楊志偉,劉禹辰,葉金羽

(吉林工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院 智能制造學(xué)院,吉林 吉林 132013)

1 研究背景

目前,光刻機(jī)的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到一個瓶頸期,由于紫外光波長的衍射限制以及駐波效應(yīng)的影響,光刻精度受到了限制?；诖?一種新型納米壓印技術(shù)被提出,其通過直接機(jī)械接觸將微納米級圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,且具有高通量、高分辨率處理技術(shù),在光子和光電子器件[1-2]、高密度集成電路[3-4]、納米流體[5]和許多生物應(yīng)用[6-7]的行業(yè)具備較高實(shí)用價值。隨著新材料的出現(xiàn)和加工技術(shù)的發(fā)展,納米級表面形貌的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。1995年,經(jīng)過科研人員研究逐漸發(fā)展出復(fù)制納米級別的圖案技術(shù)[8-9]。納米壓印技術(shù)(Nanoimprint lithography, NIL)在其最初的技術(shù)形式是將可延展性抗蝕劑放置在已蝕刻(電子束)具有納米級表面形貌的剛性印模下方。當(dāng)施加熱量和壓力時,圖案以優(yōu)異的保真度轉(zhuǎn)移,這是一種被稱為熱壓花的技術(shù)(見圖1)。經(jīng)過不斷優(yōu)化發(fā)現(xiàn),納米壓印已經(jīng)證明了其具有制備低于10 nm尺寸表面形貌的能力[10-11]。先前的綜述中簡要討論了關(guān)于納米壓印的壓力、溫度以及模具和樹脂模量的粘度,深入討論了納米壓印技術(shù)工藝中新材料的具體技術(shù)[12]。特別是新興的化學(xué)和電化學(xué)納米壓印技術(shù),如金屬輔助化學(xué)壓印和固態(tài)超離子壓印,以及激光沖擊壓印方法,促進(jìn)了抗蝕劑材料的壓印。本文主要討論的是以硅膠為基礎(chǔ)材料,然后通過紫外照射及加熱法進(jìn)行相關(guān)的納米壓印,這也是當(dāng)前商業(yè)化最主要的技術(shù)手段。

紫外/藍(lán)色/綠色波長范圍內(nèi)的高亮度GaN基發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)在各種應(yīng)用中均有巨大的需求,包括大型全彩顯示器、短程光通信、交通和信號燈、液晶顯示器的背光和普通照明[13]。基于Ⅲ族氮化物的紫外發(fā)光二極管(Ultraviolet Light Emitting Diode, UVLED)在紫外線固化、水凈化、殺菌和光療等應(yīng)用中都展示出巨大的商業(yè)潛力[14-16]。受UVLED前景的激勵,人們對其產(chǎn)生了廣泛的研究興趣[17-18]。然而,UVLED的外部量子效率(External Quantum Efficiency, EQE)與它們的可見波長對應(yīng)物相比仍然相對較低(EQE>80%)[19],這遠(yuǎn)不能滿足商業(yè)化[20]需求。即使最先進(jìn)的UVLED也存在晶體質(zhì)量差和光提取效率低的問題,這限制了它們的外部量子效率和光輸出功率。當(dāng)前,由于缺乏商業(yè)上可獲得的低成本GaN襯底,UVLED通常在襯底上異質(zhì)外延生長,例如藍(lán)寶石(α-Al2O3)或硅(Si)[21]。然而,GaN基外延層與襯底之間的大晶格和熱失配導(dǎo)致外延層中的高穿通位錯密度。通常,在藍(lán)寶石上生長的AlN膜中會產(chǎn)生1 010 cm-2量級的位錯密度。同時,平面的藍(lán)寶石襯底,制備的外延片在發(fā)光時會產(chǎn)生內(nèi)全反射,導(dǎo)致光提取效率(Light Extraction Efficiency, LEE)低的現(xiàn)象,基于此圖形化藍(lán)寶石襯底(Pattern Sapphire Substrate, PSS)被提出。特別是,采用不同類型的圖形化藍(lán)寶石襯底為實(shí)現(xiàn)高效的藍(lán)光和綠光的LED開辟新的途徑。一方面,圖形化藍(lán)寶石襯底繞過了初始生長界面中產(chǎn)生的位錯的傳播方向,并且隨著膜的厚度增加,大多數(shù)位錯都會消失,從而產(chǎn)生更高的內(nèi)量子效率(Internal Quantum Efficiency, IQE)。另一方面,圖形化藍(lán)寶石襯底表面上的圖案充當(dāng)衍射光柵,通過誘導(dǎo)導(dǎo)模衍射來提高光提取效率。然而,圖形化藍(lán)寶石襯底對于藍(lán)光和綠光的效率提升明顯,對于紫外光的效率提升很有限,因此一種圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底被提出,二氧化硅(SiO2)的折射率小(n=1.46),這是在外延層和襯底之間提供大折射率對比度以促進(jìn)更高的光提取效率的理想材料候選之一[22]。

當(dāng)前,納米壓印技術(shù)主要還停留在實(shí)驗(yàn)室,還未進(jìn)行大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用,納米壓印技術(shù)在初期階段還存在如套刻困難等技術(shù)局限性,其主要應(yīng)用領(lǐng)域集中在一次光刻的產(chǎn)品上,其中一次光刻產(chǎn)品主要為圖形化藍(lán)寶石襯底,由于該產(chǎn)品每年產(chǎn)值在幾十億元的量級上,因此針對納米壓印技術(shù)在該產(chǎn)品上應(yīng)用的商業(yè)化研發(fā)投入巨大。一項新的技術(shù),如果想要得到發(fā)展,需要給予其大量商業(yè)化推廣以及試錯機(jī)會,并將新技術(shù)在多方向、多領(lǐng)域、多產(chǎn)品上進(jìn)行應(yīng)用,一方面商業(yè)化合作能夠給予新技術(shù)更多的資金支持,另一方面技術(shù)在生產(chǎn)應(yīng)用過程中,能夠不斷和客戶配合完善各項技術(shù)優(yōu)化。因此將新型技術(shù)先應(yīng)用到它所能應(yīng)用的所有領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)新技術(shù)生產(chǎn)良性循環(huán),這是非常重要的。

同時,圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底因?yàn)樵黾恿艘粚佣趸?成本有所提升,需要通過其他方法盡量降低成本,基于此,如果將納米壓印技術(shù)應(yīng)用到圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底將實(shí)現(xiàn)雙贏。廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司在圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底上已經(jīng)開始批量供貨(月均折合四寸襯底為3萬片以上),完成量產(chǎn)需求,成品良品率(超過96%)也已經(jīng)達(dá)到盈利標(biāo)準(zhǔn)。同時,江西兆馳半導(dǎo)體有限公司在傳統(tǒng)的圖形化藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)上,已經(jīng)大規(guī)模使用納米壓印技術(shù)(月均產(chǎn)能折合四寸襯底在5萬片以上),且單工步良率很高(光刻單工步良率超過80%,二次返工良率在60%以上)。基于上述兩家公司的已有技術(shù)而言,再結(jié)合圖形化藍(lán)寶石襯底的重復(fù)周期為3.02 μm,且圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底具有相同的重復(fù)周期,兩者的差距僅僅是圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底在光刻前多一步沉積二氧化硅(SiO2)層,但這一層二氧化硅的引入對于平整度影響較低,因此光刻工步無需做過多的技術(shù)改進(jìn)。主要的改進(jìn)在于蝕刻部分,此部分已經(jīng)被廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司的技術(shù)團(tuán)隊所攻克。

未來將納米壓印技術(shù)引入制備圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底具有可行性,且兩項技術(shù)的融合,一方面可以拓展納米壓印技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域,進(jìn)一步加深其商業(yè)化進(jìn)展;另一方面可降低圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底的工藝成本,提升其產(chǎn)品質(zhì)量。

2 納米壓印技術(shù)

納米壓印技術(shù)的早期研究,包括1997年的10 nm接觸孔壓印[23]和2004年的亞3納米分辨率演示,確立了納米壓印作為有希望的下一代光刻候選技術(shù)。當(dāng)前的納米壓印工藝通常是熱納米壓印或紫外納米壓印的適應(yīng),兩種工藝配合使用是紫外納米壓印的另一種形式,已被證明是很適合半導(dǎo)體和圖案化介質(zhì)應(yīng)用的納米壓印類型[24]。該技術(shù)使用約60 ℃溫度、低壓和紫外線固化光刻膠的工藝,對于半導(dǎo)體器件和圖案化制造而言,該工藝優(yōu)于單純熱納米壓印相關(guān)的技術(shù)。將透明硅膠模板壓入光刻膠中,使得光刻膠填充模板中的圖案。填充后,使用紫外光源固化光刻膠,然后分離模板和壓印基板[25],無需像投影光刻那樣進(jìn)行后烘焙或顯影[26]。執(zhí)行此過程的工具在大氣壓力和較為低溫下運(yùn)行,不包含復(fù)雜的透鏡系統(tǒng),并使用低成本寬帶汞弧燈作為紫外線源[27]。

2.1 納米壓印技術(shù)原理

一般來說,納米壓印被認(rèn)為是傳統(tǒng)紫外投影光刻機(jī)的功能等效物[28]。傳統(tǒng)的光刻機(jī)是通過紫外光照射到光刻版上,然后投影到沉積在襯底的光刻膠上,被照射到紫外光發(fā)生化學(xué)變化,再借助顯影液的作用,選擇性剝離掉光刻膠,進(jìn)而將光刻版的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上。光刻技術(shù)主要是化學(xué)和光學(xué)的反應(yīng),且對兩者的技術(shù)要求都很高。而納米壓印技術(shù)則在化學(xué)和光學(xué)反應(yīng)基礎(chǔ)上引入物理的力學(xué)壓印,進(jìn)而降低對化學(xué)和光學(xué)的技術(shù)要求,一方面減少了光學(xué)上的駐波效應(yīng),提升了精度;另一方面降低了光刻的成本,提升了光刻效率。

具體的納米壓印技術(shù)(見圖2)如下:1)準(zhǔn)備好所需的壓印圖形基板;2)將液態(tài)的硅膠覆蓋在壓印圖形基板上;3)通過加熱方法將硅膠固化;4)將硅膠從基板上剝離掉;5)將相應(yīng)的光刻膠旋涂到需要蝕刻的襯底片上;6)將已經(jīng)成型固化的硅膠壓到勻膠片上,并施加相應(yīng)的壓力;7)硅膠壓到勻膠片上一定時間后開始加熱,并透過硅膠向已經(jīng)被壓鑄成型的光刻膠柱進(jìn)行紫外照射;8)加熱照射一段時間后將壓印膜剝離。經(jīng)過上述的工藝技術(shù)就可以將壓印圖形基板上的圖形完美地轉(zhuǎn)移到勻膠片上。

圖2 納米壓印工藝示意圖

2.2 納米壓印技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域

納米壓印將很有希望作為下一代半導(dǎo)體器件制備技術(shù)而被廣為使用。就當(dāng)前而言,我國的納米壓印設(shè)備制造商蘇州光舵微納科技股份有限公司技術(shù)已經(jīng)較為成熟,國內(nèi)已經(jīng)陸續(xù)有很多企業(yè)開始使用納米壓印設(shè)備。當(dāng)前納米壓印設(shè)備主要應(yīng)用在一次光刻的圖形化藍(lán)寶石上應(yīng)用。主要受限于其貓眼技術(shù)不夠成熟,套刻比較粗糙,后續(xù)如果該技術(shù)得以解決,納米壓印技術(shù)將在功率半導(dǎo)體芯片、IC芯片等相關(guān)芯片領(lǐng)域得到深入發(fā)展。

2.3 納米壓印技術(shù)優(yōu)勢

納米壓印技術(shù)被宣傳為一種簡單、低成本、高分辨率的工藝。這是一種1×光刻法,其中將模具壓入材料中以形成圖案。納米壓印技術(shù)適用于大學(xué)實(shí)驗(yàn)室研究、圖形化藍(lán)寶石襯底和許多其他應(yīng)用。特別是其在半導(dǎo)體器件和圖案化介質(zhì)高容量制造中的應(yīng)用。更值得注意的是,圖形化藍(lán)寶石襯底產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。硬盤驅(qū)動器行業(yè)正在考慮納米壓印,以利用圖形化介質(zhì)達(dá)到每平方英寸1太比特(1 Tb/in2)及以上的數(shù)據(jù)密度。半導(dǎo)體行業(yè)正在評估其在未來節(jié)點(diǎn)的器件原型、單元工藝開發(fā)和器件制造。基于此,納米壓印設(shè)備相比于同級別光刻機(jī)設(shè)備具有成本較低、不受駐波效應(yīng)影響、模版復(fù)刻等優(yōu)異性能。

3 圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底

3.1 圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底的原理

氮化鎵(GaN)[29-31]、氮化鋁(AlN)[32-33]、氮化銦(InN)[34-35]及其三元和四元合金材料為主的氮化物與藍(lán)寶石(α-Al2O3)的折射率差異導(dǎo)致光受到內(nèi)全反射的影響,使得發(fā)光二極管內(nèi)部大約75%的光被遮擋在器件內(nèi)部不能發(fā)射,最終形成熱散而浪費(fèi)掉,因此,如何提高藍(lán)寶石襯底的GaN基LED器件的發(fā)光效率,成為提升LED性能的關(guān)鍵問題[36-37]。因此,后續(xù)引入了圖形化藍(lán)寶石襯底[38-40],提升了30%的發(fā)光效率,然而隨著研究的深入發(fā)現(xiàn),異質(zhì)材料界面的折射率差值越大,越有利于改變發(fā)光二極管的內(nèi)部光子散射效果,也就更有利于其發(fā)光效率進(jìn)一步的提升[41-43]。

綜上所述可以發(fā)現(xiàn),SiO2的折射率約為1.4,藍(lán)寶石的折射率約為1.78,而GaN的折射率約為2.5,顯而易見,SiO2的折射率更低,可以更好地提升發(fā)光效率[44-46]。就此引進(jìn)一種新型結(jié)構(gòu)[47],即SiO2作為圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底的圓錐形貌具體如圖3所示。從圖3中可以看到,整體圓錐圖形為SiO2,而圓錐根部需要有部分藍(lán)寶石被刻蝕出來,而底部平面必須為藍(lán)寶石C面,從而可以保證GaN的正常生長。針對此,圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底相比于傳統(tǒng)的圖形化藍(lán)寶石襯底制備的LED有更高的光提取率。

圖3 圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底的SEM圖片

3.2 圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底的性能優(yōu)勢

3.2.1 提升發(fā)光效率

基于上述技術(shù)特征可以得知,SiO2的折射率更低,與GaN的折射率差距更大,因此其光提取率更高,具有SiO2陣列的圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底可以作為高效的基礎(chǔ)襯底。選擇合適的材料制作圖形化襯底需要考慮的關(guān)鍵因素主要為兩個方面:1)材料不僅與InGaN/AlGaN外延層具有較大的折射率對比度,以促進(jìn)更多的光提取,而且還提高了GaN外延的晶體質(zhì)量,如果使用傳統(tǒng)的PSS技術(shù),考慮到GaN和藍(lán)寶石之間的有限折射率對比,光提取效率不夠,然而二氧化硅(SiO2)的折射率很小(n=1.46),外延層和襯底之間提供大折射率對比以促進(jìn)更多光提取的理想材料候選之一;2)圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底上生長的GaN外延層與在PSS上生長的外延層相比,位錯缺陷降低,這是更優(yōu)選的垂直生長和合并邊界處的失配減少的結(jié)果。基于平面藍(lán)寶石襯底(FSS)、圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)和圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底上制備了GaN基LED。由于圖形化二氧化硅陣列的高折射率差異,圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底上的LED顯示出比圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)上更高的外耦合效率?？梢蕴岣呔w質(zhì)量和光輸出耦合效率,圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底上的LED的光輸出功率顯著高于那些常規(guī)平面藍(lán)寶石和圖形化藍(lán)寶石襯底上的器件[48]。

3.2.2 構(gòu)建平臺狀結(jié)構(gòu)

同時,需要注意的是,圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底不僅可以做成和傳統(tǒng)的圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)上的圓錐形,還可以做成平臺狀,平臺狀具備的特性是可以在一定程度上優(yōu)化原來圓錐形所帶來的位錯缺陷。圖形化藍(lán)寶石襯底上生長的GaN外延情況如圖4所示。從圖4b和圖4c可以看出,圖形化藍(lán)寶石襯底上生長的GaN外延在頂部產(chǎn)生一個巨大的位錯缺陷,這是由于GaN外延生長到頂部后產(chǎn)生大量的應(yīng)力,而應(yīng)力沒有緩沖空間而導(dǎo)致累積,導(dǎo)致缺陷。

a) GaN生長初期的狀態(tài)

b) GaN生長到與PSS襯底圖形平齊的階段

c) GaN生長到后期階段

基于上述圓錐體的一個局限性,提出制備一個平臺狀的新形貌來解決該問題,就是相當(dāng)于在原本的圓錐體上面加一個平頂,當(dāng)?shù)壣L至頂部后,不是立即就匯聚在一起,而是當(dāng)?shù)壣L至頂端后有一段空氣緩沖帶。該空氣緩沖帶可以極大地釋放生長過程中的應(yīng)力,使得氮化鎵最終匯聚到一起后,獲取一個相對缺陷較少的氮化鎵外延。具體理論依據(jù)如圖5所示,從圖5a中可以看出,位錯通過縱向向上的方式繼續(xù)向上進(jìn)行生長,進(jìn)而引發(fā)深遠(yuǎn)的缺陷影響;從圖5b中可以看出,平臺狀的形貌在氮化鎵外延生長至頂端以后,氮化鎵不會立即閉合,而頂端具有一個空氣的緩沖空間,屆時會有大量的應(yīng)力在該位置得到釋放,進(jìn)而降低整個氮化鎵外延生長過程中產(chǎn)生的位錯。

a) 常規(guī)圖形化藍(lán)寶石襯底微觀示意圖

b) 平臺狀圖形化藍(lán)寶石襯底微觀示意圖

當(dāng)前,單純的藍(lán)寶石襯底制備成平臺狀,面臨著如果上平臺過大將導(dǎo)致雙面生長,形成底部與頂部的競爭生長,導(dǎo)致外延層無法形成平面,而在實(shí)際大規(guī)模生產(chǎn)中存在難以保證精準(zhǔn)地控制住上平面大小的問題,具體如圖6所示。而SiO2作為一種多晶材料,無法在其表面進(jìn)行GaN外延生長,也就解決了其競爭生長的可能性,進(jìn)一步表現(xiàn)出圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底的性能優(yōu)勢。

a) 圖形化藍(lán)寶石襯底側(cè)壁

b) 平臺狀結(jié)構(gòu)的斜視圖

4 納米壓印法制備圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底

基于上述分析已經(jīng)明確論述了納米壓印和圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底的技術(shù)優(yōu)勢,而兩者的結(jié)合則可以將其相關(guān)的性能更加擴(kuò)大化。一方面一定程度上可以降低圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底成本高的問題;另一方面將納米壓印技術(shù)的應(yīng)用層面進(jìn)一步推廣,進(jìn)而針對后續(xù)的研發(fā)力度更大,發(fā)展得將會更快。

4.1 新技術(shù)新工藝規(guī)劃

技術(shù)的實(shí)現(xiàn)首先需要制定流程(見圖7)。整體分為三大步驟,(a)為復(fù)合襯底鍍膜和勻膠工步,(b)為納米壓印工藝,(c)為電感耦合等離子體蝕刻(Inductive Coupled Plasma, ICP)工藝,這樣整個納米壓印技術(shù)制備圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底的工藝流程就明確地展示出來。三大步驟的具體工藝包括:1)平面藍(lán)寶石襯底上通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)在其表面鍍一層二氧化硅膜;2)平面復(fù)合襯底上旋涂一層光刻膠;3)液態(tài)硅膠鍍在所需形貌的圖形化基板上;4)待液態(tài)硅膠全面穩(wěn)定覆蓋在圖形基板上并加熱固化;5)硅膠固化后剝離掉形成一個自支撐薄膜;6)上述自支撐薄膜壓到復(fù)合襯底上的光刻膠上面;7)自支撐薄膜上施加均勻的壓力,并保持相應(yīng)的時間;8)待光刻膠形成所需膠柱后,透過薄膜向光刻膠照射紫外光;9)照射紫外光的前后再針對其進(jìn)行一定溫度的加熱;10)經(jīng)過紫外光照射及加熱一段時間后將自支撐薄膜剝離掉;11)將已經(jīng)形成膠柱的復(fù)合襯底進(jìn)行ICP蝕刻;12)經(jīng)過蝕刻形成二氧化硅為主要的圓錐或者圓臺,但同時也需要刻蝕出一定高度的藍(lán)寶石以保證藍(lán)寶石C面露出表面。

4.2 可行性依據(jù)

經(jīng)過上述方案已經(jīng)證實(shí)納米壓印在圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底上應(yīng)用的可能性。再對標(biāo)圖形化藍(lán)寶石襯底與復(fù)合襯底的差距,僅是在勻光刻膠之前多一層二氧化硅(SiO2)膜,而廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司主要鍍膜工藝為PECVD,該項技術(shù)已經(jīng)成熟,膜厚差異都能夠控制在納米級別,且表面平滑,因此與單純的平面藍(lán)寶石表面狀態(tài)極為接近,而且最重要的是表面狀態(tài)的影響主要在于光刻膠旋涂方面。當(dāng)前,廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司已經(jīng)通過常規(guī)光刻工藝流程完成量產(chǎn),其中月均產(chǎn)能折合四寸襯底已經(jīng)超過3萬片(月均銷售額近千萬元級別)。因此,將納米壓印技術(shù)應(yīng)用到復(fù)合襯底上已經(jīng)具備足夠成熟的依據(jù)和技術(shù)支撐,圖8所示為前期基于納米壓印技術(shù)制備的小周期圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底,基于上述工藝驗(yàn)證,該技術(shù)能夠制備出所需產(chǎn)品,接下來主要的研究方向就是如何進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)商業(yè)化。

圖8 納米壓印技術(shù)前期驗(yàn)證制備的圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底

5 結(jié)語

在當(dāng)前的技術(shù)發(fā)展中,技術(shù)的融合對于創(chuàng)新和解決現(xiàn)實(shí)世界問題具有巨大的潛力?？梢杂^察到跨領(lǐng)域技術(shù)融合的數(shù)量正在迅速增加。本文總結(jié)了2種主要技術(shù)領(lǐng)域的結(jié)合,并對其未來市場進(jìn)行展望。對標(biāo)納米壓印技術(shù)和圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底可以發(fā)現(xiàn),實(shí)現(xiàn)2種技術(shù)的結(jié)合是符合實(shí)際的,也是經(jīng)濟(jì)的,圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底主要應(yīng)用于紫外發(fā)光二極管,其占比整個發(fā)光二極管市場20%以上,如果推廣順利,基于以上所述圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底未來也將替代約20%的圖形化藍(lán)寶石襯底,其將有近十億元的需求市場。經(jīng)過初步實(shí)驗(yàn)論證,納米壓印技術(shù)制備圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底能夠制備出來,需要的是進(jìn)一步提升相關(guān)生產(chǎn)水平就可以完成相應(yīng)的商業(yè)化進(jìn)程。相信納米壓印技術(shù)未來一定會不斷優(yōu)化,并使我國走出光刻機(jī)困局。