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中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至40nm低漏電工藝

2010-08-15 00:51:01本刊通訊員
電子與封裝 2010年8期
關(guān)鍵詞:記憶系統(tǒng)編譯器漏電

7月22日,Virage Logic公司和中芯國際集成電路有限公司共同宣布其長期合作伙伴關(guān)系擴展到40nm的低漏電工藝技術(shù)。Virage Logic公司和中芯國際從最初的130nm工藝合作起便為雙方共同的客戶提供具高度差異的 IP,涵蓋的工藝廣泛還包含90nm以及65nm。根據(jù)協(xié)議條款,系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計人員將能夠使用Virage Logic開發(fā)的,基于中芯國際40nm低漏電工藝的 SiWare? 存儲器編譯器、SiWare?邏輯庫、SiPro? MIPI硅知識產(chǎn)權(quán)(IP)和 Intelli? DDR IP。除此之外這方面的一個新協(xié)議的關(guān)鍵將提供中芯國際Virage Logic先進的STAR?記憶系統(tǒng)和STAR?量率加速器工具,以加速中芯國際關(guān)于40nm低漏電工藝記憶的技術(shù)開發(fā),測試以及產(chǎn)量的提升。

“作為中國首屈一指的代工廠,我們與 Virage Logic公司拓展合作伙伴關(guān)系將使中芯國際能夠提供更多業(yè)界領(lǐng)先的40nm低漏電工藝的半導(dǎo)體 IP,這不僅能滿足來自中國本地的系統(tǒng)級芯片開發(fā)人員的需要,亦將助益我們開發(fā)全球半導(dǎo)體市場?!敝行緡H資深副總裁兼首席商務(wù)官季克非表示,“中芯國際正采取積極措施提升客戶更先進的技術(shù)。與Virage Logic的合作關(guān)系可為我們的客戶提供將來遷移到40nm的一個相對容易的途徑?!?/p>

(本刊通訊員)

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