高功率微波(HPM)輻射場(chǎng)測(cè)量除了需要進(jìn)行功率測(cè)量
之外,也需要對(duì)其相位分布進(jìn)行測(cè)量
,以滿足HPM源功率合成技術(shù)的需求。隨著HPM技術(shù)的不斷發(fā)展
,對(duì)HPM輻射場(chǎng)的相位測(cè)量提出了非?,F(xiàn)實(shí)的降低測(cè)量成本的要求。在實(shí)際的HPM情況下,常見的相位測(cè)量方法是采用價(jià)格昂貴的進(jìn)口高速示波器對(duì)輻射場(chǎng)的相位分布進(jìn)行測(cè)量
,這就使得測(cè)量成本非常高。采用鑒相器對(duì)HPM的輻射場(chǎng)相位分布進(jìn)行測(cè)量是一種簡(jiǎn)單和低成本的測(cè)量方法。在鑒相器和相位分布的測(cè)量方面,雖然有一些國(guó)內(nèi)的相關(guān)研究,但是這些研究還不是很充分。例如,中國(guó)工程物理研究院的郭焱華等
采用S波段的進(jìn)口鑒相器,對(duì)HPM輻射場(chǎng)的相位分布進(jìn)行過測(cè)量。但是,在他們的測(cè)量方案中,參考信號(hào)是通過與HPM源相連接的定向耦合器獲得的,因此系統(tǒng)中一些隨機(jī)的擊穿問題必然會(huì)對(duì)輻射場(chǎng)相位分布的測(cè)量產(chǎn)生影響,不太合適HPM實(shí)際環(huán)境下的使用。再如,王益等
采用微帶結(jié)構(gòu),專門設(shè)計(jì)了一種脈沖鑒相器以替代進(jìn)口脈沖鑒相器,但是并未見到用此鑒相器進(jìn)行輻射場(chǎng)相位分布測(cè)量的報(bào)道。顯然,國(guó)內(nèi)并沒有現(xiàn)成的鑒相器產(chǎn)品可以應(yīng)用在HPM輻射場(chǎng)相位測(cè)量方面,鑒相器需要從國(guó)外進(jìn)口或進(jìn)行復(fù)雜的專門設(shè)計(jì)。同時(shí),對(duì)鑒相器如何應(yīng)用于HPM輻射場(chǎng)相位測(cè)量之中,還有待對(duì)測(cè)量方法進(jìn)行深入的研究。本課題組在長(zhǎng)期進(jìn)行HPM測(cè)量的研究中發(fā)現(xiàn),利用國(guó)產(chǎn)的微波元器件,也可以組合出滿足上述應(yīng)用要求的無源脈沖鑒相器,其成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于高速示波器,也不需要復(fù)雜和專門的設(shè)計(jì),并且在相位分布測(cè)量方面簡(jiǎn)單可靠。
本文基于I/Q正交鑒相器的基本工作原理,利用I/Q混頻器模塊和低通濾波器模塊,構(gòu)建了一種X波段的無源脈沖鑒相器,給出了其性能測(cè)試方法,并將其應(yīng)用于輻射場(chǎng)相位分布測(cè)量和輻射天線相心位置測(cè)量之中。在此基礎(chǔ)上,給出了利用該鑒相器進(jìn)行HPM輻射場(chǎng)相位分布的測(cè)量方法。
圖1是I/Q正交鑒相器的結(jié)構(gòu)示意圖,該鑒相器可以用于測(cè)量A、B兩路微波信號(hào)間的相位關(guān)系。測(cè)量時(shí),A信號(hào)輸入到本振端口(LO),B信號(hào)輸入到射頻端口(RF)。
設(shè)兩路輸入信號(hào)分別為
和
,它們的幅度分別為
、
,它們之間的相位差為
,
和
表達(dá)式為
(1)
經(jīng)過90°的3 dB功分器后,A信號(hào)變成
和
(2)
養(yǎng)護(hù)期支護(hù)結(jié)構(gòu)由于受圍巖熱源影響大于支護(hù)結(jié)構(gòu)表面散熱,前16.6 d支護(hù)結(jié)構(gòu)內(nèi)部和圍巖交界面的溫度整體在不斷上升,圍巖交界面最高溫度為97.81℃。隨后巖壁交界面的溫度開始下降,在13.88 d之前支護(hù)結(jié)構(gòu)內(nèi)部溫度迅速擴(kuò)大,最大值為52.89℃,隨著表面溫度不斷提高,內(nèi)外溫差隨著時(shí)間延長(zhǎng)而逐步縮小。在18~40 d的溫差速率基本相同,說明支護(hù)結(jié)構(gòu)在緩慢均勻溫降;而40~60 d的溫差速率發(fā)生變化是受隧洞內(nèi)環(huán)境溫度變化影響造成。
但是,由式(13)到(14)是順理成章的嗎?可以看到,并不是末端距方向上的微小量,選擇以 字母來表示容易產(chǎn)生誤解,因?yàn)?能夠轉(zhuǎn)換成的必要條件為 方向上延伸的一個(gè)微小量.但是,是人為在第一個(gè)鍵的方向上延伸出的一無窮小段,末端距的方向不可能總是與第一個(gè)鍵的方向保持一致,那么將轉(zhuǎn)換成 就失去了依據(jù).如果 不能轉(zhuǎn)換成,那么蠕蟲狀鏈的均方末端距就無法由此來獲得.
(3)
由于混頻器的實(shí)質(zhì)是乘法器
,因此經(jīng)過混頻器后,兩路信號(hào)相乘,得到
和
總而言之,早期的習(xí)慣培養(yǎng)就像一粒種子,絕不能等到要收獲的季節(jié)才匆匆忙忙想到播種,而是要趕在生命的春天里就有意識(shí)、有計(jì)劃地培土、撒種,并堅(jiān)持不斷地施肥、灌溉,才能使它及早地生根發(fā)芽,茁壯成長(zhǎng),并在人生成功之路上結(jié)出累累碩果。
(4)
2.2.2 RF端動(dòng)態(tài)范圍
(5)
I、Q兩路信號(hào)經(jīng)過低通濾波器后,濾除了高頻信號(hào),輸出的
和
為
(6)
相位差
為
(7)
可見,
、
與輸入信號(hào)的相位差成正交調(diào)制關(guān)系,若輸入信號(hào)為脈沖信號(hào),則
和
將是脈沖電壓信號(hào)的幅值,通過測(cè)量
、
的幅值,就可以得到兩路輸入信號(hào)的相位差
。
本文構(gòu)造的鑒相器主要由I/Q混頻器模塊和兩個(gè)低通濾波器模塊組成,模塊均選用西安恒達(dá)微波電子技術(shù)有限公司的產(chǎn)品。鑒相器中功分器和濾波器采用的是微帶形式,I/Q混頻器是用混頻器芯片安裝在微帶板上實(shí)現(xiàn)的。混頻器的型號(hào)為HD-6010IQMIXS,工作頻率范圍為6~10 GHz,中頻頻率范圍為0~3.5 GHz,變頻損耗≤10 dB,LO-RF隔離≥45 dB,LO-IF隔離≥20 dB。濾波器型號(hào)為HD-DC20LPFT,工作頻率范圍為0~2 GHz,駐波系數(shù)≤1.25,插入損耗≤0.4 dB。將混頻器和低通濾波器按照?qǐng)D1進(jìn)行連接,并將它們放置在金屬屏蔽盒內(nèi),就組成了X波段無源脈沖鑒相器,如圖2所示。
鑒相器性能測(cè)試電路如圖3所示。信號(hào)源輸出的微波信號(hào),經(jīng)過一分二同軸功分器后分成兩路。一路直接接鑒相器的LO端,另一路經(jīng)過衰減器、移相器等接鑒相器的RF端。通過調(diào)節(jié)移相器的移相量,就可以改變鑒相器LO、RF端之間的相位差。由示波器測(cè)量出鑒相器輸出端
、
的幅值,然后按照式(7)計(jì)算出相位差。
為了真實(shí)地反映出移相器的相移量,采用圖4所示的電路,用矢網(wǎng)儀測(cè)量了RF端與信號(hào)源之間的相移量
12
,以便真實(shí)地測(cè)量出RF端相位與移相器相移量的關(guān)系。在圖4中,與矢網(wǎng)儀和匹配負(fù)載相連接的幾個(gè)位置T
、T
和T
分別與圖3中的位置是相對(duì)應(yīng)的。
鑒相器里的核心是混頻器,它是一種三端口(射頻、中頻和本地振蕩器端口)器件。大多數(shù)無源混頻器使用二極管作為非線性器件,這就決定了LO的輸入功率較大,以實(shí)現(xiàn)對(duì)二極管的驅(qū)動(dòng)。因此,一般LO端輸入功率比RF端輸入功率要高。LO和RF的輸入上限由混頻器的非線性決定,即當(dāng)信號(hào)變強(qiáng)時(shí),混頻器的非線性產(chǎn)生的寄生頻率所擁有的功率迅速上升,從而導(dǎo)致混頻損耗增大。此外,LO輸入功率太大,也可能會(huì)引起混頻器的損壞。LO和RF的輸入下限取決于應(yīng)用場(chǎng)合和噪聲電平。本文混頻器的應(yīng)用場(chǎng)合是鑒相器,當(dāng)LO和RF的輸入功率過低時(shí),將引起鑒相器輸出信號(hào)
、
過小,造成鑒相器測(cè)量誤差增大,甚至測(cè)量不準(zhǔn)確。因此,在測(cè)試鑒相器性能時(shí),為了確保鑒相器的安全以及鑒相器工作在較佳的工作狀態(tài),一般要求鑒相器的LO端輸入功率<15 dBm,RF端輸入功率<0 dBm。為此,在圖3的RF端增加了一個(gè)20 dB的固定衰減器。
在合肥這些年,總是不適,可也到底說不好,究竟怎么了。等到一次次回到小城,方才恍然,合肥這座城市唯一的遺憾是缺少水系,干澀而無靈性。許多年以后,借一次出差的機(jī)會(huì),我們開車來到宣城,那種水田漠漠的溫潤(rùn)感剎那間擊中了我,直想大哭。原來,待在合肥這么多年的喑啞感,終于找到了原因。
當(dāng)信號(hào)源輸出的是連續(xù)波信號(hào)時(shí),首先用圖4的方法,測(cè)量了RF端與信號(hào)源之間的傳輸系數(shù)
,其角度代表移相器相移量
,結(jié)果如圖5(a)所示??梢钥闯?隨著移相器相移量的改變,RF端的
也隨之變化。
可又有專家說,牛奶中的某些激素會(huì)增加前列腺癌的發(fā)病率,因此,為了要減少發(fā)病率,那就要鼓勵(lì)多吃西紅柿。但西紅柿殘留的農(nóng)藥較多,因此,可加服阿托品進(jìn)行預(yù)防。而阿托品本身又含有生物堿,為了要防止生物堿中毒,專家們又建議用扁豆來加以緩解。至于扁豆本身含有的毒素呢,則可以用多喝牛奶的辦法來加以稀釋……這不是讓老百姓暈頭轉(zhuǎn)向、如墜霧中么?都是專家的意見,你讓人究竟聽誰家的好?
采用圖3的測(cè)試方法,在RF端給定移相器位置
為11.25°、45°、90°、123.75°的情況下,調(diào)節(jié)信號(hào)源輸出功率
,觀察LO端在不同輸入功率時(shí),鑒相器測(cè)量的結(jié)果
,結(jié)果如圖6所示??梢钥闯?當(dāng)信號(hào)源輸出功率
從22 dBm降至10 dBm時(shí),實(shí)際用功率計(jì)測(cè)出對(duì)應(yīng)的LO端輸入功率從14.8 dBm降至2.8 dBm,
逐步下降。但是,當(dāng)
在22~17 dBm時(shí),即LO端輸入功率在14.8~9.8 dBm范圍內(nèi),
基本不變,波動(dòng)幅度在10%以內(nèi)。如果接受10%以內(nèi)波動(dòng)的幅度,這部分的區(qū)域就應(yīng)該是鑒相器的動(dòng)態(tài)范圍。圖6說明,LO動(dòng)態(tài)范圍為5 dB。
進(jìn)一步地,將圖5(b)中的線性關(guān)系擬合,發(fā)現(xiàn)其斜率
與1非常接近,說明鑒相器可以較準(zhǔn)確地測(cè)量出LO、RF端之間的相位差。
根據(jù)Moho界面上所有轉(zhuǎn)換波、多次波到時(shí)數(shù)據(jù),能夠得出臺(tái)站下方地殼平均波速比k(Vp/Vs)與厚度H,通過研究不難發(fā)現(xiàn),k(Vp/Vs)與H值依次是1.80km與38.5km(圖4),WUL臺(tái)站的下方k(Vp/Vs)和H分別為1.66km與45.6km。按照上述流程要求,本次完成各臺(tái)站分析處理,由此明確相應(yīng)的地殼平均厚度和波速比k,所得結(jié)果見表1。
2.2.1 LO端動(dòng)態(tài)范圍的測(cè)量
同時(shí),注意正身?!捌渖碚?,不令而行”。對(duì)思想政治工作者來說,要更加嚴(yán)格地要求自己,注重個(gè)人的道德修養(yǎng)和品行,要表里如一,成為一個(gè)在公眾心目中具有良好形象的人。只有這樣,才能得到大家的信任和支持,做思想政治工作時(shí)才能達(dá)到事半功倍的效果。
其次,用圖3的方法,測(cè)量了鑒相器LO端與RF端的相位差,并得出RF端
與鑒相器測(cè)出的相位差之間的關(guān)系,如圖5(b)所示??梢钥闯?由鑒相器測(cè)量出的RF-LO之間的相位差
隨RF端相位的變化而線性變化,實(shí)現(xiàn)了用鑒相器測(cè)量RF-LO之間相位差的基本功能。
從圖11(b)可以看出,在H面一維直線上輻射天線的相位分布仿真結(jié)果與鑒相器測(cè)得的結(jié)果基本一致,測(cè)量得到的相位分布與仿真之間的相對(duì)誤差如表3所示。當(dāng)方位角
>20°時(shí),誤差有增大趨勢(shì),這可能與相應(yīng)的RF端輸入功率過小有關(guān)。在實(shí)際測(cè)量時(shí),方位角
從0°變化至30°時(shí),相應(yīng)的RF端輸入功率約從-14 dBm變化至-44 dBm。值得說明的是,當(dāng)
分別為12°、16°和20°時(shí),RF端的輸入功率分別是-20 dBm、-27 dBm和-31 dBm。因此,從相位分布的測(cè)量結(jié)果也能看出,鑒相器RF端的動(dòng)態(tài)范圍為27 dB。整體而言,鑒相器可以用于輻射天線的相位分布測(cè)量之中。
積化和差后得到I、Q兩路信號(hào)
圖10、圖11分別為實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)跑車過程中GPS信號(hào)失鎖后無BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)輔助和有BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)輔助的東向位置、北向位置情況,可以看出在后200 s中,無BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)輔助東向、北向位置漂移分別最大達(dá)到93.81 m、141.40 m;有BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)輔助東向、北向位置漂移分別最大達(dá)到55.97 m、69.51 m。
在信號(hào)源輸出功率為22 dBm、RF端移相器位置
=11.25°的情況下,調(diào)節(jié)可調(diào)衰減器的值
,觀察RF端在不同輸入功率時(shí)對(duì)鑒相結(jié)果的影響,結(jié)果如表1所示??梢钥闯?可調(diào)衰減器本身的相移
j
造成了鑒相器測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生漂移。用圖4方法測(cè)量了可調(diào)衰減器的相移,并將鑒相器測(cè)得的結(jié)果扣除可調(diào)衰減器本身的相移量,結(jié)果發(fā)現(xiàn)鑒相器測(cè)量結(jié)果基本上與可調(diào)衰減器的衰減量沒有太大的關(guān)系,波動(dòng)幅度也在10%以內(nèi)。
對(duì)于RF端移相器位置在其他角度的情況下,改變可調(diào)衰減器的值
,觀察了
對(duì)鑒相器測(cè)量結(jié)果的影響,結(jié)果如表2所示,此時(shí)
j
=
12
。由表2可知,扣除可調(diào)衰減器本身的相移量后,鑒相器測(cè)量結(jié)果基本與可調(diào)衰減器的衰減量沒有太大的關(guān)系。
與此同時(shí),也測(cè)量了可調(diào)衰減器的衰減量
對(duì)RF端與信號(hào)源之間的
的影響。在可調(diào)衰減器的衰減量0 dB時(shí),
=-39 dB。說明當(dāng)信號(hào)源輸出功率為22 dBm時(shí),實(shí)際加在RF端的功率為-17 dBm,因此表2的結(jié)果表明,當(dāng)RF端的輸入功率下降到-27 dBm時(shí),鑒相器仍然有穩(wěn)定的輸出。換言之,只要RF端滿足輸入功率<0 dBm的安全條件,其動(dòng)態(tài)范圍至少有27 dB。
2.2.3 鑒相器脈沖性能測(cè)試結(jié)果
與仿真相似的是,采用如圖10所示的方法,將BJ100開口波導(dǎo)安放在天線掃描架上,讓其在H面內(nèi)直線上移動(dòng),然后用鑒相器測(cè)量出輻射場(chǎng)在H面直線上的相位分布。
在脈沖狀態(tài)下,鑒相器測(cè)得的結(jié)果與RF端
的關(guān)系如圖8所示??梢钥闯?在脈沖情況下,鑒相器測(cè)量結(jié)果仍然與RF端的
為線性關(guān)系,線性關(guān)系的斜率
依然接近于1。這表明在脈沖狀態(tài)下,鑒相器也能正常地反映出LO、RF之間的相位差。
Computer Simulation Technology公司的工作室套裝(CST軟件)廣泛應(yīng)用于電真空器件、高功率微波、微波元器件以及二次電子發(fā)射特性等眾多技術(shù)的仿真研究之中
。在CST中建立了如圖9所示的輻射場(chǎng)相位分布測(cè)量系統(tǒng)。輻射天線是增益為20 dB的標(biāo)準(zhǔn)角錐喇叭(HD-100SGAH20N),在輻射天線的對(duì)面,對(duì)應(yīng)于俯仰角等于0°的H面上,設(shè)置一條直線,在該直線上設(shè)置一個(gè)接收天線,一般是增益為10 dB的標(biāo)準(zhǔn)角錐喇叭(HD-100HA10)。當(dāng)接收天線在該直線上逐點(diǎn)移動(dòng)時(shí)(點(diǎn)的位置用
、
,…,
表示),通過仿真兩個(gè)天線之間的S
,就可以得到輻射天線的輻射場(chǎng)在該直線上的相位分布
。
采用圖3所示的電路對(duì)鑒相器的脈沖性能進(jìn)行了測(cè)試,此時(shí)信號(hào)源輸出的是矩形脈沖調(diào)制的微波信號(hào)。鑒相器輸出的
、
脈沖波形如圖7所示??梢钥闯?脈沖頂部平坦,脈沖響應(yīng)在10 ns以內(nèi)。
圖11是相位分布的測(cè)量與仿真的比較。在圖11(a)中,用負(fù)斜率的虛直線示意出了復(fù)雜的周期性變化的相位分布情況。經(jīng)過周期性處理后,得到了相對(duì)于頂點(diǎn)
(見圖12)的相位分布關(guān)系
-
,如圖11(b)所示??梢钥闯?仿真結(jié)果與測(cè)量結(jié)果基本是一致的。
經(jīng)過0°的3 dB功分器后,B信號(hào)變成
和
當(dāng)我們把創(chuàng)建以學(xué)習(xí)者為中心的教學(xué)環(huán)境的阻礙因素弄清楚后,才能提出有效的對(duì)策,以改變學(xué)生的學(xué)習(xí)狀況,提高其學(xué)習(xí)的質(zhì)量。
在測(cè)量相位分布的基礎(chǔ)上,對(duì)輻射天線的相心位置進(jìn)行了測(cè)量。計(jì)算相心位置的示意圖如圖12所示。若
L
是點(diǎn)
到
間的距離,這兩點(diǎn)的相位差為
,得出與相心位置
相應(yīng)的參數(shù)
和
,計(jì)算式為
(8)
式中:
為波長(zhǎng);
O
為點(diǎn)
與相心
的距離。
“實(shí)踐是認(rèn)識(shí)的源泉”,造就人類物質(zhì)生產(chǎn)的生活狀態(tài)。“知識(shí)改變命運(yùn)”,讓人類意識(shí)到認(rèn)識(shí)世界的重要性。人類在實(shí)踐與思考的不斷交替中,創(chuàng)造出專屬于人類的意識(shí)形態(tài)與科學(xué)知識(shí),科學(xué)技術(shù)的創(chuàng)造為人類提供了強(qiáng)大的力量,也為人類對(duì)自然的掌控帶來了極大的信心??茖W(xué)技術(shù)來源于人的認(rèn)識(shí)與實(shí)踐,同時(shí)也是幫助人類深入認(rèn)識(shí)與實(shí)踐的工具。主體的能動(dòng)性實(shí)踐行為與主觀性思維探索所創(chuàng)造出來的精神財(cái)富,在一定程度上將會(huì)成為人類毀滅自我的無形力量。肉體的自然屬性是見證人類是否走向自我毀滅的最好依據(jù),而肉體的自然狀態(tài)在體育中可以得到直接的檢驗(yàn),并以身體指標(biāo)來考察主體的危機(jī)。
Adachi等[14]指出,硅質(zhì)巖的Al/(Al+Fe+Mn)比值由0.01(純熱水成因)至0.60(純生物成因),并且其比值隨距熱水系統(tǒng)中心距離的增加而變大[15]。研究區(qū)硅質(zhì)巖的Al/(Al+Fe+Mn)比值為0.16~0.48,平均為0.36。在Fe-Mn-Al三角判別圖解(圖2a)中,K6001G01和K9001E01落在熱水成因硅質(zhì)巖區(qū),K7001H01、K7001H02和M5001G01落入非熱水成因硅質(zhì)巖區(qū)。
測(cè)量時(shí),給定兩個(gè)喇叭的口面距離為1 500 mm,并選取圖11(a)中周期性比較明確的區(qū)域(即虛線橢圓形區(qū)域)。相心位置計(jì)算結(jié)果如表4所示??梢钥闯?選擇方位角較大的點(diǎn)進(jìn)行相心位置的確定時(shí),誤差較小,當(dāng)
>5°時(shí),由4個(gè)點(diǎn)測(cè)得的
的平均值為1 682 mm,而仿真得到的
為1 630 mm,兩者比較接近,誤差為3.19%。
基于上述基本結(jié)論,可以認(rèn)為,本文給出的無源脈沖鑒相器在做好電磁屏蔽的情況下,可以應(yīng)用于HPM場(chǎng)合下測(cè)量輻射場(chǎng)的相位分布和輻射天線的相心位置,具體的使用場(chǎng)景如圖13所示。
由于HPM的輻射場(chǎng)總功率可達(dá)GW量級(jí),對(duì)應(yīng)的輻射場(chǎng)功率密度大致在幾kW/cm
或幾十kW/cm
的數(shù)量級(jí),因此在測(cè)量相位分布時(shí),應(yīng)該事先根據(jù)輻射場(chǎng)功率密度分布的情況,調(diào)整接收天線所在的位置、選擇合適的接收喇叭、定向耦合器和固定衰減器,確保它們不存在擊穿情況。除此之外,在實(shí)際使用過程中應(yīng)該注意下列4點(diǎn)。
(1)需要事先確定出鑒相器LO端輸入功率為15~10 dBm時(shí)對(duì)應(yīng)的接收喇叭的位置,該位置在測(cè)量過程中一直固定不動(dòng)。
(2)在掃描架上安置的待測(cè)信號(hào)接收喇叭,其輸出送入鑒相器的RF端,并保證RF端的輸入功率在測(cè)量過程中<0 dBm。
(3)兩個(gè)接收喇叭所接的定向耦合器、匹配負(fù)載、波同轉(zhuǎn)換、固定衰減器、電纜等一旦確定后,不能在測(cè)量過程中再進(jìn)行更改。
(4)由于HPM是脈沖式的,因此要注意由LO和RF端送入鑒相器的脈沖信號(hào)應(yīng)該要有一定的重疊時(shí)間,否則鑒相器的輸出始終為0。
(1)為了滿足HPM輻射場(chǎng)相位測(cè)量技術(shù)的需要,本文采用市場(chǎng)上現(xiàn)有的微波元器件,組合出一種X波段的無源脈沖鑒相器。脈沖鑒相器由1個(gè)I/Q混頻器和2個(gè)低通濾波器組成。為避免電磁干擾,將鑒相器置入金屬屏蔽盒中。
(2)采用功分器、數(shù)字移相器、數(shù)控衰減器、固定衰減器、矢網(wǎng)儀和數(shù)字示波器等,設(shè)計(jì)了測(cè)試鑒相器性能的電路,完成了連續(xù)波狀態(tài)和脈沖狀態(tài)下鑒相器性能的測(cè)試。結(jié)果表明,無論是在連續(xù)波還是在脈沖狀態(tài)下,鑒相器測(cè)量結(jié)果與鑒相器LO-RF之間的相位差滿足線性關(guān)系,且斜率接近1。LO和RF端的動(dòng)態(tài)范圍分別不小于5 dB和27 dB。
(3)在小信號(hào)情況下,對(duì)一個(gè)增益為20 dB的喇叭的輻射場(chǎng)相位分布進(jìn)行了測(cè)量,并給出了該喇叭的相心位置。相位分布和相心位置的測(cè)量結(jié)果與仿真結(jié)果一致。
第三,好教育要有一支數(shù)量充足的高素質(zhì)的校長(zhǎng)、教師隊(duì)伍?!秶?guó)家教育中長(zhǎng)期教育改革與發(fā)展規(guī)劃綱要(2010 —2020年)》指出,有好的教師才有好的教育。高素質(zhì)、專業(yè)化的校長(zhǎng)隊(duì)伍與師德高尚、業(yè)務(wù)精湛、充滿活力的教師隊(duì)伍,是構(gòu)成好教育的最重要因素,也是辦好教育的第一資源。校長(zhǎng)要敢于擔(dān)當(dāng),有教育情懷,有辦學(xué)思路,懂管理,全心全意為學(xué)生著想、為教職工服務(wù)。好教師不僅要有較高的學(xué)歷,更要有專業(yè)精神和正確的教育觀、學(xué)生觀、質(zhì)量觀。
(4)在此基礎(chǔ)上,本文給出了實(shí)際HPM場(chǎng)合下的使用場(chǎng)景和建議。
:
[1] 王文祥. 高功率微波功率、頻率和模式的測(cè)量 [J]. 真空電子技術(shù), 2019(5): 70-88.
WANG Wenxiang. Power, frequency and modes measurement of high-power microwave [J]. Vacuum Electronics, 2019(5): 70-88.
[2] 舒挺, 王勇, 李繼健, 等. 高功率微波的遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量 [J]. 強(qiáng)激光與粒子束, 2003, 15(5): 485-488.
SHU Ting, WANG Yong, LI Jijian, et al. Measurement of high power microwaves in the far-field zones [J]. High Power Laser and Particle Beams, 2003, 15(5): 485-488.
[3] 屈勁, 劉慶想, 胡進(jìn)光, 等. 高功率微波輻射場(chǎng)功率密度測(cè)量系統(tǒng) [J]. 強(qiáng)激光與粒子束, 2004, 16(1): 77-80.
QU Jin, LIU Qingxiang, HU Jinguang, et al. Measurement system on power density of high power microwave radiation [J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16(1): 77-80.
[4] 蘭峰, 高喜, 史宗君, 等. Ka波段繞射輻射振蕩器的輻射功率測(cè)量 [J]. 電子科技大學(xué)學(xué)報(bào), 2006, 35(5): 777-779, 783.
LAN Feng, GAO Xi, SHI Zongjun, et al. Measurement of radiation power for Ka-band relativistic diffraction generator [J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(5): 777-779, 783.
[5] 張治強(qiáng), 王宏軍, 張黎軍, 等. 高功率微波輻射場(chǎng)功率陣列測(cè)量裝置研制 [J]. 強(qiáng)激光與粒子束, 2010, 22(4): 883-886.
ZHANG Zhiqiang, WANG Hongjun, ZHANG Lijun, et al. Development of array device for power measurement of high power microwave radiation field [J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22(4): 883-886.
[6] 閆軍凱, 劉小龍, 葉虎, 等. X波段高功率微波饋源輻射總功率陣列法測(cè)量技術(shù) [J]. 強(qiáng)激光與粒子束, 2011, 23(11): 3149-3153.
YAN Junkai, LIU Xiaolong, YE Hu, et al. X-band HPM feed total radiation power measurement using array method [J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23(11): 3149-3153.
[7] 張黎軍, 陳昌華, 滕雁, 等. 高功率微波輻射場(chǎng)遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量方法 [J]. 強(qiáng)激光與粒子束, 2016, 28(5): 40-46.
ZHANG Lijun, CHEN Changhua, TENG Yan, et al. Farfield measurement method of high power microwave in radiation field [J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28(5): 40-46.
[8] 劉英君, 晏峰, 景洪, 等. 高功率微波輻射場(chǎng)功率密度測(cè)量不確定度分析方法 [J]. 電波科學(xué)學(xué)報(bào), 2017, 32(4): 398-402.
LIU Yingjun, YAN Feng, JING Hong, et al. Measurement uncertainty on power density of high power microwave radiation [J]. Chinese Journal of Radio Science, 2017, 32(4): 398-402.
[9] 郭焱華, 黃華, 羅雄, 等. S波段相對(duì)論速調(diào)管放大器的相位測(cè)量 [J]. 強(qiáng)激光與粒子束, 2009, 21(5): 733-736.
GUO Yanhua, HUANG Hua, LUO Xiong, et al. Phase measurement of S-band relativistic klystron amplifier [J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21(5): 733-736.
[10] 王益, 郭曉東, 張翠翠, 等. X波段高功率微波脈沖鑒相器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) [J]. 中國(guó)測(cè)試, 2017, 43(6): 134-139.
WANG Yi, GUO Xiaodong, ZHANG Cuicui, et al. Design and implementation of X-band HPM pulsed phase discriminator [J]. China Measurement & Test, 2017, 43(6): 134-139.
[11] 陳婭莉, 盧波, 梁軍, 等. HL-2A裝置低雜波鑒相器標(biāo)定與實(shí)驗(yàn)研究 [J]. 核聚變與等離子體物理, 2016, 36(3): 199-202.
CHEN Yali, LU Bo, LIANG Jun, et al. Development of phase detector for LHCD system on HL-2A tokamak [J]. Nuclear Fusion and Plasma Physics, 2016, 36(3): 199-202.
[12] 孫耀賢, 張宇平. L波段I/Q正交鑒相器的實(shí)現(xiàn) [J]. 半導(dǎo)體情報(bào), 2000, 37(4): 52-54.
SUN Yaoxian, ZHANG Yuping. Realization of I/Q quadrature phase demodulator in L band [J]. Semiconductor Information, 2000, 37(4): 52-54.
[13] KOVALEV N F, PETELIN M I, RAIZER M D, et al. Generation of powerful electromagnetic radiation pulses by a beam of relativistic electrons [J]. JETP Letters, 1973, 18(4): 138-140.
[14] 戴大富. 高功率微波的發(fā)展與現(xiàn)狀 [J]. 真空電子技術(shù), 2004(5): 18-24.
DAI Dafu. The present status and future developments of high power microwave [J]. Vacuum Electronics, 2004(5): 18-24.
[15] 曾旭, 馮進(jìn)軍. 高功率微波源的現(xiàn)狀及其發(fā)展 [J]. 真空電子技術(shù), 2015(2): 18-27.
ZENG Xu, FENG Jinjun. Current situation and developments of high power microwave sources [J]. Vacuum Electronics, 2015(2): 18-27.
[16] 賀成, 吳寶花, 蔡萬勇. UWBR和HPMW一體化設(shè)計(jì)探討 [J]. 航天電子對(duì)抗, 2009, 25(2): 51-54.
HE Cheng, WU Baohua, CAI Wanyong. Discussion of UWBR and HPMW integrated design [J]. Aerospace Electronic Warfare, 2009, 25(2): 51-54.
[17] 唐濤, 蘇五星, 李建東, 等. 高功率雷達(dá)對(duì)抗反輻射導(dǎo)彈研究 [J]. 空軍雷達(dá)學(xué)院學(xué)報(bào), 2012, 26(3): 162-165.
TANG Tao, SU Wuxing, LI Jiandong, et al. Study on high power radar countering ARM [J]. Journal of Air Force Radar Academy, 2012, 26(3): 162-165.
[18] 趙欲聰. Ka波段強(qiáng)流帶狀注相對(duì)論速調(diào)管放大器的高頻系統(tǒng)研究 [D]. 成都: 電子科技大學(xué), 2014.
[19] 楊雨川. 高功率微波武器對(duì)衛(wèi)星電子系統(tǒng)的威脅及防護(hù)技術(shù) [D]. 長(zhǎng)沙: 國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué), 2008.
[20] 黃裕年. 高功率微波武器技術(shù)的發(fā)展評(píng)述 [J]. 微波學(xué)報(bào), 1999, 15(4): 354-360.
HUANG Yunian. Review of the progress in HPM weapon technology [J]. Journal of Microwaves, 1999, 15(4): 354-360.
[21] KANCLERIS Z, DAGYS M, SIMNISKIS R, et al. Recent advances in HPM pulse measurement using resistive sensors [C]∥14th IEEE International Pulsed Power Conference. Piscataway, NJ, USA: IEEE, 2003: 189-192.
[22] 戈弋, 黃華, 王建忠, 等. 高功率微波脈沖的相位測(cè)量方法初探 [J]. 微波學(xué)報(bào), 2014, 30(S1): 494-497.
GE Yi, Huang Hua, WANG Jianzhong, et al. Initial investigation of phase measurement method of high power microwave pulse [J]. Journal of Microwaves, 2014, 30(S1): 494-497.
[23] 丁榮林, 李媛. 微波技術(shù)與天線 [M]. 2版. 北京: 機(jī)械工業(yè)出版社, 2013.
[24] 陳翔, 孫冬全, 王小麗, 等. 基于間隙波導(dǎo)的小型化可插拔式無法蘭波導(dǎo) [J]. 西安交通大學(xué)學(xué)報(bào), 2021, 55(1): 27-32.
CHEN Xiang, SUN Dongquan, WANG Xiaoli, et al. A compact pluggable flangeless waveguide connection using gap waveguide technology [J]. Journal of Xi’an Jiaotong University, 2021, 55(1): 27-32.
[25] 陳翔, 雙龍龍, 孫冬全, 等. 懸置非接觸式低無源互調(diào)波導(dǎo)法蘭轉(zhuǎn)換方法 [J]. 西安交通大學(xué)學(xué)報(bào), 2020, 54(5): 117-123.
CHEN Xiang, SHUANG Longlong, SUN Dongquan, et al. Suspended contactless low passive intermodulation transition of waveguide flange [J]. Journal of Xi’an Jiaotong University, 2020, 54(5): 117-123.
[26] 殷明, 翁明, 劉婉, 等. 利用探針法研究二次電子發(fā)射過程中介質(zhì)材料的表面電位 [J]. 西安交通大學(xué)學(xué)報(bào), 2019, 53(1): 163-168.
YIN Ming, WENG Ming, LIU Wan, et al. Surface potential measurement of dielectric materials using metal probe in secondary electron emission process [J]. Journal of Xi’an Jiaotong University, 2019, 53(1): 163-168.