孫治國,黃喬洋,墨紅豆,王洪龍,王曉廣,,夏發(fā)明,李金湯,姜林旭,方可,蘇小雅
(1.武漢紡織大學(xué)紡織科學(xué)與工程學(xué)院,武漢 430200; 2.湖北頂新環(huán)保新材料有限公司,湖北黃石 435200;3.山東潤泉生物科技有限公司,山東棗莊 277000)
傳統(tǒng)的石油基塑料因其分子量大、高化學(xué)鍵能等特點(diǎn)難以被降解,產(chǎn)生白色污染,因此生產(chǎn)可自然降解塑料成為一個(gè)全球性難題。淀粉與聚對苯二甲酸-己二酸丁二酯(PBAT)均具有良好的生物降解性能,其中淀粉是許多植物生產(chǎn)的天然豐富的高分子聚合物,其可降解、原料種類廣泛、價(jià)格低廉,被廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)制造行業(yè)[1];工業(yè)用PBAT由1,4-丁二醇、對苯二甲酸和羧酸制成[9]。它具有良好的柔韌性、拉伸性、可塑性等特點(diǎn),可大規(guī)模生產(chǎn)。而PBAT雖然在特定條件下也可完全降解,但由于淀粉內(nèi)部存在大量氫鍵,分子內(nèi)作用力較強(qiáng),對其加工較為困難[2-4],這也導(dǎo)致了其與PBAT生物相容性較差[5-8]。因此,通過對淀粉改性來提高其可塑性,再進(jìn)一步引入增容劑提高淀粉與PBAT的共混性。筆者采用的是電子束輻照技術(shù)對淀粉進(jìn)行改性,其對淀粉處理之后,淀粉分子鏈的糖苷鍵發(fā)生斷裂,對淀粉大分子分子量產(chǎn)生影響;輻射會使樣品產(chǎn)生大量自由基和自由電子,會提高反應(yīng)效率。此外,該制備方法簡單方便,改性程度穩(wěn)定且易于控制,生產(chǎn)成本和產(chǎn)品質(zhì)量都優(yōu)于化學(xué)改性淀粉[11]。對苯二酚(HQ)是一種有機(jī)化合物,廣泛應(yīng)用于醫(yī)學(xué)、染料、塑料等領(lǐng)域[10]。在制作淀粉基塑料時(shí),HQ可提高淀粉與甘油的交聯(lián)作用,增強(qiáng)淀粉基塑料的力學(xué)性能和熱穩(wěn)定性。此外,淀粉具有親水性,而PBAT是一種疏水性材料[12],親水性淀粉和疏水性材料之間的界面附著力較低,這正導(dǎo)致了制備出的復(fù)合材料的力學(xué)等性能降低。因此,通過添加增容劑改性聚酯(WPT)來改善二者的相容性和界面黏附性,其中WPT為自制可降解增容劑,其由間苯二甲酸-5-磺酸鈉與PBAT發(fā)生雙元縮聚反應(yīng)生成[13]。
筆者使用輻照改性淀粉,在無增容劑情況下,篩選HQ與淀粉的最佳配比,而后在此基礎(chǔ)上引入增容劑WPT,研究不同比例的TPS/PBAT復(fù)合材料的結(jié)晶形態(tài)、分子間相互作用以及微觀形貌與相容性的影響。
玉米淀粉:食品級,濟(jì)南茂鑫化工有限公司;
PBAT:粒料,蘇州智賢塑化進(jìn)出口有限公司;
丙三醇:分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;
對苯二酚:分析純,上海阿拉丁生物化學(xué)技術(shù)有限公司;
WPT:粒料,湖北項(xiàng)新環(huán)保材料有限公司。
萬能材料測試儀:YG028型,溫州方圓儀器有限公司;
雙螺桿擠出機(jī):SHJ-20型,南京杰恩特機(jī)電有限公司;
微型注射機(jī):SZS-15型,武漢瑞鳴實(shí)驗(yàn)儀器有限公司;
掃描電子顯微鏡(SEM):JSM-5600LV型,日本電子光學(xué)公司;
X射線衍射(XRD)儀:Empyrean型,荷蘭帕納科公司;
接觸角測試儀:SDC-100型,東莞市晟鼎精密儀器有限公司;
傅里葉變化衰減全反射紅外光譜(FT-ATR)儀:VERTEX型,德國布魯克光譜儀器公司;
電子分析天平:JM-A10002型,諸暨市超澤恒器設(shè)備有限公司;
高速多功能粉碎機(jī):CS-700Y型,武漢海納電器有限公司;
恒溫水浴鍋:HH-4型,常州國字儀器制造有限公司;
真空干燥箱:DHG-9240 A型,上海精宏試驗(yàn)設(shè)備有限公司。
(1) 熱塑性淀粉(TPS)的制備。
實(shí)驗(yàn)前先將淀粉在真空干燥箱中50 ℃干燥12 h。先將HQ(占淀粉干基分別為0,3%,5%,8%,10%)溶于水(占淀粉干基10%)和甘油(占淀粉干基35%)中,再稱取適量的原玉米淀粉和輻照劑量為4 kGy的玉米淀粉,一起加入高速混合機(jī)中進(jìn)行塑化處理5 min,靜置24 h后進(jìn)入雙螺桿擠出機(jī)中,切粒制備TPS母粒,雙螺桿擠出機(jī)加工條件為一區(qū)~六區(qū),溫度依次為110,120,125,135,130,125 ℃,螺桿速度為253 r/min。將制得的TPS材料切粒,在微型注射機(jī)上按ISO527-2—2012制備啞鈴樣條,其中注射機(jī)的工作條件為機(jī)筒溫度160 ℃,壓力為0.7 MPa,時(shí)間為5 s,模板溫度為55 ℃,保壓為0.5 MPa,時(shí)間為15 s。
(2) TPS/PBAT共混材料的制備。
選用HQ為5%的TPS通過添加WPT(占淀粉干基6%)進(jìn)行增容[13],再加入PBAT混合均勻后,在雙螺桿擠出機(jī)中制備TPS/PBAT共混材料切粒,再將切粒在微型注射機(jī)中制備啞鈴樣條,加工條件與TPS相同。
SEM測試:采用液態(tài)氮將樣品脆斷,對試樣的橫斷面進(jìn)行了噴金處理,并對截面進(jìn)行微觀表征,測試電壓10 kV;
XRD分析:采用X射線衍射對樣品的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,測試參數(shù)為管電壓40 kV,電流40 mA,掃描范圍5°~45°,掃描速度5°/min,步長為0.01°;
FT-ATR測試:在400~4 000 cm-1范圍內(nèi)測定,掃描時(shí)間為16~32 s,分辨率為4 cm-1。
接觸角測試:將待測的樣品安裝在樣品架的載玻片上,在其表面滴專用液滴,記錄液滴與其表面的接觸角,在同一樣品的不同位置至少進(jìn)行五次以上的測量。
拉伸性能測試:按GB/T 1040.1-2018進(jìn)行測試,標(biāo)準(zhǔn)啞鈴型試樣,室溫下以100 mm/min的應(yīng)變速率進(jìn)行。對于每種共混材料,測試了十個(gè)樣品,并對結(jié)果進(jìn)行了平均。其中隔距為30 mm,預(yù)加張力為20 N。
(1) TPS的紅外光譜分析。
圖1為樣品的紅外光譜分析圖,其中圖1a為原TPS、輻照TPS的紅外光譜[14],圖1b為不同HQ含量的TPS的紅外光譜圖,由圖1a看出,TPS分子鏈段上存在較寬羥基(O—H)吸收峰,其波數(shù)為3 200~3 550 cm-1;同時(shí),2 930 cm-1處為樣品的—CH2基團(tuán)的非對稱伸縮振動(dòng)峰,羥基的特征性吸收峰出現(xiàn)在1 650 cm-1;C—O—C伸縮振動(dòng)峰出現(xiàn)在淀粉分子主鏈上,波數(shù)是1 158 cm-1;樣品中的與伯醇相連的CO吸收峰位于1 080 cm-1位置。由圖1b看出,相較于玉米淀粉,在1 514 cm-1處出現(xiàn)了C=C的伸縮振動(dòng)以及苯環(huán)的骨架振動(dòng)(σC=C)[15],而淀粉的特征峰并未有消失或產(chǎn)生,說明HQ的加入與玉米淀粉的反應(yīng)是一種物理交聯(lián),并未發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
圖1 不同TPS樣品的紅外光譜分析
(2) TPS的結(jié)晶性能分析。
圖2為樣品的XRD譜圖,其中圖2a為原TPS、輻照TPS的XRD譜圖,圖2b為不同HQ含量TPS的XRD圖譜,在2θ為15.1°,17.1°,18.0°,23.0°出現(xiàn)結(jié)晶衍射峰,這是玉米淀粉特有的A型結(jié)晶峰,說明輻照改性不會使淀粉結(jié)晶類型產(chǎn)生影響[16-17]。由圖2b看出,增塑劑和HQ的加入破壞淀粉的結(jié)晶結(jié)構(gòu),使TPS的特征峰偏移至13.1°和19.8°,當(dāng)HQ的質(zhì)量含量高于或低于5%時(shí),這可能是由于HQ小分子會破壞淀粉分子間以及淀粉與塑化劑之間的氫鍵作用,從而使TPS結(jié)晶度有所改變;而當(dāng)HQ質(zhì)量含量為5%時(shí),輻照TPS/TPS在19.8°的特征峰消失,而原TPS的特征峰并未消失,這是因?yàn)檩椪仗幚頃a(chǎn)生自由基,提高反應(yīng)活性。這也說明輻照TPS比原TPS更好與HQ相容。參考徐斌等[18]計(jì)算分析得不同HQ含量TPS的結(jié)晶度參數(shù)列于表1。
表1 不同HQ含量的TPS的結(jié)晶度
圖2 不同TPS樣品的XRD譜圖
(3) 接觸角分析。
表2為TPS的接觸角測試數(shù)據(jù)。由表2看出,TPS接觸角呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢,而未加入HQ的輻照TPS比原TPS的接觸角小,這是因?yàn)檩椪誘PS會產(chǎn)生更多游離的羥基;隨著HQ的加入,TPS親水性先減小后增強(qiáng),這是因?yàn)镠Q的加入會與淀粉上的羥基形成氫鍵,導(dǎo)致了游離的羥基數(shù)量減少,親水性減弱,隨著HQ的含量增加,未參與形成氫鍵的HQ會阻礙淀粉與HQ之間形成氫鍵,同時(shí)HQ自身攜帶羥基官能團(tuán),能與水分子作用,因此接觸角減小。而輻照TPS相較于原TPS,輻照后游離的羥基增多,因此隨HQ加入,輻照TPS親水性更弱,接觸角更大。
表2 不同HQ含量的TPS的接觸角
(4)TPS拉伸性能分析。
表3為TPS的拉伸性能數(shù)據(jù)。從表3可知,TPS的拉伸強(qiáng)度隨HQ的加入呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢,而斷裂伸長率由于數(shù)值變化較小,但基本也呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢。當(dāng)HQ的質(zhì)量含量達(dá)到5%,TPS的拉伸強(qiáng)度達(dá)到最大值。原TPS的拉伸強(qiáng)度為14.3 MPa,斷裂伸長率為5.5%。輻照TPS的拉伸強(qiáng)度為13.7 MPa,斷裂伸長率為6.1%。原TPS相較于輻照TPS的拉伸強(qiáng)度偏大、斷裂伸長率偏小。這是因?yàn)檩椛渥饔煤?,淀粉分子中的長鏈?zhǔn)艿搅擞绊懀沟闷浞肿觾?nèi)部和分子之間的作用力減??;同時(shí),在淀粉中引入了小分子甘油,其羥基與淀粉中的羥基發(fā)生作用,導(dǎo)致淀粉發(fā)生溶脹,從而降低了其體系黏度,提高了TPS樣品的斷裂伸長率。
表3 不同HQ含量的TPS的拉伸強(qiáng)度與斷裂伸長率
綜上所述,當(dāng)HQ質(zhì)量含量為5%時(shí),性能最佳,因此選擇HQ質(zhì)量含量為5%的TPS與PBAT混合制備復(fù)合材料。
(1) TPS/PBAT的紅外光譜分析。
圖3為TPS/PBAT的紅外光譜,其中圖3a為無增容劑的TPS/PBAT紅外光譜圖,圖3b為含增容劑的TPS/PBAT紅外光譜圖,圖3c為純PBAT,WPT的紅外光譜圖。WPT是在PBAT的基礎(chǔ)上加入間苯二甲酸-5-磺酸鈉,引入磺酸鹽單體。在紅外光譜中,3 220~3 650 cm-1范圍內(nèi)為羥基的吸收峰;2 959 cm-1為PBAT分子鏈上亞甲基(—CH2—)的伸縮振動(dòng)吸收峰。在1 715 cm-1處是PBAT酯基上的羰基(—C=O)伸縮振動(dòng)吸收峰,在1 457,1 260,874,727 cm-1為苯環(huán)上C=C的伸縮振動(dòng)和苯環(huán)碳骨架振動(dòng)的吸收峰,以及具有鄰對位取代結(jié)構(gòu)苯環(huán)上C—H的面外彎曲振動(dòng)吸收峰,在626 cm-1處出現(xiàn)的是WPT的苯磺基的彎曲振動(dòng)吸收峰。由圖3a看出,相較于TPS的紅外光譜,TPS/PBAT在1 715 cm-1處出現(xiàn)的羰基伸縮振動(dòng)吸收峰,歸屬于PBAT的羰基。在1 457,1 260,874,727 cm-1處出現(xiàn)的(C—O—C)伸縮振動(dòng)峰,歸屬于PBAT。這說明PBAT與TPS較好的相容,此反應(yīng)過程也是一個(gè)物理交聯(lián)過程。由圖3b看出,相較于無增容劑的TPS/PBAT特征峰沒有發(fā)生變化,在626 cm-1處出現(xiàn)了WPT的苯磺基的彎曲振動(dòng)吸收峰,說明WPT作為增容劑在體系中起物理交聯(lián)作用。
圖3 TPS/PBAT及純PBAT,WPT的紅外光譜圖
(2) TPS/PBAT結(jié)晶性能分析。
圖4為TPS/PBAT的XRD譜圖,其中圖4a為無增容劑TPS/PBAT的XRD譜圖,圖4b為含增容劑TPS/PBAT的XRD譜圖,圖4c為純PBAT的XRD譜圖,PBAT在16.2°,17.4°,20.2°,22.9°和24.7°存在特征衍射峰[17-20]。參考徐斌等[18]計(jì)算分析得不同TPS/PBAT比例的結(jié)晶度參數(shù)列于表4。由圖4a看出,TPS在19.8°的特征衍射峰未消失,可能是因?yàn)镠Q對PBAT晶體生長起空間位阻效應(yīng),淀粉會阻礙PBAT分子鏈段運(yùn)動(dòng),導(dǎo)致PBAT與淀粉相容困難。PBAT的加入與淀粉產(chǎn)生物理交聯(lián)改變了TPS的結(jié)晶結(jié)構(gòu),隨PBAT的增加,TPS/PBAT的特征衍射峰的結(jié)晶度呈先減小后增大的趨勢。隨著PBAT含量的增加,空間位阻效果也會減弱,淀粉與PBAT能較好的相容,TPS與PBAT混合比1∶1時(shí)相容效果比較好。過量PBAT因其與淀粉相容性較差,淀粉會阻礙PBAT分子鏈段運(yùn)動(dòng),過量的PBAT對TPS/PBAT共混體系相容起阻礙作用。由圖4b看出,TPS在19.8°的特征衍射峰消失,這說明加入的WPT破壞了TPS/PBAT共混體系內(nèi)部結(jié)晶結(jié)構(gòu),同時(shí)起到橋連作用,使淀粉與PBAT更好相容,使其結(jié)晶度相較于無增容劑的TPS/PBAT會更小。
表4 不同TPS/PBAT比例時(shí)TPS/PBAT材料的結(jié)晶度
圖4 TPS/PBAT及純PBAT的XRD譜圖
(3) TPS/PBAT形貌測試。
圖5為TPS的斷面微觀形貌圖,其放大倍數(shù)為3 000倍。由圖5a,圖5b可以看出,a是原TPS,有少許淀粉顆粒,無團(tuán)聚現(xiàn)象。b是輻照TPS,輻照處理會使淀粉的ɑ-1,4糖苷鍵斷裂,輻照TPS顆粒更小,在體系中分散更均勻。
圖5 原TPS和輻照TPS的SEM圖
圖6為TPS/PBAT的斷面微觀形貌,其放大倍數(shù)為2 000倍,圖6a~圖6d為輻照TPS/PBAT共混體系的斷面形貌圖,TPS與PBAT的質(zhì)量比分別為4∶1,2∶1,1∶1和1∶2。WPT的加入會讓二者更好相容。與XRD分析相同,當(dāng)PBAT含量較少時(shí),HQ會對PBAT與淀粉融合起到空間位阻效應(yīng),隨著PBAT含量增加,空間位阻效果減弱,PBAT與淀粉相容性會提升,其力學(xué)性能也較好。
圖6 含增容劑的輻照TPS/PBAT的SEM圖
(4) TPS/PBAT拉伸性能分析。
表5為不同TPS/PBAT比例的拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長率,由表5看出,隨著PBAT比例的增大,原TPS和輻照TPS/PBAT復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長率都呈現(xiàn)出先增大后減小的趨勢。在無增容劑時(shí),當(dāng)PBAT與TPS為1∶1混合時(shí),TPS/PBAT復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度較大,為15.4 MPa(原TPS)、18.9 MPa(輻照TPS),斷裂伸長率為357.1%(原TPS)、407.3%(輻照TPS)。結(jié)合XRD分析,PBAT與TPS按1∶1混合時(shí),復(fù)合材料結(jié)晶度最小,力學(xué)性能提升。這可能是因?yàn)镠Q對PBAT晶體生長起到空間位阻效應(yīng),淀粉會阻礙PBAT分子鏈段運(yùn)動(dòng),導(dǎo)致PBAT與淀粉相容困難,力學(xué)性能提升不明顯;隨著PBAT含量的增加,空間位阻效果也會減弱,PBAT分子鏈段運(yùn)動(dòng)會增強(qiáng),淀粉與PBAT能更好相容,力學(xué)性能提升,斷裂伸長率增加。過量的PBAT對TPS/PBAT共混體系相容起阻礙作用。在含增容劑時(shí),PBAT與TPS為1∶1混合時(shí),復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度最大,為19.7 MPa(原TPS)、27.8 MPa(輻照TPS),斷裂伸長率為456.4%(原TPS)、518.8%(輻照TPS)。對比無增容劑的TPS/PBAT,同比例情況下力學(xué)性能有所提升,這說明WPT的加入,會使淀粉與PBAT相容性提升,這與XRD分析一致。
表5 不同TPS/PBAT比例時(shí)復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長率
(1)低劑量的輻照改性淀粉,可以破壞淀粉的分子鏈,使分子間作用力減弱;也為甘油等塑化劑提供了大量的自由基,讓淀粉能夠更好塑化。
(2) HQ可以和淀粉產(chǎn)生物理交聯(lián),改變淀粉的結(jié)晶結(jié)構(gòu),不僅改變了TPS的親水性,還可以提升TPS的力學(xué)性能,原TPS的拉伸強(qiáng)度從11.6 MPa提升至14.3 MPa;輻照TPS拉伸強(qiáng)度從8.9 MPa提升至13.7 MPa。
(3)在TPS的基礎(chǔ)上加入增容劑WPT (占淀粉干基6%),增容劑WPT在PBAT與淀粉共混體系中有較好的增容效果。當(dāng)PBAT與TPS1∶1共混時(shí),共混材料的改性效果最好,原TPS/PBAT的拉伸強(qiáng)度增至19.7 MPa,斷裂伸長率增至456.4%;輻照TPS/PBAT的拉伸強(qiáng)度增至27.8 MPa,斷裂伸長率增至518.8%。