作者簡歷 劉澤文，1960年生，法國巴黎第十一大學(xué)博士，現(xiàn)在清華大學(xué)任教，主要研究方向為微電子器件、RF－MEMS技術(shù)和納米技術(shù)。

1． 引言

正當(dāng)納米技術(shù)在全球范圍內(nèi)掀起一場科技熱潮的時候，大規(guī)模集成電路已經(jīng)穩(wěn)步地進(jìn)入了納米時代，特征尺寸小于100納米的晶體管已經(jīng)進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段。大規(guī)模集成電路之所以能得到持續(xù)發(fā)展，主要依賴于光刻技術(shù)的不斷進(jìn)步。在傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展規(guī)劃中，人們關(guān)注的下一代主要候選光刻技術(shù)是光學(xué)（包括極紫外）光刻、電子束光刻、X射線光刻和離子束光刻， 而在2003年制訂的《國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線》上，一種新型工具—納米印刻技術(shù)赫然在目。由于納米印刻技術(shù)在分辨率、產(chǎn)能和成本等諸多方面的獨(dú)特優(yōu)勢，它不僅是實(shí)現(xiàn)未來小于45納米特征線寬集成電路的理想候選技術(shù)，也是制作各種微米納米器件包括光電器件、存儲器件、微流體器件等的重要手段，已經(jīng)引起了科研、生產(chǎn)部門的廣泛重視。目前在歐洲和美國已經(jīng)出現(xiàn)了數(shù)家生產(chǎn)納米刻印設(shè)備的專門公司如Nanonex、MII、EVG等，所生產(chǎn)的設(shè)備已經(jīng)銷往包括我國在內(nèi)的眾多大學(xué)、研究機(jī)構(gòu)和大公司。