于嬌， 李萌萌， 柴松岳， 金祖權(quán)， 關(guān)靜

（1.青島理工大學(xué) 土木工程學(xué)院，山東 青島 266520；2.青島理工大學(xué) 海洋環(huán)境混凝土技術(shù)教育部工程研究中心，山東 青島 266520）

濱海行政區(qū)鹽度高、溫差大等特點(diǎn)形成了獨(dú)特的侵蝕環(huán)境，該地區(qū)水泥基材料的多孔性使其在服役期間極易受海水、海風(fēng)等耦合作用破壞.其中，氯鹽等有害離子的入侵是降低混凝土結(jié)構(gòu)耐久性的主要因素之一［1］.

在混凝土結(jié)構(gòu)涂覆防護(hù)涂層是防止水分子進(jìn)入水泥基材料內(nèi)部的有效方法和可行途徑.典型的硅烷類涂料具有優(yōu)異的憎水性，可以滲透混凝土表層，并在一定范圍內(nèi)形成憎水性保護(hù)層［2］.汪琪等［3］對(duì)涂覆硅烷浸漬劑混凝土中的氯離子進(jìn)行滲透性研究，發(fā)現(xiàn)涂覆2層浸漬劑可將混凝土的抗氯離子滲透性能提升37%.但實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，硅烷單體易揮發(fā)［4］，且耐久性防護(hù)不理想［5］.為此，學(xué)者們進(jìn)一步開發(fā)了復(fù)合涂層［6］，其中氧化石墨烯（GO）具有豐富的含氧官能團(tuán)，可有效鍵合聚合物［7］.張友來(lái)等［4］制備了氧化石墨烯/異丁基硅烷復(fù)合乳液，其毛細(xì)吸水系數(shù)降低幅度高達(dá)92.5%.但制備其所采用的乳化劑和分散劑均含有憎水基團(tuán)，導(dǎo)致涂層的疏水性物質(zhì)來(lái)源并不單一.

目前仍然缺乏復(fù)合涂層的改性機(jī)理研究，鑒于此，本文基于分子動(dòng)力學(xué)，對(duì)涂覆氧化石墨烯/硅烷（GS）復(fù)合涂層的水泥基材料傳輸過(guò)程進(jìn)行模擬，探究此類復(fù)合涂層在耐久性防護(hù)方面的有效性.通過(guò)對(duì)復(fù)合涂層界面微觀結(jié)構(gòu)的分析，確定了其與基體的黏結(jié)機(jī)理和疏水性來(lái)源.

1 建模及模擬過(guò)程

1.1 復(fù)合涂層孔道傳輸模型

基于tobermorite 11?結(jié)構(gòu)，進(jìn)行部分?jǐn)噫満唾|(zhì)子化處理，得到符合試驗(yàn)結(jié)果的骨架結(jié)構(gòu)［8］，進(jìn)而通過(guò)巨正則蒙特卡洛（grand canonical Monte Carlo，GCMC）吸水運(yùn)算，得到層間區(qū)域飽和的水化硅酸鈣（C-S-H）結(jié)構(gòu)模型［9］.圖1為傳輸孔道模型平衡態(tài)快照.由圖1可見：沿平行于［0 0 1］晶面方向，在層間區(qū)域?qū)-S-H結(jié)構(gòu)切開，得到約4 nm寬的C-S-H孔道（圖1（a）），對(duì)孔道界面進(jìn)行羥基化處理后，在孔道的一端設(shè)置純水溶液（水分子密度為1.0 g/cm3）；在C-S-H孔道內(nèi)部分別引入氧化石墨烯（GO）涂層和氧化石墨烯/硅烷（GS）復(fù)合涂層，得到GO涂層與GS復(fù)合涂層孔道傳輸模型（圖1（b）、（c））；其中GO涂層中設(shè)置羥基和環(huán)氧基2種官能團(tuán)（圖1（d）），覆蓋率為20%.考慮到異丁基三乙氧基硅烷發(fā)生水解反應(yīng)后會(huì)進(jìn)一步與GO的羥基發(fā)生反應(yīng)，故將末端帶有烷基長(zhǎng)鏈的硅氧烷嫁接在GO涂層中［10］，此時(shí)GO的羥基氧原子Oh轉(zhuǎn)變?yōu)檫B接GO與硅烷的連接氧原子O.GS復(fù)合涂層中，硅烷分子隨機(jī)分布在GO片層上.沿著傳輸通道方向（y方向）在模擬盒的兩端均保留真空層，以防止水和離子逸出.3組模型的晶格參數(shù)為a=2.232 nm、b=28.821 nm、α=90?、β=90?、γ=90?.

圖1 傳輸孔道模型平衡態(tài)快照Fig.1 Equilibrium snapshots of transport model（size：nm）

圖2為不同孔道內(nèi)徑示意圖.由圖2可見：在C-S-H孔道中，將硅鏈中Oh的平均位置定義為孔道界面；在GO涂層和GS復(fù)合涂層孔道中，將GO涂層中Oh（或GO與硅烷的連接氧原子O）的平均位置定義為復(fù)合涂層界面.

圖2 不同孔道內(nèi)徑示意圖Fig.2 Schematic diagram of different nanopore internal diameters（size：nm）

1.2 計(jì)算與模擬方法

選用Cygan等［11］開發(fā)的ClayFF力場(chǎng)來(lái)模擬C-S-H中原子的相互作用，水分子與羥基之間的作用使用經(jīng)典的單點(diǎn)電荷模型.氧化石墨烯和硅烷中的原子間交互作用選用CVFF力場(chǎng)［12］描述.上述2種力場(chǎng)的聯(lián)用已經(jīng)成功應(yīng)用于水泥基材料的模擬中.

使用分子動(dòng)力學(xué)模擬軟件LAMMPS來(lái)進(jìn)行傳輸模型的分子動(dòng)力學(xué)模擬計(jì)算［13］，對(duì)模型中的x、y、z方向應(yīng)用周期性邊界.首先通過(guò)能量?jī)?yōu)化以調(diào)整不合理的局部結(jié)構(gòu)，進(jìn)而在NVT系綜下進(jìn)行整個(gè)傳輸過(guò)程的模擬.系統(tǒng)溫度設(shè)定為300 K，時(shí)間步長(zhǎng)為1 fs.傳輸模擬分為平衡階段和傳輸階段2個(gè)過(guò)程.在整個(gè)平衡階段，孔道與孔道交界處均設(shè)置不可見的壁.首先，固定孔道結(jié)構(gòu)，對(duì)溶液進(jìn)行動(dòng)力學(xué)計(jì)算使其達(dá)到平衡態(tài)；然后，解除孔道結(jié)構(gòu)的限制，使整個(gè)體系達(dá)到平衡階段，該階段總時(shí)長(zhǎng)為0.5 ns；最后，在傳輸階段解除不可見的壁，對(duì)整個(gè)體系進(jìn)行長(zhǎng)達(dá)10 ns的動(dòng)力學(xué)運(yùn)算，每2 000 fs記錄1次原子軌跡，用于結(jié)構(gòu)和動(dòng)力學(xué)分析.

2 結(jié)果分析與討論

2.1 水分傳輸過(guò)程

圖3為不同孔道在1.25、2.50、5.00、10.00 ns時(shí)的水分傳輸快照.由圖3可見：（1）水分在C-S-H孔道中發(fā)生傳輸行為，孔道中的液面呈現(xiàn)凹液面形態(tài)，即水分與C-S-H界面的接觸角為銳角；隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，溶液穩(wěn)步充滿孔道.（2）GO涂層的引入略微加快了水分的傳輸速率，孔道中的液面形態(tài)仍為凹液面.（3）GS復(fù)合涂層對(duì)水分的傳輸過(guò)程有著明顯的抑制作用，在長(zhǎng)達(dá)10.00 ns的傳輸過(guò)程中，水分對(duì)GS孔道的填充率僅為36.5%；侵入孔道中的溶液液面形態(tài)也發(fā)生很大變化，水分與復(fù)合涂層的界面接觸角為鈍角.（4）無(wú)論是GO涂層還是GS復(fù)合涂層，在水分子的傳輸過(guò)程中均未出現(xiàn)明顯的剝落現(xiàn)象.

圖3 1.25、2.50、5.00、10.00 ns時(shí)水分傳輸快照Fig.3 Snapshots of water transport at 1.25， 2.50， 5.00， 10.00 ns

為進(jìn)一步定量表征不同孔道界面對(duì)水分傳輸?shù)挠绊懀y(tǒng)計(jì)水分子沿傳輸方向（y方向）的傳輸高度，取傳輸前端10個(gè)水分子傳輸高度的平均值，得到前沿水分子傳輸高度隨時(shí)間的演變過(guò)程，水分子傳輸高度曲線見圖4.由圖4可見：在早期時(shí)刻（時(shí)間t<0.25 ns），水分在C-S-H孔道和GO孔道中傳輸速率相當(dāng)；0.25～1.00 ns時(shí)，水分在GO涂層孔道中具有更快的傳輸速率；0.80 ns時(shí)，GO孔道中的前沿水分子已傳輸至孔道上端位置（88 ?）；1.20 ns時(shí)，C-S-H孔道中的前沿水分子也傳輸至孔道上端；水分在GS孔道中始終無(wú)法跨越50 ?的傳輸高度.

圖4 水分子傳輸高度曲線Fig.4 Curves of water molecule transport depth

2.2 GS復(fù)合涂層與基體的相互作用

由上可知，GS復(fù)合涂層能夠較好地與C-S-H基體結(jié)合.進(jìn)一步計(jì)算GS復(fù)合涂層與基體原子間的徑向分布函數(shù)RDF（用g（r）表示，其中r為距離）和能夠探究涂層與基體間離子鍵連接穩(wěn)定性的時(shí)間相關(guān)函數(shù)TCF（用c（t）表示），結(jié)果見圖5.由圖5可見：GS復(fù)合涂層中的2種氧原子（羥基氧原子Oh和連接氧原子O）均可與基體中的鈣離子形成化學(xué)鍵連接，這2種氧原子與C-S-H基體形成的離子鍵具有相同的鍵長(zhǎng)；在100 ps時(shí)長(zhǎng)里，2種離子鍵的TCF衰減幅度很小，說(shuō)明其具有極強(qiáng)的穩(wěn)定性.2種離子鍵的鍵結(jié)情況如圖6所示.

圖5 GS與基體鈣離子的微觀結(jié)構(gòu)Fig.5 Microstructure of GS and matrix calsium atoms

圖6 典型離子鍵快照Fig.6 Snapshots of typical ionic bonding

為更好地表征GS分子與C-S-H表面之間的靜電相互作用，且確認(rèn)Ca—O鍵是否形成，利用基于密度泛函理論的第一性原理，計(jì)算GO分子吸附于C-S-H表面的最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)及吸附過(guò)程中的電荷密度差ΡCDD.ΡCDD的計(jì)算式為：

式中：ΡGO+CSH為GO與C-S-H吸附體系的電荷密度；ΡGO為GO的電荷密度；ΡCSH為C-S-H基底的電荷密度.

吸附過(guò)程中的電荷密度差見圖7.其中綠色、紅色、黃色和白色球體分別代表Ca、O、Si和H原子；黃色和藍(lán)色區(qū)域分別表示電子產(chǎn)生的聚集和彌散區(qū)域.等表面值被設(shè)定為6.487×10-21e/?3.由圖7可見：GO分子中的O原子與鄰近的C-S-H表面的Ca原子之間有明顯的黃色區(qū)域，這種電子聚集的現(xiàn)象說(shuō)明Ca、O原子之間有明顯的靜電相互作用，是Ca—O鍵形成的直接證據(jù)；而電子彌散區(qū)域有一部分分布于Ca、O原子之間，說(shuō)明成鍵過(guò)程中電子從Ca原子轉(zhuǎn)移到O原子；在GO分子周圍也有少量電子的聚集和彌散區(qū)域，說(shuō)明吸附過(guò)程中GO分子的電子也發(fā)生了重分布現(xiàn)象.

圖7 GO分子吸附在C-S-H表面的電荷密度差Fig.7 Charge density difference of GO molecule adsorption on C-S-H surface

2.3 水分與孔道界面相互作用

1 ns時(shí)刻不同體系中沿垂直于傳輸方向（z方向）的水分子（Ow、Hw）、硅鏈氧原子（Os）、GO涂層原子（Cg）和GS涂層原子（S）的強(qiáng)度分布如圖8所示.由圖8可見：（1）由于C-S-H具有親水性，其孔道界面處（18、57 ?）的水分子存在強(qiáng)度分布峰.（2）水分子在GO界面處（24、62 ?）也具有強(qiáng)度分布峰，說(shuō)明GO涂層同樣表現(xiàn)為親水性.（3）在GS復(fù)合孔道界面處不存在水分子的強(qiáng)度峰，表明氧化石墨烯-硅烷復(fù)合涂層具有疏水性；另外水分子與硅烷分子存在二維交叉分布，意味著少量水分子可以穿越硅烷層的疏水性尾鏈，與嫁接在氧化石墨烯上的烷烴基前端發(fā)生相互作用.

圖8 原子沿垂直于傳輸方向（z方向）的強(qiáng)度分布Fig.8 Intensity distribution of atoms along direction perpendicular to transport direction （z-direction）

通過(guò)計(jì)算界面區(qū)域水分子的偶極矩和偶極角，可進(jìn)一步證實(shí)不同界面的親疏水性，以表征水分子的取向特性.需要說(shuō)明的是，納入計(jì)算的界面區(qū)域?yàn)閳D8中水分子強(qiáng)度峰值與陰影區(qū)域的交匯處.圖9為不同孔道界面處水分子的偶極矩與偶極角，其中虛線為自由水的偶極矩.圖10為不同孔道界面處的典型水分子分布快照.由圖9（a）可見：相比自由水的偶極矩，C-S-H和GO界面水分子的偶極矩均存在正位移，尤其是GO界面的水分子偶極矩偏移至2.6 D，表明其具有強(qiáng)親水性；GS界面的水分子偶極矩發(fā)生負(fù)位移，印證了GS復(fù)合涂層界面的疏水性.由圖9（b）可見：（1）C-S-H界面的水分子在85°處存在較寬的分布峰，在145°處存在明顯的強(qiáng)度峰.其中，85°特征峰表明靠近C-S-H界面的水分子呈現(xiàn)O—H鍵指向C-S-H界面的形態(tài)（圖10（a）），此時(shí)水分子中的氫原子與C-S-H硅氧鏈中的氧原子形成氫鍵連接；位于145°處的尖銳峰則是由于水分子中的氧原子與界面鈣離子形成離子鍵連接，故形態(tài)上表現(xiàn)出O—H鍵背離C-S-H界面（圖10（b））.（2）GO界面的水分子偶極角分布僅在80°～100°有單分布峰，這種角度傾向主要源于水分子與GO中羥基氧所形成的氫鍵連接（圖10（c））.（3）GS界面的水分子偶極角主要集中在30°（圖10（d）），水分子穿越烷烴基的疏水性尾鏈，與硅羥基形成氫鍵連接，從而對(duì)水分子的形態(tài)分布產(chǎn)生了限制，疏水性尾鏈可以有效抑制這部分水分子繼續(xù)深入傳輸.

圖9 不同孔道界面處水分子的偶極矩與偶極角Fig.9 Dipole moment and dipole angle of water molecules at different pore interfaces

圖10 不同孔道界面處的典型水分子分布快照Fig.10 Snapshots of typical water molecule distribution at different pore interfaces

圖11（a）為C-S-H模型中水分子與界面氧原子的RDF曲線.根據(jù)RDF峰值位置可知，水分子與硅酸鹽鏈中固體氧原子所形成的氫鍵連接更加緊密.此外，RDF第1個(gè)峰的峰肩來(lái)源于同一個(gè)硅氧四面體中的2種氧原子相互影響，如圖11（b）所示.觀察圖11（c）、（d）可知，相較于O—Ow連接，Oh—OwRDF的特征峰峰值位置左移，這說(shuō)明2種涂層中的羥基氧原子更傾向于與水分子形成氫鍵連接.

圖11 水分子的微觀結(jié)構(gòu)環(huán)境Fig.11 Microstructure environment of water molecules

圖12為水分子與不同孔道界面的時(shí)間相關(guān)函數(shù).由圖12可見：（1）100 ps時(shí)C-S-H界面中的Os—Ow的TCF值為0.30，而Oh—Ow的TCF具有更快的衰減速率，同一時(shí)刻其TCF值僅為0.12，說(shuō)明水分子與硅酸鹽鏈中的固體硅鏈氧原子形成的氫鍵連接更加穩(wěn)定，而與硅羥基所形成的氫鍵連接穩(wěn)定性較差.（2）GO涂層與水分子間的氫鍵連接穩(wěn)定性普遍優(yōu)于C-S-H基體.且GO涂層中的環(huán)氧基與水分子形成的化學(xué)鍵具有更好的穩(wěn)定性.（3）在GS復(fù)合涂層中，無(wú)論是環(huán)氧基還是羥基，與水分子形成的化學(xué)連接都極不穩(wěn)定.綜上可知，相較于C-S-H基體，GO涂層所引入的羥基和環(huán)氧基可以為水分的傳輸提供更加穩(wěn)定的氫鍵位點(diǎn)，從而有助于水分的加速傳輸；而GS涂層的疏水性尾鏈會(huì)極大地干擾水分子與涂層間形成氫鍵連接，從而有效抑制水分傳輸.

圖12 水分子與不同孔道界面的時(shí)間相關(guān)函數(shù)Fig.12 Time dependent functions of water molecules with different pore interfaces

3 結(jié)論

（1）氧化石墨烯/硅烷（GS）復(fù)合涂層通過(guò)離子鍵相互作用，與C-S-H基體產(chǎn)生有效結(jié)合，其裸露的疏水性尾鏈可以有效抑制水分的傳輸.

（2）水分子在親水性的C-S-H孔道和氧化石墨烯（GO）涂層孔道中可以持續(xù)性傳輸，且富含羥基和環(huán)氧基的GO涂層提供的大量氫鍵位點(diǎn)會(huì)加速水分的傳輸.

（3）由于氫鍵和離子鍵作用，C-S-H孔道界面的水分子同時(shí)存在O—H鍵指向或者背離界面這2種形態(tài)；而靠近GO孔道界面的水分子主要受氫鍵作用的吸引，呈現(xiàn)單一形態(tài)分布.