石海忠,張學(xué)兵,張蓓蓓,聶 蕾
(南通富士通微電子股份有限公司,江蘇 南通,226006)
QFP(quad flat package,四側(cè)引腳扁平封裝)是表面貼裝型封裝之一,引腳從四個(gè)側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型,其不僅用于微處理器、數(shù)字邏輯LSI電路,而且也用于VTR 信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI 電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。根據(jù)塑封體厚度分為 QFP(2.0mm~3.6mm厚)、LQFP(1.4mm厚)和TLQFP(1.0mm厚)三種。隨著客戶對LQFP產(chǎn)品可靠性要求的不斷提高,器件分層的問題也逐步得到封裝工程師的重視,此類分層問題主要跟塑封料和導(dǎo)電膠兩種材料相關(guān)。對于LQFP類產(chǎn)品,導(dǎo)電膠引起的分層問題急需改善,本文通過對多種導(dǎo)電膠性能和最終成品的可靠性研究,為未來產(chǎn)品導(dǎo)電膠的選擇提供理論依據(jù)。
樣品封裝條件:我們選擇四款LQFP常用的導(dǎo)電膠,芯片尺寸約為10mm×10mm,框架載片區(qū)域?yàn)槁躲~,導(dǎo)電膠厚度統(tǒng)一控制在20μm ~40μm,樣品封裝過程中除了導(dǎo)電膠型號(hào)和對應(yīng)的固化條件有差異外,其他條件盡量保持相同,采用塑封體為28mm×28mm×1.4mm、引線間距為0.40mm的HLQFP256代表性外形進(jìn)行導(dǎo)電膠分層的測試。
樣品封裝后進(jìn)行C-SAM和T-SAM掃描,確認(rèn)分層狀況,然后采用IPC/JEDEC J-S-STD-020D.1 Level 3進(jìn)行預(yù)處理:前烘(Dry Bake),125(-0/+5)℃/24h;吸濕(Moisture Soak),30+2℃/60+3%RH/192h;紅外回流(IR Ref l ow),260℃(max)/3個(gè)循環(huán)。最后再進(jìn)行C-SAM和T-SAM掃描確認(rèn)分層狀況。
我們對四種導(dǎo)電膠的主要性能進(jìn)行了比較,具體見表1。
表1 四種導(dǎo)電銀膠的主要性能比較
根據(jù)表1所示性能進(jìn)行分析,導(dǎo)電膠A的常溫和高溫剪切力分別達(dá)到14.0kg和2.0kg(均為最大),說明導(dǎo)電膠A跟框架界面之間的相對粘結(jié)力最大;玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的數(shù)據(jù)說明導(dǎo)電膠A和C最低在30℃左右,而B和D相對較高,一般來說玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較低比較好;在室溫或高溫條件下,導(dǎo)電膠B、C、D具有較高的動(dòng)態(tài)拉伸模量,而導(dǎo)電膠A的高低溫動(dòng)態(tài)拉伸模量相對均較低。大家知道,動(dòng)態(tài)拉伸模量是指材料在彈性變形階段內(nèi),正應(yīng)力和對應(yīng)的正應(yīng)變的比值,動(dòng)態(tài)拉伸模量可視為衡量材料產(chǎn)生彈性變形難易程度的指標(biāo),其值越大,使材料發(fā)生一定彈性變形的應(yīng)力也越大,即材料剛度越大,亦即在一定應(yīng)力作用下,發(fā)生彈性變形越小;綜合導(dǎo)電膠主要性能而測算的應(yīng)力指數(shù)表明導(dǎo)電膠A、B、C、D依次升高,表1中所示的導(dǎo)電膠性能參數(shù)是否對最終器件的分層有直接影響,根據(jù)接下來的分層實(shí)驗(yàn)將進(jìn)一步討論。
表2 器件經(jīng)過MSL3分層實(shí)驗(yàn)前后的分層掃描結(jié)果
如表2所示,器件在MSL3之前沒有任何分層,但在實(shí)驗(yàn)后,有的器件出現(xiàn)了分層現(xiàn)象,其中使用導(dǎo)電膠D的器件出現(xiàn)大量的分層現(xiàn)象;使用導(dǎo)電膠A的器件,MSL3后沒有觀察到分層現(xiàn)象(參見圖1(a));使用導(dǎo)電膠B、C的器件MSL3后在兩個(gè)界面均出現(xiàn)了少數(shù)分層(其中導(dǎo)電膠B的分層圖片參見圖1(b),導(dǎo)電膠C的分層圖片參見圖1(c))。器件發(fā)生分層的主要原因是導(dǎo)電膠、硅片、框架材質(zhì)、塑封料之間熱膨脹系數(shù)的不匹配,在回流焊過程中產(chǎn)生的應(yīng)力大于粘結(jié)力時(shí)產(chǎn)生界面分層。
為了明確導(dǎo)電膠性能參數(shù)和器件分層之間的相關(guān)性,我們首先討論導(dǎo)電膠粘接性能的影響。四種導(dǎo)電膠的常溫剪切力都大于6kg,在封裝后的零小時(shí)均沒有任何分層,說明這個(gè)性能完全可以滿足實(shí)際需要,因此不是我們尋找的主要因素;四種導(dǎo)電膠的高溫剪切力存在較大差異,導(dǎo)電膠D的高溫粘接性能相對最差,這個(gè)因素也可以解釋使用導(dǎo)電膠D的器件為什么分層現(xiàn)象最為明顯;導(dǎo)電膠B和C的高溫剪切力基本一致且相對較低,結(jié)果顯示均出現(xiàn)少量的分層且發(fā)生比例接近;導(dǎo)電膠A高溫剪切力最高,沒有發(fā)生分層,由此推斷導(dǎo)電膠的高溫剪切力是影響器件分層的一個(gè)重要因素。
圖1 器件分層照片(左C-SAM/右T-SAM)
再討論四種導(dǎo)電膠的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和動(dòng)態(tài)拉伸模量性能參數(shù)。B和D兩者的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較高,同時(shí)常溫動(dòng)態(tài)拉伸模量也相對較高(如表1所示),因此兩者在經(jīng)過回流焊測試時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力較大。A和C兩者的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較低,同時(shí)常溫動(dòng)態(tài)拉伸模量也比較低,但是導(dǎo)電膠C的高溫動(dòng)態(tài)拉伸模量明顯高于導(dǎo)電膠A,根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,導(dǎo)電膠A在使用100mm2大芯片的情況下依然可以通過MSL3測試,而導(dǎo)電膠C出現(xiàn)了界面分層,說明了在一定的常溫和高溫粘接強(qiáng)度的條件下,導(dǎo)電膠的常溫動(dòng)態(tài)拉伸模量同時(shí)也相對比較小的情況下,導(dǎo)電膠的高溫動(dòng)態(tài)拉伸模量相對越低,對器件的抗分層能力越強(qiáng)。我們得出在較大芯片的情況下,不僅需要關(guān)注低溫動(dòng)態(tài)拉伸模量和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,更需要考察導(dǎo)電膠的高溫動(dòng)態(tài)拉伸模量,當(dāng)器件在經(jīng)歷高溫回流焊的過程時(shí),高溫下較低的動(dòng)態(tài)拉伸模量有利于吸收溫度變化所引起的應(yīng)力。
最后,我們根據(jù)表2的實(shí)驗(yàn)結(jié)果以及圖2中不同導(dǎo)電膠的高溫動(dòng)態(tài)拉伸模量、應(yīng)力指數(shù)的比較,發(fā)現(xiàn)綜合導(dǎo)電膠主要性能的應(yīng)力指數(shù)越高、高溫動(dòng)態(tài)彈性模量越高,發(fā)生分層的比例和風(fēng)險(xiǎn)越高,反之,發(fā)生分層的比例和風(fēng)險(xiǎn)越低。
圖2 250℃下導(dǎo)電膠動(dòng)態(tài)拉伸模量和應(yīng)力指數(shù)
另外,我們也發(fā)現(xiàn)導(dǎo)電膠的揮發(fā)物含量、擴(kuò)散等對載片臺(tái)正面與塑封料之間的界面分層也有一定的負(fù)面影響,這里不再詳細(xì)討論。
綜上所述,根據(jù)導(dǎo)電膠性能參數(shù)和器件分層實(shí)驗(yàn)情況,明確了LQFP類導(dǎo)電膠主要性能參數(shù)對器件分層有直接的影響。在具備較高的高溫剪切力的前提下,如果導(dǎo)電膠具有較低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、較低的常溫和高溫動(dòng)態(tài)拉伸模量,那么導(dǎo)電膠在回流焊過程中產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)比較小,發(fā)生導(dǎo)電膠分層的比例和風(fēng)險(xiǎn)非常?。摧d片臺(tái)正面與導(dǎo)電膠之間的界面分層),最終器件將具備較強(qiáng)的抗分層能力和比較高的可靠性。
[1] 高麗蘭. 微電子封裝中導(dǎo)電膠連接可靠性研究[J]. 固體力學(xué)學(xué)報(bào),2010.
[2] 向昊. 各向異性導(dǎo)電膠的研究與應(yīng)用現(xiàn)狀[J]. 粘結(jié),2008.