陳 磊,曾東京
(湖南澧水流域水利水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司,湖南 長(zhǎng)沙 410004)
在發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)可控硅整流裝置運(yùn)行過(guò)程中,晶閘管從導(dǎo)通到阻斷會(huì)產(chǎn)生換向過(guò)電壓,其尖峰易導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。為了抑制晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓,常常在晶閘管兩端并接阻容保護(hù),即電阻和電容串聯(lián)后并聯(lián)于可控硅兩端。某電廠勵(lì)磁裝置采用兩個(gè)全控整流橋,其中阻容保護(hù)電容采用華超電力電容,其容量Cn:1μF,耐壓Un:1.5k AC,電阻采用上海靈歐RXQ-400W-25型無(wú)感電阻。在運(yùn)行過(guò)程中電容被擊穿、電阻被燒毀(見(jiàn)圖1),該電廠已經(jīng)連續(xù)兩次發(fā)現(xiàn)該問(wèn)題。
圖1 整流柜電阻燒毀圖片
針對(duì)該故障現(xiàn)象,初步分析為廠家阻容參數(shù)設(shè)計(jì)不合理,電容器選型不合格,電阻選擇也不合格。
該電廠機(jī)組額定勵(lì)磁電流Ifn:1 150 A,勵(lì)磁變?nèi)萘縎T:1 280 kVA,變比:13 800/690,低壓側(cè)電壓U2:690 V,短路阻抗UK:5.83。
查晶閘管數(shù)據(jù)表,對(duì)于該機(jī)組額定勵(lì)磁電流Ifn=1 150 A按通態(tài)電流。
查可控硅廠家曲線如圖2,按VRM/VR=1.4曲線,得Qrr/(CS×Vr)≈1。
圖2 可控硅曲線
計(jì)算得:C s=2 000/980≈2μFVRM反向最大電壓。
此時(shí),曲線中1≤Rs2×Cs/L s≤4。
經(jīng)上述計(jì)算,電容容量和電阻阻值均符合要求。
該廠勵(lì)磁裝置阻容保護(hù)電容采用華超電容,其容量Cn:1μF,耐壓Un:1.5 k AC,該電容為箔式電容,介質(zhì)為液體,擊穿后電極短路,而且耐壓值為1 500 VAC,勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓為690 VAC,其耐壓值為額定電壓的2.2倍,按4~5倍額定電壓選擇為宜。
該廠勵(lì)磁裝置阻容保護(hù)電阻選用上海靈歐RXQ-400W-25型無(wú)感電阻,電阻選擇合適。
經(jīng)上述分析,該電廠對(duì)勵(lì)磁裝置的電容重新選型,最終確定電容IXYS型號(hào)為E62.F10-102B2W金屬薄膜化電容,耐壓值為2 700 VAC,容量為1μF,有一定的自愈能力。更換電容后,勵(lì)磁裝置運(yùn)行穩(wěn)定,經(jīng)過(guò)幾個(gè)檢修周期的檢驗(yàn),未發(fā)現(xiàn)電容擊穿、電阻燒毀現(xiàn)象。
阻容保護(hù)目前仍是晶閘管過(guò)壓保護(hù)中最簡(jiǎn)單,應(yīng)用最普遍的一種過(guò)電壓保護(hù)。本文通過(guò)對(duì)阻容保護(hù)回路參數(shù)的合理性計(jì)算,電容電阻選型分析得出某勵(lì)磁廠家對(duì)阻容保護(hù)電容器的選擇存在一定的問(wèn)題,更換電容型號(hào)后,提高了該電廠勵(lì)磁裝置的穩(wěn)定性,降低了晶閘管被擊穿的可能性。