒具有柱狀形貌，晶粒邊界沿垂直于金剛石生長界面方向。Sood等[2]將PCD晶粒建模為一個(gè)從平坦成核層表面生長的梯形區(qū)域，平行于界面方向的晶粒尺寸隨距成核界面的距離z線性增加，表示為〈dr〉=az+d0，其中d0是成核界面的晶粒尺寸，a是晶粒演變速率，z是距成核界面的距離，該關(guān)系可以近似描述為〈dr〉=0.066z+130 nm。垂直方向的晶粒尺寸表示為:

(7)

式中：L表示金剛石膜的厚度；ξ=z/L，β=d0/L；g是生長過程中晶粒存活率的倒數(shù)。

考慮到經(jīng)典的尺寸效應(yīng)，垂直和水平方向的聲子平均自由程λz和λr可以用體金剛石的聲子平均自由程λbulk和局部晶粒尺寸〈dr〉和〈dz〉以Matthiessen 定則來計(jì)算：

(8)

假設(shè)金剛石的平均自由程與頻率無關(guān)(gray approximation)，取λbulk為1 μm[2]，每個(gè)晶粒內(nèi)的局部熱導(dǎo)率可以表示為:

(9)

式中：kbulk為體熱導(dǎo)率，根據(jù)第一性原理計(jì)算取kbulk=3 000 W/(m·K)[11]。考慮到晶粒邊界對熱流的阻礙，在晶粒中加入了邊界熱阻RGB，最終凈局部熱導(dǎo)率可以計(jì)算為:

(10)

根據(jù)仿真和理論計(jì)算[2,5,7,12]，成核界面的晶粒尺寸d0，晶粒演變速率a，生長過程中晶粒存活率的倒數(shù)g和邊界熱阻RGB，分別取值為130 nm、0.066、2和0.1 m2·K·GW-1，由此得到350 μm厚度范圍內(nèi)的PCD熱導(dǎo)率如圖2所示。

圖2 沿面內(nèi)(kr)和界面(kz)方向的PCD熱導(dǎo)率與距成核界面生長深度的依賴關(guān)系。圖中短劃線為各區(qū)間熱導(dǎo)率沿厚度方向的平均值Fig.2 Relation of PCD thermal conductivity along in-plane (kr) and cross-plane (kz) directions with the growth depth from nucleation interface. Dot dash lines indicate the averaged thermal conductivity over each sublayer

2 結(jié)果與討論

2.1 模型驗(yàn)證與仿真

為了檢驗(yàn)計(jì)算結(jié)果的準(zhǔn)確性，用三維FEM熱仿真對如圖1所示的GaN HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行理論建模，提取器件結(jié)溫最大值。其中，邊界條件的設(shè)定為[8]：(1)在柵下設(shè)置常數(shù)熱通量作為熱源(每根柵指下熱源的表面積為Lg×Wg)；(2)襯底底部設(shè)置為等溫面；(3)除襯底底部外所有表面絕熱。計(jì)算和仿真中使用的參數(shù)列在表1中。此外，為簡化計(jì)算，對與距成核表面距離z有關(guān)的PCD熱導(dǎo)率在其厚度方向進(jìn)行平均。對100 μm厚度范圍內(nèi)的PCD襯底，劃分為8個(gè)子區(qū)域，0～1 μm, 1～5 μm, 5～15 μm, 15～30 μm, 30～45 μm, 45～60 μm, 60～75 μm, 75～100 μm[13]；厚度大于100 μm時(shí)，由于PCD熱導(dǎo)率變化較小，每隔50 μm進(jìn)行平均，計(jì)算結(jié)果如圖2中短劃線所示。

圖3～圖7顯示了采用面內(nèi)和截面方向PCD熱導(dǎo)率時(shí)，計(jì)算的結(jié)溫范圍與器件結(jié)構(gòu)參數(shù)(柵長Lg、柵寬Wg、柵間距s、襯底厚度t2)和耗散功率Pd的依賴關(guān)系，圖中點(diǎn)劃線表示考慮非均勻且各向異性的PCD熱導(dǎo)率時(shí)FEM的仿真結(jié)果?？梢钥吹剑現(xiàn)EM仿真曲線均在考慮面內(nèi)PCD熱導(dǎo)率時(shí)的溫度范圍內(nèi)，高于考慮截面熱導(dǎo)率時(shí)的最大溫度，溝道溫度的變化趨勢與解析模型獲取的溫度上下限基本一致，表明對非均勻且各向異性的PCD熱導(dǎo)率，該解析模型也能準(zhǔn)確預(yù)測Lg、Wg、s、t2和Pd變化時(shí)的器件工作溫度。圖7中還對比了采用均勻的PCD熱導(dǎo)率(2 000×(T/300)-0.55W/(m·K))時(shí)的溝道溫度。可以看到，與非均勻且各向異性的PCD熱導(dǎo)率相比，此時(shí)的溝道溫度有所降低，且該降低量隨耗散功率的增加逐漸增大，表明與實(shí)際情況更相符的PCD熱導(dǎo)率建模對工作在大功率領(lǐng)域的GaN器件的結(jié)溫和可靠性預(yù)測非常重要。

表1 器件溝道溫度計(jì)算和仿真中默認(rèn)使用的參數(shù)Table 1 Parameters used in channel temperature calculation and simulation

圖3 溝道溫度與柵長Lg的依賴關(guān)系，面內(nèi)(a)和截面(b)Fig.3 Dependence of channel temperature on gate lengthLg, in-plane (a) and cross-plane (b)

圖4 溝道溫度與柵寬Wg的依賴關(guān)系，面內(nèi)(a)和截面(b)Fig.4 Dependence of channel temperature on gate width Wg, in-plane (a) and cross-plane (b)

圖5 溝道溫度與柵間距s的依賴關(guān)系，面內(nèi)(a)和截面(b)Fig.5 Dependence of channel temperature on gate-to-gate spacing s, in-plane (a) and cross-plane (b)

圖6 溝道溫度與金剛石襯底厚度的依賴關(guān)系，面內(nèi)(a)和截面(b)Fig.6 Dependence of channel temperature on thickness of substrate layer, in-plane (a) and cross-plane (b)

2.2 襯底有效熱導(dǎo)率

驗(yàn)證了解析模型的有效性后，通過與FEM仿真結(jié)果相擬合，提取了PCD襯底Ⅱ和Ⅲ區(qū)域的有效熱導(dǎo)率，結(jié)果列在表2中?？梢钥吹?，對柵長Lg、柵寬Wg、柵指間距s、襯底層厚度t2和耗散功率Pd擬合，得到的PCD層Ⅱ和Ⅲ區(qū)域的熱導(dǎo)率分別在260～310 W/(m·K)和1 250～1 450 W/(m·K)，相應(yīng)的擬合曲線如圖8(a)～(e)所示。采用上述有效熱導(dǎo)率得到的解析計(jì)算結(jié)果,與FEM仿真獲取的最大結(jié)溫基本一致，證明采用分區(qū)域的PCD熱導(dǎo)率可以有效預(yù)測器件結(jié)溫。

圖7 溝道溫度與耗散功率Pd的依賴關(guān)系，面內(nèi)(a)和截面(b)Fig.7 Dependence of channel temperature with power dissipation Pd, in-plane (a) and cross-plane (b)

圖8 溝道溫度與(a)柵長Lg，(b)柵寬Wg，(c)柵指間距s，(d)襯底層厚度t2和(e)耗散功率Pd的變化關(guān)系。其中，實(shí)線為解析模型計(jì)算結(jié)果，散點(diǎn)為FEM仿真結(jié)果Fig.8 Variation of channel temperature with (a) gate length Lg, (b) gate width Wg, (c) gate spacing s, (d) thickness of substrate layer t2, (e) power dissipation Pd. Here, sold lines are from analytical model and scatters are from FEM simulation

表2 變參數(shù)下Ⅱ和Ⅲ區(qū)域擬合的金剛石熱導(dǎo)率Table 2 Fitted thermal conductivity of diamond for region Ⅱ and Ⅲ

3 結(jié) 論

利用解析模型計(jì)算了常規(guī)GaN HEMT的器件熱阻，考慮了各層材料熱導(dǎo)率與溫度的非線性關(guān)系以及各向異性且非均勻的PCD層熱導(dǎo)率，由此得到的器件溝道溫度范圍被FEM仿真數(shù)據(jù)所驗(yàn)證。通過擬合FEM仿真得到的溝道溫度與柵長、柵寬、柵指間距、襯底層厚度和耗散功率的依賴關(guān)系，提取了Ⅱ和Ⅲ區(qū)域恒定的PCD熱導(dǎo)率，分別為260～310 W/(m·K)和1 250～1 450 W/(m·K)。