田自寧 歐陽曉平 黃雄亮 周崇陽 張 洋 申茂泉 楊曉燕
1 (清華大學(xué)工程物理系 北京 100084)
2 (西北核技術(shù)研究所 西安 710024)
測量氙氣體通常采用β-γ符合法或平面HPGe γ能譜法[1–3]。β-γ符合法用符合技術(shù)降低本底以提高氙探測靈敏度;HPGe γ能譜法則由氙同位素特征γ射線確定活度,此法設(shè)備簡單,能量分辨率高,被各國核素實(shí)驗(yàn)室廣泛使用,而HPGeγ能譜法的關(guān)鍵是確定探測器對氙氣放射源的探測效率[4]。然而,實(shí)際工作中遇到的氣體源有各種幾何形狀,不可能對每種形狀的氣體源都制作標(biāo)準(zhǔn)源進(jìn)行相對法測量,須進(jìn)行HPGe探測器點(diǎn)源效率函數(shù)及其參數(shù)的確定[5]。本文用點(diǎn)源對不同高度空樣品盒進(jìn)行效率刻度研究,通過點(diǎn)源對不同高度樣品的不同半徑進(jìn)行效率刻度,確定點(diǎn)源峰效率隨空樣品盒高度和半徑變化的函數(shù)參數(shù),對點(diǎn)源效率函數(shù)進(jìn)行數(shù)值積分,確定了Φ63.50 mm×16.66 mm 的氙氣樣品峰效率值,并與蒙卡計(jì)算結(jié)果以及b-g符合測量結(jié)果進(jìn)行比較,結(jié)果較好。
體源樣品多為圓柱狀,可視作點(diǎn)源集合。設(shè)圓柱狀源與圓柱型HPGe探測器同軸,則裝樣容器內(nèi)的點(diǎn)源位置可用柱坐標(biāo)(半徑r,高度h)表示。設(shè)樣品體積為V,高度為H,截面積為S,則能量為Eγ的γ射線峰探測效率εVP(Eγ,H)為體積元的 γ峰效率的積分[6]
對任一高度h,點(diǎn)源效率與r的關(guān)系用高斯函數(shù)擬合,高斯峰址在r=0處,則可得式(2)[6]:
式中,是探測器對點(diǎn)源的探測效率;是r=0時(shí)的峰效率;Γ(h)是高斯函數(shù)的半高寬;Eγ為γ射線能量;r是源-探測器軸線距離;h是源-探測器表面距離。
對于一定高度,點(diǎn)源峰效率隨半徑ri變化的函數(shù)可由半經(jīng)驗(yàn)公式表示:式中,a、b、c是待定系數(shù),可由點(diǎn)源峰效率的實(shí)驗(yàn)值與半徑進(jìn)行最小二乘法擬合得到。令ri=0,由式(3)可得,則高斯函數(shù)半寬度ri滿足如下方程:
解得ri的正根,即為高斯函數(shù)的半高寬Γ(h)的一半。離晶體較近時(shí)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)有偏差,本實(shí)驗(yàn)選取25、20、15、10 mm高度Γ(h)值。Γ(h)與點(diǎn)源高度的關(guān)系可用如下半經(jīng)驗(yàn)公式擬合
式中,a1、a2是待定系數(shù),由Γ(h)和高度作最小二乘法擬合得到。r=0時(shí)的峰效率為[7]:
式中,a3、a4、a5可由r=0時(shí)的點(diǎn)源峰效率實(shí)驗(yàn)值和高度根據(jù)最小二乘法擬合得到。
超低本底HPGe γ譜儀系統(tǒng),Φ70 mm×30 mm探測器,效率為35.6%,分辨率為1.79 keV@1332.5 keV; 鉛屏蔽體厚度為16.5 cm,20–1500 keV的積分本底計(jì)數(shù)率為 0.95 cps; 用 CANBERRA公司的DSA1000多道譜儀(8192道)和Genie 2000能譜獲取與分析軟件進(jìn)行能譜獲取、計(jì)算峰面積及統(tǒng)計(jì)漲落。所用標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)源為241Am(589.2 Bq)、137Cs(469.7 Bq)和60Co(360.1 Bq), 它們的斑徑均為3.0 mm,由中國原子能科學(xué)研究院制作,出廠日期2008年9月11日。上述點(diǎn)源活度的不確定度依次為2.1%、2.1%和2.2%,是系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)誤差的主要來源。薄膜點(diǎn)源有很薄的吸收層,但氙同位素的 γ射線最低能量為 81 keV,該吸收層對它們的吸收可忽略不計(jì)。
用 5個(gè)Φ75 mm聚乙烯樣品盒,高度分別為P=5、10、15、20、25 mm。在樣品盒半徑上,從中心到邊緣六等分,編號為N=0、1、2、3、4、5。將樣品測量點(diǎn)編號為P-N。在不同高度,將點(diǎn)源置于設(shè)定測量點(diǎn)進(jìn)行測量??諛悠泛杏?.0 mm的吸收層,氙樣品盒底為1.14 mm厚的碳纖維。
由能譜得到的核素能峰的全能峰計(jì)數(shù),按ε(ri)=N/(APγt)計(jì)算點(diǎn)源探測效率,式中,N表示峰計(jì)數(shù);A表示點(diǎn)源活度(Bq);Pγ表示γ射線發(fā)射率(其中241Am、137Cs、60Co 的 59.54、661.66、1 173.2、1 332.5 keV γ射線的發(fā)射率分別為0.359、0.851、1.00、1.00);t表示測量時(shí)間(s)。點(diǎn)源峰計(jì)數(shù)率的某次測定結(jié)果如表1所示。
由表1數(shù)據(jù),用式(3)、(4)計(jì)算Γ(h),再擬合式(5)、(6)中的待定參數(shù),結(jié)果見表2。
表1 點(diǎn)源峰計(jì)數(shù)率實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)Table 1 Full energy peak count rates(cps) of point sources.
表2 點(diǎn)源效率函數(shù)參數(shù)擬合結(jié)果Table 2 Fitting results of parameters in the efficiency function.
由表 2,把系數(shù)和能量進(jìn)行最小二乘擬合,系數(shù)a1–a5和γ射線能量的關(guān)系分別為:
由此可算得到氙同位素各 γ射線所對應(yīng)的系數(shù),見表 3。由表 3,氙氣效率函數(shù)的參數(shù)對半徑31.75 mm和高度16.66 mm的氣體氙樣品進(jìn)行式(1)積分,求得氙氣體樣品的探測效率如表4所示。
表3 氙氣同位素效率函數(shù)參數(shù)計(jì)算結(jié)果Table 3 Calculation results of parameters in the xenon gas isotope efficiency function.
表4 氙氣體樣品函數(shù)積分探測效率值Table 4 Function integration detection efficiency of xenon gas samples.
由于圓柱狀氙氣樣品的半徑(31.75 mm)略小于晶體半徑(34.70 mm),樣品盒側(cè)壁(不銹鋼材質(zhì))對射向晶體邊緣的射線探測效率有些影響;而點(diǎn)源效率函數(shù)技術(shù)則未考慮樣品盒側(cè)壁對射線探測效率的影響,故用蒙卡法對點(diǎn)源效率函數(shù)結(jié)果進(jìn)行校正。先模擬有側(cè)壁樣品盒(不銹鋼)的探測效率,再模擬無側(cè)壁時(shí)的探測效率,從而得到該點(diǎn)源效率函數(shù)的校正因子。
為驗(yàn)證上述方法,從反應(yīng)堆廢氣中采集2個(gè)氙氣樣品,1#樣品分別在兩個(gè)g譜儀實(shí)驗(yàn)室測量系統(tǒng)進(jìn)行分析,2#氙氣樣品在一個(gè)g譜儀實(shí)驗(yàn)室和禁核試北京放射性核素實(shí)驗(yàn)室的b-g符合測量系統(tǒng)進(jìn)行分析,結(jié)果見表5。對于1#樣品,兩個(gè)g譜儀測量效率分別由蒙特卡羅模擬分析計(jì)算和點(diǎn)源效率函數(shù)分析計(jì)算給出,用點(diǎn)源效率函數(shù)法的結(jié)果和蒙卡法計(jì)算結(jié)果偏差為–7.12%,在不確定度范圍內(nèi)。對于2#樣品,用點(diǎn)源效率函數(shù)和和b-g符合測量系統(tǒng)測量結(jié)果的偏差為 1.29%,在不確定度范圍內(nèi)。因此,該點(diǎn)源效率函數(shù)技術(shù)方法是有效可行的。
表5 采集氙氣樣品的不同方法測量結(jié)果Table 5 Activity of collected xenon samples analyzed by different methods.
本文的點(diǎn)源效率函數(shù)主要優(yōu)點(diǎn)有:
(1) 可直接計(jì)算氙氣樣品的探測效率;
(2) 氣體樣品密度小,對射線的衰減可忽略不計(jì),故無需作自吸收校正,則用效率函數(shù)可計(jì)算任意形狀和尺寸的氣體樣品的探測效率;
(3) 理論計(jì)算及蒙卡模擬存在晶體尺寸不確定的因素[7–9],點(diǎn)源效率函數(shù)不涉及晶體尺寸的問題,因此不存在由于晶體尺寸不確定所帶來的誤差。
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