席喬悅
(廣東省國際工程咨詢有限公司,廣東廣州 510060)
關(guān)于網(wǎng)狀硫化銻薄膜的制備,通常會應(yīng)用專業(yè)的化學(xué)方法作為支持。制備工作開展過程中,具體的流程控制、制備過程中的外部環(huán)境因素等,都是取得理想制備效果的重要條件。在實踐應(yīng)用中,由于水熱法的操作便捷性更強(qiáng),所耗費的成本更低。因此,水熱法成為優(yōu)先選擇的工藝流程。作為具體進(jìn)行操作實踐的工作人員,應(yīng)當(dāng)對不同原材料的化學(xué)性質(zhì)和化學(xué)反應(yīng)的整體過程,做到全面了解,并且嚴(yán)格執(zhí)行制備流程,確保制備工作的質(zhì)量達(dá)到預(yù)期要求。
在太陽能電池的應(yīng)用過程中,網(wǎng)狀硫化銻薄膜作為重要的半導(dǎo)體材料,不僅安全無毒,還具有良好的應(yīng)用穩(wěn)定性。從網(wǎng)狀硫化銻的應(yīng)用功能上來講,這種類型的薄膜能夠提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,最高可達(dá)到30%以上。因此,現(xiàn)階段網(wǎng)狀硫化銻薄膜成為太陽能電池制備中廣泛應(yīng)用的典型原材料。
納米級別的網(wǎng)狀硫化銻可直接從ITO導(dǎo)電玻璃的襯底區(qū)域獲得。所獲得的薄膜表面電阻值為7Ω,透射率大約達(dá)到77%。襯底的尺寸為30mm×15mm×1.1mm。實驗操作前,要提前準(zhǔn)備上述基礎(chǔ)工具和原材料,并且保證原材料的規(guī)格符合標(biāo)準(zhǔn)要求。
制備實驗的過程關(guān)系到實驗的結(jié)果和實驗是否能夠順利推進(jìn)。因此,針對實驗過程的基本流程進(jìn)行確認(rèn),并確認(rèn)實驗過程的推進(jìn)流程,是取得更好的制備工作效果的重要條件。具體來說,制備實驗的過程包括以下幾部分要點。
1)對ITO導(dǎo)電玻璃主體進(jìn)行超聲波處理[1]。處理過程中,應(yīng)用到的原材料包括丙酮,乙醇,蒸餾水,分別將這三種原材料用超聲方式清洗。清洗時間持續(xù)30min,清洗完成后進(jìn)一步進(jìn)行烘干操作。
2)將ITO主體面向下進(jìn)行傾斜,放置傾斜在50mL高壓反應(yīng)釜聚四氟乙烯的內(nèi)襯中進(jìn)行待用。
3)選取0.4M的酒石酸銻鉀溶于30mL的去離子水中。隨后,用磁力棒持續(xù)攪拌15min,在溶液溶解后加入0.2g的PVP-K30繼續(xù)攪拌,持續(xù)15min。繼續(xù)觀察溶解狀態(tài)。
4)在混合溶液中加入0.8M的TAA攪拌。攪拌時間設(shè)置為35min。
5)將酒石酸銻鉀以及PVP與TAA的混合物導(dǎo)入ITO襯底的聚四氟乙烯內(nèi)襯中,隨后將反應(yīng)釜內(nèi)襯進(jìn)行密封,放入烘箱中,設(shè)置180℃的溫度進(jìn)行恒溫加熱[2]。加熱持續(xù)時間24h,反應(yīng)完成后,靜置冷卻至室溫水平。
6)將反應(yīng)釜打開,取出ITO,用去離子水進(jìn)行沖洗。這時,可得到顏色為棕褐色的納米級硫化銻薄膜。下圖1為網(wǎng)狀硫化銻薄膜制備流程圖。
圖1 網(wǎng)狀硫化銻薄膜制備流程圖
此類薄膜的制備主要是為了給網(wǎng)狀硫化銻薄膜制備表面生長的納米級薄膜。在具體的制備工作落實中,溶液配置環(huán)節(jié)是薄膜制備的關(guān)鍵要點。具體來說,溶液配置流程包括以下幾部分內(nèi)容。
1)配制溶液類型包括醋酸鉛水溶液和三乙醇胺水溶液。配制過程中,要求溶液配置量達(dá)到25mL,溶液配制單位分別為0.05M和0.08M。隨后,分別倒入25mL0.2M的氫氧化鈉水溶液,用磁力棒進(jìn)行攪拌,攪拌時長持續(xù)1h。隨后得到澄清狀態(tài)的水溶液[3]。
2)加入硫脲水溶液。加入規(guī)格為0.12M,加入總量為25mL。加入完成后,用磁力棒攪拌3min,促進(jìn)溶液溶解。將已經(jīng)完成的薄膜ITO襯底用豎直方向懸掛的方式,懸掛在廣口瓶的中間位置。隨后,再繼續(xù)將配制好的混合溶液倒入廣口瓶中。
3)放入廣口瓶后,將溶液進(jìn)行密封處理。隨后,置入溫度水平達(dá)到70℃的水中進(jìn)行水浴,具體水浴設(shè)備為熱恒溫加熱器。放置持續(xù)時間30min,發(fā)生水熱化反應(yīng)。反應(yīng)完成后,靜置冷卻至室溫,取出。
4)這時,即完成了PbS薄膜與硫化銻薄膜的合成,得到復(fù)合薄膜。為了防止襯底背面的薄膜結(jié)構(gòu)對光的吸收效果產(chǎn)生不良影響,需要通過應(yīng)用稀鹽酸對面薄膜進(jìn)行擦拭。并同步用離子水進(jìn)行沖洗,避免殘留的化學(xué)試劑對薄膜表面造成污染。
5)將清洗完成的薄膜放入烘干箱中,將溫度設(shè)置在260℃的水平,選擇N2氣氛圍進(jìn)行退火處理,退火時長,維持30min。退火完成后,即得到表面分布均勻的合成薄膜,圖2為合成薄膜結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2 復(fù)合薄膜制備示意圖
太陽能電池的組裝在實踐中,也需要以科學(xué)的流程為指導(dǎo)。具體來說,在制作完復(fù)合薄膜后,太陽能電池組裝的流程要點,包括以下幾部分內(nèi)容。
1)應(yīng)用離子濺射儀在復(fù)合薄膜的表面進(jìn)行Au材料的濺射操作。進(jìn)行濺射操作時,需要保持均衡性,并且考慮效率問題。濺射完成后,將其作為背電極進(jìn)行應(yīng)用。關(guān)于背電極的面積,主要取決于掩膜的面積。在本文探討的實驗中,面積設(shè)置為3mm×3mm。
2)在背電極表面涂上銀漿,用銅絲引出電極。
3)將樣品放入烘干箱中繼續(xù)加熱,這時,銀漿會被有效固化。在電池發(fā)揮作用的過程中,當(dāng)光能照射后,光可從ITO表面照射,再經(jīng)過薄膜結(jié)構(gòu)被吸收。下圖3為復(fù)合薄膜電池結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3 復(fù)合薄膜電池結(jié)構(gòu)示意圖
在獲得樣品后,應(yīng)用X射線衍射的方式進(jìn)行檢測操作,檢驗晶相。隨著時間的推移,在固定的溫度水平下,硫化銻薄膜的X2D衍射狀態(tài)具有非常典型的趨勢變化特征。且通過對材料實物的觀察可知,在ITO玻璃被深棕色的硫化梯薄膜材料覆蓋時,并未發(fā)現(xiàn)玻璃現(xiàn)象的出現(xiàn)。其與 ITO玻璃緊密結(jié)合。而在關(guān)于衍射峰的檢測中。也未檢測到Sb單質(zhì)的衍射峰。在其余的檢測結(jié)果中,均顯示衍射峰與硫化銻的標(biāo)準(zhǔn)卡片要求數(shù)據(jù)相匹配。在不同的溫度點內(nèi),衍射峰會出現(xiàn)一定程度的增大趨勢。在進(jìn)一步的分析中,為了明確反映溫度和時間因素對薄膜物相的影響,還需要通過設(shè)定固定的溫度水平以及不同的反應(yīng)時間進(jìn)行XRD表征的觀察。通過觀察可知,當(dāng)反應(yīng)溫度設(shè)置為180℃時,水熱反應(yīng)的時間設(shè)置為12h,這時,薄膜的XRD圖譜中的衍射峰呈現(xiàn)出雜亂無章的狀態(tài)。振動峰位的顯著性也有所不足。而隨著反應(yīng)溫度的提升,樣品的衍射峰振動強(qiáng)度也會呈現(xiàn)出增強(qiáng)的整體趨勢。經(jīng)過測試觀察可知,隨著反應(yīng)的時間在12h或高于12h區(qū)間范圍內(nèi)時,薄膜呈現(xiàn)出無定型非晶狀態(tài)。當(dāng)反應(yīng)時間增長至16h時,隨著反應(yīng)時間的增長,衍射峰的振動強(qiáng)度也同步增強(qiáng)。這時,反應(yīng)溫度達(dá)到200℃,反應(yīng)持續(xù)時間為16h。最終所得到的樣品衍射峰較之180℃溫度水平下的16~30h的反應(yīng)峰值更加明顯。這非常顯著地提示了溫度對薄膜結(jié)構(gòu)結(jié)晶程度的影響。溫度的增加會提升薄膜結(jié)構(gòu)的結(jié)晶程度。
在這部分分析工作的落實中,需要利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡,對樣品的形態(tài)結(jié)構(gòu)進(jìn)行直觀的觀察。在觀察形貌時,需要對溫度指標(biāo)以及反應(yīng)時間進(jìn)行基礎(chǔ)設(shè)定。隨后,會得到薄膜正面和截面的SEM圖形。通過對圖像的觀察分析可知,在蜂窩之間的網(wǎng)壁厚度數(shù)值方面。數(shù)值范圍最大達(dá)到了80nm,最小為50nm。通過對圖像的觀察可知,在互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中均勻密集的分布狀態(tài)是復(fù)合薄膜的常規(guī)分布狀態(tài)。并且分布狀態(tài)的穩(wěn)定性相對更好,未出現(xiàn)裂開或脫離襯底的現(xiàn)象,薄膜厚度達(dá)到了360nm。關(guān)于反應(yīng)時間對薄膜形貌的影響,其主要趨勢如下。
在溫度水平相同的情況下,不同的生長時間得到的薄膜SEM測試結(jié)果有所不同。例如,在反應(yīng)時間持續(xù)2h時,可觀察到反應(yīng)樣品表面沉積了多個納米顆粒,納米顆粒的分布狀態(tài)為隨機(jī)分布,最大粒徑為50nm。當(dāng)水熱反應(yīng)持續(xù)到4h時,樣品的SEM圖顯示出顆粒之間的團(tuán)聚現(xiàn)象更為顯著。并且從顆粒表面產(chǎn)生了一些網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),進(jìn)一步拉長反應(yīng)時間,可繼續(xù)觀察到襯底表面的納米顆粒有顯著減少的趨勢。而襯底大部分的位置被蜂窩結(jié)構(gòu)和網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)覆蓋,若將反應(yīng)時間繼續(xù)拉長至12h,則身體表面的納米顆粒會逐漸消失,被網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)完全覆蓋。進(jìn)一步拉長反應(yīng)時間,可進(jìn)一步觀察到襯底上的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出均勻且致密的分布狀態(tài)。蜂窩壁厚度也保持在穩(wěn)定的水平。厚度指標(biāo)達(dá)到20nm。當(dāng)水熱反應(yīng)的時間持續(xù)到24h,并進(jìn)一步延長至30h時,網(wǎng)絡(luò)的外壁結(jié)構(gòu)會進(jìn)一步增厚,但整個的網(wǎng)狀分布形態(tài)不發(fā)生顯著的變化。由此可見,時間對于網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的形態(tài)分布會產(chǎn)生非常重要的影響,隨著時間的拉長,網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的中度狀態(tài)也會隨之發(fā)生變化。綜合分析可知,在發(fā)生水熱反應(yīng)時,時間指標(biāo)不僅會對網(wǎng)站結(jié)構(gòu)直接造成影響,還會對薄膜的厚度同步產(chǎn)生影響。不同的反應(yīng)時間所得到的薄膜厚度,也可進(jìn)一步繪制成折線圖,對圖形進(jìn)行分析可知,反應(yīng)時間的增大與薄膜厚度的增大在一定程度上呈現(xiàn)正比關(guān)系。
表面活性劑在溶液中的作用在于定向排列,能夠通過吸附物質(zhì)表面的特性,在制備納米結(jié)構(gòu)時發(fā)揮作用。PVP就屬于一種非離子型高分子化合物。在本文研究的薄膜網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)形成的過程中,也產(chǎn)生著非常重要的影響。通過觀察可知,若PVP不參與整體的反應(yīng),薄膜會顯示出擇優(yōu)取向生長的狀態(tài),形貌也會由于擇優(yōu)的選擇方式產(chǎn)生顯著的差異。這時的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)表面缺乏均勻性,局部會呈現(xiàn)出樹狀的納米結(jié)構(gòu)和粒子團(tuán)聚現(xiàn)象。進(jìn)一步分析可知,當(dāng)PVP的劑量進(jìn)一步增加,分別按照0.40.6和0.8的用量進(jìn)行融合應(yīng)用后,薄膜表面的形貌也會進(jìn)一步發(fā)生變化,網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的均勻性相對更進(jìn)一步的增強(qiáng)。從基本性質(zhì)上來講,PVP屬于陽離子表面活性劑,在反應(yīng)體系中,這種分子會產(chǎn)生空間位阻效應(yīng),使得納米粒子之間的碰撞概率進(jìn)一步減小,這會同步減小納米顆粒的表面能對本文探討的網(wǎng)狀硫化銻薄膜產(chǎn)生阻礙作用,主要阻礙晶核的取向生長并且控制生長速度。
通過本文的分析可知,太陽能電池制備的過程中,硫化銻薄膜屬于典型的基礎(chǔ)原材料。薄膜的制備需要考慮溫度因素與時間因素的影響。在具體的太陽能電池制備過程中,不僅要嚴(yán)格按照制備操作流程進(jìn)行實踐操作,更應(yīng)當(dāng)時間與溫度對薄膜狀態(tài)的影響進(jìn)行合理分析,提升電池制作的可靠性和安全性,確保太陽能電池的性能發(fā)揮效果達(dá)到預(yù)期的要求。