方楚
(中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所 安徽省合肥市 230031)
導(dǎo)電膠的微小裂縫在熱或沖擊應(yīng)力的作用下將不斷擴(kuò)展并延伸至界面或膠體內(nèi)部分層,最后導(dǎo)致粘接電阻增加甚至斷路。裂紋的形成有以下途徑:
(1)導(dǎo)電膠與金層、陶瓷基板間材料熱膨脹系數(shù)的差異使其在溫變應(yīng)力下形變程度不一,熱機(jī)械疲勞界面處產(chǎn)生剪切應(yīng)力并沿界面擴(kuò)展,產(chǎn)生粘接膠裂縫或分層;
(2)低溫時(shí)導(dǎo)電膠的脆性導(dǎo)致裂縫的形成;
(3)粘接時(shí)導(dǎo)電膠與基板界面存在氣泡,這種缺陷不但會(huì)減少接觸面積,而且有助于裂紋的萌生和傳播;
(4)工藝缺陷導(dǎo)致的導(dǎo)電膠體內(nèi)裂紋擴(kuò)展到界面;
(5)膠層中存有少量空氣,這些空氣在受到熱時(shí)會(huì)持續(xù)膨脹,相近的氣泡甚至出現(xiàn)貫通,造成膠層出現(xiàn)孔洞,破壞導(dǎo)電通路,電阻增大。
目前鮮有研究通過開展有限元建模分析導(dǎo)電膠在溫度載荷情況下的多工況應(yīng)力失效情況,本文開展仿真模擬導(dǎo)電膠本體、基板與導(dǎo)電膠界面、芯片與導(dǎo)電膠界面和芯片本身四個(gè)方面的應(yīng)力水平,可作為初步判斷導(dǎo)電膠在溫度載荷作用下的失效分析手段。
依據(jù)導(dǎo)電膠的材料參數(shù)構(gòu)型開展有限元建模,包括外側(cè)爬高和外側(cè)平整兩方案,各方案均三面溢出,同時(shí)考慮不同厚度的導(dǎo)電膠層(10μm 、20μm、30μm)三類模型,模型詳細(xì)如圖1-2。
圖1:導(dǎo)電膠外側(cè)爬高方案的有限元模型
圖2:導(dǎo)電膠外側(cè)平整方案的有限元模型
依據(jù)目前實(shí)際推力試驗(yàn)載荷數(shù)據(jù),選擇最小推力11.874kgf 針對未溢出膠那面開展推力試驗(yàn),刀頭尺寸按2.5mm*0.5mm 開展推力載荷分析,評估推力作用下,導(dǎo)電膠體剪切應(yīng)力、芯片、導(dǎo)電膠與基板以及導(dǎo)電膠與芯片間的界面剪切應(yīng)力。
依據(jù)實(shí)際工作溫度循環(huán)的最大溫差,選擇80 度溫差作為工程校核計(jì)算溫度載荷。
推力分析時(shí),選擇涂膠的中等厚度20um 開展仿真分析,應(yīng)力云圖如圖3-4。
圖3:外側(cè)爬高剪切應(yīng)力云圖
圖4:外側(cè)平整剪切應(yīng)力云圖
根據(jù)上述有限元模擬結(jié)果,提取膠層厚度20μm 時(shí)不同工況下導(dǎo)電膠、芯片和基板本身和相互間的最大應(yīng)力水平,詳細(xì)匯總結(jié)果如表1 所示。
表1:推力載荷下導(dǎo)電膠熱固多工況分析結(jié)果
針對推力載荷工況,有如下結(jié)論:
(1)外側(cè)爬高的應(yīng)力水平略低于外側(cè)平整,爬高起到剛度加強(qiáng)作用;
(2)導(dǎo)電膠與基板之間的界面應(yīng)力要小于導(dǎo)電膠與芯片之間的界面應(yīng)力;
(3)因?qū)嶋H試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)電膠與基板層之間分離,因此綜合爬高和平整狀態(tài)下提取導(dǎo)電膠與基板界面應(yīng)力最大值中的小值為14.73 兆帕,進(jìn)一步綜合該工況下失效部位應(yīng)力均值為12.49 兆帕,因此,可認(rèn)為導(dǎo)電膠與基板之間的失效應(yīng)力為12.49 兆帕,并將作為導(dǎo)電膠與基板是否分層的評估判據(jù);
(4)因?qū)嶋H試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)電膠與芯片層之間未分離,因此綜合爬高和平整狀態(tài)下提取導(dǎo)電膠與基板界面應(yīng)力最大值中的大值為48.18 兆帕,進(jìn)一步綜合該工況下失效部位應(yīng)力均值為42.35 兆帕,因此,可認(rèn)為芯片與導(dǎo)電膠之間失效的界面應(yīng)力應(yīng)大于42.35 兆帕,并將該值作為導(dǎo)電膠與芯片是否分層的評估判據(jù);
(5)芯片最大應(yīng)力為271.20 兆帕,經(jīng)查文獻(xiàn),基礎(chǔ)研磨硅片的抗彎強(qiáng)度為190-280 兆帕[1],經(jīng)過一定表面處理其強(qiáng)度最高能達(dá)到500 兆帕[2],因此可認(rèn)為實(shí)際試驗(yàn)時(shí)芯片安全,未發(fā)生破損。
溫度分析時(shí),選擇涂膠的三種厚度(10μm 、20μm、30μm)開展仿真分析,部分應(yīng)力云圖如圖5-6。
圖5:外側(cè)平整、膠層厚度20um 的剪切應(yīng)力云圖
圖6:外側(cè)平整、膠層厚度30um 的剪切應(yīng)力云圖
提取各狀態(tài)下不同構(gòu)型導(dǎo)電膠、芯片和基板本身和相互間的最大應(yīng)力水平,詳細(xì)匯總結(jié)果如表2 所示。
表2:溫度載荷下導(dǎo)電膠熱固多工況分析結(jié)果
針對溫度載荷工況,結(jié)論如下:
(1)導(dǎo)電膠在外側(cè)爬高時(shí),由于其綜合尺寸略大,剪切應(yīng)力水平稍高于外側(cè)平整狀態(tài),應(yīng)力最大偏差在3%以內(nèi),最大剪切應(yīng)力為18.98 兆帕;
(2)導(dǎo)電膠與基板的界面應(yīng)力要小于導(dǎo)電膠與芯片間的界面應(yīng)力(剪切應(yīng)力);
(3)其中導(dǎo)電膠與基板之間的界面應(yīng)力最大為2.44 兆帕,遠(yuǎn)小于推力計(jì)算中的12.49 兆帕,因此認(rèn)為導(dǎo)電膠不會(huì)與基板界面分層;
(4)同時(shí)導(dǎo)電膠與芯片之間的界面最大應(yīng)力為15.16兆帕,也小于推力計(jì)算中42.35 兆帕,因此認(rèn)為導(dǎo)電膠不會(huì)與芯片界面分層;
(5)芯片應(yīng)力最大為40.45 兆帕,位于芯片與導(dǎo)電膠底部連接四周區(qū)域,芯片安全,未發(fā)生破損。
本文提出了一種基于有限元建模研究導(dǎo)電膠熱固多工況的分析方法,從導(dǎo)電膠本體、基板與導(dǎo)電膠界面、芯片與導(dǎo)電膠界面和芯片本身四個(gè)方面模擬最大應(yīng)力水平,可作為初步判斷導(dǎo)電膠在溫度載荷作用下的失效分析手段。