摘 要： 設(shè)計合成了一種新的基于苯并噻二唑的電子給體（D）-電子受體（A）型高分子阻變存儲材料聚{[4，4′-（2，7-二苯基-9H-芴-9，9-二基） 雙（N， N-二苯基氨）]-alt-[4，7-雙（4-正十二烷基-5-乙烯基噻吩-2-基）-苯并[c] [1，2，5] 噻二唑]}（ PFVT） 。以PFVT 為活性材料制備的Al/PFVT/ITO（ ITO：氧化銦錫）器件在室溫下展現(xiàn)了非易失性阻變存儲（ RRAM）性能。器件經(jīng)過50 次開啟、關(guān)閉循環(huán)操作，獲得的平均開啟和關(guān)閉電壓分別為（?0.54 ± 0.01） V 和（2.42 ± 0.05） V，電流開/關(guān)比為1.50×103。在循環(huán)操作期間的編程電壓變化小于2.1%， 器件展現(xiàn)出優(yōu)良的可靠性。經(jīng)200 ℃ 退火處理后， 薄膜材料的結(jié)晶性增加， 器件的平均開啟和關(guān)閉電壓減小， 分別為（?0.49±0.01） V 和（2.27±0.02） V。器件存儲機制歸屬于電場誘導(dǎo)的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移。利用空間電荷限制電流模型和歐姆電流模型可以分別完美擬合OFF 態(tài)和ON 態(tài)電流。為了比較，用苯環(huán)替代高分子結(jié)構(gòu)中的9，9-二（4-二苯胺基苯基）-芴單元，合成了聚{4-（4-十二烷基-5-（4-甲基苯乙烯基） 噻吩-2-基）-7-（4-十二烷基-5-（丙烯-1-基） 噻吩-2-基） 苯并[c][1，2，5] 噻二唑}（PPVT），該材料展現(xiàn)出類似的阻變存儲性能。與PFVT 相比，PPVT 的開啟電壓明顯變大，而電流開/關(guān)比則小了一個數(shù)量級，用苯環(huán)取代大體積芴單元后材料的熱穩(wěn)定性急劇下降，帶隙增大。

關(guān)鍵詞： 苯并噻二唑；共軛高分子；阻變存儲；材料合成；電荷轉(zhuǎn)移

中圖分類號： O613.71；TB34；O69 文獻(xiàn)標(biāo)志碼： A