曹培堯,姚 堯,崔英杰,佟 浩,李 勇,李寶泉
(1. 清華大學(xué)機(jī)械工程系,精密超精密制造裝備及控制北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100084;2. 無錫微研精微機(jī)械技術(shù)有限公司,江蘇無錫 214013)
為提高航空發(fā)動(dòng)機(jī)和燃?xì)廨啓C(jī)的性能,燃燒室溫度不斷提升, 渦輪前進(jìn)氣口溫度也在不斷增加。為使熱端葉片適應(yīng)高溫苛刻工作環(huán)境,除采用高溫合金葉片材料之外,氣膜冷卻技術(shù)是另一提升葉片耐熱性能的有效途徑[1],在葉片上分布的氣膜冷卻孔點(diǎn)位與偏擺角度影響著氣膜覆蓋和射流軌跡,決定了冷卻效果。 帶有擴(kuò)散結(jié)構(gòu)的氣膜冷卻孔在出口擴(kuò)張,有利于提高冷卻效率。
帶有擴(kuò)散結(jié)構(gòu)氣膜冷卻孔的加工方法主要包括電火花成形加工[2]和電火花掃描銑削加工[3]。 電火花成形加工所用成形電極在邊角處損耗嚴(yán)重,加工出的擴(kuò)散結(jié)構(gòu)會(huì)逐漸偏離預(yù)期形狀,需換用圓柱電極加工同一個(gè)氣膜冷卻孔的擴(kuò)散結(jié)構(gòu)和圓直孔結(jié)構(gòu),易產(chǎn)生二次裝夾誤差。 電火花掃描銑削加工采取一定的圓柱電極端面損耗補(bǔ)償策略,可保證擴(kuò)散結(jié)構(gòu)的形狀精度,實(shí)現(xiàn)同一電極、單次裝夾的批量化加工擴(kuò)散孔段與圓直孔段,更具工藝優(yōu)勢(shì)。
單個(gè)渦輪葉片上的氣膜冷卻孔數(shù)量高達(dá)幾十到上百個(gè),且形狀、大小、位置不一,常常通過成形電極塊反拷的方式,人工編制每個(gè)氣膜冷卻孔掃描加工軌跡的NC 代碼。 由于同種成形電極在葉片型面上每個(gè)孔加工位置的嵌入深度、 偏移角度均不同,造成每個(gè)孔的加工深度和加工邊界均不同。 人工逐一調(diào)整每個(gè)孔的反拷深度和角度并修改相應(yīng)NC 代碼的工作量大且耗時(shí),容易出錯(cuò),不利于實(shí)現(xiàn)批量化連續(xù)加工。
本研究基于UG NX 軟件的二次開發(fā), 提取渦輪葉片三維設(shè)計(jì)模型中氣膜冷卻孔的空間點(diǎn)位與偏角,進(jìn)行葉片工件坐標(biāo)變換與位姿調(diào)整,規(guī)劃針對(duì)不同規(guī)格氣膜冷卻孔的通用擴(kuò)散孔與圓直孔組合的電火花掃描加工軌跡,形成一套電火花掃描加工NC 代碼自動(dòng)化生成軟件包, 并在氣膜冷卻孔電火花加工裝備上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
對(duì)于UG NX 三維葉片模型, 能夠通過UG NX二次開發(fā)流程,如圖1 所示,應(yīng)用豐富的應(yīng)用程序接口(application programming interface,API),對(duì)葉片模型進(jìn)行自動(dòng)化的特征操作, 創(chuàng)建自定義插件、腳本和宏,滿足特定的氣膜冷卻孔幾何與坐標(biāo)數(shù)據(jù)分析、管理需求。
圖1 基于UG NX 的二次開發(fā)流程
帶有擴(kuò)散結(jié)構(gòu)的氣膜冷卻孔包括異形孔段和圓直孔段,其中的異形孔段在三維模型中由異形塊與葉片型面相交去除得到,如圖2 所示。 為獲取氣膜冷卻孔軸線所在方向向量與加工定位點(diǎn),首先通過異形塊與葉片型面交線,用光順曲面擬合得到已被去除的部分型面;提取圓直孔段的中心軸線作為氣膜冷卻孔軸線。 為區(qū)分復(fù)雜葉片型面的內(nèi)部與外部,定義孔軸線向量由內(nèi)部指向外部,即向量起點(diǎn)為圓直孔段的中心點(diǎn)So,終點(diǎn)為孔軸線與擬合型面的交點(diǎn)Sf。Sf即為該氣膜冷卻孔的加工定位點(diǎn)。
圖2 孔軸方位與加工點(diǎn)位提取
由于參考對(duì)象不同,所提取的氣膜冷卻孔的加工定位點(diǎn)是在葉片工件坐標(biāo)系下的。 為提高定位與加工精度,需對(duì)工件坐標(biāo)系、轉(zhuǎn)臺(tái)坐標(biāo)系和主軸坐標(biāo)系進(jìn)行配準(zhǔn),如圖3 所示。 其中,葉片工件由標(biāo)準(zhǔn)3R 夾具裝夾,安裝在轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)中心上方。因此,為便于工件坐標(biāo)系與轉(zhuǎn)臺(tái)坐標(biāo)系的先配準(zhǔn),將工件坐標(biāo)系原點(diǎn)調(diào)整至3R 夾具中心,XY軸分別與3R 夾具臨邊平行,如圖4 所示,此時(shí)工件坐標(biāo)系與轉(zhuǎn)臺(tái)坐標(biāo)系的原點(diǎn)在同一豎直線上。
圖3 三坐標(biāo)系配準(zhǔn)
圖4 工件坐標(biāo)系調(diào)整
三坐標(biāo)系的配準(zhǔn)可通過在氣膜孔電火花加工機(jī)床上多點(diǎn)電接觸對(duì)刀方式在線完成,無需配置額外的測(cè)量頭,如圖5 所示。 在轉(zhuǎn)臺(tái)C軸旋轉(zhuǎn)過程中,通過標(biāo)準(zhǔn)塊的多點(diǎn)電接觸對(duì)刀,調(diào)整工件坐標(biāo)系與轉(zhuǎn)臺(tái)坐標(biāo)系的X、Y軸平行(點(diǎn)1、2、3、4)、主軸坐標(biāo)系與轉(zhuǎn)臺(tái)坐標(biāo)系的原點(diǎn)在同一豎直線上(點(diǎn)5、6、7、8),如圖5a 所示。通過轉(zhuǎn)臺(tái)B軸旋轉(zhuǎn)90°,多點(diǎn)電接觸對(duì)刀得到三坐標(biāo)系原點(diǎn)在Z向的相對(duì)距離S1、S2,如圖5b 所示,完成三坐標(biāo)系的配準(zhǔn)。
圖5 多點(diǎn)電接觸對(duì)刀配準(zhǔn)三坐標(biāo)系
在得到主軸坐標(biāo)系下的氣膜冷卻孔加工定位點(diǎn)坐標(biāo)后, 由于機(jī)床主軸只能夾持工具電極進(jìn)行Z向進(jìn)給放電加工,因此需要轉(zhuǎn)臺(tái)擺動(dòng)調(diào)整孔軸線至豎直加工位置,如圖6 所示。 首先將C軸旋轉(zhuǎn)γ 度,使孔軸線向量η(i,j,k) 處于-XZ面內(nèi),指向X軸負(fù)向。 推導(dǎo)公式如下:
圖6 葉片位姿調(diào)整
接著將B軸旋轉(zhuǎn)β 度,使η 與Z軸平行,指向Z軸正向:
0<β<180°,符合轉(zhuǎn)臺(tái)B軸的極限擺動(dòng)角度。
式(1)和式(2)適用于大多數(shù)情況,如圖7a 所示,為防止順次加工氣膜冷卻孔時(shí)葉片突然反向轉(zhuǎn)動(dòng)而造成的型面與工具電極的干涉, 即γ<0 的情況,如圖7b 所示,此時(shí)輸出C軸轉(zhuǎn)角γ′=360°+γ。
圖7 不同方位向量調(diào)整過程
兩次擺動(dòng)后,用歐拉法計(jì)算變換后的實(shí)際加工坐標(biāo)值。 若定位點(diǎn)坐標(biāo)在工件坐標(biāo)系中為(x,y,z),在轉(zhuǎn)臺(tái)坐標(biāo)系中為(x,y,z+S1),經(jīng)坐標(biāo)變換后為(x′,y′,z′):
式中:
需要將轉(zhuǎn)臺(tái)坐標(biāo)系下的坐標(biāo)值(x′,y′,z′)轉(zhuǎn)換為機(jī)床主軸坐標(biāo)系下的最終坐標(biāo)值(圖8),為(-x′,-y′,z_trans),其中z_trans=-(S1+S2-z′)。
圖8 Z 向坐標(biāo)變換
通過間隔創(chuàng)建剖切面的方式,獲取擴(kuò)散孔結(jié)構(gòu)信息,作為電火花掃描加工軌跡提取的基礎(chǔ),如圖9所示。 首先從擴(kuò)散孔與圓直孔相接點(diǎn)C1處始,垂直于孔軸向量A 創(chuàng)建基準(zhǔn)面Pi(i=0),獲取Pi與擴(kuò)散孔面S2的交線LC。 若LC不存在,則為最頂層;否則令i=i+1, 依次在間隔Δl處偏置點(diǎn)C1為點(diǎn)Ci+1=C1+iα,其中偏置向量α=A/|A|·Δl,通過Ci+1依次創(chuàng)建基準(zhǔn)面Pi及其與S2的交線LC。設(shè)離散點(diǎn)間距為Nd,在每層LC的{0,Nd,2Nd,3Nd,…,1}長(zhǎng)度處依次構(gòu)建點(diǎn)陣列,即可實(shí)現(xiàn)循環(huán)提取每層軌跡點(diǎn)坐標(biāo)。
圖9 擴(kuò)散孔結(jié)構(gòu)信息提取
上述方法開放了軌跡點(diǎn)間距、層間距的參數(shù)設(shè)定,相當(dāng)于自由設(shè)計(jì)插補(bǔ)精度,提高了代碼使用的靈活性,如圖10 所示。
圖10 離散點(diǎn)提取結(jié)果
由于工具電極半徑及放電具有一定間隙,若直接按照上述軌跡進(jìn)行掃描加工,與實(shí)際氣膜冷卻孔輪廓不重合,因此需要補(bǔ)償,如圖11 所示。 創(chuàng)建每層基準(zhǔn)面Pi與孔軸向量A 的交點(diǎn)Di, 將原軌跡點(diǎn)Eij朝向量Di-Eij移動(dòng)一個(gè)補(bǔ)償距離Rc,則補(bǔ)償后的軌跡點(diǎn)坐標(biāo)Eij′=Eij+ (Di-Eij) / |Di-Eij|·Rc。
圖11 工具電極半徑與放電間隙補(bǔ)償方法
由于擴(kuò)散結(jié)構(gòu)形狀會(huì)逐層收縮至與圓直孔半徑一致,如圖12 所示,若按照第2.1 節(jié)所述邊緣輪廓逐層向下掃描加工,則孔中心處材料會(huì)依靠工具電極側(cè)面放電而自動(dòng)去除。 這與常規(guī)型腔銑削加工的走刀軌跡規(guī)劃不同,無需考慮擴(kuò)散結(jié)構(gòu)內(nèi)部材料去除的問題。
圖12 補(bǔ)償前后示意圖
在得到每一層的掃描加工軌跡后,需要考慮層與層之間電極的運(yùn)動(dòng)軌跡。 設(shè)計(jì)層間過渡軌跡如圖13 所示。首先判斷本層(第n層)是“開放”或“閉合”軌跡。 定義開放軌跡為:起始點(diǎn)與終止點(diǎn)間距大于設(shè)定閾值;則閉合軌跡為:起始點(diǎn)與終止點(diǎn)間距小于設(shè)定閾值。若是開放的,取該層軌跡兩個(gè)端點(diǎn)Gn、Fn中距離上一層(第n+1 層)的終點(diǎn)Gn+1(或Hn+1)最近的點(diǎn)Fn作為起點(diǎn),另一點(diǎn)Gn作為該層的終點(diǎn),中間的點(diǎn)坐標(biāo)順次輸出。 若是閉合的,取該層軌跡中所有點(diǎn)與上一層(第n+1 層)的終點(diǎn)Gn+1(或Hn+1)距離最近的點(diǎn)Hn,作為該層的起點(diǎn)/終點(diǎn),其余點(diǎn)順次輸出,輸出順序與上一層(第n+1 層)的方向(順時(shí)針/逆時(shí)針)相同。
圖13 掃描軌跡規(guī)劃方法
上述設(shè)計(jì)的掃描軌跡適用于不同形狀、規(guī)格的氣膜冷卻孔加工,如圖14 所示,不僅能夠避免工具電極的空走位,也避免了葉片毛坯件上同一位置的反復(fù)走位加工。
圖14 掃描軌跡仿真
本研究采用軌跡分層的電火花掃描加工工藝,在采用同一工具電極單次裝夾的條件下,完成擴(kuò)散孔與圓直孔的順序加工,如圖15 所示。 旋轉(zhuǎn)的工具電極為中空管電極,采用內(nèi)外復(fù)合沖液方式[4],提高排屑效果。 首先,控制工具電極沿孔軸線方向慢速進(jìn)給,進(jìn)行葉片型面上的低壓電接觸對(duì)刀,確定加工零位。 接著,將工具電極抬升至初始加工平面,按照預(yù)設(shè)軌跡逐層向下伺服掃描加工擴(kuò)散孔,直至擴(kuò)散孔與圓直孔的接合面。 最后,工具電極在原位沿孔軸線進(jìn)行負(fù)極性修絲與正極性打孔加工過程。
圖15 擴(kuò)散孔與圓直孔順序加工工藝
在掃描加工擴(kuò)散孔過程中,通過間隙伺服控制能夠?qū)崟r(shí)補(bǔ)償工具電極損耗。 由于工具電極末端實(shí)時(shí)跟隨葉片工件表面以保持放電間隙, 這里采用“層深約束算法” 防止原始葉片工件表面的形狀誤差逐層累積、復(fù)制到加工后的葉片工件表面[5],如圖16 所示。
圖16 層深約束算法
氣膜冷卻孔電火花加工裝備如圖17 所示[6],實(shí)驗(yàn)參數(shù)見表1。 采用激光選區(qū)熔化 (selective laser melting,SLM) 的增材制造技術(shù)獲得渦輪葉片毛坯(材料:不銹鋼316L,精度:±200 μm),如圖18 所示,作為樣件進(jìn)行驗(yàn)證性試驗(yàn)。
表1 實(shí)驗(yàn)參數(shù)
圖17 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)
圖18 渦輪葉片毛坯樣件
用戶在UG NX 二次開發(fā)軟件界面上選中所要加工的氣膜冷卻孔特征后,軟件輸出每個(gè)孔的軌跡文件(.nc),自動(dòng)讀取至上位機(jī)加工程序中,如圖19所示。 程序載入第一個(gè)孔的加工程序,各軸運(yùn)動(dòng)至該孔定位點(diǎn)坐標(biāo)(-x′,-y′,z_trans+Δ, β,γ),其中Z向增量Δ 起到防止葉片型面誤差導(dǎo)致的工具電極碰撞的作用;Z向電接觸對(duì)刀至實(shí)際型面上的定位點(diǎn),上移至第2 節(jié)所述第一基準(zhǔn)面層后,逐層向下掃描加工;掃描程序執(zhí)行完畢,各軸回到該孔的初始定位點(diǎn),運(yùn)行單圓孔加工程序,完成第一個(gè)孔的加工。 繼續(xù)載入第二個(gè)孔的加工程序,以此類推,除了圓直孔直徑改變、工具電極損耗完畢的情況需要更換新電極之外,能夠?qū)崿F(xiàn)單個(gè)葉片上全部氣膜冷卻孔的一次性自動(dòng)化加工。
氣膜加工結(jié)果如圖20 所示, 平均單孔加工時(shí)間<150 s。 由于本文針對(duì)氣膜冷卻孔加工位置與形狀的精度控制研究, 需要對(duì)孔位與孔形進(jìn)行檢測(cè),以驗(yàn)證本文所提方案的正確性。 然而,由于孔形、孔位尺寸的符合性檢測(cè)難度較大[7],對(duì)于準(zhǔn)確評(píng)定更高加工精度要求的氣膜冷卻孔,需要引入三維光學(xué)掃描與工業(yè)CT 檢測(cè)的圖像處理技術(shù), 將測(cè)量點(diǎn)云與三維設(shè)計(jì)模型配準(zhǔn),得到葉片型面內(nèi)部加工孔軸的偏移量,進(jìn)行誤差分析。 本文暫不深入探討此問題,留待將來予以研究,這里僅通過圖像對(duì)比法進(jìn)行驗(yàn)證,基本滿足預(yù)設(shè)精度要求。
圖20 加工效果
本研究基于UG NX 的二次開發(fā), 開發(fā)了一套自動(dòng)化提取渦輪葉片三維設(shè)計(jì)模型上氣膜冷卻孔的加工信息并自動(dòng)化生成NC 加工代碼算法和實(shí)現(xiàn)軟件,通過電火花掃描加工擴(kuò)散孔與圓直孔的組合工藝實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該算法及軟件的實(shí)用性。
該軟件集成了氣膜冷卻孔孔軸偏角與加工點(diǎn)位的自動(dòng)提取、不同坐標(biāo)系的適應(yīng)性配準(zhǔn)、葉片位姿調(diào)整偏角與變換坐標(biāo)值的自動(dòng)輸出、分層獲取擴(kuò)散孔結(jié)構(gòu)與圓直孔深度信息、自動(dòng)補(bǔ)償工具電極半徑與放電間隙、優(yōu)化掃描加工軌跡等功能,無需人工逐一編寫每個(gè)孔的數(shù)控加工代碼,適用于不同規(guī)格渦輪葉片上不同類型氣膜冷卻孔的整體、一次性掃描加工,具有通用性,操作方便。
基于渦輪葉片三維模型的氣膜冷卻孔定位加工方法會(huì)受制于渦輪葉片型面鑄造誤差、榫頭加工精度的影響, 對(duì)于精度驗(yàn)收要求更高的型號(hào)葉片,未來將結(jié)合激光掃描、點(diǎn)云配準(zhǔn)[8-9]等誤差補(bǔ)償方法予以改進(jìn)。