王怡璇 吳志宇 黎建平
(深圳市世清環(huán)??萍加邢薰?,廣東 深圳 518105)
當(dāng)前電子工業(yè)飛速發(fā)展,印制電路板(printed circuit board,PCB)已成為電子行業(yè)中的重要產(chǎn)業(yè)之一。其復(fù)雜的制程會(huì)產(chǎn)生許多廢棄物和廢水[1],尤其是電鍍金和化學(xué)鍍金溶液含有氰化物,制程中的清洗工序所產(chǎn)生的廢水含有高生物毒性氰化物,會(huì)經(jīng)皮膚、消化道、呼吸道等影響機(jī)體內(nèi)酶從而導(dǎo)致生物中毒,甚至死亡[2]。因此,PCB 含氰廢水嚴(yán)格要求獨(dú)立收集,針對(duì)性處理,且新建企業(yè)排放口氰化物濃度必須滿足《電子工業(yè)水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB 39731—2020)所規(guī)定的污染物排放限值(0.5 mg/L),方可排放。
目前,含氰廢水處理主要包括氯氧化法、臭氧氧化法、過氧化氫氧化法[3]等,其中氯氧化二級(jí)破氰技術(shù)應(yīng)用最廣泛。其原理是在pH 為10~11條件下加入氯氧化劑將氰化物氧化成氰酸鹽,再將pH 調(diào)節(jié)至8~8.5,加入氯氧化劑使氰酸鹽被氧化成氮?dú)猓∟2)和二氧化碳(CO2)。該氯氧化法具有操作簡(jiǎn)單、藥劑來源廣等優(yōu)點(diǎn),但反應(yīng)過程需嚴(yán)格控制堿性,否則有氰化氫(HCN)中毒風(fēng)險(xiǎn);如Cl2和CNCl有毒氣體逸出,危害人體健康;藥劑存儲(chǔ)有一定危險(xiǎn)性;如過量加藥殘留余氯會(huì)腐蝕設(shè)備[4]。因此,在推進(jìn)PCB 行業(yè)安全生產(chǎn)和綠色發(fā)展的雙目標(biāo)下,尋找一項(xiàng)操作簡(jiǎn)單、成本低廉、無安全隱患、穩(wěn)定達(dá)標(biāo)的新技術(shù)成為廣大研究工作者努力的方向。
電化學(xué)氧化法具有無二次污染、可控性較強(qiáng)、能耗低、反應(yīng)設(shè)備操作簡(jiǎn),以及兼具有氣浮、絮凝、殺菌等作用,被譽(yù)為環(huán)境友好的綠色技術(shù),正越來越受到重視。某公司基于電化學(xué)氧化法創(chuàng)新研發(fā)“1 元破氰技術(shù)”,無須投加化學(xué)藥劑,僅利用電激發(fā)產(chǎn)生的強(qiáng)氧化性的羥基自由基全方位破氰。本文以江蘇某電子股份有限公司電金線和沉金線所產(chǎn)生的含氰廢水,改進(jìn)原有氯氧化二級(jí)破氰技術(shù)進(jìn)行改造升級(jí)一工程應(yīng)用為例,介紹1元破氰技術(shù)原理、處理效果和和經(jīng)濟(jì)效益等。
江蘇某電子股份有限公司是一家致力于高密度互連(high density interconnector,HDI)板、軟板、軟硬結(jié)合板、類載板、集成電路載板等的制造企業(yè)。其電鍍金生產(chǎn)線(電金線)和化學(xué)鍍金生產(chǎn)線(沉金線)在生產(chǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生大量的含氰廢水,傳統(tǒng)工藝是采用氯氧化二級(jí)破氰技術(shù)處理,其成本較高,且存在安全隱患。
根據(jù)企業(yè)提供的資料,電金線每月排放含氰廢水約600 m3,沉金線每月排放含氰廢水約750 m3。水質(zhì)情況:pH 為7~8,CN-含量為10~50 mg/L。企業(yè)要求處理出水氰化物質(zhì)量濃度需低于0.05 mg/L的排放標(biāo)準(zhǔn)。
基于電化學(xué)氧化法的“1 元破氰技術(shù)”,以石墨板為陰陽(yáng)極、負(fù)載氧化性的復(fù)合填充離子為第三電極,構(gòu)建三維電解體系,利用電子作為反應(yīng)物,快速將氰化物穩(wěn)定氧化成無毒的CO2和N2。
相較于傳統(tǒng)的平板二維電極,施加電壓后的粒子電極,會(huì)在其表面形成高電位,并產(chǎn)生多個(gè)活性位點(diǎn)。另外,填充的粒子電極間距小,使物質(zhì)的傳質(zhì)速度增大,可提高電流效率和處理能力。
采用1 元破氰技術(shù)處理含氰廢水時(shí),三維電解體系生成強(qiáng)氧化性物質(zhì),陽(yáng)極反應(yīng)式為
陰極反應(yīng)為
廢水中,氰化物的氧化分為陽(yáng)極上的直接氧化反應(yīng)和間接氧化反應(yīng)式,分別為
(1)直接氧化反應(yīng):直接通過電子的轉(zhuǎn)移將氰化物轉(zhuǎn)化為無害無毒物質(zhì)。
(2)間接氧化反應(yīng):氰化物被體系生成的強(qiáng)氧化性物質(zhì)間接氧化。
電金線含氰廢水和沉金線含氰廢水分別單獨(dú)收集,廢水收集池設(shè)置液位控制器,以控制提升泵的開啟。含氰廢水經(jīng)泵提升至1 元破氰設(shè)備進(jìn)行電化學(xué)氧化破氰反應(yīng),1元破氰設(shè)備廢水停留時(shí)間設(shè)置為48 min。設(shè)備處理完成后,出水經(jīng)收集并匯入廠區(qū)綜合廢水池與其他廢水深度處理。其處理工藝流程如圖1所示。
該項(xiàng)目于2022年8月完成安裝調(diào)試并運(yùn)行,分別在處理出水收集池設(shè)置氰化物濃度檢測(cè)位點(diǎn)對(duì)“1 元破氰”設(shè)備處理效果進(jìn)行監(jiān)測(cè),結(jié)果如圖2所示。
圖2 處理出水收集池氰化物監(jiān)測(cè)記錄
由圖2 可知,通過對(duì)設(shè)備處理出水連續(xù)監(jiān)測(cè)120 d,處理出水氰化物質(zhì)量濃度持續(xù)小于0.05 mg/L。因此,企業(yè)廢水總排口的總氰化物符合《電鍍污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB 21900—2008)中的排放限值0.2 mg/L。
根據(jù)運(yùn)行情況可知,除了能使出水氰化物穩(wěn)定達(dá)標(biāo)排放之外,該工程在運(yùn)營(yíng)成本上具有顯著的優(yōu)勢(shì)。改進(jìn)工藝與原處理方案運(yùn)行成本的比較情況見表1。原采用氯氧化二級(jí)破氰技術(shù)處理,處理費(fèi)用包括藥劑費(fèi)、運(yùn)行能耗費(fèi)和污泥處置費(fèi),總計(jì)38.04 元/m3。采用1 元破氰技術(shù),無須添加藥劑,設(shè)備僅耗電量約1.44度/m3,處理費(fèi)為1.008元(不含折舊費(fèi))。預(yù)計(jì)每年可節(jié)省成本97.35%。
表1 運(yùn)行成本比較
(1)連續(xù)監(jiān)測(cè)結(jié)果表明,采用“1 元破氰技術(shù)”處理PCB 含氰廢水能穩(wěn)定達(dá)標(biāo),且噸水運(yùn)行成本約1 元錢,預(yù)計(jì)每年可降低企業(yè)處理成本97.35%。
(2)該技術(shù)無須預(yù)處理,低壓直流電源控制降解,適應(yīng)性廣;不投加化學(xué)藥品,無污泥,清潔無污染,方便省事。
(3)該技術(shù)無須調(diào)節(jié)pH,可規(guī)避人為操作失誤或儀表故障導(dǎo)致的氰化氫安全風(fēng)險(xiǎn),具有良好的環(huán)境效益和社會(huì)效益。
(4)對(duì)PCB 含氰廢水采用“1 元破氰技術(shù)”處理,電激發(fā)產(chǎn)生的強(qiáng)氧化性的羥基自由基可使廢水中其他有機(jī)絡(luò)合物氧化分解成小分子,從而進(jìn)一步降低末端處理的難度。