莊嘉
2019年8月,華為申請了“光計算芯片、系統(tǒng)及數(shù)據(jù)處理技術(shù)”的發(fā)明專利,在2021年華為全球分析師大會上,明確表示正在研究光子計算
據(jù)阿里巴巴達摩院發(fā)布的“2022年十大科技趨勢”,“硅光芯片”赫然在列。若此語應(yīng)驗,那么將催生信息時代的一項新技術(shù)革命,該項技術(shù)革命的基石就是硅基光電子技術(shù)。
硅基光電子技術(shù)堪稱“21世紀(jì)的劃時代技術(shù)”,將促進數(shù)據(jù)中心、量子通信、智能駕駛、消費電子等精細(xì)領(lǐng)域發(fā)生變革,有望解決網(wǎng)絡(luò)擁堵和延遲、數(shù)據(jù)極高速率傳輸、電子芯片物理極限等前沿問題。
“硅光芯片”被列入“2022年十大科技趨勢”的主要依據(jù)是:目前被廣泛應(yīng)用的電子芯片已被人類發(fā)展到了物理極限,在數(shù)據(jù)傳輸和算力等方面遭遇瓶頸;硅光芯片被認(rèn)為是最適合解決電子芯片物理極限問題的底層路徑,有望在數(shù)據(jù)傳輸和算力等方面突破“摩爾定律”。
實然,我們熟知被深度應(yīng)用的電子芯片是受制于摩爾定律的。根據(jù)摩爾定律,當(dāng)電子芯片的晶體管程達到3納米,便已接近物理極限,數(shù)據(jù)傳輸能力難以繼續(xù)翻倍。然而,“硅光芯片”卻能突破這些瓶頸,將信息算力提升到另一個高度!“硅光芯片”是指,在給磷化銦施加電壓時,光進入硅片的波導(dǎo)產(chǎn)生持續(xù)的激光束,從而驅(qū)動其他硅材質(zhì)的芯片,進而集成到單一硅基芯片上,形成高集成度的“硅光芯片”。
北京郵電大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師李培剛指出:“‘硅光芯片’是基于硅和硅基襯底材料,利用互補金屬氧化物半導(dǎo)體工藝進行光器件開發(fā)和集成,結(jié)合了集成電路技術(shù)超大規(guī)模、超高精度制造的特性以及光子技術(shù)超高速率、超低功耗的優(yōu)勢,與現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶圓制造技術(shù)是相輔相成的。”基于此,不同于電子芯片,用光子代替電子進行信息傳輸,并結(jié)合光子和電子優(yōu)勢的“硅光芯片”,具備光波導(dǎo)傳輸性好、功耗低、時延低、運算速度快等特質(zhì)。一方面,在數(shù)據(jù)運輸上,光子解決了電子的物理極限問題;另一方面,在算力上,光子克服了線性運算的局限,應(yīng)用矩陣乘法進一步提升了算力,延時遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電子芯片,且光子在傳播時不會發(fā)熱。
由此可見,“硅光芯片”的研發(fā)應(yīng)用開辟了芯片發(fā)展的新賽道,將為超級計算、人工智能等新技術(shù)、新產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展提供有力支撐!從2018年開始,在“硅光芯片”的研發(fā)應(yīng)用上,我國就步入了快車道。2018年8月,中國信科宣布我國首款商用“100G硅光收發(fā)芯片”正式投產(chǎn)。2019年9月,我國西永微電子產(chǎn)業(yè)園區(qū)的聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司(以下簡稱“聯(lián)合公司”)實現(xiàn)了8英寸硅基光電子技術(shù)工藝平臺的通線,并正式向全球發(fā)布“180納米成套硅光PDK(工藝設(shè)計數(shù)據(jù)包)”,這標(biāo)志著我國具備了硅基光電子領(lǐng)域全流程自主工藝制造能力。2021年12月,中國信息通信科技集團光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國家重點實驗室聯(lián)合國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)、鵬城實驗室,在國內(nèi)率先完成了1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗證,實現(xiàn)了我國“硅光芯片”技術(shù)向Tb/s級的首次跨越,并為我國下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互聯(lián)提供了可靠的光芯片解決方案。目前,國際上400G光模塊已進入商用部署階段,800G光模塊樣機研制和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)正在推進中,而1.6Tb/s光模塊將成為下一步全球競相角逐的熱點。
此外,在“十四五”規(guī)劃中,上海、湖北、重慶、蘇州等地的政府均將“硅光芯片”列入重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)清單中,明確提出發(fā)展“硅光芯片”與器件,重點突破硅光子、光通信器件等新一代光子器件的研發(fā)與應(yīng)用,對光子器件模塊化技術(shù)、基于CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)的硅光子工藝、芯片集成化技術(shù)、光電集成模塊封裝技術(shù)等方面的研究開展重點攻關(guān)。
實然,硅基光電子技術(shù)的應(yīng)用不僅僅局限于“硅光芯片”,在很多領(lǐng)域均有其用武之地。在量子通信領(lǐng)域,日本、英國走在了世界前列。日本早在2019年就在處理器中引入光網(wǎng)絡(luò)技術(shù),已經(jīng)開發(fā)出了超小型光電變換元件,并正開發(fā)高性能、低耗電的光電融合型信息處理器件。該器件將應(yīng)用于異構(gòu)計算系統(tǒng),節(jié)能、高通量數(shù)據(jù)處理以及超低延遲檢測、模式匹配處理等領(lǐng)域。英國則啟動了硅光子學(xué)項目,聚焦光電子集成的電信設(shè)備,完成了光子回路的晶片鍵合或光子金屬層的低溫制造,從而進一步提升通信效能。
在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,日本在《尖端研究開發(fā)資助計劃(FIRST)》中將“光電子融合系統(tǒng)基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)(PECST)”列入其中,意圖在2025年實現(xiàn)“片上數(shù)據(jù)中心”的目標(biāo)。2019年8月,我國華為申請了“光計算芯片、系統(tǒng)及數(shù)據(jù)處理技術(shù)”的發(fā)明專利,在2021年華為全球分析師大會上,明確表示正在研究光子計算。華為董事、戰(zhàn)略研究院院長徐文偉表示,“到2030年,全球算力需求將增加100倍,如何打造超級算力將是一個巨大的挑戰(zhàn),未來光子計算面臨巨大的應(yīng)用場景”。
在智能駕駛領(lǐng)域,我國聯(lián)合公司開發(fā)了國內(nèi)領(lǐng)先的激光雷達光學(xué)相控陣天線。誠如該公司副總經(jīng)理、技術(shù)總監(jiān)郭進所言,“高集成度的硅光學(xué)相控陣技術(shù)是未來激光雷達在無人駕駛、無人機等領(lǐng)域全固態(tài)、小型化發(fā)展的必由之路。目前在核心發(fā)射芯片、系統(tǒng)及算法方面取得突破,有望在未來幾年開發(fā)芯片級激光雷達,并廣泛應(yīng)用于自動駕駛與機器人領(lǐng)域”。
據(jù)英特爾的《硅基光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》透露,“硅光模塊產(chǎn)業(yè)已進入快速發(fā)展期。2022年,硅基光電子技術(shù)在每秒峰值速度、能耗、成本方面將全面超越傳統(tǒng)光模塊,預(yù)測硅光模塊的市場增速為40%,2024年將達到39億美元,屆時有望占據(jù)整體市場規(guī)模的21%”。
據(jù)悉,目前包括英特爾、比利時IMEC、新加坡AMF、格芯半導(dǎo)體、光迅科技、華為、海信等在內(nèi)的世界500強企業(yè)均在布局硅基光電子技術(shù)。歐盟更是早在2013年就啟動了針對硅基光電子技術(shù)的PLAT4M(針對制造的光字庫和技術(shù))項目,意圖打造硅基光電子技術(shù)的整個產(chǎn)業(yè)鏈,聚集了以法國微電子和納米技術(shù)研究中心 CEA-Leti為領(lǐng)跑者的包括德國Aifotec等公司在內(nèi)的15家歐盟企業(yè)、研究機構(gòu)及潛在用戶。
毫無疑問,不同于依賴電子為傳輸媒介的技術(shù),硅基光電子技術(shù)充分運用了光子與電子融合,并借助硅為誘發(fā),刺激光子突破電子的局限,以實現(xiàn)光子代替電子的作用。理論上,硅基光電子技術(shù)發(fā)展主要可以分為三個階段:第一階段,硅基器件逐步取代分立元器件,即用硅把光通信底層器件做出來,達到工藝的標(biāo)準(zhǔn)化;第二階段,集成技術(shù)從耦合集成向單片集成演進,實現(xiàn)部分集成,再把這些器件像樂高積木一樣,通過不同器件的組合,集成不同的芯片;第三階段,光電一體技術(shù)融合,實現(xiàn)光電全集成化。把光和電都集成起來,實現(xiàn)更加復(fù)雜的功能。
中科院半導(dǎo)體研究所的王啟明院士表示:“目前,硅基光電子技術(shù)仍然處在第二階段?!彪m然硅基光電子技術(shù)即將被應(yīng)用于規(guī)?;逃茫豢煞裾J(rèn)的是,目前仍然存在技術(shù)難點需要攻破,比如設(shè)計工具非標(biāo)準(zhǔn)化、硅光耦合工藝要求較高以及晶圓自動測試及切割等技術(shù)性挑戰(zhàn)。
可以預(yù)見,在未來,硅基光電子技術(shù)將掀起又一次劃時代的技術(shù)革新,將人類社會從“電子的信息時代”引入“光子的信息時代”,從而突破信息傳輸速度“納秒門檻”,開啟人類探索微觀世界的嶄新視域!
編輯:黃靈? yeshzhwu@foxmail.com
“硅光芯片”被列入“2022年十大科技趨勢”