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儲鋰用硅活性顆粒的孔道構(gòu)筑技術(shù)及研究進展

2024-04-26 10:47:12張舒曾昱嘉
當代化工研究 2024年5期
關(guān)鍵詞:多孔結(jié)構(gòu)造孔負極

*張舒 曾昱嘉

(1.山東理工大學(xué) 山東 255000 2.深圳大學(xué) 廣東 518060)

引言

硅活性材料作為一種無機非金屬材料是當今最受關(guān)注的鋰離子電池負極之一[1]。在電池鋰化反應(yīng)時,硅活性材料會從穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閬喎€(wěn)態(tài)。就硅活性材料的物理化學(xué)性質(zhì)而言,主要有以下幾個特點:第一,硅活性材料理論比容量較高,目前測定的硅的理論容量可以達到4200mAh/g,約為傳統(tǒng)商業(yè)石墨電極的10倍[2]。第二,硅在充放電反應(yīng)時會出現(xiàn)較大膨脹效應(yīng)[3]。硅電極經(jīng)過幾次充放電循環(huán)后,體積可以膨脹到300%,硅顆粒極易分解脫落,電池容量迅速下降,造成壽命縮短[4]。隨著硅活性材料鋰化反應(yīng)時體積增大,固態(tài)電解質(zhì)界面(SEI)膜的完整度也隨之受損,在新的SEI膜形成過程中,電解液會被逐步消耗。SEI膜增厚導(dǎo)致電子的傳導(dǎo)性受到影響,鋰離子的擴散速率會進一步下降[5]。第三,硅作為一種半導(dǎo)體材料,具有本征電導(dǎo)性較差的特點,將硅電極材料應(yīng)用到鋰電池中時,鋰離子的嵌入速度相對較低[6]。此外,硅顆粒在脫鋰后具有很高的鍵能,它們傾向于緊密團聚,容易導(dǎo)致脫鋰過程受到阻礙。

綜合來看,較高的理論比容量能夠讓硅負極相較于以往的傳統(tǒng)鋰離子電池負極材料具有更廣的應(yīng)用前景。但目前硅活性材料的大規(guī)模應(yīng)用仍面臨較多問題,需克服自身的物理化學(xué)特性所帶來的諸多瓶頸,比如硅基材料膨脹造成的粉化、SEI膜增厚、活性材料脫落、循環(huán)穩(wěn)定性不佳和庫倫效率較低等問題。

1.硅體積膨脹效應(yīng)

在石墨材料中,六個碳原子才能結(jié)合一個鋰。相比之下,硅結(jié)合鋰離子能力更強。He等人[7]通過觀察硅材料體積變化發(fā)現(xiàn)在反應(yīng)過程中硅材料脫離原本形狀,變成香菇狀,隨后伴隨收縮最終演變?yōu)橥霠?。嵌鋰過程中,硅鋰合金的晶胞體積遠大于硅晶胞[8]。巨大體積膨脹進而引發(fā)三個問題。

(1)材料粉碎

硅顆粒易因嵌-脫鋰時反復(fù)的體積膨脹-收縮而開裂、粉化,進而使得硅顆粒間失去電接觸。這種機制可能是早期大顆粒硅負極容量衰減的主要原因。

(2)電極失效

當材料顆粒出現(xiàn)粉化時,其與集流體的接觸減少,導(dǎo)致鋰離子無法正常脫嵌,容量急劇下降及電極失效。

(3)SEI膜增厚

電解液易在低電勢的硅負極分解,生成固態(tài)電解質(zhì)膜,從而抑制電解液與硅的直接接觸及反應(yīng),保證電化學(xué)可逆反應(yīng)的順利進行。然而,硅負極的體積效應(yīng)可以破壞固體電極與電解質(zhì)界面膜,導(dǎo)致電解液被持續(xù)消耗,造成電極材料阻抗增大。

2.硅基孔道構(gòu)筑技術(shù)

多孔硅按照孔徑范圍來說,分為宏孔硅、介孔硅和微孔硅。宏孔硅的孔比較分散,筆直且壁光滑。介孔硅和微孔硅的孔分布密集、無規(guī)則,具有類似海綿的結(jié)構(gòu)。隨著相關(guān)理論的不斷完善,硅的多孔結(jié)構(gòu)逐步進入研究人員視野。通過對硅材料的尺寸、結(jié)構(gòu)及其儲鋰性能的研究,發(fā)現(xiàn)當硅材料具有豐富多孔結(jié)構(gòu)時,其體積效應(yīng)可以得到有效控制,鋰化時顆粒不會破碎。因此,許多科學(xué)家常用多孔硅做負極以優(yōu)化鋰離子電池的性能。目前常見的造孔方法主要分為鎂化造孔、金屬輔助刻蝕、自分解致孔、酸蝕致孔等。

(1)鎂化反應(yīng)造孔

金屬熱還原法是用Al、Mg等活潑金屬作還原劑,在一定溫度下通過還原反應(yīng)制取硅單質(zhì)的方法。后續(xù)處理只需要對產(chǎn)品混合物進行酸洗分離便可獲得大量多孔硅產(chǎn)物,反應(yīng)較為簡單。氧化硅原料的形貌、熱平衡和副產(chǎn)物氧化鎂都會對多孔硅產(chǎn)品的形貌和孔徑分布產(chǎn)生影響。當升溫速率較快時,嚴重的熱積累會導(dǎo)致產(chǎn)物硅熔融嚴重,這些產(chǎn)物硅的可逆容量下降較快,循環(huán)穩(wěn)定性差。鎂熱還原后產(chǎn)物硅的微觀形貌會直接影響著其電化學(xué)性能。Xie等人[9]通過在不同溫度下制備不同產(chǎn)物發(fā)現(xiàn),升高反應(yīng)溫度同時增大蒸氣壓能夠促進反應(yīng)正向進行,減少副產(chǎn)物的產(chǎn)生。在2h內(nèi)反應(yīng)能夠達到平衡狀態(tài),通過調(diào)整反應(yīng)時間可以控制中間體Mg2Si的生成量,運用酸洗等后續(xù)處理方法可以得到性能更好的產(chǎn)物。鎂熱還原法具有以下特點。

(1)成本低廉。該反應(yīng)只需提供一個相對密閉、有保護措施的空間,防止高溫下鎂蒸氣的泄漏,同時該過程很少有昂貴的實驗試劑。

(2)實驗方法及操作相對簡單。鎂熱還原的反應(yīng)溫度比較適中,在還原過程所產(chǎn)生的副產(chǎn)物經(jīng)刻蝕可除去。

(3)反應(yīng)進行過程中系統(tǒng)會產(chǎn)生大量的熱量,導(dǎo)致實際反應(yīng)溫度遠高于設(shè)定溫度。綜合來看,鎂熱還原法被認為是一種可行的、低成本獲得硅的方法。

(2)金屬輔助刻蝕

金屬輔助化學(xué)刻蝕法是將重金屬如銀等沉積在硅顆粒表面,通過氫氟酸等強氧化劑的刻蝕作用,獲得多孔結(jié)構(gòu)的硅材料[10]。強氧化劑H2O2致使Ag納米微陰極區(qū)域產(chǎn)生大量的空穴,其中大部分空穴會注入的硅價帶而促使與Ag納米顆粒接觸的硅被氧化[11]。Si-O-Si鍵的形成消耗了一個氫氧根和兩個空穴。同時有部分空穴和氟離子攻擊Si-H鍵形成Si-F鍵。產(chǎn)生的氧化硅和氟化硅,受氫離子影響進一步反應(yīng)分別被F原子和H原子取代[12]。由于在Si/Ag界面的空穴濃度遠大于其他處,與Ag納米顆粒接觸的硅基腐蝕程度將大于普通硅。金屬輔助化學(xué)刻蝕法產(chǎn)生的孔結(jié)構(gòu)排列比較有序,但該方法操作步驟較為復(fù)雜,限制了其應(yīng)用,仍需進一步開發(fā)適用于工業(yè)硅粉的高效簡易方法。

(3)自分解致孔

氧化硅(SiO)熱力學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定,易高溫歧化,一般情況下,歧化反應(yīng)制得的納米硅晶粒尺寸在3~4 nm之間。通過刻蝕可進一步制備微納Si組合成的多孔微米級硅[13]。SiO歧化分解的硅產(chǎn)物因歧化反應(yīng)溫度和反應(yīng)時間的不同表現(xiàn)出不同的電化學(xué)性能。Yi等[14]通過歧化造孔,并采用乙炔為碳源對多孔硅進行空隙填充,得到最終的硅碳復(fù)合的負極材料,200次充放后,容量保持率仍為97.8%。利用高能球磨也可以對SiO負極材料進行改性。Feng等人[15]發(fā)現(xiàn)表面經(jīng)過高能球磨、碳質(zhì)氣氛沉積處理后硅負極可逆容量達到1250mAh/g,循環(huán)200圈后容量保持率高達95%。總之,利用SiO歧化反應(yīng)制備硅負極,具有價廉易操作的特點。但是,刻蝕劑的使用可能增加生產(chǎn)的安全隱患。

(4)酸蝕成孔

目前常用的酸蝕成孔策略通常是以硅合金為前驅(qū)體,用過量鹽酸或硫酸反應(yīng)去除金屬得到多孔材料,是一種低成本,操作簡單的多孔硅制備方法。He等人[16]以廉價的冶金級硅鐵合金為前驅(qū)體,通過球磨處理和鹽酸刻蝕得到了微米級多孔硅負極。多孔硅負極在500mA/g的電流密度下首次庫倫效率達到88.1%,在100次充放電循環(huán)后比容量為1250mAh/g,表現(xiàn)出優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性。多孔結(jié)構(gòu)形成的過程會伴隨有氣體的釋放。當酸濃度增加到一定程度時,硅顆粒表面孔洞的尺寸和深度均進一步增大,在大孔結(jié)構(gòu)外,部分孔洞還出現(xiàn)了互相串聯(lián)的現(xiàn)象。

(5)其他孔道構(gòu)筑技術(shù)

①堿蝕法

使用不同比例的Si、Sn、Al合金為前驅(qū)體,以NaOH作為腐蝕液可以制備出具有多孔結(jié)構(gòu)的Si/Sn復(fù)合材料。通過對比發(fā)現(xiàn),隨著刻蝕時間的增加,合金中的Al原子被溶解,材料的孔隙增加,在24h會出現(xiàn)均勻的孔隙結(jié)構(gòu)[17]。但如果時間過長,在36h就會使孔隙結(jié)構(gòu)崩潰。用這種制備方法制得的材料樣品具有穩(wěn)定的電容量及更好的循環(huán)穩(wěn)定性。

②模板法

聚苯乙烯球可以作為模板,制備中空結(jié)構(gòu)納米硅球,十六烷基苯磺酸鈉可以作為致孔劑,在中空硅球表面制孔,可制備出具有中空-多孔結(jié)構(gòu)的納米硅球。該結(jié)構(gòu)不僅可以緩解硅的體積效應(yīng),而且有利于Li+的傳輸。在大電流快速充放電(4A/g)時,仍能夠達到2000mAh/g的高容量。另外,氯化鈉、氯化鉀同樣可以作為硬模板。在鈉鉀合金輔助下,四氯化硅作為含硅前驅(qū)體可以制備大比表面積介孔硅[18]。

3.總結(jié)

硅的孔結(jié)構(gòu)使硅負極材料在鋰離子電池儲能方面有眾多應(yīng)用。目前硅造孔領(lǐng)域中,鎂化反應(yīng)造孔、金屬輔助造孔、酸蝕等方法都有所突破,所制作的材料都有良好的結(jié)構(gòu)表征。但目前將硅負極材料應(yīng)用到鋰離子電池依然有很多困難和風(fēng)險。膨脹效應(yīng)對于硅材料的影響仍然很大。相信隨著技術(shù)的不斷成熟,一定會有更好的技術(shù)和解決方案去讓硅負極材料有更廣闊、更深入的應(yīng)用空間。

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