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氟化物對低溫?zé)Y(jié)氧化鎂陶瓷的影響

2011-02-06 12:44張文政劉正毛萍莉王趲
陶瓷學(xué)報(bào) 2011年2期
關(guān)鍵詞:電熔氧化鎂熔點(diǎn)

張文政 劉正 毛萍莉 王趲

(1.沈陽工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院,遼寧沈陽110178;2.沈陽化工大學(xué)材料學(xué)院,遼寧沈陽110142)

0 引言

MgO陶瓷常以輕燒MgO為原料制備而成,它具有高熔點(diǎn)、低密度、優(yōu)良的抗堿金屬熔體腐蝕性等特點(diǎn),因此在冶金、環(huán)保、化工、能源等領(lǐng)域應(yīng)用十分廣泛。但是,由于MgO具有離子鍵性,使之熔點(diǎn)達(dá)2850℃,在燒結(jié)過程中,產(chǎn)生的液相極少,其燒結(jié)主要靠晶體的再結(jié)晶來完成,導(dǎo)致MgO的燒結(jié)溫度高,這使制造MgO陶瓷不但需要消耗大量的能源,而且還需要消耗大量需要高溫?zé)傻母呒壞突鸩牧?例如爐具及其保溫隔熱材料)和高溫加熱元器件。研究表明:在燒結(jié)陶瓷過程中,燒成溫度每降低100℃,單位產(chǎn)品熱耗會降低10%以上;燒成時(shí)間每縮短10%,則產(chǎn)量增加10%,熱耗降低4%[1]。所以高溫?zé)Y(jié)會使企業(yè)成本居高上升,導(dǎo)致競爭力和發(fā)展后勁不足。特別是,過高的燒成溫度會導(dǎo)致MgO陶瓷主晶相晶粒長得過大而不利于制品性能的改善和提高。

MgO不但熔點(diǎn)很高,而且在其熔點(diǎn)以下蒸氣壓亦很高,容易升華,導(dǎo)致燒結(jié)困難。因此,為了降低MgO陶瓷的燒結(jié)溫度,許多研究者做了大量工作[2-8]。目前工業(yè)上MgO陶瓷的燒結(jié)方法一般是采用專門的設(shè)備進(jìn)行加壓燒結(jié),設(shè)備復(fù)雜,操作繁瑣,本文中則是采用添加低熔點(diǎn)氟化物的方法進(jìn)行液相燒結(jié)。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 實(shí)驗(yàn)原料

LiF、NaF和MgF2均為市售分析純試劑,MgO:w.t%(MgO)≥96%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同),325目。

1.2 實(shí)驗(yàn)過程

各試樣經(jīng)過20MPa的壓力壓制成Φ40mm× 10mm的試樣,經(jīng)過自然干燥,依據(jù)不同的升溫制度,在硅鉬棒電爐中進(jìn)行燒結(jié),并對所得制品進(jìn)行測試。

MgO粒徑變化實(shí)驗(yàn)是將MgF2∶MgO=2∶5(質(zhì)量比)的混合物,按照混合物∶無水乙醇=1∶1(質(zhì)量比)的比例配成漿體,在球磨機(jī)中球磨5h后在100℃下干燥至恒重,最后對燒結(jié)所得粉體粒徑進(jìn)行測試。

1.3 性能測試

采用德國布魯克公司型號為D8Advance的X射線衍射儀對樣品進(jìn)行XRD分析;

采用日本電子株式會社型號為JSM-6360LV高低真空掃描電子顯微鏡對樣品進(jìn)行顯微分析;

采用型號為Microtrac S3500的激光粒度分析儀對樣品進(jìn)行粒徑分析;

圖1 添加N a F的輕燒Mg O陶瓷S E M圖譜Fig.1 SEM of caustic calcined MgO ceramics with NaF

圖2 添加L i F的輕燒Mg O陶瓷S E M圖譜Fig.2 SEM of caustic calcined MgO ceramics with LiF

圖3 添加Mg F2的輕燒Mg O陶瓷S E M圖譜Fig.3 SEM of caustic calcined MgO ceramics with MgF2

圖4 添加MgF2的電熔MgO/MgF2制品SEM圖譜Fig.4 SEM of fused MgO ceramics with MgF2

按照QB/T1547-92標(biāo)準(zhǔn)對樣品進(jìn)行線收縮率分析。

2 結(jié)果討論

2.1 添加不同助熔劑制品的圖譜

從圖1可以看出,輕燒MgO/NaF制品斷口平而光亮。MgO為體心立方,斷裂面是解理平臺,而輕燒MgO與添加的NaF陽離子半徑相差太大,未能形成置換型固溶體,表現(xiàn)為穿晶脆性斷裂。

從圖2和圖3可以看出,輕燒MgO/LiF和輕燒MgO/MgF2制品斷口有許多單獨(dú)形成的裂紋,具有解理斷裂的形貌特征,同時(shí)又伴有少量微孔坑覆蓋斷面,有明顯的剪切韌窩和撕裂韌窩,說明輕燒MgO和LiF、MgF2形成的固溶體韌性增加了。由于輕燒MgO燒結(jié)過程中線收縮率比較大,兩種制品的空隙都較大。

圖4說明在電熔MgO中添加MgF2不僅能夠增加制品的韌性,還能夠提高制品的致密性。這是由于電熔MgO是氧化鎂在高溫下燒結(jié)后的結(jié)晶產(chǎn)物,活性更低,體積變化小,而輕燒MgO為無定形結(jié)構(gòu),活性高,在高溫下的體積穩(wěn)定性也差,因此本文優(yōu)選電熔MgO。

2.2 燒結(jié)溫度對制品線收縮率的影響

陶瓷制品在燒結(jié)過程中,較低的線收縮率有助于保持制品的尺寸穩(wěn)定性。從圖5可以看出三種制品的線收縮率隨著燒結(jié)溫度的升高而變大,但在相同燒結(jié)溫度下,純的輕燒MgO制品的線收縮率最大,電熔MgO/MgF2制品的線收縮率要比輕燒MgO/MgF2制品的線收縮率小,且變化趨勢平緩。d點(diǎn)和e點(diǎn)的值說明,燒結(jié)的保溫時(shí)間延長到1.5h將使輕燒MgO/MgF2制品線收縮率增大,但繼續(xù)延長至2h時(shí),則線收縮率變化不大。

圖5 燒結(jié)溫度對氧化鎂線收縮率的影響Fig.5 Effect of sintering temperatures on linear shrinkage of MgO ceramics

圖6 Mg F2/Mg O質(zhì)量比對Mg O陶瓷線收縮率的影響Fig.6 Effect of MgF2/MgO(mass ratio)on linear shrinkage of MgO ceramics

圖7 燒結(jié)溫度對電熔Mg O粒子粒徑的影響Fig.7 Effect of sintering temperatures on grain size of fused MgO

從圖6可以看出,兩種制品的線收縮率隨著MgF2/MgO配比的升高而變大,但在相同配比條件下,輕燒MgO制品的線收縮率更大,這說明使用電熔MgO燒結(jié)所得制品的尺寸穩(wěn)定性更好。

2.4 燒結(jié)溫度對電熔粒子粒徑的影響

MgF2的熔點(diǎn)為1266℃,是一種良好的助熔劑,將其添加到電熔MgO中,有利于電熔MgO粒子的增大。從圖7可以看出,隨著燒結(jié)溫度的升高,電熔MgO粒子的粒徑不斷增大,表現(xiàn)為粒徑分布范圍向大粒徑方向擴(kuò)展,粒子的合并也造成了大粒徑粒子的數(shù)目的增加,由于A樣品燒結(jié)溫度接近MgF2的熔點(diǎn)溫度,因此對電熔MgO粒子增長的影響最為明顯。

3 結(jié)論

分別添加LiF、NaF和MgF2所得制品的SEM結(jié)果說明:只有添加MgF2所得的制品斷裂面存在韌窩,說明該制品是韌性斷裂的;電熔MgO/MgF2制品內(nèi)部的空隙要比輕燒MgO/MgF2制品更少;線收縮率測試結(jié)果說明電熔MgO/MgF2制品的線收縮率最?。徊煌瑴囟认碌牧綔y試結(jié)果說明添加MgF2可以促進(jìn)電熔MgO粒子合并,實(shí)現(xiàn)MgO低溫?zé)Y(jié)。

1林衡,饒平根,呂明.日用陶瓷低溫快燒技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀.佛山陶瓷,2008,(9):39

2張淑云.高純度高密度氧化鎂燒結(jié)體.無機(jī)鹽工業(yè),1994,(4):19

3饒東生,林彬蔭,朱伯銓.降低高純氧化鎂燒結(jié)溫度的研究.硅酸鹽學(xué)報(bào),1989,(1):75-81

4李曉東,柏立飛,趙恒和等.氯離子對氧化鎂納米粉體合成及燒結(jié)性能的影響研究.功能材料,2009,(7):1215~1218

5 PETRI N,王元化..氧化鎂燒結(jié)過程的研究.國外耐火材料, 1989,14(2):66~69

6 SUGARMAN A C,BLACHERE J R.Control of grain growth in MgO by a fine dispersion of carbon.Journal of The American Ceramic Society-Discussions and Notes,1974,57(9):414

7 SUGARMAN A C,BLACHERE J R.Creep of MgO containing a dispersion of carbon.Journal of the American Ceramic Society,1979,62(7~8):386~389

8 LEEYB,PARKHC,OHKD,etal.Sinteringandmicrostructure development in the system MgO-TiO2.Journal of Materials Science,1998,33:4321~4325

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